JPH08134637A - 光学薄膜の製造方法 - Google Patents
光学薄膜の製造方法Info
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- JPH08134637A JPH08134637A JP6279204A JP27920494A JPH08134637A JP H08134637 A JPH08134637 A JP H08134637A JP 6279204 A JP6279204 A JP 6279204A JP 27920494 A JP27920494 A JP 27920494A JP H08134637 A JPH08134637 A JP H08134637A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング法により、光吸収の少ない光
学薄膜を生産性良く安全に形成する。 【構成】 少なくとも金属酸フッ化物（ＭＦx Ｏy ；Ｍ
は金属）を含むターゲットをスパッタリングすることに
より、金属酸フッ化物からなる光学薄膜を基板上に形成
する。金属酸フッ化物は、通常の金属フッ化物に比べて
スパッタ時のフッ素の解離が少なく、製造された膜は光
吸収が生じにくくなる。さらに、スパッタガスとして特
殊なフッ素系のガスを用いる必要がなく、生産性や安全
性を損なうことがない。
学薄膜を生産性良く安全に形成する。 【構成】 少なくとも金属酸フッ化物（ＭＦx Ｏy ；Ｍ
は金属）を含むターゲットをスパッタリングすることに
より、金属酸フッ化物からなる光学薄膜を基板上に形成
する。金属酸フッ化物は、通常の金属フッ化物に比べて
スパッタ時のフッ素の解離が少なく、製造された膜は光
吸収が生じにくくなる。さらに、スパッタガスとして特
殊なフッ素系のガスを用いる必要がなく、生産性や安全
性を損なうことがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学部品などに用いら
れる反射防止膜やハーフミラー、干渉フィルターなどの
光学薄膜の製造方法に係り、より詳しくはスパッタリン
グ法による光学薄膜の製造方法に関する。
れる反射防止膜やハーフミラー、干渉フィルターなどの
光学薄膜の製造方法に係り、より詳しくはスパッタリン
グ法による光学薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、反射防止膜やハーフミラー、干渉
フィルターなどの光学薄膜を光学部品に形成する場合、
真空中で膜材料を加熱して蒸発させ、基板上に付着させ
る真空蒸着法が主に使用されてきた。しかし、近年にな
り、上記光学薄膜を成形する際においても、真空蒸着法
に比較して自動化・省力化・大面積基板への適用性など
の点で有利なスパッタリング法によるコ−ティングの要
求が高まってきた。
フィルターなどの光学薄膜を光学部品に形成する場合、
真空中で膜材料を加熱して蒸発させ、基板上に付着させ
る真空蒸着法が主に使用されてきた。しかし、近年にな
り、上記光学薄膜を成形する際においても、真空蒸着法
に比較して自動化・省力化・大面積基板への適用性など
の点で有利なスパッタリング法によるコ−ティングの要
求が高まってきた。
【０００３】一方、光学薄膜を構成する物質としては、
ＳｉＯ2 やＴｉＯ2 などの金属酸化物が一般的である
が、この他に屈折率が低い等の理由により、ＭｇＦ2 な
どの金属フッ化物がしばしば用いられている。ところ
が、ＭｇＦ2 などの金属フッ化物は真空蒸着法により容
易に良質な膜が成形できるのに対し、スパッタリング法
においては、スパッタリングを行う際にフッ素（Ｆ）が
解離しやすく、形成した膜に可視光の吸収が生じやすい
という問題がある。
ＳｉＯ2 やＴｉＯ2 などの金属酸化物が一般的である
が、この他に屈折率が低い等の理由により、ＭｇＦ2 な
どの金属フッ化物がしばしば用いられている。ところ
が、ＭｇＦ2 などの金属フッ化物は真空蒸着法により容
易に良質な膜が成形できるのに対し、スパッタリング法
においては、スパッタリングを行う際にフッ素（Ｆ）が
解離しやすく、形成した膜に可視光の吸収が生じやすい
という問題がある。
【０００４】そこで、従来、スパッタガスとしてフッ素
を含有するガスを用いることにより、解離したフッ素を
補充するという技術が検討されている。このような試み
は、例えば特開平４−２８９１６５号公報に開示されて
いる。この公報によれば、金属フッ化物をスパッタする
際、スパッタガスとして不活性ガスとフッ素ガスまたは
フッ素ガス含有化合物ガスとの混合ガスを用い、金属フ
ッ化物の膜を形成している。
を含有するガスを用いることにより、解離したフッ素を
補充するという技術が検討されている。このような試み
は、例えば特開平４−２８９１６５号公報に開示されて
いる。この公報によれば、金属フッ化物をスパッタする
際、スパッタガスとして不活性ガスとフッ素ガスまたは
フッ素ガス含有化合物ガスとの混合ガスを用い、金属フ
ッ化物の膜を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
で用いられているフッ素ガスやフッ素含有化合物ガスな
どのフッ素系ガスは、極めて腐食性が高く、真空チャン
バーやポンプ、真空油などを劣化させてしまう恐れがあ
った。また、人体にも有害で、特別な排ガス処理装置が
必要である等、生産性や安全性において問題があった。
で用いられているフッ素ガスやフッ素含有化合物ガスな
どのフッ素系ガスは、極めて腐食性が高く、真空チャン
バーやポンプ、真空油などを劣化させてしまう恐れがあ
った。また、人体にも有害で、特別な排ガス処理装置が
必要である等、生産性や安全性において問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて
なされたもので、スパッタリング法により、光吸収の少
ない光学薄膜を生産性良く安全に形成することができる
光学薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
なされたもので、スパッタリング法により、光吸収の少
ない光学薄膜を生産性良く安全に形成することができる
光学薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、以下のように構成した。請求項１の発
明は、スパッタリング法により光学薄膜を製造するにあ
たり、少なくとも金属酸フッ化物（ＭＦx Ｏy ；Ｍは金
属）を含むターゲットをスパッタリングすることによ
り、光学薄膜を基板上に形成することとした。ここで、
フッ素（Ｆ）と酸素（Ｏ）の金属に対する組成比（ｘお
よびｙ）は、特に限定されるものではない。また、本発
明では、金属酸フッ化物に他の金属酸フッ化物や金属酸
化物などを、本発明の効果を享受し得る範囲で混合して
も良く、また他の金属酸化物や金属などからなる層と組
み合わせて多層の光学薄膜を構成しても一向に構わな
い。
解決するために、以下のように構成した。請求項１の発
明は、スパッタリング法により光学薄膜を製造するにあ
たり、少なくとも金属酸フッ化物（ＭＦx Ｏy ；Ｍは金
属）を含むターゲットをスパッタリングすることによ
り、光学薄膜を基板上に形成することとした。ここで、
フッ素（Ｆ）と酸素（Ｏ）の金属に対する組成比（ｘお
よびｙ）は、特に限定されるものではない。また、本発
明では、金属酸フッ化物に他の金属酸フッ化物や金属酸
化物などを、本発明の効果を享受し得る範囲で混合して
も良く、また他の金属酸化物や金属などからなる層と組
み合わせて多層の光学薄膜を構成しても一向に構わな
い。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１における金属
酸フッ化物の金属をＭｇとした。本発明の金属酸フッ化
物を構成する金属は、特に限定をする必要はなく、Ｌ
ｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｃａ，Ｇａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｉｎ，
Ｂａ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｙｂ等、
さまざまなものが適用可能であるが、膜の屈折率や耐久
性などを勘案すると、特に金属がＭｇである時に有効で
ある。
酸フッ化物の金属をＭｇとした。本発明の金属酸フッ化
物を構成する金属は、特に限定をする必要はなく、Ｌ
ｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｃａ，Ｇａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｉｎ，
Ｂａ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｙｂ等、
さまざまなものが適用可能であるが、膜の屈折率や耐久
性などを勘案すると、特に金属がＭｇである時に有効で
ある。
【０００９】なお、本発明における光学薄膜とは、反射
防止膜、反射増加膜、ハーフミラー、ビームスプリッタ
ー、干渉フィルター、位相膜等をさし、特に限定される
ものではない。
防止膜、反射増加膜、ハーフミラー、ビームスプリッタ
ー、干渉フィルター、位相膜等をさし、特に限定される
ものではない。
【００１０】また、本発明におけるスパッタリング法と
は、マグネトロンスパッタリング、高周波（ＲＦ）スパ
ッタリング、低周波（ＬＦ）スパッタリング、二極スパ
ッタリング、ＥＣＲスパッタリング、イオンビームスパ
ッタリング（ＩＢＳ）等をさし、特に限定されるもので
はない。
は、マグネトロンスパッタリング、高周波（ＲＦ）スパ
ッタリング、低周波（ＬＦ）スパッタリング、二極スパ
ッタリング、ＥＣＲスパッタリング、イオンビームスパ
ッタリング（ＩＢＳ）等をさし、特に限定されるもので
はない。
【００１１】
【作用】上記請求項１にあっては、少なくとも金属酸フ
ッ化物（ＭＦx Ｏy ；Ｍは金属）を含むターゲットを用
いて、金属酸フッ化物からなる光学薄膜を製造する。金
属酸フッ化物は、通常の金属フッ化物に比べてスパッタ
時のフッ素の解離が少なく、製造された膜は光吸収が生
じにくくなる。これは、金属に結合している酸素（Ｏ）
が同じく金属に結合しているフッ素（Ｆ）の解離を抑え
る作用があるからである。
ッ化物（ＭＦx Ｏy ；Ｍは金属）を含むターゲットを用
いて、金属酸フッ化物からなる光学薄膜を製造する。金
属酸フッ化物は、通常の金属フッ化物に比べてスパッタ
時のフッ素の解離が少なく、製造された膜は光吸収が生
じにくくなる。これは、金属に結合している酸素（Ｏ）
が同じく金属に結合しているフッ素（Ｆ）の解離を抑え
る作用があるからである。
【００１２】また、少なくとも金属酸フッ化物（ＭＦx
Ｏy ；Ｍは金属）を含むターゲットを用いて得られる金
属酸フッ化物の膜は、通常の金属フッ化物の膜に近い屈
折率有し、光学特性や耐久性においても金属フッ化物と
同等以上の性能を有しているので、従来の金属フッ化物
と同様に光学薄膜に用いることができる。さらに、スパ
ッタガスとして特殊なフッ素系のガスを用いる必要がな
く、生産性や安全性を損なうことがない。
Ｏy ；Ｍは金属）を含むターゲットを用いて得られる金
属酸フッ化物の膜は、通常の金属フッ化物の膜に近い屈
折率有し、光学特性や耐久性においても金属フッ化物と
同等以上の性能を有しているので、従来の金属フッ化物
と同様に光学薄膜に用いることができる。さらに、スパ
ッタガスとして特殊なフッ素系のガスを用いる必要がな
く、生産性や安全性を損なうことがない。
【００１３】請求項２のように、金属酸フッ化物を構成
する金属を、特にＭｇとした場合、スパッタリングによ
り得られる膜は、特に屈折率が低い（ｎ≦１．４）とと
もに耐久性が高く、光学薄膜に有効である。
する金属を、特にＭｇとした場合、スパッタリングによ
り得られる膜は、特に屈折率が低い（ｎ≦１．４）とと
もに耐久性が高く、光学薄膜に有効である。
【００１４】
【実施例１】本発明の実施例１では、ターゲットにＭｇ
Ｆx Ｏy （ｘ＝１．８，ｙ＝０．１）を用い、ガラス基
板上にＭＦx Ｏy からなる単層の反射防止膜を形成し
た。上記ターゲットのＭｇＦx Ｏy は、ＭｇＦ2 を真空
中で熱酸化するなどして、容易に製造することができ
る。
Ｆx Ｏy （ｘ＝１．８，ｙ＝０．１）を用い、ガラス基
板上にＭＦx Ｏy からなる単層の反射防止膜を形成し
た。上記ターゲットのＭｇＦx Ｏy は、ＭｇＦ2 を真空
中で熱酸化するなどして、容易に製造することができ
る。
【００１５】図１は本実施例で使用したスパッタリング
装置を示す概略構成図である。スパッタリング装置のチ
ャンバー１は三槽構造となっており、基板をセットする
第一槽２、基板上に成膜を行う第二槽３および成膜した
基板を取り出す第三槽４から構成される、いわゆるイン
ライン式の装置である。第一槽２と第二槽３はゲートバ
ルブ５および第二槽３と第三槽４はゲートバルブ６でそ
れぞれ仕切られている。第二槽３には、ガス導入バルブ
７を備えたガス導入口８が設けられており、ガス導入バ
ルブ７を開くことによりＡｒガスなどのスパッタガスを
第二槽３内に外部から導入することができるようになっ
ている。また、第二槽３内には、マグネトロンを使用し
たカソードが設けられ、４インチのターゲット９を取り
付け得るようになっている。ターゲット９のカソードに
は、ＲＦ電源１０が備えられている。さらに、ターゲッ
ト９と基板ホルダ１２で保持されたガラス基板１１の間
には、ターゲット９からの粒子を遮るためのシャッタ１
３が開閉自在に設けられている。
装置を示す概略構成図である。スパッタリング装置のチ
ャンバー１は三槽構造となっており、基板をセットする
第一槽２、基板上に成膜を行う第二槽３および成膜した
基板を取り出す第三槽４から構成される、いわゆるイン
ライン式の装置である。第一槽２と第二槽３はゲートバ
ルブ５および第二槽３と第三槽４はゲートバルブ６でそ
れぞれ仕切られている。第二槽３には、ガス導入バルブ
７を備えたガス導入口８が設けられており、ガス導入バ
ルブ７を開くことによりＡｒガスなどのスパッタガスを
第二槽３内に外部から導入することができるようになっ
ている。また、第二槽３内には、マグネトロンを使用し
たカソードが設けられ、４インチのターゲット９を取り
付け得るようになっている。ターゲット９のカソードに
は、ＲＦ電源１０が備えられている。さらに、ターゲッ
ト９と基板ホルダ１２で保持されたガラス基板１１の間
には、ターゲット９からの粒子を遮るためのシャッタ１
３が開閉自在に設けられている。
【００１６】上記基板ホルダー１２は、第一槽２、第二
槽３および第三槽４内を移動自在に設けられており、第
一槽２でガラス基板１１を保持させた後、第二槽３内で
ターゲット９と対向する位置に移動させてガラス基板１
１上に成膜した後、第三槽４に移動させ得るようになっ
ている。なお、排気系は図示を省略してあるが、排気系
はロータリーポンプとターボ分子ポンプとからなってい
る。
槽３および第三槽４内を移動自在に設けられており、第
一槽２でガラス基板１１を保持させた後、第二槽３内で
ターゲット９と対向する位置に移動させてガラス基板１
１上に成膜した後、第三槽４に移動させ得るようになっ
ている。なお、排気系は図示を省略してあるが、排気系
はロータリーポンプとターボ分子ポンプとからなってい
る。
【００１７】本実施例では、第二槽３のターゲット９と
してＭｇＦx Ｏy （ｘ＝１．８，ｙ＝０．１）をカソー
ドに取り付け、ＭｇＦx Ｏy をスパッタする際には、真
空槽内を十分に排気した後、ガス導入バルブ７を徐々に
開いてガス導入口８から分圧が２ＰａのＡｒガスを導入
し、ＲＦ電源１０の投入電力を４００Ｗとする。このよ
うにすることで、ＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より、ガラス基板１１上にＭｇＦx Ｏy 膜を形成するこ
とができる。
してＭｇＦx Ｏy （ｘ＝１．８，ｙ＝０．１）をカソー
ドに取り付け、ＭｇＦx Ｏy をスパッタする際には、真
空槽内を十分に排気した後、ガス導入バルブ７を徐々に
開いてガス導入口８から分圧が２ＰａのＡｒガスを導入
し、ＲＦ電源１０の投入電力を４００Ｗとする。このよ
うにすることで、ＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より、ガラス基板１１上にＭｇＦx Ｏy 膜を形成するこ
とができる。
【００１８】次に、本実施例の光学薄膜の成膜手順を説
明する。まず、硝材ＬａＳＫ０１（（株）オハラ製、屈
折率ｎ＝１．７６）からなるガラス基板１１を基板ホル
ダ１２に保持し、第一槽１内にセットする。槽内を図示
を省略した排気系のターボ分子ポンプにより１×１０-3
Ｐａまで排気した後、ゲートバルブ５を開き、基板ホル
ダ１２とともにガラス基板１１を第二槽３内の所定位置
に送る。
明する。まず、硝材ＬａＳＫ０１（（株）オハラ製、屈
折率ｎ＝１．７６）からなるガラス基板１１を基板ホル
ダ１２に保持し、第一槽１内にセットする。槽内を図示
を省略した排気系のターボ分子ポンプにより１×１０-3
Ｐａまで排気した後、ゲートバルブ５を開き、基板ホル
ダ１２とともにガラス基板１１を第二槽３内の所定位置
に送る。
【００１９】ガラス基板１１が第二槽３に入るとゲート
バルブ５を閉じ、シャッタ１３を開き、光学的膜厚ｎｄ
＝１３０ｎｍのＭｇＦx Ｏy 膜をガラス基板１１上に形
成した後、シャッタ１３を閉じる。続いて、ゲートバル
ブ６を開き、ガラス基板１１を基板ホルダ１２とともに
第三槽４に送る。
バルブ５を閉じ、シャッタ１３を開き、光学的膜厚ｎｄ
＝１３０ｎｍのＭｇＦx Ｏy 膜をガラス基板１１上に形
成した後、シャッタ１３を閉じる。続いて、ゲートバル
ブ６を開き、ガラス基板１１を基板ホルダ１２とともに
第三槽４に送る。
【００２０】ガラス基板１１が第三槽４内に送られた
後、ゲートバルブ６を閉じ、第三槽４を大気圧にリーク
してガラス基板１１を基板ホルダ１２とともに取り出
す。このようにして、ガラス基板１１上にＭｇＦx Ｏy
からなる単層の反射防止膜を形成することができる。本
実施例の成膜条件等を表１にまとめて示す。
後、ゲートバルブ６を閉じ、第三槽４を大気圧にリーク
してガラス基板１１を基板ホルダ１２とともに取り出
す。このようにして、ガラス基板１１上にＭｇＦx Ｏy
からなる単層の反射防止膜を形成することができる。本
実施例の成膜条件等を表１にまとめて示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】本実施例では、金属酸フッ化物であるＭｇ
Ｆx Ｏy のターゲットを用いているため、通常の金属フ
ッ化物であるＭｇＦ2 をターゲットに用いた場合に比べ
て、スパッタ時のフッ素の解離が少なく、形成した膜の
光吸収が生じない。これは、Ｍｇに結合している酸素
（Ｏ）が同じくＭｇに結合しているフッ素（Ｆ）の解離
を抑える作用があるからである。
Ｆx Ｏy のターゲットを用いているため、通常の金属フ
ッ化物であるＭｇＦ2 をターゲットに用いた場合に比べ
て、スパッタ時のフッ素の解離が少なく、形成した膜の
光吸収が生じない。これは、Ｍｇに結合している酸素
（Ｏ）が同じくＭｇに結合しているフッ素（Ｆ）の解離
を抑える作用があるからである。
【００２３】すなわち、本実施例の製造方法によって得
られるＭｇＦx Ｏy の膜は、通常のＭｇＦ2 の膜の屈折
率（ｎ＝１．３８）に近い、低い屈折率（ｎ＝１．３
９）を有し、光学特性や耐久性においてもＭｇＦ2 と同
等以上の性能を有している。また、本実施例では、スパ
ッタガスとして特殊なフッ素系のガスを用いておらず、
生産性や安全性を損なうことがない。
られるＭｇＦx Ｏy の膜は、通常のＭｇＦ2 の膜の屈折
率（ｎ＝１．３８）に近い、低い屈折率（ｎ＝１．３
９）を有し、光学特性や耐久性においてもＭｇＦ2 と同
等以上の性能を有している。また、本実施例では、スパ
ッタガスとして特殊なフッ素系のガスを用いておらず、
生産性や安全性を損なうことがない。
【００２４】本実施例により形成した反射防止膜の分光
反射特性を図２に示す。図２に示すように、ＭｇＦx Ｏ
y からなる反射防止膜は、単層で良好な反射防止効果が
得られていることがわかる。また、光吸収は可視域で
０．３％以下であり、実用上何ら問題はなかった。
反射特性を図２に示す。図２に示すように、ＭｇＦx Ｏ
y からなる反射防止膜は、単層で良好な反射防止効果が
得られていることがわかる。また、光吸収は可視域で
０．３％以下であり、実用上何ら問題はなかった。
【００２５】以上のように、本発明の実施例１によれ
ば、ＭｇＦx Ｏy のターゲットをスパッタリングするこ
とにより、反射防止膜を形成したので、光吸収の少ない
反射防止膜をスパッタリング法により生産性良く安全に
製造することができる。また、本実施例では、特に金属
がＭｇなので、膜の屈折率が低く、良好な反射防止膜が
得られる他、耐久性も高い。
ば、ＭｇＦx Ｏy のターゲットをスパッタリングするこ
とにより、反射防止膜を形成したので、光吸収の少ない
反射防止膜をスパッタリング法により生産性良く安全に
製造することができる。また、本実施例では、特に金属
がＭｇなので、膜の屈折率が低く、良好な反射防止膜が
得られる他、耐久性も高い。
【００２６】なお、本実施例では、ＭｇＦx Ｏy からな
る反射防止膜を単層で形成した例を示したが、これに限
られないことはいうまでもない。例えば、ＴｉＯ2 やＴ
ａ2Ｏ5 のような酸化物などと組み合わせた２〜６層程
度の反射防止膜や、その他ハーフミラー、干渉フィルタ
ー等でも、同様の手法で光吸収のない良好な光学薄膜を
製造することができた。また、基板１１もガラスに限ら
れず、例えばポリカーボネートやアモルファスポリオレ
フィンなどのプラスチックにも適用でき、同様の効果が
得られた。その他、スパッタリング装置も本実施例のよ
うなインライン式の装置でなく、バッチ式のものを用い
ても同様の効果を有する反射防止膜を製造することがで
きた。
る反射防止膜を単層で形成した例を示したが、これに限
られないことはいうまでもない。例えば、ＴｉＯ2 やＴ
ａ2Ｏ5 のような酸化物などと組み合わせた２〜６層程
度の反射防止膜や、その他ハーフミラー、干渉フィルタ
ー等でも、同様の手法で光吸収のない良好な光学薄膜を
製造することができた。また、基板１１もガラスに限ら
れず、例えばポリカーボネートやアモルファスポリオレ
フィンなどのプラスチックにも適用でき、同様の効果が
得られた。その他、スパッタリング装置も本実施例のよ
うなインライン式の装置でなく、バッチ式のものを用い
ても同様の効果を有する反射防止膜を製造することがで
きた。
【００２７】
【実施例２〜８】本発明の実施例２〜８では、実施例１
におけるターゲット９のＭｇＦx Ｏy （ｘ＝１．８，ｙ
＝０．１）に代え、表２に示す材質のターゲットを用
い、実施例１で使用したスパッタリング装置により、実
施例１と同じ成膜条件でガラス基板上に金属酸フッ化物
の膜からなる反射防止膜を形成した。すなわち、実施例
２ではＭｇＦx Ｏy （ｘ＝１．４，ｙ＝０．３）、実施
例３ではＡｌＦx Ｏy （ｘ＝２．４，ｙ＝０．３）、実
施例４ではＣａＦx Ｏy （ｘ＝１．６，ｙ＝０．２）、
実施例５ではＳｒＦx Ｏy （ｘ＝１．８，ｙ＝０．
１）、実施例６ではＩｎＦ x Ｏy （ｘ＝２．４，ｙ＝
０．３）、実施例７ではＧａＦx Ｏy （ｘ＝２．４，ｙ
＝０．３）、実施例８ではＭｇＦx Ｏy （ｘ＝１．４，
ｙ＝０．３）とＡｌＦ x Ｏy （ｘ＝２．４，ｙ＝０．
３）の混合物をターゲットの材質に用いた。
におけるターゲット９のＭｇＦx Ｏy （ｘ＝１．８，ｙ
＝０．１）に代え、表２に示す材質のターゲットを用
い、実施例１で使用したスパッタリング装置により、実
施例１と同じ成膜条件でガラス基板上に金属酸フッ化物
の膜からなる反射防止膜を形成した。すなわち、実施例
２ではＭｇＦx Ｏy （ｘ＝１．４，ｙ＝０．３）、実施
例３ではＡｌＦx Ｏy （ｘ＝２．４，ｙ＝０．３）、実
施例４ではＣａＦx Ｏy （ｘ＝１．６，ｙ＝０．２）、
実施例５ではＳｒＦx Ｏy （ｘ＝１．８，ｙ＝０．
１）、実施例６ではＩｎＦ x Ｏy （ｘ＝２．４，ｙ＝
０．３）、実施例７ではＧａＦx Ｏy （ｘ＝２．４，ｙ
＝０．３）、実施例８ではＭｇＦx Ｏy （ｘ＝１．４，
ｙ＝０．３）とＡｌＦ x Ｏy （ｘ＝２．４，ｙ＝０．
３）の混合物をターゲットの材質に用いた。
【００２８】
【表２】
【００２９】実施例２〜８でも、実施例１と同様に、金
属酸フッ化物あるいはそれらを含む混合物のターゲット
を用いているため、通常の金属フッ化物に比べて、スパ
ッタ時のフッ素の解離が少なく、膜の光吸収が生じない
金属酸フッ化物の膜が得られる。
属酸フッ化物あるいはそれらを含む混合物のターゲット
を用いているため、通常の金属フッ化物に比べて、スパ
ッタ時のフッ素の解離が少なく、膜の光吸収が生じない
金属酸フッ化物の膜が得られる。
【００３０】なお、上記各実施例の製造方法によって得
られる金属酸フッ化物の膜は、通常の金属フッ化物の膜
の屈折率に近い屈折率を有し、スパッタガスとして特殊
なフッ素系のガスを用いておらず、生産性や安全性を損
なうことがない。
られる金属酸フッ化物の膜は、通常の金属フッ化物の膜
の屈折率に近い屈折率を有し、スパッタガスとして特殊
なフッ素系のガスを用いておらず、生産性や安全性を損
なうことがない。
【００３１】上記各実施例におけるターゲットを用いた
場合にも、実施例１と同様、表２に示すように光吸収の
少ない光学薄膜をスパッタリング法により、生産性良く
安全に製造することができた。
場合にも、実施例１と同様、表２に示すように光吸収の
少ない光学薄膜をスパッタリング法により、生産性良く
安全に製造することができた。
【００３２】次に、本発明の各実施例に対する比較例１
〜６を、表３に示す。比較例はターゲット材質を金属フ
ッ化物に変え、本発明の各実施例と同じ膜厚、ガス圧、
投入電力で成膜した。
〜６を、表３に示す。比較例はターゲット材質を金属フ
ッ化物に変え、本発明の各実施例と同じ膜厚、ガス圧、
投入電力で成膜した。
【００３３】
【表３】
【００３４】表３に示すように、比較例１は実施例１，
２に、比較例２は実施例３に、比較例３は実施例４に、
比較例４は実施例５、比較例５は実施例６、比較例６は
実施例７に対応するもので、各比較例で形成した各膜
は、いずれの場合も本発明の各実施例で形成した膜より
も、光吸収が著しく大きかった。
２に、比較例２は実施例３に、比較例３は実施例４に、
比較例４は実施例５、比較例５は実施例６、比較例６は
実施例７に対応するもので、各比較例で形成した各膜
は、いずれの場合も本発明の各実施例で形成した膜より
も、光吸収が著しく大きかった。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
によれば、少なくとも金属酸フッ化物（ＭＦx Ｏy ；Ｍ
は金属）を含むターゲットをスパッタリングすることに
より、光学薄膜を形成することとしたので、光吸収の少
ない光学薄膜をスパッタリング法により生産性良く安全
に製造することができる。
によれば、少なくとも金属酸フッ化物（ＭＦx Ｏy ；Ｍ
は金属）を含むターゲットをスパッタリングすることに
より、光学薄膜を形成することとしたので、光吸収の少
ない光学薄膜をスパッタリング法により生産性良く安全
に製造することができる。
【００３６】請求項２によれば、特に金属酸フッ化物を
構成する金属をＭｇとしたので、屈折率が低く、耐久性
が高い光学薄膜をスパッタリング法により生産性良く安
全に製造することができる。
構成する金属をＭｇとしたので、屈折率が低く、耐久性
が高い光学薄膜をスパッタリング法により生産性良く安
全に製造することができる。
【図１】本発明に係る各実施例の光学薄膜の製造方法に
用いるスパッタリング装置を概略的に示す構成図であ
る。
用いるスパッタリング装置を概略的に示す構成図であ
る。
【図２】本発明の実施例１で形成した反射防止膜の分光
反射特性を示す図である。
反射特性を示す図である。
９ ターゲット １１ ガラス基板
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタリング法により光学薄膜を製造
するにあたり、少なくとも金属酸フッ化物（ＭＦ
x Ｏy ；Ｍは金属）を含むターゲットをスパッタリング
することにより、光学薄膜を基板上に形成することを特
徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 上記金属酸フッ化物の金属はＭｇである
ことを特徴とする請求項１記載の光学薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27920494A JP3625876B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 光学薄膜の製造方法および該光学薄膜を有する光学部品 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH08134637A true JPH08134637A (ja) | 1996-05-28 |
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| JP27920494A Expired - Fee Related JP3625876B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 光学薄膜の製造方法および該光学薄膜を有する光学部品 |
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| JP (1) | JP3625876B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2009144202A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Sony Corp | 透明光学膜及びその成膜方法 |
| WO2010016973A3 (en) * | 2008-08-08 | 2010-04-01 | Raytheon Company | Oxyfluoridecoating |
| JP2015114599A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | キヤノン株式会社 | 光学多層膜、光学レンズ及び光学多層膜の製造方法 |
| WO2017192622A1 (en) * | 2016-05-03 | 2017-11-09 | Applied Materials, Inc. | Protective metal oxy-fluoride coatings |
| WO2022178046A1 (en) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | Applied Materials, Inc. | Metal oxyfluoride film formation methods |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120307353A1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Horst Schreiber | DURABLE MgO-MgF2 COMPOSITE FILM FOR INFRARED ANTI-REFLECTION COATINGS |
-
1994
- 1994-11-14 JP JP27920494A patent/JP3625876B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2009144202A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Sony Corp | 透明光学膜及びその成膜方法 |
| JP4492691B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 透明光学膜の成膜方法 |
| WO2010016973A3 (en) * | 2008-08-08 | 2010-04-01 | Raytheon Company | Oxyfluoridecoating |
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| CN109075084A (zh) * | 2016-05-03 | 2018-12-21 | 应用材料公司 | 保护性金属氟氧化物涂层 |
| KR20180132949A (ko) * | 2016-05-03 | 2018-12-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 보호 금속 불산화물 코팅들 |
| WO2017192622A1 (en) * | 2016-05-03 | 2017-11-09 | Applied Materials, Inc. | Protective metal oxy-fluoride coatings |
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| JP2022084788A (ja) * | 2016-05-03 | 2022-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 保護金属オキシフッ化物コーティング |
| US11572617B2 (en) | 2016-05-03 | 2023-02-07 | Applied Materials, Inc. | Protective metal oxy-fluoride coatings |
| CN109075084B (zh) * | 2016-05-03 | 2023-02-14 | 应用材料公司 | 保护性金属氟氧化物涂层 |
| TWI797079B (zh) * | 2016-05-03 | 2023-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 薄膜及製造塗層的方法 |
| CN116083864A (zh) * | 2016-05-03 | 2023-05-09 | 应用材料公司 | 保护性金属氟氧化物涂层 |
| WO2022178046A1 (en) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | Applied Materials, Inc. | Metal oxyfluoride film formation methods |
| US11702744B2 (en) | 2021-02-17 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Metal oxyfluoride film formation methods |
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