CN103778962B - 使用回归分析的半导体存储系统及其读取方法 - Google Patents
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Read Only Memory (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910211592.4A CN110085275B (zh) | 2012-10-25 | 2013-10-25 | 读取非易失性存储器的方法和存储设备 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2012-0119106 | 2012-10-25 | ||
| KR1020120119106A KR102038408B1 (ko) | 2012-10-25 | 2012-10-25 | 회귀 분석법을 사용하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910211592.4A Division CN110085275B (zh) | 2012-10-25 | 2013-10-25 | 读取非易失性存储器的方法和存储设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103778962A CN103778962A (zh) | 2014-05-07 |
| CN103778962B true CN103778962B (zh) | 2019-04-16 |
Family
ID=50547061
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310511873.4A Active CN103778962B (zh) | 2012-10-25 | 2013-10-25 | 使用回归分析的半导体存储系统及其读取方法 |
| CN201910211592.4A Active CN110085275B (zh) | 2012-10-25 | 2013-10-25 | 读取非易失性存储器的方法和存储设备 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910211592.4A Active CN110085275B (zh) | 2012-10-25 | 2013-10-25 | 读取非易失性存储器的方法和存储设备 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9111626B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6345407B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102038408B1 (enExample) |
| CN (2) | CN103778962B (enExample) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9552887B2 (en) | 2017-01-24 |
| CN103778962A (zh) | 2014-05-07 |
| US9111626B2 (en) | 2015-08-18 |
| KR102038408B1 (ko) | 2019-10-30 |
| KR20140052691A (ko) | 2014-05-07 |
| US20140119124A1 (en) | 2014-05-01 |
| JP2014086128A (ja) | 2014-05-12 |
| CN110085275B (zh) | 2023-07-25 |
| US20150332778A1 (en) | 2015-11-19 |
| JP6345407B2 (ja) | 2018-06-20 |
| CN110085275A (zh) | 2019-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |