JP2014086128A - 回帰分析法を使用しているメモリシステム及びそれの読み取り方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性メモリ装置の読み取り方法は、互いに異なる読み取り電圧に選択されたメモリセルを読み出す段階と、前記互いに異なる読み取り電圧によって読み出されたデータを参照して複数のしきい値電圧帯域に各々対応するメモリセルの数をカウントする段階と、前記カウント結果を参照して前記選択されたメモリセルのしきい値電圧の確率密度関数の座標値を決定する段階と、前記座標値を参照して前記確率密度関数の係数を取得する段階と、前記確率密度関数の傾きが0である座標点のしきい値電圧を前記選択されたメモリセルの読み取り電圧として決定する段階を含む。
【選択図】図1
Description
2−ビットのMLCのしきい値電圧分布は4つの状態(State)に分類される。即ち、メモリセルは消去状態E0と3つのプログラムの状態P1、P2、P3のうちいずれかの状態に対応するしきい値電圧を持つ。しかし、時間の経過やセル間の干渉、その他の様々な原因のによって2−ビットのMLCのしきい値電圧は変化する。このしきい値電圧の変化によってメモリセルのしきい値電圧の状態は明確に識別できないほど重畳する場合がある。このような場合は、読み取り電圧のレベルを調整する必要がある。最もビットエラーレート(BER)が小さい読み取り電圧を決定することがデータの信頼性の重要な要因である。
112、227、327 ビットカウンタ
114、214、314 回帰分析器
120、220、320 不揮発性メモリ装置
121、221 セルアレイ
122、222 行デコーダ
123、223 ページバッファ
124、224 入出力バッファ
125、225 制御ロジック
126、226 電圧発生器
130、140、150、160、170 分布谷
411 基板
412a、412b、412c、412d ドーピング領域
413 ピラー
413a 表面層
413b 内部の層
414a〜414i 第1導電物質
415 絶縁膜
416 ドレイン
417a、417b、417c ビット線
418 絶縁材料
1100 ホスト
1200 SSD
1210 SSDコントローラ
1215 回帰分析器
1220 バッファメモリ
1230 不揮発性メモリ装置
2100 メモリコントローラ
2110 SRAM
2120 CPU
2130 ホストインタフェース
2140 ECC
2150 メモリインタフェース
2200 不揮発性メモリ装置
3100 フラッシュメモリ
3200 フラッシュコントローラ
4000 コンピューティングシステム
4100 メモリシステム
4110 メモリコントローラ
4120 フラッシュメモリ装置
4200 マイクロプロセッサ
4300 RAM
4400 ユーザインタフェース
4500 モデム
4600 システムバス
Claims (32)
- 不揮発性メモリ装置の読み取り方法において、
互いに異なる読み取り電圧に選択されたメモリセルを読み出す段階と、
前記互いに異なる読み取り電圧によって読み出されたデータを参照して複数のしきい値電圧帯域に各々対応するメモリセルの数をカウントする段階と、
前記複数のしきい値電圧帯域に各々含まれるメモリセルの数を参照して前記選択されたメモリセルのしきい値電圧に対する確率密度関数の座標値を決定する段階と、
前記座標値を参照して前記確率密度関数の係数を求める段階と、
前記確率密度関数の傾きが0である座標点のしきい値電圧を前記選択されたメモリセルの読み取り電圧に決定する段階を含むことを特徴とする読み取り方法。 - 前記複数のしきい値電圧帯域は、同じ電圧幅を有することを特徴とする請求項1に記載の読み取り方法。
- 前記メモリセルの数をカウントする段階は、
第1読み取り電圧によって読み出された第1データ及び第2読み取り電圧によって読み出された第2データの同じ列に対応するデータビットに排他的論理和演算を実行する段階と、
前記排他的論理和演算の結果から論理‘1’の数をカウントする段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の読み取り方法。 - 前記第1読み取り電圧と前記第2読み取り電圧の平均値が前記座標値のうちいずれかの第1成分に、そして、前記第1読み取り電圧と前記第2読み取り電圧との間に対応するしきい値電圧帯域に含まれるメモリセルの数が前記いずれかの座標値の第2成分に決定されることを特徴とする請求項3に記載の読み取り方法。
- 前記選択されたメモリセルの消去状態とプログラム状態との間の分布谷に対応する前記確率密度関数は、前記しきい値電圧に対する3次関数に推定されることを特徴とする請求項1に記載の読み取り方法。
- 前記確率密度関数を求める段階は、少なくとも4つの座標値をそれぞれ代入して前記確率密度関数の係数を求める段階を含むことを特徴とする請求項5に記載の読み取り方法。
- 前記選択されたメモリセルのプログラム状態の間の分布谷に対応する前記確率密度関数は、前記しきい値電圧に対する2次関数に推定されることを特徴とする請求項1に記載の読み取り方法。
- 前記確率密度関数を求める段階は、少なくとも3つの座標値をそれぞれ代入して前記確率密度関数の係数を求める段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の読み取り方法。
- 前記読み取り電圧に決定する段階は、
前記確率密度関数を微分する段階と、
微分された前記確率密度関数の値を0とする方程式の根を求める段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の読み取り方法。 - 前記読み取り電圧は、前記方程式の実根のうち前記確率密度関数の最小点または極小点に対応する実根を前記読み取り電圧に決定することを特徴とする請求項9に記載の読み取り方法。
- 読み取りレベルの情報を含むリードコマンドに応答して選択されたメモリセルからデータを読み出す不揮発性メモリ装置と、
前記読み出されたデータを参照して前記メモリセルのしきい値電圧に対する確率分布関数を求め、前記確率分布関数の導関数を解析して前記メモリセルの読み取り電圧を決定するメモリコントローラを含むことを特徴とするメモリシステム。 - 前記読み取りレベルの情報には、1つの読み取りレベルに対する情報が含まれていることを特徴とする請求項11に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、複数のリードコマンドを前記不揮発性メモリ装置に提供し、複数のリードコマンドにそれぞれ対応する読み取りデータを使用して前記確率分布関数の座標点を計算することを特徴とする請求項12に記載のメモリシステム。
- 前記読み取りレベルの情報には、互いに異なる2つの読み取りレベルに対する情報が含まれていることを特徴とする請求項11に記載のメモリシステム。
- 前記不揮発性メモリ装置は、第1読み取りレベルに応じて読み出された第1データと、第2読み取りレベルによって読み出された第2データに対する排他的論理和演算を実行し、前記排他的論理和演算の結果に含まれる論理‘1’の数をカウントして前記確率分布関数の座標値として提供されるビットカウンタを含むことを特徴とする請求項11に記載のメモリシステム。
- 前記読み取りレベルの情報には、互いに異なる4つ以上の読み取りレベルに対する情報が含まれていることを特徴とする請求項11に記載のメモリシステム。
- 前記読み取りレベルの情報には、最初の読み取りレベル、電圧間隔の大きさ及び読み取り回数に関する情報が含まれていることを特徴とする請求項11に記載のメモリシステム。
- 前記不揮発性メモリ装置は、前記読み取りレベルの情報に対応する複数の座標値成分を前記メモリコントローラに提供することを特徴とする請求項17に記載のメモリシステム。
- 前記確率分布関数は、前記しきい値電圧に対する2次関数としてモデル化されていることを特徴とする請求項11に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリ装置に互いに異なる4つの読み取りレベルを提供することを特徴とする請求項19に記載のメモリシステム。
- 複数の異なる読み取り電圧に選択されたメモリセルを読み出し、前記読み出されたデータを参照して複数のしきい値電圧帯域に各々対応するメモリセルの数に対応する複数のカウント値を生成するビットカウンタと、
前記複数のカウント値を回帰分析法により処理して前記選択されたメモリセルの読み取り電圧を決定する回帰分析器を含むことを特徴とするメモリシステム。 - 前記ビットカウンタは、複数の論理結果データのそれぞれから第1論理値を持つビットの数をカウントして前記複数のカウント値を生成するとともに、
前記複数の論理結果データは、前記選択されたメモリセルを複数の異なる読み取り電圧によって読み出されたデータ同士の論理演算の結果として生成されることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。 - 前記回帰分析器は、前記複数のカウント値から確率密度関数を求め、前記求められた確率密度関数を参照して前記読み取り電圧を決定することを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
- 前記回帰分析器は、前記確率密度関数の最小値を参照して前記読み取り電圧を決定することを特徴とする請求項23に記載のメモリシステム。
- 前記回帰分析器は、前記複数のカウント値を参照して前記選択されたメモリセルの複数の読み取り電圧に対する確率密度関数の座標値を決定し、
前記座標値を参照して前記確率密度関数の係数を求め、前記確率密度関数の傾きが0である座標点のしきい値電圧を前記選択されたメモリセルの読み取り電圧に決定することを特徴とする請求項23に記載のメモリシステム。 - 隣接する読み取り電圧の組の平均値が第1座標の第1成分に、前記隣接する読み取り電圧の組に対応するカウント値が前記第1座標の第2成分に決定されることを特徴とする請求項25に記載のメモリシステム。
- 前記回帰分析器を含むメモリコントローラをさらに備えることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記ビットカウンタを備えることを特徴とする請求項27に記載のメモリシステム。
- 前記不揮発性メモリ装置は、前記ビットカウンタを備えることを特徴とする請求項27に記載のメモリシステム。
- 前記不揮発性メモリ装置は、前記ビットカウンタを含むことを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
- 請求項21に記載のメモリシステムと、
前記メモリシステムと接続されるホストを備えることを特徴とするソリッドステートドライバ。 - 請求項21に記載のメモリシステムと、
前記メモリシステムと接続されるプロセッサを備えることを特徴とするコンピューティングシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120119106A KR102038408B1 (ko) | 2012-10-25 | 2012-10-25 | 회귀 분석법을 사용하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법 |
KR10-2012-0119106 | 2012-10-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014086128A true JP2014086128A (ja) | 2014-05-12 |
JP2014086128A5 JP2014086128A5 (ja) | 2016-12-08 |
JP6345407B2 JP6345407B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=50547061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013220910A Active JP6345407B2 (ja) | 2012-10-25 | 2013-10-24 | 回帰分析法を使用しているメモリシステム及びそれの読み取り方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9111626B2 (ja) |
JP (1) | JP6345407B2 (ja) |
KR (1) | KR102038408B1 (ja) |
CN (2) | CN110085275B (ja) |
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CN103778962B (zh) | 2019-04-16 |
US9552887B2 (en) | 2017-01-24 |
KR20140052691A (ko) | 2014-05-07 |
US20150332778A1 (en) | 2015-11-19 |
CN110085275A (zh) | 2019-08-02 |
CN103778962A (zh) | 2014-05-07 |
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KR102038408B1 (ko) | 2019-10-30 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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