JP2003114303A - 光学薄膜の製造方法及び光学薄膜 - Google Patents
光学薄膜の製造方法及び光学薄膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フッ化物を含む基板やフッ化物薄膜上にイオ
ンプレーティング法やイオンアシスト法で酸化物薄膜を
形成するに際し、下地に光学的な吸収が発生することの
ない光学薄膜を作製する。 【解決手段】 フッ化物を含む基板上またはフッ化物薄
膜上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成した後、酸化
物膜の上にイオンプレーティング法またはイオンアシス
ト法により酸化物膜を形成する。真空蒸着法による酸化
物膜がバリヤ層となって下地にイオンが衝突することを
防ぐため、光学的な吸収が発生することがなくなる。
ンプレーティング法やイオンアシスト法で酸化物薄膜を
形成するに際し、下地に光学的な吸収が発生することの
ない光学薄膜を作製する。 【解決手段】 フッ化物を含む基板上またはフッ化物薄
膜上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成した後、酸化
物膜の上にイオンプレーティング法またはイオンアシス
ト法により酸化物膜を形成する。真空蒸着法による酸化
物膜がバリヤ層となって下地にイオンが衝突することを
防ぐため、光学的な吸収が発生することがなくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学薄膜の製造方
法及び光学薄膜に関する。
法及び光学薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】反射防止膜、ビームスプリッター、バン
ドパスフィルターなどの光学薄膜を形成する場合、真空
蒸着法が従来より多用されている。しかし真空蒸着法で
形成した膜は一般に、密度が低いために膜強度が弱く、
傷付き易いこと、膜の内部に水分を吸着して光学特性が
変化すること、結晶化し易く膜表面の凹凸が大きくなり
易いため散乱が大きいこと等の問題を有している。
ドパスフィルターなどの光学薄膜を形成する場合、真空
蒸着法が従来より多用されている。しかし真空蒸着法で
形成した膜は一般に、密度が低いために膜強度が弱く、
傷付き易いこと、膜の内部に水分を吸着して光学特性が
変化すること、結晶化し易く膜表面の凹凸が大きくなり
易いため散乱が大きいこと等の問題を有している。
【０００３】近年、真空蒸着法の欠点を解消するため、
イオンプレーティング法やイオンアシスト法が用いられ
ている。例えば、特開平４−１７８８６１号公報には、
基板に高周波電圧を印加して薄膜を形成するいわゆるイ
オンプレーティング法と、イオンを照射して薄膜を形成
するいわゆるイオンアシスト法の両方を併用する方法が
開示されている。
イオンプレーティング法やイオンアシスト法が用いられ
ている。例えば、特開平４−１７８８６１号公報には、
基板に高周波電圧を印加して薄膜を形成するいわゆるイ
オンプレーティング法と、イオンを照射して薄膜を形成
するいわゆるイオンアシスト法の両方を併用する方法が
開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、イオンプレ
ーティング法やイオンアシスト法においては、フッ化物
膜を形成することが非常に難しいものとなっている。こ
れは、フッ化物に高エネルギーのイオンが入射すると、
フッ素が解離して光学的に吸収が発生するためである。
そのため、光学薄膜の成膜において、イオンプレーティ
ング法やイオンアシスト法は、酸化物の成膜に限定され
ているのが現状である。
ーティング法やイオンアシスト法においては、フッ化物
膜を形成することが非常に難しいものとなっている。こ
れは、フッ化物に高エネルギーのイオンが入射すると、
フッ素が解離して光学的に吸収が発生するためである。
そのため、光学薄膜の成膜において、イオンプレーティ
ング法やイオンアシスト法は、酸化物の成膜に限定され
ているのが現状である。
【０００５】フッ化物を含む基板や薄膜上に対し、イオ
ンプレーティング法やイオンアシスト法によって薄膜を
形成する場合においても、同様の問題が発生する。すな
わち、酸化物薄膜の厚さが薄い薄膜形成の初期段階で
は、入射するイオンが薄膜を貫通して下地のフッ化物基
板やフッ化物薄膜に衝突する。その結果、フッ素が解離
し光学的な吸収が発生する。
ンプレーティング法やイオンアシスト法によって薄膜を
形成する場合においても、同様の問題が発生する。すな
わち、酸化物薄膜の厚さが薄い薄膜形成の初期段階で
は、入射するイオンが薄膜を貫通して下地のフッ化物基
板やフッ化物薄膜に衝突する。その結果、フッ素が解離
し光学的な吸収が発生する。
【０００６】本発明は、このような問題点を考慮してな
されたものであり、フッ化物を含む基板やフッ化物薄膜
上にイオンプレーティング法やイオンアシスト法で酸化
物薄膜を形成するに際し、下地に光学的な吸収が発生す
ることのない光学薄膜の製造方法及び光学薄膜を提供す
ることを目的とする。
されたものであり、フッ化物を含む基板やフッ化物薄膜
上にイオンプレーティング法やイオンアシスト法で酸化
物薄膜を形成するに際し、下地に光学的な吸収が発生す
ることのない光学薄膜の製造方法及び光学薄膜を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明の光学薄膜の製造方法は、フッ化物
を含む基板上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成した
後、酸化物膜の上にイオンプレーティング法またはイオ
ンアシスト法により酸化物膜を形成することを特徴とす
る。
め、請求項１の発明の光学薄膜の製造方法は、フッ化物
を含む基板上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成した
後、酸化物膜の上にイオンプレーティング法またはイオ
ンアシスト法により酸化物膜を形成することを特徴とす
る。
【０００８】請求項２の発明の光学薄膜の製造方法は、
フッ化物薄膜の上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成
した後、酸化物膜の上にイオンプレーティング法または
イオンアシスト法により酸化物膜を形成することを特徴
とする。
フッ化物薄膜の上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成
した後、酸化物膜の上にイオンプレーティング法または
イオンアシスト法により酸化物膜を形成することを特徴
とする。
【０００９】請求項３の発明の光学薄膜は、フッ化物基
板と、真空蒸着法によってフッ化物基板上に形成された
厚さ５ｎｍ以上の酸化物膜と、この酸化物膜上にイオン
プレーティング法またはイオンアシスト法によって形成
された酸化物膜とを備えていることを特徴とする。
板と、真空蒸着法によってフッ化物基板上に形成された
厚さ５ｎｍ以上の酸化物膜と、この酸化物膜上にイオン
プレーティング法またはイオンアシスト法によって形成
された酸化物膜とを備えていることを特徴とする。
【００１０】請求項４の発明の光学薄膜は、フッ化物薄
膜と、真空蒸着法によってフッ化物薄膜上に形成された
厚さ５ｎｍ以上の酸化物膜と、この酸化物膜上にイオン
プレーティング法またはイオンアシスト法によって形成
された酸化物膜とを備えていることを特徴とする。
膜と、真空蒸着法によってフッ化物薄膜上に形成された
厚さ５ｎｍ以上の酸化物膜と、この酸化物膜上にイオン
プレーティング法またはイオンアシスト法によって形成
された酸化物膜とを備えていることを特徴とする。
【００１１】請求項５の発明の光学薄膜は、請求項４の
真空蒸着法により形成した５ｎｍ以上の厚さの酸化物膜
がＳｉＯ２であることを特徴とする。
真空蒸着法により形成した５ｎｍ以上の厚さの酸化物膜
がＳｉＯ２であることを特徴とする。
【００１２】以上の請求項の発明では、フッ化物基板や
フッ化物薄膜の上に、まず真空蒸着法により酸化物膜を
形成する。真空蒸着法では、下地にイオンが入射するこ
とがないので光吸収が発生することがない。このように
最初に真空蒸着法で形成する酸化物膜は、下地にイオン
が衝突するのを防ぐバリヤ層として機能するものであ
る。
フッ化物薄膜の上に、まず真空蒸着法により酸化物膜を
形成する。真空蒸着法では、下地にイオンが入射するこ
とがないので光吸収が発生することがない。このように
最初に真空蒸着法で形成する酸化物膜は、下地にイオン
が衝突するのを防ぐバリヤ層として機能するものであ
る。
【００１３】このバリヤ層は厚ければそれだけイオンが
衝突するのを防ぐ効果が高いが、バリヤ層が必要以上に
厚い場合には、上述したような真空蒸着法の欠点が顕著
に現れる。したがって、バリヤ層の厚さは、必要最低限
にするのが好ましい。本発明者らが検討した結果、真空
蒸着法により形成した薄膜が最低５ｎｍあれば、その上
にイオンプレーティング法またはイオンアシスト法によ
り酸化物膜を形成しても、光吸収がほとんど発生しない
ことが判明した。なお、真空蒸着法によって形成する酸
化物膜の膜厚は、５ｎｍ〜２０ｎｍ程度が好適である
が、要求される光学特性によっては更に厚くしても良い
場合もある。
衝突するのを防ぐ効果が高いが、バリヤ層が必要以上に
厚い場合には、上述したような真空蒸着法の欠点が顕著
に現れる。したがって、バリヤ層の厚さは、必要最低限
にするのが好ましい。本発明者らが検討した結果、真空
蒸着法により形成した薄膜が最低５ｎｍあれば、その上
にイオンプレーティング法またはイオンアシスト法によ
り酸化物膜を形成しても、光吸収がほとんど発生しない
ことが判明した。なお、真空蒸着法によって形成する酸
化物膜の膜厚は、５ｎｍ〜２０ｎｍ程度が好適である
が、要求される光学特性によっては更に厚くしても良い
場合もある。
【００１４】最初に形成する酸化物膜がＳｉＯ２の場
合、真空蒸着法で形成する薄膜としては膜密度が比較的
高いため、下地を保護する効果が高い。従って、酸化物
膜がＳｉＯ２の場合は、真空蒸着法により形成する層を
できるだけ薄くしたい場合や、わずかでもフッ素の解離
が生じるとフッ化物の光吸収が発生するような紫外域で
の用途の場合に特に有効である。
合、真空蒸着法で形成する薄膜としては膜密度が比較的
高いため、下地を保護する効果が高い。従って、酸化物
膜がＳｉＯ２の場合は、真空蒸着法により形成する層を
できるだけ薄くしたい場合や、わずかでもフッ素の解離
が生じるとフッ化物の光吸収が発生するような紫外域で
の用途の場合に特に有効である。
【００１５】ここでフッ化物基板とは、例えばＣａＦ２
結晶等の結晶材料、ＦＫ０ｌ（ショット社製、商品名）
等の光学ガラスであり、フッ化物薄膜とは、ＭｇＦ２を
はじめとする各種フッ化物薄膜である。
結晶等の結晶材料、ＦＫ０ｌ（ショット社製、商品名）
等の光学ガラスであり、フッ化物薄膜とは、ＭｇＦ２を
はじめとする各種フッ化物薄膜である。
【００１６】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）この実施の形態
では、基板としてＣａＦ２製レンズを用いた反射防止膜
の例を示す。ＣａＦ２製の基板は水分により変質し易い
ので、イオンプレーティング法やイオンアシスト法によ
り密度の高い薄膜を表面に形成して保護するのが望まし
い。
では、基板としてＣａＦ２製レンズを用いた反射防止膜
の例を示す。ＣａＦ２製の基板は水分により変質し易い
ので、イオンプレーティング法やイオンアシスト法によ
り密度の高い薄膜を表面に形成して保護するのが望まし
い。
【００１７】この実施の形態では、２５０ｎｍを設計波
長入として、基板から１層目が厚さλ／４のＡｌ２Ｏ３
層、２層目が厚さλ／２のＨｆＯ２層、３層目が厚さλ
／４のＭｇＦ２層からなる反射防止膜を形成する。
長入として、基板から１層目が厚さλ／４のＡｌ２Ｏ３
層、２層目が厚さλ／２のＨｆＯ２層、３層目が厚さλ
／４のＭｇＦ２層からなる反射防止膜を形成する。
【００１８】図１は、成膜装置を示す。この成膜装置で
は、通常の真空蒸着法及びイオンプレーティング法によ
って基板３に成膜することが可能となっている。真空蒸
着を行う機構では、電子銃１により蒸着材料２を加熱し
て基板３上に薄膜を形成し、イオンプレーティングを行
う機構では、基板３が取り付けられているドーム４に高
周波電源（ＲＦ電源）５から高周波を印加して薄膜を形
成するようになっている。
は、通常の真空蒸着法及びイオンプレーティング法によ
って基板３に成膜することが可能となっている。真空蒸
着を行う機構では、電子銃１により蒸着材料２を加熱し
て基板３上に薄膜を形成し、イオンプレーティングを行
う機構では、基板３が取り付けられているドーム４に高
周波電源（ＲＦ電源）５から高周波を印加して薄膜を形
成するようになっている。
【００１９】まず、真空槽６内を所定の真空度まで排気
した後、蒸着材料２であるＡｌ２Ｏ ３を電子銃１により
加熱し、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜
を成膜する。このＡｌ２Ｏ３膜は、バリヤ層として機能
する。続いて、真空槽６中に酸素ガスを２×１０−２Ｐ
ａ導入しながらドーム４に高周波を印加し、ドーム４周
辺にプラズマを発生させるイオンプレーティング法によ
り、バリヤ層との合計で所定の光学的膜厚となるまでＡ
ｌ２Ｏ３膜を形成する。
した後、蒸着材料２であるＡｌ２Ｏ ３を電子銃１により
加熱し、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜
を成膜する。このＡｌ２Ｏ３膜は、バリヤ層として機能
する。続いて、真空槽６中に酸素ガスを２×１０−２Ｐ
ａ導入しながらドーム４に高周波を印加し、ドーム４周
辺にプラズマを発生させるイオンプレーティング法によ
り、バリヤ層との合計で所定の光学的膜厚となるまでＡ
ｌ２Ｏ３膜を形成する。
【００２０】その後、同様のイオンプレーティング法に
より、所定の光学的膜厚のＨｆＯ２膜を形成する。さら
にその上に、真空蒸着法により所定の光学的膜厚のＭｇ
Ｆ２膜を形成した。
より、所定の光学的膜厚のＨｆＯ２膜を形成する。さら
にその上に、真空蒸着法により所定の光学的膜厚のＭｇ
Ｆ２膜を形成した。
【００２１】図２は以上のようにして形成した薄膜の分
光透過率を示し、特性曲線Ａがこの実施の形態の分光透
過率である。この特性曲線Ａでは、光学的な吸収はな
く、２５０ｎｍ付近でほぼ１００％の非常に高い透過率
が得られている。
光透過率を示し、特性曲線Ａがこの実施の形態の分光透
過率である。この特性曲線Ａでは、光学的な吸収はな
く、２５０ｎｍ付近でほぼ１００％の非常に高い透過率
が得られている。
【００２２】なお、この実施の形態では、基板３が取り
付けられたドーム４に高周波（ＲＦ）を印加したイオン
プレーティング法を用いたが、他のイオンフレーティン
グ法であっても、あるいはイオンアシスト法でも同様の
結果が得られている。
付けられたドーム４に高周波（ＲＦ）を印加したイオン
プレーティング法を用いたが、他のイオンフレーティン
グ法であっても、あるいはイオンアシスト法でも同様の
結果が得られている。
【００２３】（比較例１）比較例１では、真空蒸着法に
よるＡｌ２Ｏ３層のバリヤ層を形成することなく、イオ
ンプレーティング法によって基板３上に直接に薄膜を形
成した。図２の特性曲線Ｂはこの比較例の分光透過率を
示し、吸収の影響で、分光透過率が３％程度下がってお
り、光学部品としては好ましくないものとなっている。
よるＡｌ２Ｏ３層のバリヤ層を形成することなく、イオ
ンプレーティング法によって基板３上に直接に薄膜を形
成した。図２の特性曲線Ｂはこの比較例の分光透過率を
示し、吸収の影響で、分光透過率が３％程度下がってお
り、光学部品としては好ましくないものとなっている。
【００２４】（実施の形態２）この実施の形態では、基
板としてＦＫ０１（ショット社製、商品名）からなるレ
ンズを用いた反射防止膜の例を示す。基板として用いる
ＦＫ０１は、成分としてＣａＦ２が多量に含まれた光学
ガラスである。
板としてＦＫ０１（ショット社製、商品名）からなるレ
ンズを用いた反射防止膜の例を示す。基板として用いる
ＦＫ０１は、成分としてＣａＦ２が多量に含まれた光学
ガラスである。
【００２５】この実施の形態では、表１に示すようなＴ
ａ２Ｏ５とＭｇＦ２から構成される８層の広帯域の反射
防止膜を形成する。ここで、Ｔａ２Ｏ５層は真空蒸着法
で形成する場合、屈折率が不安定なため、できるだけイ
オンプレーティング法で形成する必要がある。しかし、
実施の形態１と同様に、基板３にバリヤ層を設ける必要
があり、さらにＭｇＦ２層の上に形成する場合にもバリ
ヤ層が必要になる。
ａ２Ｏ５とＭｇＦ２から構成される８層の広帯域の反射
防止膜を形成する。ここで、Ｔａ２Ｏ５層は真空蒸着法
で形成する場合、屈折率が不安定なため、できるだけイ
オンプレーティング法で形成する必要がある。しかし、
実施の形態１と同様に、基板３にバリヤ層を設ける必要
があり、さらにＭｇＦ２層の上に形成する場合にもバリ
ヤ層が必要になる。
【００２６】そこで、Ｔａ２０５層を形成する場合、最
初の１０ｎｍ厚さ分だけは真空蒸着法で形成し、その
後、実施の形態１で用いたのと同様のイオンプレーティ
ング法で所定の膜厚になるようにした。ＭｇＦ２層は真
空蒸着法で形成した。
初の１０ｎｍ厚さ分だけは真空蒸着法で形成し、その
後、実施の形態１で用いたのと同様のイオンプレーティ
ング法で所定の膜厚になるようにした。ＭｇＦ２層は真
空蒸着法で形成した。
【００２７】図３は以上のようにして形成した薄膜の分
光反射率を示す。３５０ｎｍから８００ｎｍの広い範囲
で反射率が１％以下となっている。また、この波長範囲
で光学的な吸収が０．５％以下と非常に少ないことも確
認できた。
光反射率を示す。３５０ｎｍから８００ｎｍの広い範囲
で反射率が１％以下となっている。また、この波長範囲
で光学的な吸収が０．５％以下と非常に少ないことも確
認できた。
【００２８】（実施の形態３）この実施の形態では、基
板としてＢＫ７製のプリズムを用い、２つのプリズムを
接合したビームスプリッターの例を示す。
板としてＢＫ７製のプリズムを用い、２つのプリズムを
接合したビームスプリッターの例を示す。
【００２９】表２はこの実施の形態で成膜した偏光分離
膜の構成である。ＭｇＦ２とＰｂＦ ２との繰り返し成膜
によって偏光ビームスプリッターを形成し、その上に保
護膜としてＳｉＯ２膜を形成する。ＭｇＦ２とＰｂＦ２
は真空蒸着法で形成するが、ＳｉＯ２は保護膜として硬
さや耐湿性を要求されるため、イオンプレーティング法
で形成する。
膜の構成である。ＭｇＦ２とＰｂＦ ２との繰り返し成膜
によって偏光ビームスプリッターを形成し、その上に保
護膜としてＳｉＯ２膜を形成する。ＭｇＦ２とＰｂＦ２
は真空蒸着法で形成するが、ＳｉＯ２は保護膜として硬
さや耐湿性を要求されるため、イオンプレーティング法
で形成する。
【００３０】まず、プリズム上に、ＭｇＦ２とＰｂＦ２
の繰り返しからなる下地１７層を真空蒸着法で形成し
た。その上に、５ｎｍの厚さのＳｉＯ２膜を真空蒸着法
で形成し、さらにその上にイオンプレーティング法によ
り所定の厚さとなるまでＳｉＯ ２膜を形成した。これを
もう一つのプリズムと接合した。
の繰り返しからなる下地１７層を真空蒸着法で形成し
た。その上に、５ｎｍの厚さのＳｉＯ２膜を真空蒸着法
で形成し、さらにその上にイオンプレーティング法によ
り所定の厚さとなるまでＳｉＯ ２膜を形成した。これを
もう一つのプリズムと接合した。
【００３１】図４は、接合後の分光透過率を示し、特性
曲線ＰがＰ偏光、特性曲線ＳがＳ偏光である。４５０ｎ
ｍ付近でＰ偏光の透過率はほぼ１００％、Ｓ偏光の透過
率はほぼ０％であり、完全にＰ偏光とＳ偏光とが分離さ
れている。また、この偏光分離膜では、光学的な吸収も
ないことも確認した。
曲線ＰがＰ偏光、特性曲線ＳがＳ偏光である。４５０ｎ
ｍ付近でＰ偏光の透過率はほぼ１００％、Ｓ偏光の透過
率はほぼ０％であり、完全にＰ偏光とＳ偏光とが分離さ
れている。また、この偏光分離膜では、光学的な吸収も
ないことも確認した。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１及び２の
発明によれば、フッ化物を含む基板やフッ化物薄膜の上
に、まず真空蒸着法により酸化物薄膜を形成して下地に
イオンが衝突するのを防ぐバリヤ層とした後、イオンプ
レーティング法またはイオンアシスト法により酸化物膜
を形成するため、フッ化物からフッ素が解離して光学的
な吸収が発生することを防止でき、高い透過率を有する
光学薄膜とすることができる。
発明によれば、フッ化物を含む基板やフッ化物薄膜の上
に、まず真空蒸着法により酸化物薄膜を形成して下地に
イオンが衝突するのを防ぐバリヤ層とした後、イオンプ
レーティング法またはイオンアシスト法により酸化物膜
を形成するため、フッ化物からフッ素が解離して光学的
な吸収が発生することを防止でき、高い透過率を有する
光学薄膜とすることができる。
【００３５】請求項３〜５の発明によれば、真空蒸着法
による５ｎｍ以上の厚さの酸化物膜が、フッ化物を含む
基板あるいはフッ化物薄膜の上に形成されているため、
フッ化物からフッ素が解離することがなく、光学的な吸
収が発生するこを防止でき、高い透過率を備えたものと
することができる。
による５ｎｍ以上の厚さの酸化物膜が、フッ化物を含む
基板あるいはフッ化物薄膜の上に形成されているため、
フッ化物からフッ素が解離することがなく、光学的な吸
収が発生するこを防止でき、高い透過率を備えたものと
することができる。
【図１】成膜装置の一例の断面図である。
【図２】実施の形態１の分光透過率の特性図である。
【図３】実施の形態２の分光反射率の特性図である。
【図４】実施の形態３の分光透過率の特性図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｂ 5/04 Ｇ０２Ｂ 5/30
5/26 1/10 Ａ
5/30 Ｚ
(72)発明者 鵜澤 邦彦
東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ
ンパス光学工業株式会社内
(72)発明者 豊原 延好
東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ
ンパス光学工業株式会社内
(72)発明者 和田 順雄
東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ
ンパス光学工業株式会社内
(72)発明者 出口 武司
東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ
ンパス光学工業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H042 CA10 CA15 CA17
2H048 FA05 FA07 FA09 FA11 FA24
2H049 BA05 BA43 BC01 BC09 BC21
2K009 AA09 BB02 CC03 CC06 CC42
DD04 DD07 EE00
4K029 AA04 BA42 BA43 BA44 BA46
BB02 BC08 BD00 CA01 CA03
CA09 EA01
Claims (5)
- 【請求項１】 フッ化物を含む基板上に、真空蒸着法に
より酸化物膜を形成した後、酸化物膜の上にイオンプレ
ーティング法またはイオンアシスト法により酸化物膜を
形成することを特徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 フッ化物薄膜の上に、真空蒸着法により
酸化物膜を形成した後、酸化物膜の上にイオンプレーテ
ィング法またはイオンアシスト法により酸化物膜を形成
することを特徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 フッ化物基板と、真空蒸着法によってフ
ッ化物基板上に形成された厚さ５ｎｍ以上の酸化物膜
と、この酸化物膜上にイオンプレーティング法またはイ
オンアシスト法によって形成された酸化物膜とを備えて
いることを特徴とする光学薄膜。 - 【請求項４】 フッ化物薄膜と、真空蒸着法によってフ
ッ化物薄膜上に形成された厚さ５ｎｍ以上の酸化物膜
と、この酸化物膜上にイオンプレーティング法またはイ
オンアシスト法によって形成された酸化物膜とを備えて
いることを特徴とする光学薄膜。 - 【請求項５】 請求項４の真空蒸着法により形成した５
ｎｍ以上の厚さの酸化物膜がＳｉＯ２であることを特徴
とする光学薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001308894A JP3979814B2 (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001308894A JP3979814B2 (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 光学薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003114303A true JP2003114303A (ja) | 2003-04-18 |
| JP3979814B2 JP3979814B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
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