JP2012104780A - 光デバイスウエーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア基板の表面に複数の光デバイス19が分割予定ライン17によって区画されて形成された光デバイスウエーハ11を個別デバイスに分割する方法であって、ウエーハの表面に剛性を有するプレートを紫外線硬化型ボンド剤又はワックスを介して貼着する工程と、該貼着工程の前又は後に、ウエーハの表面又は裏面からサファイアに対して透過性を有する波長のレーザ光を分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に集光点を位置づけて照射し、分割予定ラインに対応する基板の内部に改質層23を形成する工程と、基板裏面を研削した後基板に外力を付与し、基板の内部に形成された改質層を分割起点として光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割すると共に、改質層が除去されるまでサファイア基板を薄く研削する。
【選択図】図8
Description
波長 :1064nm
パルスエネルギー :40μJ
集光スポット径 :φ1μm
パルス幅 :25ns
繰り返し周波数 :100kHz
スキャン速度 :100mm/s
焦点位置 :サファイア基板の裏面付近
11 光デバイスウエーハ
13 サファイア基板
15 エピタキシャル層
17 分割予定ライン
19 光デバイス
21 剛性プレート
23 改質層
28 チャックテーブル
34 レーザビーム照射ユニット
36 集光器
82 研削ホイール
86 研削砥石
Claims (1)
- サファイア基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法であって、
光デバイスウエーハの表面に剛性を有するプレートを紫外線の照射によって硬化するボンド剤又はワックスを介して貼着する剛性プレート貼着工程と、
該剛性プレート貼着工程の前又は後に、光デバイスウエーハの表面又は裏面から、サファイアに対して透過性を有する波長のレーザビームを分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に集光点を位置づけて照射し、分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程を実施した後、サファイア基板の裏面を研削してサファイア基板に外力を付与し、分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に形成された改質層を分割起点として光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割するとともに、改質層が除去されるまでサファイア基板を薄く研削する裏面研削工程と、
を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法。
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