JP2019515139A - 保護金属オキシフッ化物コーティング - Google Patents

Abstract

物品は、保護コーティングを有する本体を含む。保護コーティングは、金属オキシフッ化物を含む薄膜である。金属オキシフッ化物は実験式ＭｘＯｙＦｚを有し、Ｍは金属であり、ｙがｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚがｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。保護コーティングは、１〜３０ミクロンの厚さと、０．１％未満の多孔率を有する。

Description

本開示の実施形態は、一般に、半導体プロセスチャンバコンポーネントで用いることができる保護金属オキシフッ化物コーティング、及び、半導体プロセスチャンバコンポーネントで用いることができる保護金属オキシフッ化物コーティングを製造するための方法に関する。

背景

半導体ウエハ製造プロセスはチャンバ内で行われ、ここで、チャンバコンポーネントは高温、高エネルギープラズマ、腐食性ガスの混合物、高応力、及び、これらの組み合せに曝露される。チャンバコンポーネントは、保護コーティングによりこれらの極端な状態からシールドされることができる。金属酸化物は、プラズマエッチングケミストリからの侵食に対する耐性のため、チャンバコンポーネントのコーティングにしばしば用いられる。金属酸化物コーティングは、ウエハ処理中に、フッ素系のケミストリへの曝露により、金属フッ化物に変換する。金属酸化物の金属フッ化物への変換は、通常、体積膨張を伴い、コーティングに対する応力を増加させる。例えば、１モルのＹ_２Ｏ_３（イットリア）から２モルのＹＦ_３（フッ化イットリウム）への変換は、約６０％の理論的体積膨張を伴う。金属酸化物の金属フッ化物への変換により引き起こされる体積膨張及び応力の付加は、チャンバコンポーネントにブリスタ及び／又は粒子を発生させ、処理されたウエハに欠陥をもたらす可能性がある。

概要

薄膜について以下に説明する。薄膜は、Ｍ_ｘＯ_ｙＦ_ｚの実験式を有する金属オキシフッ化物（ＭＯＦ）を含む。Ｍは金属元素を表す。ｙはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。このＭＯＦ薄膜は、１〜３０ミクロンの厚さと、０．１％未満の多孔率を有する。ＭＯＦ薄膜の実施例は、半導体処理装置用のチャンバコンポーネントの表面上の保護コーティングを含む。

以下に、幾つかの方法についても説明する。１つの方法は、Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｓｏｕｒｃｅ}Ｆ_{ｚ＿ｓｏｕｒｃｅ}の実験式を有するＭＯＦ源材料を提供することを含む。ｙ＿ｓｏｕｒｃｅはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｓｏｕｒｃｅはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。ＭＯＦ源材料はスパッタ堆積又は蒸着により物品上に堆積され、物品上にＭＯＦコーティングを形成する。例えば、物品は半導体プロセスチャンバコンポーネントを含むことができる。ＭＯＦ源材料同様に、物品上のＭＯＦコーティングは、Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}の実験式を有する。ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。ＭＯＦコーティングのフィーチャは、１〜３０ミクロンの厚さと、０．１％未満の多孔率を含む。

第２の方法は、源材料を提供し、スパッタ堆積又は蒸着により物品上に源材料を堆積させることを含む。物品は、１つ以上の半導体処理チャンバコンポーネントを含むことができる。第２の方法の一例では、源材料は金属である。堆積中に酸素及びフッ素イオン又はラジカルがスパッタされた又は蒸発された金属に導入され、物品上にＭＯＦコーティングを形成する。この第２の方法の他の例では、源材料は金属酸化物（ＭＯ）であり、堆積中にフッ素イオン又はラジカルがスパッタされた又は蒸発された金属酸化物に導入され、物品上にＭＯＦコーティングを形成する。この第２の方法の第３の例では、源材料は金属フッ化物（ＭＦ）であり、堆積中に酸素イオン又はラジカルがスパッタされた又は蒸発されたＭＦに導入され、物品上にＭＯＦコーティングを形成する。ＭＯＦコーティングは、Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}の実験式を有する。ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。ＭＯＦコーティングは１〜３０ミクロンの厚さと、０．１％未満の多孔率を有する。

本開示の実施形態は、同様の参照符号が同様の要素を示す添付図面において、限定ではなく、例として示される。本開示における「１つの」又は「一」実施形態への異なる参照は必ずしも同じ実施形態に限定されず、そのような参照は少なくとも１つを意味することに留意すべきである。
本発明の一実施形態による、半導体製造システムの例示的なアーキテクチャを示す。 様々な実施形態による、薄膜保護コーティングを有する例示的な物品の断面図を示す。 〜 本発明の様々な実施形態による、例示的な堆積技術を示す。 本発明の一実施形態による、物品に金属オキシフッ化物コーティングを形成する例示的な方法を示す。 〜 本発明の様々な実施形態による、物品に金属オキシフッ化物コーティングを形成する例示的な方法を示す。

構成及び実施例の詳細な説明

上述のように、金属酸化物保護層は物品上で用いられ、プラズマへの曝露からこれらの物品を保護する。金属酸化物コーティングは、フッ素系ケミストリに曝露されると、金属フッ化物に変換し、この変換は堆積膨張と、処理されたウエハ上での粒子欠陥を伴う。基板をプラズマエッチングするために、フッ素系ケミストリがしばしば用いられる。

本明細書に記載されるのは、フッ素ケミストリとの反応に耐性を有する金属オキシフッ化物（ＭＯＦ）保護コーティングの実施形態である。本明細書の実施形態に記載されるＭＯＦコーティングは、ＭＯコーティングと比較して、コーティングのフッ素化を著しく減少させる。更に、ＭＯＦコーティングは、ＭＦコーティングに比べると、チャンバコンポーネントの熱膨張係数にはるかに近く一致する熱膨張係数を有することができる。これらの特徴は、半導体製造環境における物品のためのコーティングの耐腐食性を改善し、保護コーティングに起因する粒子欠陥を低減することができる。これらの特徴を有する薄膜ＭＯＦ組成物が、ＭＯＦコーティングを形成するための幾つかの方法と共に以下に説明される。

薄膜の例示的な実施形態は、実験式Ｍ_ｘＯ_ｙＦ_ｚを有するＭＯＦを含み、ここでＭは一般に正の原子価配置を有する金属であり、Ｏが酸素であり、Ｆがフッ素である。下付き文字は、それぞれの原子の他の原子に対する数を表す。例えば、ｙの値はｘの値の０．１〜１．９倍であり、ｚの値はｘの値の０．１〜３．９倍である。いずれの場合でも、それぞれの原子の価数と組み合わされたすべての下付き文字の値は、薄膜が電子的に中性であるようにバランスがとれている。更に、薄膜の実施形態は、１〜３０ミクロンの厚さと、０．１％未満の多孔率を有する。

上述の利点を有する薄膜コーティングを製造するためには、幾つかの方法が利用可能である。例えば、一方法は、ターゲットコーティングと同じ実験式を有するＭＯＦ源材料を提供することを含む。その後、源材料は、スパッタ堆積又は蒸着により物品上に堆積される。他の方法では、源材料は金属である。金属は、酸素及びフッ素のイオン又はラジカル（例えば、プラズマにより形成される、又は、イオンガンから放出される）の存在下で物品上にスパッタリング又は蒸着される。いずれの場合も、イオン又はラジカルは、物品上に堆積される時に、スパッタされた源材料に衝突し、金属と結合し、物品上にＭＯＦコーティングを形成する。

一方法は、ＭＦ源材料を提供することを含む。源材料は、物品上にスパッタリング又は蒸発され、源材料は、物品上に堆積される時に、酸素イオン又はラジカルにより衝突される。結果として、ＭＯＦコーティングが物品上に形成される。代替的に、他の方法は、ＭＯ源材料を提供し、源材料を物品上にスパッタリング又は蒸発させることを含む。源材料は、物品上に蓄積する時に、フッ素イオン又はラジカルに衝撃され、ＭＯＦコーティングを形成する。

スパッタリング又は蒸着によりコーティングを堆積させる利点は、０．１％未満の多孔率を達成する能力である。この利点を達成する他の堆積方法は、スパッタリング又は蒸着の均等物と考えられる。

「プラズマ耐性材料」という用語は、プラズマ処理条件への曝露による侵食及び腐食に対して耐性のある材料を指す。プラズマ処理条件は、ハロゲン含有ガス（例えば、とりわけ、Ｃ_２Ｆ_６、ＳＦ_６、ＳｉＣｌ_４、ＨＢＲ、ＮＦ_３、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_３、Ｆ、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＢＣｌ_３及びＳｉＦ_４）及び他のガス（例えば、Ｏ_２、又はＮ_２Ｏ）から生成されたプラズマを含む。プラズマに対する材料の耐性は、コーティングされたコンポーネントのオペレーション及びプラズマへの曝露の時間を通して、オングストローム／分（Å／分）の単位を有することができる「エッチング速度」（ＥＲ）により測定される。また、プラズマ耐性は、ナノメートル／高周波時間（ｎｍ／ＲＦＨｒ）の単位を有する侵食速度により測定することができ、ここで、１ＲＦＨｒは、プラズマ処理条件における１時間の処理を表す。測定は異なる処理時間の後に行うことができる。例えば、測定は、処理前、処理時間５０時間後、処理時間１５０時間後、処理時間２００時間後等で行うことができる。プラズマ耐性コーティング材料は、約１００ｎｍ／ＲＦＨｒより低い侵食速度が典型的である。単一のプラズマ耐性材料は、複数の異なるプラズマ耐性又は侵食速度値を有することができる。例えば、プラズマ耐性材料は、第１のタイプのプラズマに関連する第１のプラズマ耐性又は浸食速度、及び、第２のタイプのプラズマに関連する第２のプラズマ耐性又は浸食速度を有することができる。

本明細書において「約」及び「およそ」という用語が用いられる場合、これらは提示された公称値が±１０％以内で正確であることを意味する。幾つかの実施形態は、半導体製造のためのプラズマエッチング装置に設置されたチャンバコンポーネント及び他の物品を参照して本明細書に記載される。そのようなプラズマエッチング装置は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するためにも用いることができると理解すべきである。更に、本明細書に記載される物品は、プラズマに曝露される他の構造であってもよい。本明細書で説明される物品は、半導体処理チャンバ等の処理チャンバ用のチャンバコンポーネントであってもよい。例えば、物品は、プラズマエッチング装置、プラズマクリーニング装置、プラズマ推進システム、又は他の処理チャンバのためのチャンバコンポーネントであってもよい。処理チャンバは、プラズマ処理条件を有する腐食性プラズマ環境が提供されるプロセスで用いられることができる。例えば、処理チャンバは、プラズマエッチング装置又はプラズマエッチングリアクタ、プラズマクリーニング装置等のためのチャンバであってもよい。チャンバコンポーネントの例は、基板支持アセンブリ、静電チャック（ＥＳＣ）、リング（例えば、プロセスキットリング又は単一リング）、チャンバ壁、ベース、ガス分配プレート、シャワーヘッド、ノズル、蓋、ライナ、ライナキット、シールド、プラズマスクリーン、フローイコライザ、冷却ベース、チャンバビューポート、チャンバ蓋等を含む。

更に、本明細書では、プラズマリッチプロセスのためのプロセスチャンバ内で用いられる時に粒子汚染を低減させるセラミック物品を参照して実施形態が説明される。他のプロセスのためのプロセスチャンバ（例えば、非プラズマエッチング装置、非プラズマクリーニング装置、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、プラズマエンハンスト化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、プラズマエンハンスト物理気相堆積（ＰＥＰＶＤ）チャンバ、プラズマエンハンスト原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）チャンバ等）で用いられる時にも、本明細書で説明されるセラミック物品は粒子汚染を低減させることができると考えられる。

図１は、本発明の実施形態によるＭＯＦ薄膜保護層でコーティングされた１つ以上のチャンバコンポーネントを有する半導体処理チャンバ１００の断面図である。処理チャンバ１００は、フッ素系腐食プラズマ環境が提供されるプロセスで用いることができる。例えば、処理チャンバ１００は、エッチング及び／又はクリーニングのためにフッ素系ケミストリを使用するプラズマエッチング装置又はプラズマエッチリアクター、プラズマクリーナー等のためのチャンバであってもよい。ＭＯＦ薄膜保護層を含むことができるチャンバコンポーネントの例は、基板支持アセンブリ１４８、静電チャック（ＥＳＣ）、リング（例えば、プロセスキットリング又は単一リング）、チャンバ壁、ベース、ガス分配プレート、シャワーヘッド、ライナ、ライナキット、シールド、プラズマスクリーン、フローイコライザ、冷却ベース、チャンバビューポート、チャンバ蓋、フェイスプレート、選択的変調装置（ＳＭＤ）等を含む。以下でより詳細に説明されるＭＯＦ薄膜保護層は、オキシフッ化イットリウム又は他の金属オキシフッ化物を含むことができる。

一実施形態において、処理チャンバ１００は、内部容積１０６を囲むチャンバ本体１０２とシャワーヘッド１３０を含む。代替的に、幾つかの実施形態において、シャワーヘッド１３０は、蓋及びノズルで置き換えることができる。チャンバ本体１０２は、アルミニウム、ステンレス鋼又は他の適切な材料から製造することができる。チャンバ本体１０２は、一般に、側壁１０８と、底部１１０を含む。シャワーヘッド１３０（又は、蓋及び／又はノズル）、側壁１０８及び／又は底部１１０のいずれかは、ＭＯＦ薄膜保護層を含むことができる。

外側ライナ１１６は、側壁１０８に隣接して配置され、チャンバ本体１０２を保護することができる。外側ライナ１１６は、ＭＯＦ薄膜保護層で製作及び／又はコーティングすることができる。一実施形態において、外側ライナ１１６は、酸化アルミニウムから製造される。

排気ポート１２６はチャンバ本体１０２内に画定され、内部容積１０６をポンプシステム１２８に結合することができる。ポンプシステム１２８は、処理チャンバ１００の内部容積１０６の圧力を排出及び調整するために用いられる１つ以上のポンプ及びスロットルバルブを含むことができる。

シャワーヘッド１３０は、チャンバ本体１０２の側壁１０８及び／又は上部に支持されることができる。シャワーヘッド１３０（又は蓋）は、処理チャンバ１００の内部容積１０６へのアクセスを可能にするように開口することができ、閉鎖されている時には処理チャンバ１００のシールを提供することができる。ガスパネル１５８はプロセスチャンバ１００に結合され、プロセスガス及び／又はクリーニングガスを、シャワーヘッド１３０又は蓋及びノズルを介して内部容積１０６に提供することができる。シャワーヘッド１３０は誘電エッチング（誘電体のエッチング）に用いられる処理チャンバで用いられる。シャワーヘッド１３０は、全体に亘って複数のガス分配ホール１３２を有するガス分配プレート（ＧＤＰ）を含むことができる。シャワーヘッド１３０は、アルミニウムベース又は陽極酸化アルミニウムベースであるシャワーヘッドベースに結合されたＧＤＰを含むことができる。ＧＤＰは、Ｓｉ又はＳｉＣから製造されてもよく、又は、セラミック（例えば、Ｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２（ＹＡＧ）等）であってもよい。図示のように、シャワーヘッド１３０は、シャワーヘッド１３０の表面上にＭＯＦコーティング１５２を含む。

導体エッチング（伝導性材料のエッチング）に用いられる処理チャンバでは、シャワーヘッドではなく蓋を用いることができる。蓋は、蓋の中心ホールに嵌合する中心ノズルを含むことができる。蓋は、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＡＧ等のセラミック、又は、Ｙ_４Ａｌ_２Ｏ_９とＹ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２の固溶体とを含むセラミック化合物であってもよい。また、ノズルは、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＡＧ等のセラミック、又はＹ_４Ａｌ_２Ｏ_９とＹ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２の固溶体とを含むセラミック化合物であってもよい。蓋、シャワーヘッド１３０及び／又はノズルは、ＭＯＦ薄膜保護層でコーティングされていてもよい。

処理チャンバ１００内での基板を処理するために用いることができるフッ素系処理ガスの例は、ハロゲン含有ガス（例えば、とりわけ、Ｃ_２Ｆ_６、ＳＦ_６、ＮＦ_３、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_３、Ｆ、ＮＦ_３及びＳｉＦ_４等）を含む。使用可能なキャリアガスの例は、Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ、及びプロセスガスに対して不活性な他のガス（例えば、非反応性ガス）を含む。

幾つかの実施形態において、処理チャンバ１００は、シャワーヘッドの上に配置されることができるフェースプレート及び／又は選択的変調デバイス（ＳＭＤ）を含むことができる。フェースプレート及びＳＭＤは、処理チャンバ１００に遠隔プラズマを提供するために用いられるコンポーネントである。フェースプレート及びＳＭＤは、アルミニウム（例えば、アルミニウム６０６１）又は他の金属で製造することができる。幾つかの例では、フェースプレート及びＳＭＤは、プラズマ溶射保護コーティング（例えば、浸食保護のためのＹ_２Ｏ_３のコーティング）を有する。追加的又は代替的に、フェースプレート及びＳＭＤは、浸食保護のためにＭＯＦ薄膜コーティングを有してもよい。これらのコンポーネントは、例えば、処理チャンバが遠隔プラズマチャンバ（例えば、選択的除去製品（ＳＲＰ）チャンバ）である場合に用いることができる。動作時には、フェースプレートとＳＭＤとの間に低強度のプラズマが存在し、選択的なエッチングのためにラジカルがこれらを通過する。ＳＭＤは、プラズマの選択性を調節する。

基板支持アセンブリ１４８は、処理チャンバ１００の内部容積１０６内でシャワーヘッド１３０又は蓋の下方に配置される。基板支持アセンブリ１４８は、処理中に基板１４４を保持するセラミック静電チャックと、静電チャックに結合された冷却ベースとを含む。内側ライナ（図示せず）は、基板支持アセンブリ１４８の周縁部でコーティングされてもよい。内側ライナは、ハロゲン含有ガス耐性材料（例えば、外側ライナ１１６に関して論じられたもの）であってもよい。一実施形態において、内側ライナは、外側ライナ１１６と同じ材料から製造されてもよい。更に、内側ライナは、ＭＯＦ薄膜保護層でコーティングされてもよい。

図２は、耐プラズマ性であるＭＯＦ薄膜保護層により覆われた物品（例えば、チャンバコンポーネント）の断面側面図を示す。物品２００のベース又は本体２０５の少なくとも一部は、ＭＯＦ薄膜保護層２０８によりコーティングされる。物品２００は、チャンバコンポーネント（例えば、基板支持アセンブリ、静電チャック（ＥＳＣ）、リング（例えば、プロセスキットリング又は単一リング）、チャンバ壁、ベース、ガス分配プレート又はシャワーヘッド、ライナ、ライナキット、シールド、プラズマスクリーン、フローイコライザ、冷却ベース、チャンバビューポート、チャンバ蓋、フェイスプレート、ＳＭＤ等）であってもよい。物品２００の本体２０５は、金属、セラミック、金属−セラミック複合材、ポリマー、又はポリマー−セラミック複合材であってもよい。一実施形態において、物品２００の本体２０５は、アルミニウム合金（例えば、６０６１アルミニウム）又はステンレス鋼である。他の実施形態において、物品２００の本体２０５はセラミック材料（例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２等）である。他の実施形態において、物品２００の本体２０５は、ポリマー系材料（例えば、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）等）である。

様々なチャンバコンポーネントは、異なる材料で構成される。例えば、静電チャックはセラミック材料（例えば、陽極酸化アルミニウムベースに接着されたＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＴｉＯ（酸化チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）又はＳｉＣ（炭化ケイ素）で構成することができる。Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ及び陽極酸化アルミニウムは、耐プラズマ侵食性に乏しい。フッ素ケミストリを用いたプラズマ環境に曝露されると、静電チャックの静電パックは、約５０高周波時間（ＲＦＨｒｓ）の処理の後、ウエハチャックの劣化、Ｈｅ漏れ率の増加、ウエハの表側及び裏側の粒子生成、ウエハ上の金属汚染を起こす可能性がある。高周波時間は１処理時間である。

Ａｌ_２Ｏ_３は高い曲げ強度及び高い熱伝導率を有するので、導体エッチングプロセスに用いられるプラズマエッチング装置のための蓋は、焼結セラミック（例えば、Ａｌ_２Ｏ_３）であってもよい。フッ素ケミストリに曝露されたＡｌ_２Ｏ_３は、ＡｌＦ粒子及びウエハ上のアルミニウム金属汚染を形成する。

誘電体エッチングプロセスを実行するために用いられるエッチング装置用のシャワーヘッドは、典型的には、ＳｉＣフェースプレートに結合された陽極酸化アルミニウムで形成される。このようなシャワーヘッドがフッ素を含むプラズマケミストリに曝露されると、陽極酸化されたアルミニウムベースとのプラズマ相互作用のためにＡｌＦが形成される可能性がある。更に、陽極酸化されたアルミニウムベースの高い侵食速度は、アーク放電を引き起こし、最終的にシャワーヘッドのクリーニングの平均時間を短縮する可能性がある。

幾つかのチャンバ蓋及び他のチャンバコンポーネントは、プラズマ対向面上に厚膜保護層を有し、粒子生成と金属汚染を最小にし、蓋の寿命を延ばす。プラズマ溶射及び他の溶射技術を用いて、厚膜保護層を形成することができる。ほとんどの厚膜コーティング技術は、長いリードタイムを有する。更に、大部分の厚膜コーティング技術では、コーティングを受けるためにコーティングされる物品（例えば、蓋）を調製するために特別な表面調製が行われる。そのような長いリードタイム及びコーティング調製工程は、コストを増加させ、生産性を低下させ、改装を抑制する可能性がある。更に、大部分の厚膜コーティングは、ウエハ上の欠陥性能を低下させる固有のクラック及び孔を有する。

多くの厚膜酸化物コーティング（例えば、プラズマ溶射されたＹ_２Ｏ_３）の１つの欠点は、これらのコーティングがフッ素系のケミストリと反応することである。例えば、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）プラズマ溶射保護コーティングは、フッ素系ケミストリにより引き起こされる侵食からチャンバコンポーネントを保護するために用いることができる。フッ素は酸化イットリウムと反応し、プラズマ溶射された保護コーティングの表面にフッ化イットリウムを形成する。即ち、プラズマ溶射された保護コーティングは、フッ素のいくらかのパーセンテージを吸収するであろう。プラズマ溶射保護コーティングによるフッ素の吸収は、エッチング反応に利用可能なフッ素の量を減少させる。これは、エッチングプロセスのエッチング速度を低下させる可能性がある。フッ素は、後で保護コーティングからスパッタされることができ、これは、将来のエッチングプロセスに利用可能なフッ素の量を増加させる可能性がある。従って、フッ素ケミストリを用いたエッチングプロセスのエッチング速度の安定性を低下させる可能性がある。

更に、酸化物コーティングのフッ素化（例えば、イットリアのフッ化イットリウムへの変換）は、体積膨張を伴う。体積膨張は、コーティングの表面に応力を生じさせ、更に表面にブリスタを生じさせる可能性がある。応力及び／又はブリスタは、粒子をコーティングから脱落させ、処理されたウエハ上での粒子汚染を引き起こす。

上記で提供された例は、本明細書の実施形態に記載されたＭＯＦ薄膜保護層の使用により性能を改善することができる少数のチャンバコンポーネントを示す。

再び図２を参照すると、物品２００の本体２０５は、１つ以上の表面フィーチャ（例えば、メサ２０６）を含むことができる。静電チャックの場合、表面フィーチャは、メサ、シーリングバンド、ガスチャンネル、ヘリウムホール等を含むことができる。シャワーヘッドの場合、表面フィーチャは、ボンドライン、ガス分配のための数百又は数千のホール、ガス分配ホールの周りのディボット又はバンプ等を含むことができる。他のチャンバコンポーネントは、他の表面フィーチャを有することができる。

本体２０５に形成されたＭＯＦ薄膜保護層２０８は、本体２０５の表面フィーチャと形状一致させることができる。図示のように、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、本体２０５の上面の相対的な形状を維持する（例えば、メサの形状の移送）。更に、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、シャワーヘッドのホール又は静電チャックのＨｅホールを塞がないように十分に薄くすることができる。一実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は約２００ミクロン未満の厚さを有する。更なる実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は５０ミクロン未満の厚さを有する。一実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は１〜３０ミクロンの厚さを有する。一実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は１〜１５ミクロンの厚さを有する。

ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、イオンアシスト堆積（ＩＡＤ）プロセス又は物理気相堆積（ＰＶＤ）プロセスを用いて物品２００の本体２０５上に形成することができる堆積されたセラミック層である。例えば、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、スパッタ堆積又は蒸着により堆積することができる。更に、イオン又はラジカルは、イオンガン又はプラズマにより、スパッタリング又は蒸着中に注入することができる。ＩＡＤ又はＰＶＤにより堆積されたＭＯＦ薄膜保護層２０８は、比較的低い膜応力（例えば、プラズマ溶射により生じる膜応力と比較して）を有することができる。更に、ＩＡＤ又はＰＶＤにより堆積されたＭＯＦ薄膜保護層２０８は、１％未満、幾つかの実施形態において、約０．１％未満の多孔率を有することができる。ＩＡＤ又はＰＶＤにより堆積されたＭＯＦ薄膜保護層２０８は緻密な構造であり、チャンバコンポーネントに用いるのに性能上の利点を有することができる。更に、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、堆積時及び継続使用後にクラックがない可能性がある。

ＩＡＤ又はＰＶＤにより堆積されたＭＯＦ薄膜保護層２０８は、本体２０５の上面を最初に粗面化することなく、又は、他の時間を浪費する表面準備ステップを実行することなく、堆積することができる。本体の粗面化は本体２０５の降伏電圧を低下させるので、本体２０５を最初に粗くすることなくＭＯＦ薄膜保護層２０８を適用する能力は、幾つかの用途（例えば、静電チャック）に有益である可能性がある。更に、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は非常に平滑であり、処理されたウエハの粒子欠陥及び金属汚染の両方を低減する。

ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、フッ素系ケミストリとの反応に対して耐性がある。従って、フッ素系プラズマ中のフッ素濃度は、エッチング及びクリーンプロセス中にほぼ一定に維持することができる。その結果、エッチング速度も、エッチング及びクリーンプロセス中も安定したままである。

ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、１つ以上の金属と、酸素と、フッ素を含む。一般に、金属は対応するＭＯと比較して、金属フッ化物の体積増加がある金属である。即ち、ＭＯＦの体積がＭＯの体積よりも大きい場合、金属はＭＯＦ薄膜保護層２０８での使用に適している。適切な金属は、イットリウム、ガドリニウム、アルミニウム、セリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、カルシウム、マグネシウム、エルビウム、ランタン、ネオジム、イッテルビウム及びストロンチウムを含む。以下の表１は、幾つかの適切な金属についてＭＯと比較したＭＦの体積増加を示す。

ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、１つ以上の適切な金属を含むことができる。従って、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、１つ以上のＭＯＦを含むことができる。例えば、一実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、オキシフッ化イットリウムである。他の実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、オキシフッ化イットリウムとオキシフッ化ジルコニウムの組み合わせである。そのような実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護層２０８の金属は、約２０〜３０％のジルコニウムを含むことができる。

ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は実験式Ｍ_ｘＯ_ｙＦ_ｚを有し、実験式は１分子単位のＭＯＦ薄膜保護層２０８を表す。添え字は、各構成金属、酸素又はフッ素原子の相対量を表す。従って、ｘは１分子単位のＭＯＦ薄膜保護層２０８の金属原子の数を表し、ｙは１分子単位のＭＯＦ薄膜保護層２０８の酸素原子の数を表し、ｚは１分子単位のＭＯＦ薄膜保護層２０８のフッ素原子の数を表す。

実験式は、金属の原子価数、又は、金属が酸素及びフッ素原子から受け入れることができる電子の数に依存する。各々の酸素分子は、典型的には、２つの電子に寄与し、各々のフッ素原子は、典型的には、１つの電子に寄与する。タイプに応じて、金属は最大４つの電子を受け入れることができる。従って、金属に応じて、ｙの値（即ち、酸素原子の数）は、ｘの値の０．１〜１．９倍の範囲であることができる。同様に、ｚの値（即ち、フッ素原子の数）は、ｘの値の０．１〜３．９倍の範囲であることができる。ＭＯＦ薄膜保護層２０８の一実施形態はオキシフッ化イットリウムであり、ＹＯＦの実験式を有する（注：値が１である場合には添え字は省略される）。ＭＯＦ薄膜保護層２０８の他の実施形態は、フッ化物濃度が低いオキシフッ化イットリウムである。このようなＭＯＦ薄膜は、例えばＹＯ_１．４Ｆ_０．２の実験式を有することができる。このような構成では、平均して、イットリウム原子当たり１．４個の酸素原子と、イットリウム原子当たり０．２個のフッ素原子が存在する。逆に、ＭＯＦ薄膜保護層２０８の一実施形態は、フッ化物濃度が高いオキシフッ化イットリウムである。このようなＭＯＦ薄膜は、例えばＹＯ_０．１Ｆ_２．８の実験式を有することができる。このような構成では、平均して、イットリウム原子当たり０．１個の酸素原子と、イットリウム原子当たり２．８個のフッ素原子が存在する。

ＭＯＦ薄膜中の酸素及びフッ素に対する金属の割合は、原子百分率で表すこともできる。例えば、＋３の価数を有する金属の場合、１０原子パーセントの最小酸素含有量は６３原子パーセントの最大フッ素濃度に対応する。逆に、＋３の価数を有する同じ金属の場合、１０原子パーセントの最小フッ素含有量は５２原子パーセントの最大酸素濃度に対応する。従って、＋３の価数を有する金属の場合、ＭＯＦ薄膜は、約２７〜３８原子％の金属（又は複数の金属）と、１０〜５２原子％の酸素と、約１０〜６３原子％のフッ素を有することができる。一実施形態において、ＭＯＦ薄膜は、３２−３４原子％の金属（又は複数の金属）と、３０−３６原子％の酸素と、３０−３８原子％のフッ素を有する。

＋２の価数を有する金属の場合、ＭＯＦ薄膜は、約３７〜４８原子％の金属と、１０〜４３原子％の酸素と、約１０−５３原子％のフッ素を有することができる。一実施形態において、ＭＯＦ薄膜は４０〜４５原子％の金属（又は複数の金属）と、２０〜３５原子％の酸素と、２０〜４０原子％のフッ素を有する。

＋４の価数を有する金属の場合、ＭＯＦ薄膜は、約２２〜３２原子％の金属と、約１０〜５８原子％の酸素と、約１０原子％〜６８原子％のフッ素を有することができる。一実施形態において、ＭＯＦ薄膜は、２６−２８原子％の金属（又は複数の金属）と、３０−４２原子％の酸素と、３０−４４原子％のフッ素を有する。

ＭＯＦ薄膜保護層２０８の反射率は、一実施形態において透明から、他の実施形態において不透明である範囲である。ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、約１５℃〜５００℃の有効動作温度範囲を有する。１０ミクロンのＭＯＦ薄膜保護層の降伏電圧は、実施形態において、約５００ボルトである。また、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、対応するＭＦと比較すると、高い硬さの恩恵を受ける。例えば、ＹＦ_３は、２．７４〜３．１５ギガパスカル（ＧＰａ）の範囲のビッカース硬さを有する。ＹＯＦは３．１５ＧＰａより大きい硬さを有する。

イットリア（酸化イットリウム）のようなＭＯは構造的に結晶質であるが、対応するＭＦ、即ちフッ化イットリウムは非晶質であってもよい。堆積に用いられる方法及び温度に応じて、ＭＯＦ薄膜保護層２０８は、幾つかの実施形態において非晶質であり、他の実施形態において少なくとも部分的に結晶質であってもよい。異なる実施形態において利用可能な様々な格子構造にもかかわらず、ＭＯＦ薄膜保護層２０８の構造は、一般的に、均一である。

図３Ａ及び図３Ｂは、一般的に、様々な堆積技術（例えば、ＩＡＤ又はＰＶＤ）に適用可能な堆積メカニズムを示す。例示的なＩＡＤ法は堆積プロセスを含み、堆積プロセスは、イオン衝突の存在下での蒸発（例えば、活性化反応性蒸発（ＡＲＥ）又は電子ビームイオンアシスト堆積（ＥＢ−ＩＡＤ））及びスパッタリング（例えば、イオンビームスパッタリングイオンアシスト堆積（ＩＢＳ−ＩＡＤ））等のイオン衝突を組み込み、本明細書に記載されるようなプラズマ耐性コーティングを形成する。ＥＢ−ＩＡＤは蒸発により行うことができる。ＩＢＳ−ＩＡＤは、固体ターゲット材料（例えば、固体金属ターゲット）をスパッタリングすることにより行うことができる。ＩＡＤ法のいずれも、反応性ガス種（例えば、Ｏ_２、Ｎ_２、ハロゲン等）の存在下で行うことができる。代替的に、ＰＶＤはイオンアシストなしで行うことができる。

図示のように、ＭＯＦ薄膜保護層３１５は、エネルギー粒子３０３（例えば、イオン又はラジカル）の存在下で堆積材料３０２の蓄積により形成される。堆積材料３０２は、原子、イオン、ラジカル、又は、これらの混合物を含む。例えば、堆積材料３０２は、幾つかの実施形態において、スパッタされた又は蒸発した原子及び分子を含む。エネルギー粒子３０３は、ＭＯＦ薄膜保護層３１５が形成される時に、衝突して圧縮するこができる。更に、エネルギー粒子３０３は堆積材料と相互作用し、ＭＯＦ薄膜保護層３１５を形成することができる。

図３Ｂは、ＩＡＤ堆積装置の概略図を示す。図示のように、材料源３５２は堆積材料３０２のフラックスを提供し、一方、エネルギー粒子源３５５はエネルギー粒子３０３のフラックスを提供し、両方ともＩＡＤプロセスを通して物品３５０に衝突する。エネルギー粒子源３５５は、酸素、フッ素、及び／又は、他の材料源（例えば、アルゴン）であってもよい。更に、複数の異なるエネルギー粒子源を用いることができる。例えば、酸素エネルギー粒子源及びフッ素エネルギー粒子源を用いることができる。堆積材料３０２を提供するために用いられる材料源（例えば、ターゲット本体）３５２は、薄膜保護層３１５が構成されるのと同じセラミックに対応するバルク焼結セラミックであってもよい。例えば、材料源３５２はバルク焼結ＹＯＦであってもよい。幾つかの実施形態において、材料源３５２は、ＭＯＦ薄膜保護層３１５の材料の一部を提供することができる。例えば、材料源３５２は、ＭＯＦ薄膜保護層３１５のための金属のみからなることができる。ＭＯＦ薄膜保護層３１５が複数の金属（例えば、イットリウムとジルコニウム）を含む場合、材料源３５２は金属合金であってもよい。代替的に、２つの異なる金属材料源を用いることができる。このような実施形態において、粒子源３５５は、ＭＯＦ薄膜保護層３１５のための酸素原子及びフッ素原子を提供する。他の例として、材料源３５２は、ＭＦ（例えば、バルク焼結ＹＦ_３）からなることができる。このような実施形態において、粒子源３５５はＭＯＦ薄膜保護層３１５のための酸素原子を提供する。ＭＯＦ薄膜保護層３１５が複数の金属を含む場合、ＭＦ材料源３５２は両方の金属を含むフッ化物であってもよい。代替的に、２つの異なるＭＦ材料源を用いることができる。更に他の例として、材料源３５２はＭＯ（例えば、Ｙ_２Ｏ_３）からなることができる。このような実施形態において、粒子源３５５はＭＯＦ薄膜保護層３１５のためにフッ素原子を提供する。ＭＯＦ薄膜保護層３１５が複数の金属を含む場合、ＭＯ材料源３５２は両方の金属を含む酸化物であってもよい。代替的に、２つの異なるＭＯ材料源を用いることができる。

ＩＡＤは、１つ以上のプラズマ又はビームを用い、材料及び高エネルギーのイオン源を提供することができる。また、反応種は、プラズマ耐性コーティングの堆積中に提供することができる。一実施形態において、エネルギー粒子３０３は、非反応性種（例えばＡｒ）又は反応種（例えばＯ、Ｆ）の少なくとも１つを含む。また、更なる実施形態において、プラズマ耐性コーティングの形成中に反応種（例えば、ＣＯ及びハロゲン（Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ等））を導入し、薄膜保護層３１５に最も弱く結合した堆積材料を選択的に除去する傾向を更に高めることができる。

ＩＡＤプロセスでは、エネルギー粒子３０３は、他の堆積パラメータとは無関係に、エネルギーイオン（又は他の粒子）源３５５により制御することができる。エネルギーイオン束のエネルギー（例えば、速度）、密度及び入射角により、薄膜保護層の組成、構造、結晶配向及び粒径を操作することができる。調節することができる追加のパラメータは、堆積中の物品の温度と、堆積時間である。

イオンアシストエネルギーは、コーティングを高密度化し、基板の表面上への材料の堆積を加速するために用いられる。イオンアシストエネルギーは、イオン源の電圧と電流の両方を用いて変化させることができる。電圧及び電流は、高い及び低いコーティング密度を達成し、コーティングの応力及びコーティングの結晶性を操作するために調整することができる。イオンアシストエネルギーは、約５０〜８００Ｖ及び約１〜５０アンペア（Ａ）の範囲であってもよい。また、イオンアシストエネルギーは、コーティングの化学量論を意図的に変化させるために使用することができる。例えば、金属ターゲットを堆積中に用い、金属オキシフッ化物に変換することができる。

コーティング温度は、ヒータを使用して、堆積チャンバ及び／又は物品を加熱し、堆積速度を調整することにより制御することができる。堆積中の物品の温度は、低温（一実施形態において、約７０〜１５０℃）と高温（一実施形態において、１５０℃以上）とに大別することができる。堆積温度は、膜応力、結晶化度及び他のコーティング特性を調節するために用いることができる。

作動距離は、電子ビーム（又はイオンビーム）ガンと物品との間の距離である。作動距離は、最高の均一性を有するコーティングを達成するために変えることができる。更に、作動距離は、コーティングの堆積速度及び密度に影響を与えることができる。

堆積角度は、電子ビーム（又はイオンビーム）と物品との間の角度である。堆積角度は、基板の位置及び／又は向きを変えることにより変えることができる。堆積角度を最適化することにより、三次元形状における均一なコーティングを達成することができる。

ＥＢ−ＩＡＤ及びＩＢＳ−ＩＡＤ堆積は、広範囲の表面条件において実現可能である。研磨された表面は、均一なコーティング範囲を達成するために優れている可能性がある。ＩＡＤ堆積中に基板を保持するために様々な固定具を用いることができる。

図４は、ＭＯＦ薄膜保護コーティングを形成するための方法４００の一実施形態を示す。ブロック４１０において、ＭＯＦ源材料が提供される。ＭＯＦ源材料は、Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｓｏｕｒｃｅ}Ｆ_{ｚ＿ｓｏｕｒｃｅ}の実験式を有する。ｙ＿ｓｏｕｒｃｅはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｓｏｕｒｃｅはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。例えば、一実施形態において、源材料はＹＯＦである。他の実施形態において、他のＭＯＦ源材料が用いられる。各々の実施形態において、ＭＯＦは、対応するＭＯと比較して体積増加を示す。即ち、ＭＯＦの体積がＭＯの体積よりも大きい場合、金属はＭＯＦ薄膜保護層２０８での使用に適している。適切な金属は、イットリウム、ガドリニウム、アルミニウム、セリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、カルシウム、マグネシウム、エルビウム、ランタン、ネオジム、イッテルビウム及びストロンチウムを含む。

ブロック４２０において、ＭＯＦ源材料はスパッタリング又は蒸着により堆積され、物品上にＭＯＦコーティングを形成する。ＭＯＦコーティングは、Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}の実験式を有し、ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。幾つかの実施形態において、Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｓｏｕｒｃｅ}Ｆ_{ｚ＿ｓｏｕｒｃｅ}とＭ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}は同じであり、ｙ＿ｓｏｕｒｃｅがｙ＿ｃｏａｔｉｎｇに等しく、ｚ＿ｓｏｕｒｃｅがｚ＿ｃｏａｔｉｎｇに等しい。他の実施形態において、Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}は、ブロック４２０で、堆積中に酸素又はフッ化物イオン又はラジカルの１以上を導入することにより、Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｓｏｕｒｃｅ}Ｆ_{ｚ＿ｓｏｕｒｃｅ}に対して調整することができる。

堆積は、図３Ｂに示される装置を用いて行うことができる。物品は、図１に関して説明した半導体プロセスチャンバコンポーネントのいずれかであってもよい。例えば、物品は、アプラドマテリアルズ社により製造されたＡｐｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｒｉｓ（商標名） Ｓｙｍ３（商標名）エッチングシステム、又は、アプライドマテリアルズ社により製造されたＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｒｏｄｕｃｅｒ（商標名）エッチングシステムのいずれかのコンポーネントであってもよい。より一般的には、物品は、物品の浸食及び機能低下を引き起こす可能性のある高エネルギープラズマ又は反応性ガス環境に曝露されるいずれかの物品であってもよい。

ブロック４２０における堆積は、物品を１５〜１５０℃に加熱することを更に含むことができる。幾つかの実施形態において、物品は堆積前に加熱され、ＭＯＦコーティングが物品上に形成され、次いで物品及びＭＯＦコーティングが冷却される。更に、幾つかの実施形態において、ブロック４２０における堆積は真空チャンバ内で行われる。真空チャンバ内の圧力は、最初に、ｍＴｏｒｒの分数（例えば、０．１ｍＴｏｒｒ）まで減圧されることができる。堆積のためのガスがチャンバに導入され、チャンバ圧力は０．１〜１００ｍＴｏｒｒに維持される。幾つかの実施形態において、得られるＭＯＦ薄膜保護コーティングは、１〜３０ミクロンの厚さと、０．１％未満の多孔率を有する。幾つかの実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護コーティングは、２０ミクロン未満の厚さを有する。他の実施形態において、ＭＯＦ薄膜保護コーティングは、約１０ミクロンの厚さを有する。

方法４００の特定の実施形態において、ブロック４１０で、バルク焼結ＹＯＦ源材料及び半導体プロセスチャンバコンポーネントが真空チャンバ内に提供される。ブロック４２０において、真空チャンバを密閉され、真空チャンバ内の圧力は約０．１ｍＴｏｒｒに減圧される。半導体処理チャンバコンポーネントは、約１５０℃に加熱される。ブロック４２０において、ＹＯＦ源材料は半導体プロセスチャンバコンポーネント上に蒸発され、薄膜保護層を形成する。代替的に、ＹＯＦ源材料は半導体プロセスチャンバコンポーネント上にスパッタリングすることができる。薄膜の目標厚さに達すると、半導体プロセスチャンバコンポーネント及びＹＯＦ薄膜保護層は冷却される。

図５Ａ〜図５Ｃは、ＭＯＦ薄膜保護コーティングを形成するための方法５００、５２０、５４０を示す。一般に、方法５００、５２０、５４０は、金属含有源材料を提供し、反応性イオン及びラジカルの存在下で源材料をスパッタリング又は蒸発させ、物品上にＭＯＦ薄膜保護コーティングを形成することを含む。方法５００、５２０、５４０は、真空チャンバ内で行うことができる。幾つかの実施形態において、真空チャンバは、ｍＴｏｒｒの分数まで減圧され、堆積中、チャンバは０．１〜１００ｍＴｏｒｒに維持される。更に、幾つかの実施形態において、物品は１５〜１５０℃まで加熱され、ＭＯＦ薄膜保護コーティングが堆積された後に冷却される。

図５Ａは、方法５００を示す。ブロック５０５において、金属源材料が提供される。金属源材料は、図１に関して上述したように、ＭＯＦ薄膜保護コーティングを形成するのに適した任意の金属であってもよい。例えば、適切な金属は、イットリウム、ガドリニウム、アルミニウム、セリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、カルシウム、マグネシウム、エルビウム、ランタン、ネオジム、イッテルビウム及びストロンチウム、又はそれらの合金又は組み合わせを含む。ブロック５１０において、金属源材料は、図３Ｂに示される装置により達成することができるように、スパッタリング又は蒸発される。ブロック５１５において、酸素及びフッ素イオン又はラジカルが、スパッタされた又は蒸発させられた金属源材料に導入されて、半導体プロセスチャンバコンポーネントのような物品上にＭＯＦ薄膜保護コーティングを形成する。幾つかの実施形態において、酸素及びフッ素イオン又はラジカルを導入することは、スパッタされた又は蒸着された金属に酸素及びフッ素イオン又はラジカルを衝突させること（例えば、イオンガン、又はＭＯＦ薄膜保護コーティングが堆積される物品の近傍での高エネルギープラズマの形成等）を含む。得られたＭＯＦ薄膜保護コーティングは、実験式Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}を有し、ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。更に、コーティングは１〜３０ミクロンの厚さ、及び０．１％未満の多孔率を有する。

図５Ｂは、方法５２０を示す。ブロック５２５において、実験式Ｍ_ｘＦ_{ｚ＿ｓｏｕｒｃｅ}を有する金属フッ化物源材料が提供される。Ｚ＿ｓｏｕｒｃｅの値は、ｘの値の０．１〜４倍である。金属は、方法５００に関して記載したような任意の金属であってもよい。一実施形態において、源材料はＹＦ_３である。ブロック５３０において、金属フッ化物源材料は、図３Ｂに示される装置により達成することができるように、スパッタリング又は蒸発される。ブロック５３５において、酸素イオン又はラジカルが、スパッタされた又は蒸発した金属フッ化物源材料に導入され、半導体プロセスチャンバコンポーネントのような物品上にＭＯＦ薄膜保護コーティングを形成する。幾つかの実施形態において、酸素イオン又はラジカルを導入することは、スパッタリングされた又は蒸着された金属フッ化物に酸素イオン又はラジカルを衝突させること（例えば、イオンガンにより、又はＭＯＦ薄膜保護コーティングが堆積されている物品の表面の近傍での高エネルギープラズマの形成により）を含む。得られたＭＯＦ薄膜保護コーティングは、実験式Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}を有し、ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。更に、コーティングは、１〜３０ミクロンの厚さ、及び０．１％未満の多孔率を有する。

図５Ｃは、方法５４０を示す。ブロック５４５において、実験式Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｓｏｕｒｃｅ}を有する金属酸化物源材料が提供され、ここで、ｙ＿ｓｏｕｒｃｅはｘの値の０．１〜２倍の値を有する。金属は、方法５００に関して記載したような任意の金属であってもよい。一実施形態において、源材料はＹ_２Ｏ_３である。ブロック５５０において、金属酸化物源材料は、図３Ｂに示される装置により達成することができるように、スパッタリング又は蒸発される。ブロック５５５で、フッ素イオン又はラジカルをスパッタリング又は蒸着された金属フッ化物源材料に導入し、ＭＯＦ薄膜保護コーティングを半導体処理チャンバ部品のような物品上に形成する。幾つかの実施形態において、フッ素イオン又はラジカルを導入することは、スパッタリングされた又は蒸着された金属フッ化物にフッ素イオン又はラジカルを衝突させること（例えば、イオンガンにより、又はＭＯＦ薄膜保護コーティングが堆積される物品の表面の近傍での高エネルギープラズマの形成により）を含む。得られたＭＯＦ薄膜保護コーティングは、実験式Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}を有し、ここで、ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇがｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇがｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する。更に、コーティングは、１〜３０ミクロンの厚さ及び０．１％未満の多孔率を有する。

前述の説明は、本発明の幾つかの実施形態の良好な理解を提供するために、特定のシステム、コンポーネント、方法等の例のような多数の具体的な詳細を述べている。本発明の少なくとも幾つかの実施形態は、これらの特定の詳細なしで実施することができることは、当業者には明らかであろう。他の例では、本発明を不必要に不明瞭にすることを避けるために、周知のコンポーネント又は方法は詳細には記載されていないか、又は単純なブロック図形式で示されている。従って、記載された特定の詳細は単なる例示である。特定の実施形態はこれらの例示的な詳細と異なってもよく、依然として本発明の範囲内にあると考えられる。

本明細書を通じて、「一実施形態」又は「実施形態」は、実施形態に関連して説明した特定のフィーチャ、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。従って、本明細書の様々な箇所における「一実施形態において」又は「実施形態で」という表現の出現は、必ずしもすべて同じ実施形態を指しているとは限らない。更に、「又は」という用語は、排他的な「又は」ではなく、包括的な「又は」を意味することを意図している。「約」又は「およそ」という用語が本明細書で用いられる場合、これは提示される名目値が±１０％以内で正確であることを意図している。

本明細書の方法のオペレーションは特定の順序で示され説明されているが、各々の方法のオペレーションの順序は変更されてもよく、特定のオペレーションが逆の順序で実行されてもよく、また、特定のオペレーションが、少なくとも部分的に、他のオペレーションと並行して実行されてもよい。他の実施形態において、別個のオペレーションのインストラクション又はサブオペレーションは、間欠的及び／又は交互の方法であってもよい。

上記の説明は例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。上記の説明を読んで理解すれば、多くの他の実施形態が当業者には明らかであろう。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照して、そのような特許請求の範囲が権利を与える均等物の全範囲とともに決定されるべきである。

Claims (20)

1. 薄膜であって、
   Ｍ_ｘＯ_ｙＦ_ｚの実験式を有する金属オキシフッ化物であって、Ｍは金属であり、ｙはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する金属オキシフッ化物を含み、
   薄膜は１〜３０ミクロンの厚さと、０．１％未満の多孔率を有する薄膜。
2. 金属は、イットリウム、ガドリニウム、アルミニウム、セリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、カルシウム、マグネシウム、エルビウム、ランタン、ネオジム、イッテルビウム又はストロンチウムの少なくとも１つを含む、請求項１記載の薄膜。
3. 薄膜は、半導体処理装置用のチャンバコンポーネントの少なくとも１つの表面をコーティングする請求項１記載の薄膜。
4. 金属は２価であり、金属オキシフッ化物は、約３７〜４８原子％の金属と、約１０〜４３原子％の酸素と、約１０〜５３原子％のフッ素を含む請求項１記載の薄膜。
5. 金属は３価であり、金属オキシフッ化物は、約２７〜３８原子％の金属と、約１０〜５２原子％の酸素と、約１０〜６３原子％のフッ素を含む請求項１記載の薄膜。
6. 金属は４価であり、金属オキシフッ化物は、約２２〜３２原子％の金属と、約１０〜５８原子％の酸素と、約１０〜６８原子％のフッ素を含む請求項１記載の薄膜。
7. 実験式Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｓｏｕｒｃｅ}Ｆ_{ｚ＿ｓｏｕｒｃｅ}を有する金属オキシフッ化物源材料を提供する工程であって、ｙ＿ｓｏｕｒｃｅがｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｓｏｕｒｃｅがｘの値の０．１〜３．９倍の値を有する工程と、
   金属オキシフッ化物源材料のスパッタ蒸着又は蒸着の１つを実行し、物品上に金属オキシフッ化物コーティングを形成する工程であって、金属オキシフッ化物コーティングはＭ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}の実験式を有し、ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜１．９倍の値を有し、ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有し、金属オキシフッ化物コーティングが１〜３０ミクロンの厚さと、０．１％未満の多孔率を有する方法。
8. 金属は、イットリウム、ガドリニウム、アルミニウム、セリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、カルシウム、マグネシウム、エルビウム、ランタン、ネオジム、イッテルビウム又はストロンチウムの少なくとも１つを含む請求項７記載の方法。
9. 物品は半導体プロセスチャンバコンポーネントを含む請求項７記載の方法。
10. 物品を１５〜１５０℃に加熱する工程を更に含む請求項７記載の方法。
11. スパッタ蒸着又は蒸着は０．１〜１００ｍＴｏｒｒの圧力を有するチャンバ内で実行される請求項７記載の方法。
12. 金属を含む源材料を提供する工程と、
    源材料のスパッタ堆積又は蒸着のうちの１つを実行し、物品上に金属オキシフッ化物コーティングを形成する工程であって、
    スパッタ堆積又は蒸着中に、スパッタされた又は蒸発された源材料に酸素イオン若しくはラジカル、又はフッ素イオン若しくはラジカルの少なくとも１つを導入する工程を含み、物品上に形成された金属オキシフッ化物皮膜が実験式Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇ}Ｆ_{ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇ}を有し、ｙ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜１．９の値を有し、ｚ＿ｃｏａｔｉｎｇはｘの値の０．１〜３．９倍の値を有し、金属オキシフッ化物コーティングが１〜３０ミクロンの厚さ及び０．１％未満の多孔率を有する方法。
13. 源材料は、実験式Ｍ_ｘＯ_{ｙ＿ｓｏｕｒｃｅ}を有する金属酸化物を含み、ｙ＿ｓｏｕｒｃｅがｘの値の０．１〜２倍の値を有する請求項１２記載の方法。
14. 源原料は、実験式Ｍ_ｘＦ_{ｚ＿ｓｏｕｒｃｅ}を有する金属フッ化物を含み、ｚ＿ｓｏｕｒｃｅは、ｘの値の０．１〜４倍の値を有する請求項１２記載の方法。
15. 金属は、イットリウム、ガドリニウム、アルミニウム、セリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、カルシウム、マグネシウム、エルビウム、ランタン、ネオジム、イッテルビウム又はストロンチウムの少なくとも１つを含む請求項１２記載の方法。
16. スパッタされた又は蒸発された源材料に酸素イオン若しくはラジカル、又はフッ素イオン若しくはラジカルの少なくとも１つを導入する工程は、物品、又はスパッタされた若しくは蒸発された源材料の少なくとも１つと、酸素イオン若しくはラジカル、又はフッ素イオン若しくはラジカルを衝突させることを含む請求項１２記載の方法。
17. 衝突は物品に隣接するプラズマを形成することを含み、プラズマは、酸素イオン若しくはラジカル、又はフッ素イオン及びラジカルを含む請求項１６記載の方法。
18. 物品を１５〜１５０℃の範囲で加熱することを更に含む請求項１２記載の方法。
19. スパッタリング又は蒸着は、０．１〜１００ｍＴｏｒｒの圧力を有するチャンバ内で行われる請求項１２記載の方法。
20. ａ）金属は２価であり、金属オキシフッ化物は約３７〜４８原子％の金属と、約１０〜４３原子％の酸素と、約１０〜５３原子％のフッ素を含むか、
    ｂ）金属は３価であり、金属オキシフッ化物は約２７〜３８原子％の金属と、約１０〜５２原子％の酸素と、約１０〜６３原子％のフッ素を含むか、
    ｃ）金属は４価であり、金属オキシフッ化物は約２２〜３２原子％の金属と、約１０〜５８原子％の酸素と、約１０〜６８原子％のフッ素を含むかのいずれかである請求項１２記載の方法。