JP2014086550A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイス22が形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、レーザー光線を内部に集光点を合わせて照射し、破断起点となる改質層を形成する工程と、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するとともに分割予定ラインに沿って個々のデバイス22に分割する裏面研削工程とを含み、研削を実施する前に、研削を実施する際の温度より低い温度に冷却された保護部材4をウエーハの表面に貼着し、裏面研削工程を実施する際に温度の上昇によって保護部材4が熱膨張することにより分割されたデバイス22とデバイス22との間に隙間Sが形成され、隣接するデバイス22の接触が抑制される。
【選択図】図6
Description
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を合わせて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成され強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、を含み、
少なくとも該裏面研削工程を実施する前に、該裏面研削工程を実施する際の温度より低い温度に冷却された保護部材をウエーハの表面に貼着する保護部材貼着工程を実施し、
該裏面研削工程を実施する際に温度の上昇によって該保護部材が熱膨張することにより分割されたデバイスとデバイスとの間に隙間が形成され、隣接するデバイスの接触が抑制される、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
この改質層形成工程は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2の表面2a側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル31上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。
光源 ;LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 ;1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 ;100kHz
平均出力 ;1W
集光スポット径 ;φ1μm
加工送り速度 ;100mm/秒
21:分割予定ライン
22:デバイス
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:保護テープ
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削手段
524:研削ホイール
Claims (1)
- 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を合わせて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成され強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、を含み、
少なくとも該裏面研削工程を実施する前に、該裏面研削工程を実施する際の温度より低い温度に冷却された保護部材をウエーハの表面に貼着する保護部材貼着工程を実施し、
該裏面研削工程を実施する際に温度の上昇によって該保護部材が熱膨張することにより分割されたデバイスとデバイスとの間に隙間が形成され、隣接するデバイスの接触が抑制される、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015041628A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP2016025188A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP2016115800A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016119370A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN106298587A (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | 三星钻石工业株式会社 | 切断装置、基板的切断方法及切断装置的基板载置部用构件 |
JP2017126725A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6395613B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6478821B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6300763B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2018-03-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2017038030A (ja) * | 2015-08-14 | 2017-02-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法及び電子デバイス |
JP6980444B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2021-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 積層型素子の製造方法 |
JP7373267B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2023-11-02 | リンテック株式会社 | 個片体の製造方法 |
JP7195758B2 (ja) * | 2018-04-19 | 2022-12-26 | 株式会社ディスコ | Sawデバイスの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4821422B1 (ja) * | 1969-03-12 | 1973-06-28 | ||
WO2003077295A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
JP2004146727A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの搬送方法 |
US20070155131A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Intel Corporation | Method of singulating a microelectronic wafer |
JP2012104780A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの分割方法 |
JP2012109357A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3410371B2 (ja) * | 1998-08-18 | 2003-05-26 | リンテック株式会社 | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法 |
JP3906962B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2007-04-18 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP4109823B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3544362B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2004-07-21 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP3612317B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2005-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP4809632B2 (ja) | 2005-06-01 | 2011-11-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007235008A (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Denso Corp | ウェハの分断方法およびチップ |
JP2007266557A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012089709A (ja) | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの分割方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4821422B1 (ja) * | 1969-03-12 | 1973-06-28 | ||
WO2003077295A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
JP2004146727A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの搬送方法 |
US20070155131A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Intel Corporation | Method of singulating a microelectronic wafer |
JP2012104780A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの分割方法 |
JP2012109357A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015041628A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP2016025188A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP2016115800A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016119370A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN106298587A (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | 三星钻石工业株式会社 | 切断装置、基板的切断方法及切断装置的基板载置部用构件 |
CN106298587B (zh) * | 2015-06-29 | 2022-01-11 | 三星钻石工业株式会社 | 切断装置、基板的切断方法及切断装置的基板载置部用构件 |
JP2017126725A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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