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Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102038408B1 (ko) * 2012-10-25 2019-10-30 삼성전자주식회사 회귀 분석법을 사용하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법
KR101503822B1 (ko) * 2013-10-14 2015-03-18 주식회사 디에이아이오 비휘발성 메모리 장치
KR102174030B1 (ko) * 2014-05-13 2020-11-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 읽기 방법
KR20160005264A (ko) * 2014-07-04 2016-01-14 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 읽기 방법들
US9741431B2 (en) * 2014-11-10 2017-08-22 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Optimal read threshold estimation
US9720754B2 (en) 2014-11-20 2017-08-01 Western Digital Technologies, Inc. Read level grouping for increased flash performance
US9905302B2 (en) 2014-11-20 2018-02-27 Western Digital Technologies, Inc. Read level grouping algorithms for increased flash performance
US9576671B2 (en) 2014-11-20 2017-02-21 Western Digital Technologies, Inc. Calibrating optimal read levels
KR102397016B1 (ko) * 2014-11-24 2022-05-13 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
KR102396422B1 (ko) * 2015-02-11 2022-05-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치
US9785383B2 (en) 2015-03-09 2017-10-10 Toshiba Memory Corporation Memory system and method of controlling nonvolatile memory
US10180876B2 (en) * 2015-08-04 2019-01-15 Toshiba Memory Corporation Memory controller and semiconductor memory device
KR102459077B1 (ko) * 2016-01-12 2022-10-27 삼성전자주식회사 비선형 필터링 방식을 사용하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법
KR102585221B1 (ko) 2016-04-21 2023-10-05 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법
KR102589259B1 (ko) 2016-06-20 2023-10-12 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9679661B1 (en) 2016-06-28 2017-06-13 Sandisk Technologies Llc Non-volatile storage system with self-test for read performance enhancement feature setup
US9672940B1 (en) 2016-08-18 2017-06-06 Sandisk Technologies Llc Non-volatile memory with fast read process
JP6674361B2 (ja) * 2016-09-29 2020-04-01 キオクシア株式会社 メモリシステム
KR102643916B1 (ko) 2016-10-18 2024-03-08 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 메모리 시스템, 및 그것의 읽기 전압 결정 방법
KR102302187B1 (ko) 2017-03-13 2021-09-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법 및 비휘발성 메모리 장치
US10452480B2 (en) 2017-05-25 2019-10-22 Micron Technology, Inc. Memory device with dynamic processing level calibration
US10140040B1 (en) 2017-05-25 2018-11-27 Micron Technology, Inc. Memory device with dynamic program-verify voltage calibration
KR102353405B1 (ko) 2017-09-19 2022-01-19 삼성전자주식회사 특성 데이터 전처리 시스템, 장치, 방법 및 이를 이용한 메모리 제어 시스템
US10366763B2 (en) * 2017-10-31 2019-07-30 Micron Technology, Inc. Block read count voltage adjustment
KR102427638B1 (ko) 2018-01-10 2022-08-01 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 읽기 방법
KR102506507B1 (ko) * 2018-01-19 2023-03-07 삼성전자주식회사 통신 시스템에서 신호를 송/수신하는 장치 및 방법
CN110120234B (zh) * 2018-02-07 2022-04-15 北京忆芯科技有限公司 固态存储设备及其最优读出阈值电压的搜索方法
KR102617350B1 (ko) 2018-03-14 2023-12-26 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 그것의 동작 방법 및 그것을 포함하는 저장 장치
CN110400593B (zh) * 2018-04-24 2021-08-03 群联电子股份有限公司 存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元
US10566063B2 (en) 2018-05-16 2020-02-18 Micron Technology, Inc. Memory system with dynamic calibration using a trim management mechanism
US10664194B2 (en) 2018-05-16 2020-05-26 Micron Technology, Inc. Memory system with dynamic calibration using a variable adjustment mechanism
US10990466B2 (en) * 2018-06-20 2021-04-27 Micron Technology, Inc. Memory sub-system with dynamic calibration using component-based function(s)
CN110797069B (zh) * 2018-08-01 2021-10-22 群联电子股份有限公司 电压调整方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置
JP2020047339A (ja) 2018-09-18 2020-03-26 キオクシア株式会社 メモリシステム
KR102535110B1 (ko) 2018-10-01 2023-05-23 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
KR102599123B1 (ko) 2018-11-14 2023-11-06 삼성전자주식회사 인공 신경망 모델에 기초하여 읽기 레벨들을 추론하는 스토리지 장치 및 인공 신경망 모델의 학습 방법
US11158369B2 (en) 2018-12-26 2021-10-26 Western Digital Technologies, Inc. On-chip non-volatile memory (NVM) search
US11163483B2 (en) 2018-12-31 2021-11-02 SK Hynix Inc. Robust detection techniques for updating read voltages of memory devices
US11327551B2 (en) 2019-02-14 2022-05-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for characterizing memory devices
US11256778B2 (en) * 2019-02-14 2022-02-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for checking the results of characterized memory searches
TWI690929B (zh) * 2019-04-11 2020-04-11 點序科技股份有限公司 記憶體裝置及其讀取參考電壓的調整方法
KR102713215B1 (ko) * 2019-08-26 2024-10-07 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
KR102884317B1 (ko) * 2019-12-26 2025-11-12 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102736243B1 (ko) * 2020-01-02 2024-12-02 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
JP7087013B2 (ja) * 2020-03-06 2022-06-20 キオクシア株式会社 メモリシステムおよび不揮発性メモリの制御方法
US11265021B2 (en) * 2020-03-10 2022-03-01 SK Hynix Inc. Apparatus and method for error recovery in memory system
US11024401B1 (en) 2020-05-07 2021-06-01 Micron Technology, Inc. Compute an optimized read voltage
US11177013B1 (en) * 2020-05-07 2021-11-16 Micron Technology, Inc. Determine signal and noise characteristics centered at an optimized read voltage
US11238953B2 (en) 2020-05-07 2022-02-01 Micron Technology, Inc. Determine bit error count based on signal and noise characteristics centered at an optimized read voltage
US11049582B1 (en) 2020-05-07 2021-06-29 Micron Technology, Inc. Detection of an incorrectly located read voltage
KR20220029233A (ko) 2020-09-01 2022-03-08 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
US11335417B1 (en) * 2020-10-28 2022-05-17 SK Hynix Inc. Read threshold optimization systems and methods using model-less regression
KR20220139685A (ko) 2021-04-08 2022-10-17 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법
KR102558145B1 (ko) 2021-05-20 2023-07-25 한국전자통신연구원 플래시 메모리를 이용한 가우시안 오류 데이터 생성 방법 및 이를 이용한 장치
KR102460717B1 (ko) 2021-08-17 2022-10-31 삼성전자주식회사 최적 독출 레벨을 산출하는 메모리 컨트롤러, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작방법
KR102491652B1 (ko) 2021-09-17 2023-01-27 삼성전자주식회사 산포 타입을 결정하는 스토리지 컨트롤러, 그것의 동작하는 방법, 및 그것을 포함하는 스토리지 장치의 동작하는 방법
EP4152332A1 (en) * 2021-09-17 2023-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage controller determining distribution type, method of operating the same, and method of operating storage device including the same
KR102491655B1 (ko) 2021-10-01 2023-01-27 삼성전자주식회사 에러 카운트를 결정하는 스토리지 컨트롤러, 그것의 동작하는 방법, 및 그것을 포함하는 스토리지 장치의 동작하는 방법
EP4160603A1 (en) * 2021-10-01 2023-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage controller determining error count, method of operating the same, and method of operating storage device including the same
KR20230053924A (ko) 2021-10-15 2023-04-24 삼성전자주식회사 회귀 분석법을 활용한 비휘발성 메모리 장치의 독출 전압 검색 방법 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치의 데이터 독출 방법
US11853590B2 (en) * 2021-12-02 2023-12-26 SK Hynix Inc. Read threshold estimation system using calculations based on polynomial regression
KR20240127118A (ko) 2023-02-15 2024-08-22 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
US12482533B2 (en) * 2023-12-21 2025-11-25 Sk Hynix Nand Product Solutions Corp. Background data refresh using soft reads
WO2025175484A1 (zh) * 2024-02-20 2025-08-28 长江存储科技有限责任公司 存储器装置、存储器系统、存储器控制器及操作方法
EP4654191A1 (en) * 2024-02-20 2025-11-26 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Memory device, memory system, memory controller, and operation method
EP4657440A1 (en) * 2024-02-20 2025-12-03 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Memory apparatus, memory system, memory controller, and operation method
KR20250166928A (ko) * 2024-04-19 2025-11-28 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. 메모리 디바이스, 이의 동작 방법, 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러
WO2025217921A1 (zh) * 2024-04-19 2025-10-23 长江存储科技有限责任公司 存储器装置及其操作方法、存储器系统及存储器控制器
KR102852577B1 (ko) * 2025-01-21 2025-08-29 주식회사 파두 읽기 전압을 최적화하는 메모리 시스템 및 방법
KR102827141B1 (ko) * 2025-01-24 2025-07-01 주식회사 파두 문턱 전압 산포를 모델링하는 메모리 시스템 및 그 방법

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19845441C2 (de) * 1998-10-02 2003-01-16 Ficht Gmbh & Co Kg Verfahren zum elektronischen Trimmen einer Einspritzvorrichtung
JP2003298877A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Fujitsu General Ltd 非線形処理回路
JP4660243B2 (ja) * 2005-03-28 2011-03-30 株式会社東芝 半導体記憶装置
US7649793B1 (en) * 2006-05-04 2010-01-19 Marvell International Ltd. Channel estimation for multi-level memories using pilot signals
US8725929B1 (en) * 2006-11-06 2014-05-13 Marvell World Trade Ltd. Adaptive read and write systems and methods for memory cells
US7941590B2 (en) * 2006-11-06 2011-05-10 Marvell World Trade Ltd. Adaptive read and write systems and methods for memory cells
WO2008111058A2 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Anobit Technologies Ltd. Adaptive estimation of memory cell read thresholds
JP2008251138A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ、不揮発性半導体メモリの制御方法、不揮発性半導体メモリシステム、及びメモリカード
KR100888842B1 (ko) 2007-06-28 2009-03-17 삼성전자주식회사 읽기 전압을 최적화할 수 있는 플래시 메모리 장치 및그것의 독출 전압 설정 방법
KR20090048108A (ko) 2007-11-09 2009-05-13 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치와 그 독출방법
KR100953047B1 (ko) * 2007-12-28 2010-04-14 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법
KR20090117172A (ko) 2008-05-08 2009-11-12 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 데이터 읽기 방법
KR101391362B1 (ko) * 2008-07-23 2014-05-07 삼성전자주식회사 읽기 전압 레벨이 설정가능한 플래시 메모리 시스템 및읽기 전압 레벨의 설정방법
KR101516577B1 (ko) 2008-11-10 2015-05-06 삼성전자주식회사 비휘발성 반도체 메모리 장치, 그를 포함하는 메모리 카드와 메모리 시스템 및 그의 리드 전압 추정 방법
US8184480B2 (en) 2008-12-11 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-level nonvolatile memory device with reduced number of read voltages based on a cell address and method for operating the same
US8120953B2 (en) 2008-12-11 2012-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Reading method of nonvolatile semiconductor memory device
KR101578511B1 (ko) * 2009-05-20 2015-12-18 삼성전자주식회사 리드 전압 설정 방법
KR101586046B1 (ko) * 2009-05-26 2016-01-18 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 읽기 방법
JP5361603B2 (ja) * 2009-08-13 2013-12-04 株式会社東芝 コントローラ
US8072805B2 (en) * 2009-08-18 2011-12-06 Skymedi Corporation Method and system of finding a read voltage for a flash memory
KR101618311B1 (ko) 2010-02-08 2016-05-04 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR20110128436A (ko) 2010-05-24 2011-11-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 리드 레벨 추정 방법 및 이를 수행하는 메모리 컨트롤러, 및 기록매체
US8467249B2 (en) 2010-07-06 2013-06-18 Densbits Technologies Ltd. Systems and methods for storing, retrieving, and adjusting read thresholds in flash memory storage system
US8508995B2 (en) 2010-09-15 2013-08-13 Densbits Technologies Ltd. System and method for adjusting read voltage thresholds in memories
JP2012133832A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置、及び読み出し電圧検出方法
KR101919902B1 (ko) * 2011-10-18 2018-11-20 삼성전자 주식회사 메모리 장치의 데이터 독출 방법
KR101858560B1 (ko) * 2011-11-24 2018-05-18 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법과 상기 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법
KR101939234B1 (ko) * 2012-07-23 2019-01-16 삼성전자 주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 상기 메모리 장치의 독출 전압의 제어 방법
KR20140013401A (ko) * 2012-07-23 2014-02-05 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 상기 메모리 장치의 독출 전압의 제어 방법
KR102038408B1 (ko) * 2012-10-25 2019-10-30 삼성전자주식회사 회귀 분석법을 사용하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법
US9147490B2 (en) * 2013-03-15 2015-09-29 Sandisk Technologies Inc. System and method of determining reading voltages of a data storage device

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