JPH07248415A - 光学薄膜の製造方法 - Google Patents
光学薄膜の製造方法Info
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- JPH07248415A JPH07248415A JP6067931A JP6793194A JPH07248415A JP H07248415 A JPH07248415 A JP H07248415A JP 6067931 A JP6067931 A JP 6067931A JP 6793194 A JP6793194 A JP 6793194A JP H07248415 A JPH07248415 A JP H07248415A
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- Japan
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- film
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- thin film
- optical thin
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- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性、耐久性、光学特性に優れた光学薄膜
を低コストで得る。 【構成】 金属ターゲットを用いて、不活性ガスおよび
酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しなが
ら、反応性ＤＣマグネットロンスパッタリング法により
高屈折率層を形成し、Ｓｉターゲットを用いて、不活性
ガスおよび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを
導入しながら、反応性ＲＦマグネトロンスパツタリング
法により低屈折率層を形成して、光学薄膜を製造する。
を低コストで得る。 【構成】 金属ターゲットを用いて、不活性ガスおよび
酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しなが
ら、反応性ＤＣマグネットロンスパッタリング法により
高屈折率層を形成し、Ｓｉターゲットを用いて、不活性
ガスおよび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを
導入しながら、反応性ＲＦマグネトロンスパツタリング
法により低屈折率層を形成して、光学薄膜を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリング法に
より光学薄膜を製造する方法に関する。
より光学薄膜を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、反射防止膜やハーフミラー、干渉
フィルターなどの光学薄膜を光学部品に形成する場合、
膜材料を加熱して蒸発させ、基板に付着させる真空蒸着
法が主に使われてきた。しかし、近年になり、これら光
学薄膜においても、真空蒸着法に比較して自動化・省力
化・大面積基板への適用性などの点で有利なスパッタリ
ング法によるコーティングの要求が高まってきた。
フィルターなどの光学薄膜を光学部品に形成する場合、
膜材料を加熱して蒸発させ、基板に付着させる真空蒸着
法が主に使われてきた。しかし、近年になり、これら光
学薄膜においても、真空蒸着法に比較して自動化・省力
化・大面積基板への適用性などの点で有利なスパッタリ
ング法によるコーティングの要求が高まってきた。
【０００３】スパッタリング法に適した低屈折率物質と
しては、ＳｉＯ2 が多く用いられており、各種ドープ剤
により導電性を持たせたＳｉターゲットを用いたＤＣス
パッタリング法か、ＳｉＯ2 ターゲットを用いたＲＦス
パッタリング法により形成される。ところが、上記ＤＣ
スパッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成する場合、プ
ラズマが不安定になりやすいことやターゲット材料の表
面の微粒子が飛び出すことなどから、膜厚制御が困難で
あり外観上の問題が出やすい等の欠点があり、光学的用
途に用いる薄膜の製造方法としては不向きである。ま
た、特殊なターゲットを用いる必要があり、コストアッ
プにつながる。一方、ＳｉＯ2 ターゲットを用いたＲＦ
スパッタリング法によれば、光学的用途に適した高品質
の薄膜を形成することができるが、成膜速度が著しく遅
くて生産性が低いという欠点がある。また、化学的に安
定なＳｉＯ2 ターゲットを出発材料としているために、
隣接する層、例えば高屈折率層と全く反応することがな
く、そのため層間の密着力が弱く耐久性が低いという欠
点もある。
しては、ＳｉＯ2 が多く用いられており、各種ドープ剤
により導電性を持たせたＳｉターゲットを用いたＤＣス
パッタリング法か、ＳｉＯ2 ターゲットを用いたＲＦス
パッタリング法により形成される。ところが、上記ＤＣ
スパッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成する場合、プ
ラズマが不安定になりやすいことやターゲット材料の表
面の微粒子が飛び出すことなどから、膜厚制御が困難で
あり外観上の問題が出やすい等の欠点があり、光学的用
途に用いる薄膜の製造方法としては不向きである。ま
た、特殊なターゲットを用いる必要があり、コストアッ
プにつながる。一方、ＳｉＯ2 ターゲットを用いたＲＦ
スパッタリング法によれば、光学的用途に適した高品質
の薄膜を形成することができるが、成膜速度が著しく遅
くて生産性が低いという欠点がある。また、化学的に安
定なＳｉＯ2 ターゲットを出発材料としているために、
隣接する層、例えば高屈折率層と全く反応することがな
く、そのため層間の密着力が弱く耐久性が低いという欠
点もある。
【０００４】耐久性に関しては、例えば特開平２−１０
３００２号公報に開示されるような提案がある。これ
は、低屈折率材料としてＳｉＯ2 を、高屈折率材料とし
て金属酸化物を用い、それらの界面に該金属の珪化物の
酸化物層を形成することで、耐磨耗性を向上させている
ものである。
３００２号公報に開示されるような提案がある。これ
は、低屈折率材料としてＳｉＯ2 を、高屈折率材料とし
て金属酸化物を用い、それらの界面に該金属の珪化物の
酸化物層を形成することで、耐磨耗性を向上させている
ものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来例
では、ＳｉＯ2 膜を形成する際、ＳｉＯ2 ターゲットを
用いたＲＦスパッタリング法によっているため、成膜速
度が著しく遅いという欠点を解消できていない。また、
耐久性は向上するものの、層数が増えてしまうためにさ
らに生産性が低くなり、ターゲット材料も多く必要にな
るためコストアップになる等の問題点がある。
では、ＳｉＯ2 膜を形成する際、ＳｉＯ2 ターゲットを
用いたＲＦスパッタリング法によっているため、成膜速
度が著しく遅いという欠点を解消できていない。また、
耐久性は向上するものの、層数が増えてしまうためにさ
らに生産性が低くなり、ターゲット材料も多く必要にな
るためコストアップになる等の問題点がある。
【０００６】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたものであり、請求項１に係る発明は、耐久性
が高く高品質の光学薄膜をスパッタリング法により生産
性良く、低コストで製造することのできる方法を提供す
ることを目的としている。
てなされたものであり、請求項１に係る発明は、耐久性
が高く高品質の光学薄膜をスパッタリング法により生産
性良く、低コストで製造することのできる方法を提供す
ることを目的としている。
【０００７】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
係る発明の目的の他に、特に光学特性の良好な光学薄膜
を得ることができる製造方法を提供することを目的とし
ている。
係る発明の目的の他に、特に光学特性の良好な光学薄膜
を得ることができる製造方法を提供することを目的とし
ている。
【０００８】さらに、請求項３に係る発明の目的は、請
求項２の係る発明の目的と同様であるが、特に生産性、
耐久性の点で好ましい光学薄膜を得ることができる製造
方法の提供を目的としている。
求項２の係る発明の目的と同様であるが、特に生産性、
耐久性の点で好ましい光学薄膜を得ることができる製造
方法の提供を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明は、光学薄膜を製造するにあた
り、金属ターゲットを用いて、不活性ガスおよび酸素を
含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しながら、反
応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法により高屈折率
層を形成し、Ｓｉターゲットを用いて、不活性ガスおよ
び酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しな
がら、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法により
低屈折率層を形成することとした。
に、請求項１に係る発明は、光学薄膜を製造するにあた
り、金属ターゲットを用いて、不活性ガスおよび酸素を
含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しながら、反
応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法により高屈折率
層を形成し、Ｓｉターゲットを用いて、不活性ガスおよ
び酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しな
がら、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法により
低屈折率層を形成することとした。
【００１０】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明において、金属ターゲットがＴａまたはＴｉであり、
形成される高屈折率層がＴａ2 Ｏ5 膜またはＴｉＯ2 膜
であることを特徴とする。
明において、金属ターゲットがＴａまたはＴｉであり、
形成される高屈折率層がＴａ2 Ｏ5 膜またはＴｉＯ2 膜
であることを特徴とする。
【００１１】請求項３に係る発明は、ガラス製基板側か
ら奇数層目に、ＴａまたはＴｉターゲットを用いて、不
活性ガスおよび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガ
スを導入しながら、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法によりＴａ2 Ｏ5 膜またはＴｉＯ2 膜を形成し、
偶数層目に、Ｓｉターゲットを用いて、不活性ガスおよ
び酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しな
がら、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法により
ＳｉＯ2 層を形成することとした。
ら奇数層目に、ＴａまたはＴｉターゲットを用いて、不
活性ガスおよび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガ
スを導入しながら、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法によりＴａ2 Ｏ5 膜またはＴｉＯ2 膜を形成し、
偶数層目に、Ｓｉターゲットを用いて、不活性ガスおよ
び酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しな
がら、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法により
ＳｉＯ2 層を形成することとした。
【００１２】
【作用】請求項１に係る発明では、従来問題となってい
たＳｉＯ2 膜を形成する方法として、Ｓｉターゲットを
用いた反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法による
こととした。この場合、酸化させる必要があるため、酸
素を含むガスを導入するものはもちろんであるが、さら
に、成膜速度を向上させるために不活性ガスを同時に導
入する必要がある。この方法によれば、ＳｉＯ2 ターゲ
ットを用いたＲＦスパッタリング法の場合と比較して、
成膜速度は５倍以上となり、生産性が大幅に向上する。
また、ＤＣスパッタリング法にように外観上の問題が生
じることはなく、導電性をもたせた高価なターゲットを
使用する必要もない。さらに、反応性の高いＳｉを出発
材料としているために、その一部が高屈折率層と酸素を
介して反応するため、層間の密着力が強く耐久性が高
い。そのため、従来例のような金属珪化物の酸化物層を
形成する必要がなく、低コストで生産性良く光学薄膜を
製造できる。
たＳｉＯ2 膜を形成する方法として、Ｓｉターゲットを
用いた反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法による
こととした。この場合、酸化させる必要があるため、酸
素を含むガスを導入するものはもちろんであるが、さら
に、成膜速度を向上させるために不活性ガスを同時に導
入する必要がある。この方法によれば、ＳｉＯ2 ターゲ
ットを用いたＲＦスパッタリング法の場合と比較して、
成膜速度は５倍以上となり、生産性が大幅に向上する。
また、ＤＣスパッタリング法にように外観上の問題が生
じることはなく、導電性をもたせた高価なターゲットを
使用する必要もない。さらに、反応性の高いＳｉを出発
材料としているために、その一部が高屈折率層と酸素を
介して反応するため、層間の密着力が強く耐久性が高
い。そのため、従来例のような金属珪化物の酸化物層を
形成する必要がなく、低コストで生産性良く光学薄膜を
製造できる。
【００１３】また、請求項１に係る発明では、高屈折率
層を形成する方法として、金属ターゲットを用いて、不
活性ガスおよび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガ
スを導入しながら、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法によることとした。この方法によれば、どのよう
な基板上に成膜しても基板に与えるダメージを最小限に
して、かつ成膜速度を速くすることができ、十分な密着
性が得られる。
層を形成する方法として、金属ターゲットを用いて、不
活性ガスおよび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガ
スを導入しながら、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法によることとした。この方法によれば、どのよう
な基板上に成膜しても基板に与えるダメージを最小限に
して、かつ成膜速度を速くすることができ、十分な密着
性が得られる。
【００１４】特に、請求項２に係る発明のように、金属
ターゲットがＴａまたはＴｉであり、形成される高屈折
率層がＴａ2 Ｏ5 膜またはＴｉＯ2 膜であると、生産性
やコスト、光学特性、耐久性等の点で特に好ましい。し
かし、本発明はこれらに限られるものではなく、ターゲ
ットとして、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗ，Ｓｎ，Ｉｎやそれら同士
の混合物またはそれらとＴａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等との
混合物を用いても良い。
ターゲットがＴａまたはＴｉであり、形成される高屈折
率層がＴａ2 Ｏ5 膜またはＴｉＯ2 膜であると、生産性
やコスト、光学特性、耐久性等の点で特に好ましい。し
かし、本発明はこれらに限られるものではなく、ターゲ
ットとして、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗ，Ｓｎ，Ｉｎやそれら同士
の混合物またはそれらとＴａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等との
混合物を用いても良い。
【００１５】請求項３に係る発明で得られる光学薄膜、
例えば反射防止膜は、生産性、耐久性の点で好ましいも
のの代表例である。
例えば反射防止膜は、生産性、耐久性の点で好ましいも
のの代表例である。
【００１６】
【実施例１】本発明の実施例１では、ガラス基板上に設
けた２層の反射防止膜を示す。ＢＫ系のガラス基板を真
空槽にセットし、１×１０-4Ｐａまで排気した後、それ
ぞれ分圧が１．９Ｐａ、０．１ＰａのＡｒ，Ｏ2 ガスを
真空槽に導入した。基板側から第１層目は、Ｔｉターゲ
ットを用いて、投入電力を４００Ｗとし反応性ＤＣマグ
ネトロンスパッタリング法によりＴｉＯ2 膜を形成し
た。また、第２層目は、Ｓｉターゲットを用いて、投入
電力７００Ｗとし反応性ＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法によりＳｉＯ2 膜を形成した。それぞれの成膜条
件、膜厚、成膜時間等を表１に、分光反射率を図１に示
す。
けた２層の反射防止膜を示す。ＢＫ系のガラス基板を真
空槽にセットし、１×１０-4Ｐａまで排気した後、それ
ぞれ分圧が１．９Ｐａ、０．１ＰａのＡｒ，Ｏ2 ガスを
真空槽に導入した。基板側から第１層目は、Ｔｉターゲ
ットを用いて、投入電力を４００Ｗとし反応性ＤＣマグ
ネトロンスパッタリング法によりＴｉＯ2 膜を形成し
た。また、第２層目は、Ｓｉターゲットを用いて、投入
電力７００Ｗとし反応性ＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法によりＳｉＯ2 膜を形成した。それぞれの成膜条
件、膜厚、成膜時間等を表１に、分光反射率を図１に示
す。
【００１７】成膜時間は片面でわずか９０秒であり、極
めて生産性が良い。また、外観上の問題や、可視光の散
乱、吸収等の問題もなかった。さらに、本実施例の反射
防止膜の密着性を調べるためにセロハンテープによるテ
ープテストを行ったが、剥離することはなく、全く問題
ないレベルであった。擦傷性も極めて高く、実用上問題
ないレベルであった。
めて生産性が良い。また、外観上の問題や、可視光の散
乱、吸収等の問題もなかった。さらに、本実施例の反射
防止膜の密着性を調べるためにセロハンテープによるテ
ープテストを行ったが、剥離することはなく、全く問題
ないレベルであった。擦傷性も極めて高く、実用上問題
ないレベルであった。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【実施例２】基板にＬａＳＦ系の光学硝子を用いて、表
２の膜構成、成膜手法で単波長（６３３ｎｍ）用の反射
防止膜を形成した。分光反射率を図２に示す。本実施例
の場合も実施例１の場合と同様に極めて生産性が良く、
また、耐久性、外観、可視光の散乱、吸収等の問題はな
かった。なお、本実施例において、第１層目をＴａ2 Ｏ
5 に代えて、ターゲットとしてＳｎを用いて形成したＳ
ｎＯ2膜とすると、ほぼ同じ成膜速度でかつ帯電防止効
果のある反射防止膜を得ることができた。
２の膜構成、成膜手法で単波長（６３３ｎｍ）用の反射
防止膜を形成した。分光反射率を図２に示す。本実施例
の場合も実施例１の場合と同様に極めて生産性が良く、
また、耐久性、外観、可視光の散乱、吸収等の問題はな
かった。なお、本実施例において、第１層目をＴａ2 Ｏ
5 に代えて、ターゲットとしてＳｎを用いて形成したＳ
ｎＯ2膜とすると、ほぼ同じ成膜速度でかつ帯電防止効
果のある反射防止膜を得ることができた。
【００２０】
【表２】
【００２１】
【実施例３】基板にＫｚＦＳ系の光学硝子を用いて、表
３の膜構成、成膜手法で反射防止膜を形成した。分光反
射率を図３に示す。本実施例では、膜厚が増えて成膜時
間が長くなるものの、同じ層数で、しかも分光反射特性
は実施例１〜２よりもはるかに優れたものとなった。
３の膜構成、成膜手法で反射防止膜を形成した。分光反
射率を図３に示す。本実施例では、膜厚が増えて成膜時
間が長くなるものの、同じ層数で、しかも分光反射特性
は実施例１〜２よりもはるかに優れたものとなった。
【００２２】
【表３】
【００２３】
【実施例４】基板にＢＫ系の光学硝子を用いて、表４の
膜構成、成膜手法で反射防止膜を形成した。分光反射率
を図４に示す。本実施例では、分光反射特性はさらに優
れたものとなった。また、層数、膜厚が増えた分だけ成
膜時間が長くなるはずであるが、不活性ガスとしてＫｒ
を使用したので成膜速度がはやくなり、生産性が著しく
下がることはなかった。なお、本実施例において、Ｋｒ
ガスに代えてＡｒガスを、ＣＯ2 ガスに代えてＯ2 ガス
を用いても、成膜速度が異なる以外、実用上何ら問題が
ないことは言うまでもない。
膜構成、成膜手法で反射防止膜を形成した。分光反射率
を図４に示す。本実施例では、分光反射特性はさらに優
れたものとなった。また、層数、膜厚が増えた分だけ成
膜時間が長くなるはずであるが、不活性ガスとしてＫｒ
を使用したので成膜速度がはやくなり、生産性が著しく
下がることはなかった。なお、本実施例において、Ｋｒ
ガスに代えてＡｒガスを、ＣＯ2 ガスに代えてＯ2 ガス
を用いても、成膜速度が異なる以外、実用上何ら問題が
ないことは言うまでもない。
【００２４】
【表４】
【００２５】
【実施例５〜１０】表５〜１０に示す膜構成、成膜手法
で反射防止膜を形成した。分光反射率はいずれも図４と
ほぼ同じなので省略する。本実施例のように、さまざま
な高屈折率物質を用いて反射防止膜を形成することがで
きる。いずれも十分な耐久性を有し、実用に耐えるもの
であった。
で反射防止膜を形成した。分光反射率はいずれも図４と
ほぼ同じなので省略する。本実施例のように、さまざま
な高屈折率物質を用いて反射防止膜を形成することがで
きる。いずれも十分な耐久性を有し、実用に耐えるもの
であった。
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】
【表７】
【００２９】
【表８】
【００３０】
【表９】
【００３１】
【表１０】
【００３２】
【実施例１１】基板にＢＫ系の光学硝子を用いて、表１
１の膜構成、成膜手法で透過：反射＝６：４の半透鏡を
形成した。分光反射率を図５に示す。本実施例において
も、生産性、耐久性、光学特性の点で優れた半透鏡を低
コストで得ることができた。
１の膜構成、成膜手法で透過：反射＝６：４の半透鏡を
形成した。分光反射率を図５に示す。本実施例において
も、生産性、耐久性、光学特性の点で優れた半透鏡を低
コストで得ることができた。
【００３３】
【表１１】
【００３４】以上のように、請求項１〜３に係る発明を
適用して、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させ
ることにより、反射防止膜やハーフミラー、エッジフィ
ルター、ミラー等を形成することができる。金属ターゲ
ットとしては、ＴａやＴｉの他、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗ，Ｓ
ｎ，Ｉｎやそれら同士の混合物、またはそれらとＴａ，
Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等との混合物を用いることができる。
また、導入ガスは、ＡｒガスおよびＯ2 ガスが実用上の
点でも最も安価であり、利用しやすい。ただし、実施例
４のように、Ｋｒガスを用いれば、成膜速度が速くな
る。また、酸素を含むガスとは、Ｏ2 に限らず、実施例
４のようにＣＯ2ガス等も意味するものである。
適用して、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させ
ることにより、反射防止膜やハーフミラー、エッジフィ
ルター、ミラー等を形成することができる。金属ターゲ
ットとしては、ＴａやＴｉの他、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗ，Ｓ
ｎ，Ｉｎやそれら同士の混合物、またはそれらとＴａ，
Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等との混合物を用いることができる。
また、導入ガスは、ＡｒガスおよびＯ2 ガスが実用上の
点でも最も安価であり、利用しやすい。ただし、実施例
４のように、Ｋｒガスを用いれば、成膜速度が速くな
る。また、酸素を含むガスとは、Ｏ2 に限らず、実施例
４のようにＣＯ2ガス等も意味するものである。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、金属ターゲットを用いて、不活性ガスおよび
酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しなが
ら、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法により高
屈折率層を形成し、また、Ｓｉターゲットを用いて、不
活性ガスおよび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガ
スを導入しながら、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリ
ング法により低屈折率層を形成することとしたので、耐
久性が高く高品質の光学薄膜をスパッタリング法により
生産性良く、低コストで製造することができる。特に、
請求項２に係る発明によれば、生産性やコスト、光学特
性、耐久性等の点で最も好ましいものが得られる。ま
た、請求項３に係る発明によれば、生産性、耐久性の点
で最良の反射防止膜を得ることができる。
によれば、金属ターゲットを用いて、不活性ガスおよび
酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しなが
ら、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法により高
屈折率層を形成し、また、Ｓｉターゲットを用いて、不
活性ガスおよび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガ
スを導入しながら、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリ
ング法により低屈折率層を形成することとしたので、耐
久性が高く高品質の光学薄膜をスパッタリング法により
生産性良く、低コストで製造することができる。特に、
請求項２に係る発明によれば、生産性やコスト、光学特
性、耐久性等の点で最も好ましいものが得られる。ま
た、請求項３に係る発明によれば、生産性、耐久性の点
で最良の反射防止膜を得ることができる。
【図１】本発明の実施例１で得た反射防止膜の分光反射
率を示すグラフである。
率を示すグラフである。
【図２】本発明の実施例２で得た反射防止膜の分光反射
率を示すグラフである。
率を示すグラフである。
【図３】本発明の実施例３で得た反射防止膜の分光反射
率を示すグラフである。
率を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例４で得た反射防止膜の分光反射
率を示すグラフである。
率を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例１１で得た半透鏡の分光反射率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属ターゲットを用いて、不活性ガスお
よび酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入し
ながら、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り高屈折率層を形成し、 Ｓｉターゲットを用いて、不活性ガスおよび酸素を含む
ガスの少なくとも２種類のガスを導入しながら、反応性
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により低屈折率層を
形成することを特徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 金属ターゲットがＴａまたはＴｉであ
り、形成される高屈折率層がＴａ2 Ｏ5 膜またはＴｉＯ
2 膜であることを特徴とする請求項１に記載の光学薄膜
の製造方法。 - 【請求項３】 ガラス製基板側から奇数層目に、Ｔａま
たはＴｉターゲットを用いて、不活性ガスおよび酸素を
含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しながら、反
応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＴａ2 Ｏ
5 膜またはＴｉＯ2 膜を形成し、 偶数層目に、Ｓｉターゲットを用いて、不活性ガスおよ
び酸素を含むガスの少なくとも２種類のガスを導入しな
がら、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法により
ＳｉＯ2 層を形成することを特徴とする光学薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6067931A JPH07248415A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6067931A JPH07248415A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 光学薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07248415A true JPH07248415A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13359167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6067931A Withdrawn JPH07248415A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07248415A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997031290A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Kuramoto Seisakusho Co., Ltd. | Substrat support de film avec facteur de reflexion bas |
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