JP2014021106A - 高周波プローブカード - Google Patents
高周波プローブカード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014021106A JP2014021106A JP2013139824A JP2013139824A JP2014021106A JP 2014021106 A JP2014021106 A JP 2014021106A JP 2013139824 A JP2013139824 A JP 2013139824A JP 2013139824 A JP2013139824 A JP 2013139824A JP 2014021106 A JP2014021106 A JP 2014021106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- conductor
- substrate
- perforation
- interposer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06772—High frequency probes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】高周波プローブカードを提供する。
【解決手段】高周波プローブカードは、少なくとも一つの基板、インターポーザー、回路基板および少なくとも一つのプローブモジュールを備える。基板は少なくとも一つの第一穿孔を有する。インターポーザーは基板に配置され、少なくとも一つの第一穿孔に対応する第二穿孔を有する。回路基板は、インターポーザーに配置され、かつ第一穿孔および第二穿孔に対応する第三穿孔を有する。プローブモジュールは少なくとも一つのＮ型アースプローブおよび少なくとも一つの高周波信号プローブを有する。高周波信号プローブは基板およびインターポーザーを貫通し、第三穿孔を介して回路基板に電気的に接続され、かつＮ型信号プローブおよび第一導体を有する。第一導体はＮ型信号プローブに対応し、かつＮ型アースプローブに電気的に接続される。Ｎ型信号プローブと第一導体との間には絶縁層を有する。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】高周波プローブカードは、少なくとも一つの基板、インターポーザー、回路基板および少なくとも一つのプローブモジュールを備える。基板は少なくとも一つの第一穿孔を有する。インターポーザーは基板に配置され、少なくとも一つの第一穿孔に対応する第二穿孔を有する。回路基板は、インターポーザーに配置され、かつ第一穿孔および第二穿孔に対応する第三穿孔を有する。プローブモジュールは少なくとも一つのＮ型アースプローブおよび少なくとも一つの高周波信号プローブを有する。高周波信号プローブは基板およびインターポーザーを貫通し、第三穿孔を介して回路基板に電気的に接続され、かつＮ型信号プローブおよび第一導体を有する。第一導体はＮ型信号プローブに対応し、かつＮ型アースプローブに電気的に接続される。Ｎ型信号プローブと第一導体との間には絶縁層を有する。
【選択図】図２Ａ
Description
本発明は、プローブの技術に関し、詳しくは高周波プローブカードに関するものである。
半導体チップテストを行う際、テスターはプローブカード（ｐｒｏｂｅ ｃａｒｄ）をチップなどの測定対象（ｄｅｖｉｃｅ ｕｎｄｅｒ ｔｅｓｔ，ＤＵＴ）に接触させ、信号伝送および電気信号分析を行うことによって測定対象のテスト結果を求める。
プローブカードは複数のサイズが精密なプローブを相互に配列することによって構成される。プローブはチップ上の特定の電気接点に対応するため、測定対象の対応する電気接点にプローブを接触させれば、テスターからの測定信号を確実に伝送することができる。同時にプローブカードおよびテスターの制御および分析プロセスによって測定対象の電気的特性を探る目的を達成することができる。
プローブカードは複数のサイズが精密なプローブを相互に配列することによって構成される。プローブはチップ上の特定の電気接点に対応するため、測定対象の対応する電気接点にプローブを接触させれば、テスターからの測定信号を確実に伝送することができる。同時にプローブカードおよびテスターの制御および分析プロセスによって測定対象の電気的特性を探る目的を達成することができる。
高速・高周波作動条件下において電子部品は基準の高い電気特性、例えば部品の稼動条件、操作周波数および信号伝送特性が求められる傾向が著しくなったため、電気測定用プローブカードを設計する際、測定条件と、帯域幅および信号伝送の整合性の測定とを重視することが必要である。
従って、高周波測定信号を効果的に伝送し、電気特性の測定結果を正確に反映するために、テスターおよび測定対象となる電子部品にインピーダンス整合ができるプローブカードを使用しなければならない。
従って、高周波測定信号を効果的に伝送し、電気特性の測定結果を正確に反映するために、テスターおよび測定対象となる電子部品にインピーダンス整合ができるプローブカードを使用しなければならない。
図１に示すように、従来の技術において、特許文献１により提示された光学測定装置１は光学レンズ１０およびプローブカード１１を備える。
プローブカード１１は基板１１０、インターポーザー１１１および回路基板１１２を有する。基板１１０、インターポーザー１１１および回路基板１１２はそれぞれ相互に対応する穿孔１１３を有する。光学レンズ１０の光学信号は穿孔１１３を透過する。基板１１０は複数のプローブ１１４を有する。プローブ１１４は基板１１０を貫通し、インターポーザー１１２の穿孔から回路基板１２に入り込み、回路基板１１２の表面に電気的に接続される。
しかしながら、このような技術はプローブ１１４の貫通に用いる穿孔またはスリットを製作するために予め回路基板１２を加工する工程が必要であるため、製作工程を増やすだけでなく、製作が難しくなり、コストが高くなる。
プローブカード１１は基板１１０、インターポーザー１１１および回路基板１１２を有する。基板１１０、インターポーザー１１１および回路基板１１２はそれぞれ相互に対応する穿孔１１３を有する。光学レンズ１０の光学信号は穿孔１１３を透過する。基板１１０は複数のプローブ１１４を有する。プローブ１１４は基板１１０を貫通し、インターポーザー１１２の穿孔から回路基板１２に入り込み、回路基板１１２の表面に電気的に接続される。
しかしながら、このような技術はプローブ１１４の貫通に用いる穿孔またはスリットを製作するために予め回路基板１２を加工する工程が必要であるため、製作工程を増やすだけでなく、製作が難しくなり、コストが高くなる。
従って、上述したとおり、テスターおよび測定対象にインピーダンス整合ができるだけでなく製作が簡単な高周波プローブカードが求められる。
本発明は、プローブカードの測定に適用し、高周波電気信号の抵抗を維持し、品質の高い高周波電気測定信号伝送効果を果し、かつチップの電気特性測定工程に効果的に対応することができる高周波プローブカードを提供することを主な目的とする。
本発明は、レンズ調整機構を整え、かつ位置調整部に配置されたねじ山と、レンズホルダーの頂部に配置された少なくとも一つの調整溝と、調整治具とによってレンズホルダーの位置を調整し、レンズホルダー位置の調整方法を簡単化することをもう一つの目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の一実施形態による高周波プローブカードは、少なくとも一つの基板、インターポーザー、回路基板および少なくとも一つのプローブモジュールを備える。
基板は少なくとも一つの第一穿孔を有する。インターポーザーは基板に配置され、少なくとも一つの第一穿孔に対応する第二穿孔を有する。回路基板は、インターポーザーに配置され、第三穿孔を有する。第三穿孔は第一穿孔および第二穿孔に対応する。プローブモジュールは基板上の第一穿孔の周りに配置され、かつ少なくとも一つのＮ型アースプローブおよび少なくとも一つの高周波信号プローブを有する。
高周波信号プローブは基板およびインターポーザーを貫通し、第三穿孔を介して回路基板に電気的に接続され、かつＮ型信号プローブおよび第一導体を有する。第一導体とＮ型信号プローブとは相互に対応する。第一導体はＮ型アースプローブに電気的に接続される。Ｎ型信号プローブは第一導体との間に絶縁層を有する。絶縁層はＮ型信号プローブに絶縁距離を保つ。
基板は少なくとも一つの第一穿孔を有する。インターポーザーは基板に配置され、少なくとも一つの第一穿孔に対応する第二穿孔を有する。回路基板は、インターポーザーに配置され、第三穿孔を有する。第三穿孔は第一穿孔および第二穿孔に対応する。プローブモジュールは基板上の第一穿孔の周りに配置され、かつ少なくとも一つのＮ型アースプローブおよび少なくとも一つの高周波信号プローブを有する。
高周波信号プローブは基板およびインターポーザーを貫通し、第三穿孔を介して回路基板に電気的に接続され、かつＮ型信号プローブおよび第一導体を有する。第一導体とＮ型信号プローブとは相互に対応する。第一導体はＮ型アースプローブに電気的に接続される。Ｎ型信号プローブは第一導体との間に絶縁層を有する。絶縁層はＮ型信号プローブに絶縁距離を保つ。
一方、別の一実施形態において、少なくとも一つの基板は少なくとも一つの溝部を有する。溝部はプローブモジュールの格納に用いられる。プローブモジュールは固定ユニットを有する。固定ユニットは溝部に接続される。少なくとも一つのＮ型アースプローブおよび少なくとも一つの高周波信号プローブは固定ユニットに接続され、かつ溝部を通る。
一方、別の一実施形態において、高周波プローブカードは、さらに絶縁スリーブを備える。
第一導体は導線から構成される。絶縁層は導線およびＮ型信号プローブの相互に対応する表面を被覆する。Ｎ型信号プローブおよび導線は絶縁スリーブに嵌め込まれる。導線は一端がＮ型アースプローブに電気的に接続され、他端が回路基板の頂面上のアース対応電気接点に電気的に接続される。Ｎ型信号プローブと第一導体とは絶縁層によって相互に絶縁距離を保つ。絶縁距離は絶縁スリーブの内径より小さく、最小値が絶縁層の厚さに等しい。
第一導体は導線から構成される。絶縁層は導線およびＮ型信号プローブの相互に対応する表面を被覆する。Ｎ型信号プローブおよび導線は絶縁スリーブに嵌め込まれる。導線は一端がＮ型アースプローブに電気的に接続され、他端が回路基板の頂面上のアース対応電気接点に電気的に接続される。Ｎ型信号プローブと第一導体とは絶縁層によって相互に絶縁距離を保つ。絶縁距離は絶縁スリーブの内径より小さく、最小値が絶縁層の厚さに等しい。
一方、別の一実施形態において、高周波プローブカードはさらに第二導体を備える。絶縁層は絶縁スリーブから構成される。
第一導体は絶縁スリーブの表面に形成された金属膜である。Ｎ型信号プローブは絶縁スリーブに嵌め込まれる。第二導体はＮ型アースプローブおよびあらゆる金属膜に対応する位置に電気接点を有する。電気接点はそれぞれＮ型アースプローブおよび金属膜の一端に電気的に接続される。金属膜の他端は回路基板の頂面上のアース対応電気接点に電気的に接続される。
第一導体は絶縁スリーブの表面に形成された金属膜である。Ｎ型信号プローブは絶縁スリーブに嵌め込まれる。第二導体はＮ型アースプローブおよびあらゆる金属膜に対応する位置に電気接点を有する。電気接点はそれぞれＮ型アースプローブおよび金属膜の一端に電気的に接続される。金属膜の他端は回路基板の頂面上のアース対応電気接点に電気的に接続される。
一方、別の一実施形態において、高周波プローブカードの第二穿孔は孔径が第一穿孔の孔径より小さい。
高周波プローブカードはさらに少なくとも一つのレンズ調整機構を備える。レンズ調整機構はレンズホルダーおよび位置調整部を有する。レンズホルダーは第二穿孔内に接続され、かつ装着溝を有する。位置調整部は別々に第二穿孔およびレンズホルダーに対応し、かつインターポーザーおよびレンズホルダーに接続されるため、第二穿孔内においてレンズホルダーに位置調整を行うことができる。
高周波プローブカードはさらに少なくとも一つのレンズ調整機構を備える。レンズ調整機構はレンズホルダーおよび位置調整部を有する。レンズホルダーは第二穿孔内に接続され、かつ装着溝を有する。位置調整部は別々に第二穿孔およびレンズホルダーに対応し、かつインターポーザーおよびレンズホルダーに接続されるため、第二穿孔内においてレンズホルダーに位置調整を行うことができる。
一方、別の一実施形態において、高周波プローブカードのレンズホルダーは装着溝の開口部の周りの頂面に少なくとも一つの調整溝を有する。
調整溝は装着溝の開口部の外側に配置される。位置調整部は第一ねじ山および第二ねじ山を有する。第一ねじ山は第二穿孔の壁面に形成される。第二ねじ山は第一ねじ山と噛み合うようにレンズホルダーの表面に形成される。
調整溝は装着溝の開口部の外側に配置される。位置調整部は第一ねじ山および第二ねじ山を有する。第一ねじ山は第二穿孔の壁面に形成される。第二ねじ山は第一ねじ山と噛み合うようにレンズホルダーの表面に形成される。
一方、別の一実施形態において、高周波プローブカードの位置調整部は、さらに可とう性環状体を有する。
可とう性環状体はレンズホルダーに嵌合される。インターポーザーは陥没溝を有する。第二穿孔は陥没溝内に形成される。可とう性環状体は外径が陥没溝の内壁の口径より大きいか、それに等しいため、インターポーザーにレンズホルダーを締め付ければ可とう性環状体は陥没溝の内壁に圧縮され、密着する。
可とう性環状体はレンズホルダーに嵌合される。インターポーザーは陥没溝を有する。第二穿孔は陥没溝内に形成される。可とう性環状体は外径が陥没溝の内壁の口径より大きいか、それに等しいため、インターポーザーにレンズホルダーを締め付ければ可とう性環状体は陥没溝の内壁に圧縮され、密着する。
以下、本発明による高周波プローブカードを図面に基づいて説明する。
（一実施形態）
図２Ａは、本発明の一実施形態による高周波プローブカードのＮ型信号プローブを示す断面図である。図２Ｂは、本発明の一実施形態による高周波プローブカードのＮ型アースプローブを示す断面図である。
本実施形態において、高周波プローブカード２は、基板２０、複数のプローブモジュール２１、インターポーザー２２および回路基板２３を備える。プローブモジュール２１の構造は図３に示したとおりである。
図３に示すように、基板２０は第一穿孔２００を有する。複数のプローブモジュール２１は第一穿孔２００の回りに配置される。
図４および図４Ｂは基板の構造を示す斜視図である。図４Ａに示すように、基板２０は第一穿孔２００の周りに複数の溝部２０１を有する。溝部２０１は基板２０を貫通し、かつコ字型または口字型に配列される。
本実施形態において、溝部２０１はコ字型に近い形に配列される、即ち第一穿孔２００の三つの側に形成される。一方、図４Ｂに示すように、基板２０上のあらゆる溝部は基板２０を貫通するとは限らず、底面２０３と、底面２０３に形成された複数の第一貫通孔２０４とを有する。第一貫通孔２０４は基板２０を貫通する。基板２０はエンジニアリングプラスチック、ベークライトまたはセラミックスから構成される。
本実施形態において、基板２０はセラミックスプレートから構成される。図４Ａおよび図４Ｂに示すように、基板２０はさらにザグリ穴２０５を有する。ザグリ穴２０５は基板２０の四つの角に配置されるとは限らず、数および配置位置が基板２０の寸法および形によって決められてもよい。
ザグリ穴２０５の役割は、ねじなどの締付ユニットでインターポーザー２２に基板２０を締め付ける際、締付ユニットを基板２０の表面に突出させないように孔に埋め込み、測定対象となるチップに傷を付けることを避けることである。図４Ａおよび図４Ｂに示した溝部２０１は必要に応じて相互に繋がり、コ字型に近い形に配列されてもよい。
図２Ａは、本発明の一実施形態による高周波プローブカードのＮ型信号プローブを示す断面図である。図２Ｂは、本発明の一実施形態による高周波プローブカードのＮ型アースプローブを示す断面図である。
本実施形態において、高周波プローブカード２は、基板２０、複数のプローブモジュール２１、インターポーザー２２および回路基板２３を備える。プローブモジュール２１の構造は図３に示したとおりである。
図３に示すように、基板２０は第一穿孔２００を有する。複数のプローブモジュール２１は第一穿孔２００の回りに配置される。
図４および図４Ｂは基板の構造を示す斜視図である。図４Ａに示すように、基板２０は第一穿孔２００の周りに複数の溝部２０１を有する。溝部２０１は基板２０を貫通し、かつコ字型または口字型に配列される。
本実施形態において、溝部２０１はコ字型に近い形に配列される、即ち第一穿孔２００の三つの側に形成される。一方、図４Ｂに示すように、基板２０上のあらゆる溝部は基板２０を貫通するとは限らず、底面２０３と、底面２０３に形成された複数の第一貫通孔２０４とを有する。第一貫通孔２０４は基板２０を貫通する。基板２０はエンジニアリングプラスチック、ベークライトまたはセラミックスから構成される。
本実施形態において、基板２０はセラミックスプレートから構成される。図４Ａおよび図４Ｂに示すように、基板２０はさらにザグリ穴２０５を有する。ザグリ穴２０５は基板２０の四つの角に配置されるとは限らず、数および配置位置が基板２０の寸法および形によって決められてもよい。
ザグリ穴２０５の役割は、ねじなどの締付ユニットでインターポーザー２２に基板２０を締め付ける際、締付ユニットを基板２０の表面に突出させないように孔に埋め込み、測定対象となるチップに傷を付けることを避けることである。図４Ａおよび図４Ｂに示した溝部２０１は必要に応じて相互に繋がり、コ字型に近い形に配列されてもよい。
図３に示すように、本実施形態において、プローブモジュール２１はプローブ列２１０および固定ユニット２１９を有する。図５Ａは図３に示した一つのプローブ列２１０の一部分の高周波プローブの構造を示す斜視図である。
図５Ａに示すように、プローブ列２１０の高周波プローブはＮ型アースプローブ２１０ａおよび複数の高周波信号プローブ２１０ｂを有する。高周波信号プローブ２１０ｂはＮ型信号プローブ２１０ｃおよび第一導体２１１を有する。Ｎ型アースプローブ２１０ａおよびＮ型信号プローブ２１０ｃはそれぞれ延長部２１００、アーム２１０１および検知部２１０２を有する。
アーム２１０１は延長部２１００に繋がり、延長部２１００との間に第一角度θ１を有する。検知部２１０２はアーム２１０１に繋がり、アーム２１０１との間に第二角度θ２を有する。第一角度θ１および第二角度θ２は大きさが特に制限されない。需要に応じて第一角度θ１および第二角度θ２を所定の角度まで湾曲させることができる。
一方、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は一部分が裁断され、一部分が残って第一導体２１１に接続されてもよい。
図５Ａに示すように、プローブ列２１０の高周波プローブはＮ型アースプローブ２１０ａおよび複数の高周波信号プローブ２１０ｂを有する。高周波信号プローブ２１０ｂはＮ型信号プローブ２１０ｃおよび第一導体２１１を有する。Ｎ型アースプローブ２１０ａおよびＮ型信号プローブ２１０ｃはそれぞれ延長部２１００、アーム２１０１および検知部２１０２を有する。
アーム２１０１は延長部２１００に繋がり、延長部２１００との間に第一角度θ１を有する。検知部２１０２はアーム２１０１に繋がり、アーム２１０１との間に第二角度θ２を有する。第一角度θ１および第二角度θ２は大きさが特に制限されない。需要に応じて第一角度θ１および第二角度θ２を所定の角度まで湾曲させることができる。
一方、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は一部分が裁断され、一部分が残って第一導体２１１に接続されてもよい。
第一導体２１１はＮ型信号プローブ２１０ｃに対応する。Ｎ型信号プローブ２１０ｃは第一導体２１１との間に絶縁層２１３を有する。Ｎ型信号プローブ２１０ｃと第一導体２１１とは絶縁層２１３によって相互に絶縁距離を保つ。
絶縁距離は最小値が絶縁層２１３の厚さである。第一導体２１１は導線である。本実施形態において、絶縁層２１３は第一導体２１１の外側を被覆するが、これに限らない。
絶縁距離は最小値が絶縁層２１３の厚さである。第一導体２１１は導線である。本実施形態において、絶縁層２１３は第一導体２１１の外側を被覆するが、これに限らない。
第一導体２１１は、一端がＮ型アースプローブ２１０ａに電気的に接続される。本実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対複数であるため、第一導体２１１とＮ型アースプローブ２１０ａとを電気的に接続する際、第二導体２１４によって電気的接続を行う。第二導体２１４は特に制限されず、帯状導体または線状導体であってもよい。需要に応じて決めればよい。
本実施形態において、第二導体２１４は帯状銅箔である。第二導体２１４はそれぞれＮ型アースプローブ２１０ａおよび第一導体２１１に対応する位置に電気接点２１５を有する。電気接点２１５は別々にＮ型アースプローブ２１０ａと第一導体２１１に電気的に接続されるため、第二導体２１４、Ｎ型アースプローブ２１０ａと第一導体２１１との間に短絡を生じさせる。
第一導体２１１は第二導体２１４のエリアに配置されるため、絶縁層２１３から離れる。本実施形態において、電気接点２１５ははんだパッドから構成される。Ｎ型信号プローブ２１０ｃの延長部２１００は絶縁構造２１７によって第二導体２１４の同じ側の表面に当接する。
本実施形態において、第二導体２１４は帯状銅箔である。第二導体２１４はそれぞれＮ型アースプローブ２１０ａおよび第一導体２１１に対応する位置に電気接点２１５を有する。電気接点２１５は別々にＮ型アースプローブ２１０ａと第一導体２１１に電気的に接続されるため、第二導体２１４、Ｎ型アースプローブ２１０ａと第一導体２１１との間に短絡を生じさせる。
第一導体２１１は第二導体２１４のエリアに配置されるため、絶縁層２１３から離れる。本実施形態において、電気接点２１５ははんだパッドから構成される。Ｎ型信号プローブ２１０ｃの延長部２１００は絶縁構造２１７によって第二導体２１４の同じ側の表面に当接する。
図５Ｂは、図３に示した一つのプローブモジュールの一部分の高周波プローブの構造を示す斜視図である。
図５Ａとの違いは、Ｎ型信号プローブ２１０ｃが絶縁材２１２に連結されることである。絶縁材２１２は絶縁スリーブまたは絶縁テープである。本実施形態において、絶縁材２１２は絶縁スリーブである。Ｎ型信号プローブ２１０ｃおよび第一導体２１１は絶縁スリーブに嵌め込まれる。Ｎ型信号プローブ２１０ｃの延長部２１００は絶縁材２１２に嵌め込まれる。第一導体２１１およびＮ型信号プローブ２１０ｃは絶縁材２１２によって隣り合うと同時に相互に一定の絶縁距離を保ち、高周波プローブの効果を確保することができる。
一方、絶縁スリーブは絶縁距離を決めるため、絶縁距離は絶縁スリーブの内径より小さく、最小値が絶縁層２１３の厚さに等しい。第一導線２１１は一端がＮ型アースプローブ２１０ａに電気的に接続される。第一導体２１１はＮ型信号プローブ２１０ｃに対応する区域の表面に絶縁層２１３を有する。
本実施形態は第一導線２１１および絶縁層２１３にエナメルを塗布する、即ち第一導体２１１を導線にし、導線とＮ型信号プローブ２１０ｃの相互に対応する表面に絶縁層２１３を被せるが、これに限らない。
一方、別の一実施形態において、絶縁材２１２は第二導体２１４の辺縁に当接する。図５Ａおよび図５Ｂに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は電気接点２１５よりさらに伸びるため、Ｎ型アースプローブ２１０ａによって回路基板２３のアース対応電気接点との電気的接続を行うことができる。
図５に示すように、別の一実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は電気接点２１５まで伸びる。このような方式は、第一導体２１１によって回路基板２３のアース対応電気接点との電気的接続を行うことである。
図５Ａとの違いは、Ｎ型信号プローブ２１０ｃが絶縁材２１２に連結されることである。絶縁材２１２は絶縁スリーブまたは絶縁テープである。本実施形態において、絶縁材２１２は絶縁スリーブである。Ｎ型信号プローブ２１０ｃおよび第一導体２１１は絶縁スリーブに嵌め込まれる。Ｎ型信号プローブ２１０ｃの延長部２１００は絶縁材２１２に嵌め込まれる。第一導体２１１およびＮ型信号プローブ２１０ｃは絶縁材２１２によって隣り合うと同時に相互に一定の絶縁距離を保ち、高周波プローブの効果を確保することができる。
一方、絶縁スリーブは絶縁距離を決めるため、絶縁距離は絶縁スリーブの内径より小さく、最小値が絶縁層２１３の厚さに等しい。第一導線２１１は一端がＮ型アースプローブ２１０ａに電気的に接続される。第一導体２１１はＮ型信号プローブ２１０ｃに対応する区域の表面に絶縁層２１３を有する。
本実施形態は第一導線２１１および絶縁層２１３にエナメルを塗布する、即ち第一導体２１１を導線にし、導線とＮ型信号プローブ２１０ｃの相互に対応する表面に絶縁層２１３を被せるが、これに限らない。
一方、別の一実施形態において、絶縁材２１２は第二導体２１４の辺縁に当接する。図５Ａおよび図５Ｂに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は電気接点２１５よりさらに伸びるため、Ｎ型アースプローブ２１０ａによって回路基板２３のアース対応電気接点との電気的接続を行うことができる。
図５に示すように、別の一実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は電気接点２１５まで伸びる。このような方式は、第一導体２１１によって回路基板２３のアース対応電気接点との電気的接続を行うことである。
図５Ｂおよび図５Ｃに示すように、電気接点２１５は第二導体２１４の第一表面２１４０に形成される。複数のＮ型信号プローブ２１０ｃの延長部２１００は第一表面２１４０の絶縁構造２１７に当接するため、Ｎ型信号プローブ２１０ｃおよび電気接点２１５は第二導体２１４の同じ側面に位置付けられる。
一方、図５Ｄに示すように、第二導体２１４は第一表面２１４０と、第一表面２１４０に対応する第二表面２１４１とを有する。電気接点２１５は対応する第一導体２１１に繋がるように第一表面２１４０に配置される。高周波信号プローブ２１０ｂの延長部２１００は絶縁構造２１７によって第二導体２１４の第二表面２１４１に当接する。
一方、図５Ｅに示すように、別の一実施形態は第二表面２１４１の全体に一層の絶縁構造２１７を配置することによって高周波信号プローブ２１０ｂと第二導体２１４を遮断する。第二導体２１４は配置位置が特に制限されず、図５Ａから図５Ｅに示すように高周波信号プローブ２１０ｂの延長部２１００またはアーム２１０１に配置されてもよい。
一方、図５Ｄに示すように、第二導体２１４は第一表面２１４０と、第一表面２１４０に対応する第二表面２１４１とを有する。電気接点２１５は対応する第一導体２１１に繋がるように第一表面２１４０に配置される。高周波信号プローブ２１０ｂの延長部２１００は絶縁構造２１７によって第二導体２１４の第二表面２１４１に当接する。
一方、図５Ｅに示すように、別の一実施形態は第二表面２１４１の全体に一層の絶縁構造２１７を配置することによって高周波信号プローブ２１０ｂと第二導体２１４を遮断する。第二導体２１４は配置位置が特に制限されず、図５Ａから図５Ｅに示すように高周波信号プローブ２１０ｂの延長部２１００またはアーム２１０１に配置されてもよい。
上述した実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対複数である。図６Ａおよび図６Ｂに示したのは本発明による高周波プローブの別の一実施形態である。
本実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対一であるため、Ｎ型信号プローブ２１０ｃと第一導体２１１上の対応する区域（破線で示した区域）は絶縁層２１３を有し、第一導体２１１とそれに対応するＮ型信号プローブ２１０ｃの間に絶縁距離を保つ。図６Ａに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は第一導体２１１と延長部２１００とを電気的に接続した位置よりさらに伸びる。
図６Ｂに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は第一導体２１１と延長部２１００とを電気的に接続した位置まで伸びる。
本実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対一であるため、Ｎ型信号プローブ２１０ｃと第一導体２１１上の対応する区域（破線で示した区域）は絶縁層２１３を有し、第一導体２１１とそれに対応するＮ型信号プローブ２１０ｃの間に絶縁距離を保つ。図６Ａに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は第一導体２１１と延長部２１００とを電気的に接続した位置よりさらに伸びる。
図６Ｂに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は第一導体２１１と延長部２１００とを電気的に接続した位置まで伸びる。
図６Ｃおよび図６Ｄに示したのは本発明の別の一実施形態による高周波プローブである。本実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対一である。絶縁材２１２は絶縁スリーブである。Ｎ型信号プローブ２１０ｃと、絶縁層２１３を有する第一導体２１１とは絶縁材２１２に嵌め込まれる。第一導体２１１は対応するＮ型アースプローブ２１０ａに電気的に接続される。
図６Ｃに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は第一導体２１１と延長部２１００とを電気的に接続した位置よりさらに伸びる。図６Ｄに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は第一導体２１１と延長部２１００とを電気的に接続した位置まで伸びる。
図６Ａから図６Ｄに示すようにＮ型アースプローブの延長部の長さを決める目的は、図５Ｃおよび図５Ｄにより提示された内容と同じであるため、詳しい説明を省略する。
図６Ｃに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は第一導体２１１と延長部２１００とを電気的に接続した位置よりさらに伸びる。図６Ｄに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は第一導体２１１と延長部２１００とを電気的に接続した位置まで伸びる。
図６Ａから図６Ｄに示すようにＮ型アースプローブの延長部の長さを決める目的は、図５Ｃおよび図５Ｄにより提示された内容と同じであるため、詳しい説明を省略する。
図７Ａに示したのは本発明による高周波プローブの別の一実施形態である。図５Ｃとの違いは次の通りである。
図５Ｃに示すように、絶縁層２１３はＮ型信号プローブ２１０ｃを被覆する絶縁スリーブであるのに対し、図７Ａに示すように、絶縁材２１３の表面の金属膜２１６は図５Ｃに示した第一導体２１１に相当し、かつＮ型アースプローブ２１０ａに電気的に接続される。
本実施形態において、電気接続方法は、第二導体２１４上の複数の電気接点２１５と高周波信号プローブ２１０ｂの絶縁層２１３上の金属膜２１６とを電気的に接続することである。
図７Ａに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対複数である。一方、図７Ｂおよび図７Ｃに示すように、別の一実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対一である。図７Ｂおよび図７Ｃに示したＮ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は導線２１８によって金属膜２１６に電気的に接続される。
図７Ｂに示すように、延長部２１００は導線２１８によって電気接続を行う位置よりさらに伸びる。
図７Ｃに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は導線２１８と延長部２１００とを電気的に接続した位置まで伸びる。導線２１８はエナメルまたは絶縁層が付いていない導線である。導線２１８がエナメルである場合、導線２１８とＮ型アースプローブ２１０ａを電気的に接続した位置に絶縁層を配置する必要がない。
図７Ｂおよび図７Ｃにおいて、Ｎ型アースプローブ２１０ａと導線２１８の構造の違いは図５Ｃおよび図５Ｄにより提示された内容と同じであるため、詳しい説明を省略する。導線２１８、Ｎ型アースプローブ２１０ａおよび金属膜２１６との間ははんだ付けによって接続されるが、これに限らない。
図５Ｃに示すように、絶縁層２１３はＮ型信号プローブ２１０ｃを被覆する絶縁スリーブであるのに対し、図７Ａに示すように、絶縁材２１３の表面の金属膜２１６は図５Ｃに示した第一導体２１１に相当し、かつＮ型アースプローブ２１０ａに電気的に接続される。
本実施形態において、電気接続方法は、第二導体２１４上の複数の電気接点２１５と高周波信号プローブ２１０ｂの絶縁層２１３上の金属膜２１６とを電気的に接続することである。
図７Ａに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対複数である。一方、図７Ｂおよび図７Ｃに示すように、別の一実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対一である。図７Ｂおよび図７Ｃに示したＮ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は導線２１８によって金属膜２１６に電気的に接続される。
図７Ｂに示すように、延長部２１００は導線２１８によって電気接続を行う位置よりさらに伸びる。
図７Ｃに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は導線２１８と延長部２１００とを電気的に接続した位置まで伸びる。導線２１８はエナメルまたは絶縁層が付いていない導線である。導線２１８がエナメルである場合、導線２１８とＮ型アースプローブ２１０ａを電気的に接続した位置に絶縁層を配置する必要がない。
図７Ｂおよび図７Ｃにおいて、Ｎ型アースプローブ２１０ａと導線２１８の構造の違いは図５Ｃおよび図５Ｄにより提示された内容と同じであるため、詳しい説明を省略する。導線２１８、Ｎ型アースプローブ２１０ａおよび金属膜２１６との間ははんだ付けによって接続されるが、これに限らない。
以下、図２Ａ、図２Ｂ、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、固定ユニット２１９とプローブ列２１０の接続方法は次の通りである。
固定ユニット２１９はエンジニアリングプラスチック、ベークライトまたはセラミックスから構成される。本実施形態において、固定ユニット２１９はセラミックスから構成される。まず、あらゆるプローブ、即ちＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂの延長部２１００を固定ユニット２１９に配置する。
続いてエポキシ（ｅｐｏｘｙ）などの樹脂２４によってＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂを固定ユニット２１９に固着させる。樹脂の塗布位置は図に示した位置に限らず、状況に応じて決めてよい。続いてプローブモジュール２１の全体を基板２０の溝部に嵌め込む。基板２０の溝部は図４Ａに示した溝部２０１または図４Ｂに示した溝部２０２である。本実施形態は図４Ｂに示した溝部２０２を使用する。
続いて、プローブモジュール２１の全体を溝部２０２に嵌め込んだ後、プローブモジュール２１と基板２０との接合効果を強化する際、一実施形態に基づいてプローブモジュール２１と基板２０の接合箇所に樹脂２４ａを塗布すればよい。このときプローブモジュール２１は本実施形態により提示された位置ではなく、基板２０上の樹脂の塗布位置に樹脂２４ａによって接合されるが、これに限らない。つまり、本発明は状況に応じて適切な接合箇所に樹脂を塗布し、接合関係を強化することができる。
一方、第一貫通孔２０４は独立の孔である。複数の第一貫通孔２０４は別の形として相互に繋がって貫通溝を構成する。Ｎ型アースプローブ２０１ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂは貫通溝を貫通する。
固定ユニット２１９はエンジニアリングプラスチック、ベークライトまたはセラミックスから構成される。本実施形態において、固定ユニット２１９はセラミックスから構成される。まず、あらゆるプローブ、即ちＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂの延長部２１００を固定ユニット２１９に配置する。
続いてエポキシ（ｅｐｏｘｙ）などの樹脂２４によってＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂを固定ユニット２１９に固着させる。樹脂の塗布位置は図に示した位置に限らず、状況に応じて決めてよい。続いてプローブモジュール２１の全体を基板２０の溝部に嵌め込む。基板２０の溝部は図４Ａに示した溝部２０１または図４Ｂに示した溝部２０２である。本実施形態は図４Ｂに示した溝部２０２を使用する。
続いて、プローブモジュール２１の全体を溝部２０２に嵌め込んだ後、プローブモジュール２１と基板２０との接合効果を強化する際、一実施形態に基づいてプローブモジュール２１と基板２０の接合箇所に樹脂２４ａを塗布すればよい。このときプローブモジュール２１は本実施形態により提示された位置ではなく、基板２０上の樹脂の塗布位置に樹脂２４ａによって接合されるが、これに限らない。つまり、本発明は状況に応じて適切な接合箇所に樹脂を塗布し、接合関係を強化することができる。
一方、第一貫通孔２０４は独立の孔である。複数の第一貫通孔２０４は別の形として相互に繋がって貫通溝を構成する。Ｎ型アースプローブ２０１ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂは貫通溝を貫通する。
図８はプローブモジュールおよび固定ユニットの実施形態である。
本実施形態において、あらゆるプローブ、即ちＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂは樹脂２４によって固定ユニット２１９ａに固着し、単一のプローブモジュール２１を構成する。プローブの延長部２１００は固定ユニット２１０ａの一側面に当接し、かつ基板２０の表面に垂直である。Ｎ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂを固定ユニット２１９ａに固着させる際、アーム２１０１と固定ユニット２１９ａを樹脂２４で接合すればよい。
本実施形態において、あらゆるプローブ、即ちＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂは樹脂２４によって固定ユニット２１９ａに固着し、単一のプローブモジュール２１を構成する。プローブの延長部２１００は固定ユニット２１０ａの一側面に当接し、かつ基板２０の表面に垂直である。Ｎ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂを固定ユニット２１９ａに固着させる際、アーム２１０１と固定ユニット２１９ａを樹脂２４で接合すればよい。
あらゆるプローブモジュール２１は基板２０の溝部２０２に嵌め込まれる。本実施形態は図４Ｂに示した基板２０を採用するため、あらゆるＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂの延長部２１００は第一貫通孔２０４から基板２０を貫通する。第一貫通孔２０４によって基板２０を貫通した延長部２１００をより安定させ、電気信号を誘導する後続工程の便をはかることができる。
一方、プローブモジュール２１を基板２０に固着させる際、プローブモジュール２１を溝部２０２に格納し、プローブモジュール２１と溝部２０２との間の隙間に樹脂２４ｂを充填すれば、プローブモジュール２１と溝部２０２との接合効果を強化することができる。
別の一実施形態は、Ｎ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂのアーム２１０１と基板２０との間の接合関係を樹脂２４によって強化する。それに対し、別の一実施形態において、図２Ａ、図２Ｂまたは図８に示すように、固定ユニット２１９または２１９ａは溝部２０２の内部でなく、溝部２０２の表面に連結される。このとき溝部２０２の開口部の幅は対応するプローブが通れるくらいで固定ユニット２１９または２１９ａの貫通溝の幅より小さい。固定ユニット２１９または２１９ａを基板に固定する際、エポキシを使用すればよい。
一方、プローブモジュール２１を基板２０に固着させる際、プローブモジュール２１を溝部２０２に格納し、プローブモジュール２１と溝部２０２との間の隙間に樹脂２４ｂを充填すれば、プローブモジュール２１と溝部２０２との接合効果を強化することができる。
別の一実施形態は、Ｎ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂのアーム２１０１と基板２０との間の接合関係を樹脂２４によって強化する。それに対し、別の一実施形態において、図２Ａ、図２Ｂまたは図８に示すように、固定ユニット２１９または２１９ａは溝部２０２の内部でなく、溝部２０２の表面に連結される。このとき溝部２０２の開口部の幅は対応するプローブが通れるくらいで固定ユニット２１９または２１９ａの貫通溝の幅より小さい。固定ユニット２１９または２１９ａを基板に固定する際、エポキシを使用すればよい。
図２Ａ、図２Ｂおよび図８に示した一実施形態において、固定ユニット２１９または２１９ａは独立の柱状構造である。それに対し、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、別の一実施形態は複数の固定ユニットを連結し、環状の一体構造、例えば口字型またはコ字型の一体構造を形成する。
図９Ａに示したコ字型固定ユニット２１９ｂおよび図９Ｂに示した口字型固定ユニット２１９ｃは、図２Ａおよび図２Ｂに示したプローブモジュール２１に使用される固定ユニットである。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、プローブモジュール２１は少なくとも一つのＮ型アースプローブ２１０ａおよび少なくとも一つの高周波信号プローブ２１０ｂを有する。高周波信号プローブ２１０ｂは第一導体２１１およびＮ型信号プローブ２１０ｃを有する。
Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対一または一対複数である。Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの接続方法は図５Ａから図７Ｃに示した構造を使用するか、図５Ａから図７Ｃに示した構造において第二導体２１４の配置位置を高周波信号プローブ２１０ｂのアーム２１０１に据えることによって行う。
図９Ａに示したコ字型固定ユニット２１９ｂおよび図９Ｂに示した口字型固定ユニット２１９ｃは、図２Ａおよび図２Ｂに示したプローブモジュール２１に使用される固定ユニットである。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、プローブモジュール２１は少なくとも一つのＮ型アースプローブ２１０ａおよび少なくとも一つの高周波信号プローブ２１０ｂを有する。高周波信号プローブ２１０ｂは第一導体２１１およびＮ型信号プローブ２１０ｃを有する。
Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの関係は一対一または一対複数である。Ｎ型アースプローブ２１０ａとＮ型信号プローブ２１０ｃとの接続方法は図５Ａから図７Ｃに示した構造を使用するか、図５Ａから図７Ｃに示した構造において第二導体２１４の配置位置を高周波信号プローブ２１０ｂのアーム２１０１に据えることによって行う。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、Ｎ型アースプローブ２１０ａは基板２０およびインターポーザー２２を貫通し、そののち回路基板２３の第三穿孔２３０から回路基板２３を貫通し、回路基板２３の頂面の電気接点２３１に電気的に接続される。Ｎ型信号プローブ２１０ｃは基板２０およびインターポーザー２２を貫通し、そののち回路基板２３の第三穿孔２３０から回路基板２３を貫通し、回路基板２３の頂面の電気接点２３２に電気的に接続される。
Ｎ型アースプローブ２１０ａに対応する電気接点２３１はアース対応電気接点である。Ｎ型信号プローブ２１０ｃに対応する電気接点２３２は高周波信号伝送に用いる高周波信号対応電気接点である。一方、第一導体２１１の一端は電気接点２１５によって第二導体２１４に電気的に接続される。第一導体２１１の他端はインターポーザー２２を貫通し、そののち回路基板２３の第三穿孔２３０から回路基板２３を貫通し、回路基板２３の頂面のアース対応電気接点２３３に電気的に接続される。
本実施形態において、第二導体２１４は基板２０の内部の溝部２０２内に配置される。Ｎ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂは溝部２０２を貫通する。樹脂２４は第二導体２１４およびＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂの固定に用いられる。絶縁材２１２はインターポーザー２２の第二溝部２２２内に装着され、第一導体２１１およびＮ型信号プローブ２１０ｃの格納に用いられる。
Ｎ型アースプローブ２１０ａに対応する電気接点２３１はアース対応電気接点である。Ｎ型信号プローブ２１０ｃに対応する電気接点２３２は高周波信号伝送に用いる高周波信号対応電気接点である。一方、第一導体２１１の一端は電気接点２１５によって第二導体２１４に電気的に接続される。第一導体２１１の他端はインターポーザー２２を貫通し、そののち回路基板２３の第三穿孔２３０から回路基板２３を貫通し、回路基板２３の頂面のアース対応電気接点２３３に電気的に接続される。
本実施形態において、第二導体２１４は基板２０の内部の溝部２０２内に配置される。Ｎ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂは溝部２０２を貫通する。樹脂２４は第二導体２１４およびＮ型アースプローブ２１０ａまたは高周波信号プローブ２１０ｂの固定に用いられる。絶縁材２１２はインターポーザー２２の第二溝部２２２内に装着され、第一導体２１１およびＮ型信号プローブ２１０ｃの格納に用いられる。
Ｎ型信号プローブ２１０ｃに高周波信号検知効果を果たさせるには、Ｎ型信号プローブ２１０ｃにインピーダンス整合を行うことが必要である。
本実施形態において、インピーダンス整合方法は第一導体２１１および絶縁材２１２を上方の回路基板２３の頂面に据えられたＮ型信号プローブ２１０ｃの位置まで伸ばし、続いて第一導体２１１と回路基板２３の頂面の電気接点２３３とを電気的に接続することによってインピーダンス整合を行うことである。絶縁材２１２は一端が第二導体２１４の辺縁に当接し、他端が上方の回路基板２３の頂面まで伸びる。
一方、別の一実施形態において、プローブモジュールはさらに固定ユニット２１９を有する。組み立て作業を進める際、Ｎ型アースプローブ２１０ａおよびＮ型信号プローブ２１０ｃを固定ユニット２１９に配置し、そののち基板２０の一つの溝部２０２内に固定ユニット２１９を嵌め込み、樹脂２４で固定する。複数のＮ型アースプローブ２１０ａおよびＮ型信号プローブ２１０ｃを基板２０に配置する技術はこの領域において熟知された技術であるため、本実施形態により提示された固定ユニット２１９によって行うとは限らない。一方、本発明は基板２０に溝部２０２を配置することなく、基板２０の表面に固定ユニット２１９を配置することができる。
本実施形態において、インピーダンス整合方法は第一導体２１１および絶縁材２１２を上方の回路基板２３の頂面に据えられたＮ型信号プローブ２１０ｃの位置まで伸ばし、続いて第一導体２１１と回路基板２３の頂面の電気接点２３３とを電気的に接続することによってインピーダンス整合を行うことである。絶縁材２１２は一端が第二導体２１４の辺縁に当接し、他端が上方の回路基板２３の頂面まで伸びる。
一方、別の一実施形態において、プローブモジュールはさらに固定ユニット２１９を有する。組み立て作業を進める際、Ｎ型アースプローブ２１０ａおよびＮ型信号プローブ２１０ｃを固定ユニット２１９に配置し、そののち基板２０の一つの溝部２０２内に固定ユニット２１９を嵌め込み、樹脂２４で固定する。複数のＮ型アースプローブ２１０ａおよびＮ型信号プローブ２１０ｃを基板２０に配置する技術はこの領域において熟知された技術であるため、本実施形態により提示された固定ユニット２１９によって行うとは限らない。一方、本発明は基板２０に溝部２０２を配置することなく、基板２０の表面に固定ユニット２１９を配置することができる。
インターポーザー２２は基板２０に配置され、かつ第一穿孔２００に対応する第二穿孔２２０を有する。回路基板２３はインターポーザー２２に配置され、第一穿孔２００および第二穿孔２２０に対応する第三穿孔２３０を有する。
上述した実施形態はＮ型アースプローブ２１０ａと回路基板２３上のアース対応電気接点２３１とを電気的に接続する。それに対し、図１０Ａに示すように、別の一実施形態はＮ型アースプローブ２１０ａと回路基板２３上のアース対応電気接点２３１とを電気的に接続することでなく、第一導体２１１を第三穿孔２３０から回路基板２３の頂面までアース対応電気接点２３３との電気的接続を行う。
本発明において、Ｎ型アースプローブ２１０ａ、Ｎ型信号プローブ２１０ｃおよび第一導体２１１を回路基板２３の頂面に電気的に接続する理由は、プローブと電気接点を電気的に接続する作業の便をはかることである。
上述した実施形態はＮ型アースプローブ２１０ａと回路基板２３上のアース対応電気接点２３１とを電気的に接続する。それに対し、図１０Ａに示すように、別の一実施形態はＮ型アースプローブ２１０ａと回路基板２３上のアース対応電気接点２３１とを電気的に接続することでなく、第一導体２１１を第三穿孔２３０から回路基板２３の頂面までアース対応電気接点２３３との電気的接続を行う。
本発明において、Ｎ型アースプローブ２１０ａ、Ｎ型信号プローブ２１０ｃおよび第一導体２１１を回路基板２３の頂面に電気的に接続する理由は、プローブと電気接点を電気的に接続する作業の便をはかることである。
図１０Ｂは、本発明の別の一実施形態による高周波プローブカードを示す断面図である。図１０Ａとの違いは次の通りである。本実施形態において、第二導体２１４はインターポーザー２２の第二溝部２２２内に装着される。
第一導体２１１およびＮ型高周波プローブ２１０ｃの延長部２１００は第二溝部２２２を貫通する。絶縁材２１２は第三穿孔２３０内に装着され、かつ第一導体２１１およびＮ型高周波プローブ２１０ｃの延長部２１００の格納に用いられる。絶縁材２１２は一端がインターポーザー２２に当接しかつ第二導体２１４に隣り合い、他端が上方の回路基板２３の頂面まで伸びる。
第一導体２１１およびＮ型高周波プローブ２１０ｃの延長部２１００は第二溝部２２２を貫通する。絶縁材２１２は第三穿孔２３０内に装着され、かつ第一導体２１１およびＮ型高周波プローブ２１０ｃの延長部２１００の格納に用いられる。絶縁材２１２は一端がインターポーザー２２に当接しかつ第二導体２１４に隣り合い、他端が上方の回路基板２３の頂面まで伸びる。
図１０Ｃおよび図１０Ｄに示すように、本実施形態は図１０Ａに示した高周波プローブの構造に基づいて説明する。
本実施形態において、第二導体２１４は基板２０の溝部２０２内に装着される。絶縁層２１３の一端の表面に位置する金属膜２１６は電気接点２１５に電気的に接続される。第二導体２１４は電気接点２１５によってＮ型アースプローブ２１０ａに電気的に接続される。Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は回路基板２３の頂面の電気接点２３１に電気的に接続される。
一方、Ｎ型信号プローブ２１０ｃに高周波信号検知効果を果たさせるには、Ｎ型信号プローブ２１０ｃにインピーダンス整合を行うことが必要である。本実施形態において、インピーダンス整合方法は金属膜２１６を有する絶縁層２１３を、上方の回路基板２３の頂面に据えられたＮ型信号プローブ２１０ｃの位置まで伸ばし、続いて導体または導線２３４によって金属膜２１６と回路基板２３の頂面の電気接点２３３とを電気的に接続することによってインピーダンス整合を行うことである。そのほかの構造または変更は図２Ａ、図２Ｂまたは図１０Ｂに示した通りである。詳しい説明は省略する。
本実施形態において、第二導体２１４は基板２０の溝部２０２内に装着される。絶縁層２１３の一端の表面に位置する金属膜２１６は電気接点２１５に電気的に接続される。第二導体２１４は電気接点２１５によってＮ型アースプローブ２１０ａに電気的に接続される。Ｎ型アースプローブ２１０ａの延長部２１００は回路基板２３の頂面の電気接点２３１に電気的に接続される。
一方、Ｎ型信号プローブ２１０ｃに高周波信号検知効果を果たさせるには、Ｎ型信号プローブ２１０ｃにインピーダンス整合を行うことが必要である。本実施形態において、インピーダンス整合方法は金属膜２１６を有する絶縁層２１３を、上方の回路基板２３の頂面に据えられたＮ型信号プローブ２１０ｃの位置まで伸ばし、続いて導体または導線２３４によって金属膜２１６と回路基板２３の頂面の電気接点２３３とを電気的に接続することによってインピーダンス整合を行うことである。そのほかの構造または変更は図２Ａ、図２Ｂまたは図１０Ｂに示した通りである。詳しい説明は省略する。
図１０Ａに示すように、別の一実施形態において、第二導体２１４の配置位置が高周波プローブ２１０ｂのアーム２１０１に据えられる際、第二導体２１４は固定ユニット２１９とアーム２１０１との間に配置され、かつ樹脂２４によって固定される。
上述実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａは回路基板２３のアース対応電気接点２３１に電気的に接続される。図１０Ｅに示すように、別の一実施形態において、Ｎ型アースプローブ２１０ａは第二導体２１４に電気的に接続される。
図２Ａ、図２Ｂおよび図１０Ａから図１０Ｅに示すように、電気接点２３１、２３２、２３３は第三穿孔２３０を囲むように回路基板２３の頂面に環状に分布する。
図２Ａ、図２Ｂおよび図１０Ａから図１０Ｅに示すように、電気接点２３１、２３２、２３３は第三穿孔２３０を囲むように回路基板２３の頂面に環状に分布する。
図２Ａに示すように、本実施形態において、第一穿孔２００、第二穿孔２２０および第三穿孔２３０はレンズ調整機構２６の格納に用いる格納空間を構成する。レンズ調整機構２６はレンズホルダー２６０および位置調整部２６１を有する。レンズホルダー２６０は第二穿孔２２０内に装着され、かつ装着溝２６００および突起部２６０１を有する。装着溝２６００はレンズ２７の装着に用いられる。
本実施形態において、レンズ２７は締付方式によって装着溝２６００内に装着される。装着溝２６００は壁面とレンズホルダー２６０の外側壁面との間の厚さＤが次の数式を満足させる。突起部２６０１は装着溝２６００の口部の外側に環状に配置される。
本実施形態において、レンズ２７は締付方式によって装着溝２６００内に装着される。装着溝２６００は壁面とレンズホルダー２６０の外側壁面との間の厚さＤが次の数式を満足させる。突起部２６０１は装着溝２６００の口部の外側に環状に配置される。
[数１]
０．５ｍｍ≦Ｄ≦１．５ｍｍ
０．５ｍｍ≦Ｄ≦１．５ｍｍ
位置調整部２６１は、別々にレンズホルダー２６０および第二穿孔２２０に接続されるため、第二穿孔２２０内においてレンズホルダー２６０に位置調整を行うことができる。本実施形態において、位置調整はＺ軸方向に移動する運動である。
位置調整部２６１は第一ねじ山２６１０、第二ねじ山２６１１および弾性ユニット２６１２を有する。第一ねじ山２６１０は第二穿孔２２０に対応する内壁面に形成される。第二ねじ山２６１１は第一ねじ山２６１０と噛み合うようにレンズホルダー２６０の表面に形成される。弾性ユニット２６１２は中空部２６１３を有する。
レンズホルダー２６０の第二ねじ山２６１１を有する部分は中空部２６１３を通って第二穿孔２２０内の第一ねじ山２６１０と噛み合う。弾性ユニット２６１２は一端がインターポーザー２２に当接し、他端が突起部２６０１に当接する。本実施形態において、弾性ユニット２６１２は伸縮スプリングである。レンズホルダー２６０とインターポーザー２２とが相互に噛み合う際、弾性ユニット２６１２は圧力をためる。
位置調整部２６１は第一ねじ山２６１０、第二ねじ山２６１１および弾性ユニット２６１２を有する。第一ねじ山２６１０は第二穿孔２２０に対応する内壁面に形成される。第二ねじ山２６１１は第一ねじ山２６１０と噛み合うようにレンズホルダー２６０の表面に形成される。弾性ユニット２６１２は中空部２６１３を有する。
レンズホルダー２６０の第二ねじ山２６１１を有する部分は中空部２６１３を通って第二穿孔２２０内の第一ねじ山２６１０と噛み合う。弾性ユニット２６１２は一端がインターポーザー２２に当接し、他端が突起部２６０１に当接する。本実施形態において、弾性ユニット２６１２は伸縮スプリングである。レンズホルダー２６０とインターポーザー２２とが相互に噛み合う際、弾性ユニット２６１２は圧力をためる。
レンズホルダー２６０の第二ねじ山２６１１と第二穿孔２２０内の第一ねじ山２６１０とは相互に噛み合うため、レンズホルダー２６０は時計回りまたは逆時計回りに旋転し、上また下に移動することによってレンズホルダー２６０内のレンズ２７の焦点距離および位置を変更することができる。
レンズホルダー２６０が第二穿孔２２０内に締め付けられる際、弾性ユニット２６１２はレンズホルダー２６０の突起部２６０１によって拘束されて貯めた弾性力がレンズホルダー２６０およびインターポーザー２２に作用する。弾性力は第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１とを緊密に噛み合わせることができるだけでなく、第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１との間の隙間を解消することができるため、位置調整を行う際、隙間の影響を受けることなく、レンズホルダー２６０の位置を正確に変更することができる。
レンズホルダー２６０が第二穿孔２２０内に締め付けられる際、弾性ユニット２６１２はレンズホルダー２６０の突起部２６０１によって拘束されて貯めた弾性力がレンズホルダー２６０およびインターポーザー２２に作用する。弾性力は第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１とを緊密に噛み合わせることができるだけでなく、第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１との間の隙間を解消することができるため、位置調整を行う際、隙間の影響を受けることなく、レンズホルダー２６０の位置を正確に変更することができる。
図１１Ａはレンズ調整機構の別の実施形態を示す斜視図である。本実施形態において、レンズ調整機構２６ｃはレンズホルダー２６０ｃおよび位置調整部２６１ｃを有する。
レンズホルダー２６０ｃは装着溝２６００を有する柱状体である。位置調整部２６１ｃは二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄと、第一ねじ山２６１０と、第二ねじ山２６１１とを有する。二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄはレンズホルダー２６０ｃの表面に形成され、かつ装着溝２６００の開口部の外側に対称的に配置される。第一ねじ山２６１０は第二穿孔２２０の内壁面に形成される。第二ねじ山２６１１は第一ねじ山２６１０と噛み合うようにレンズホルダー２６０ｃの表面に形成される。
本実施形態は図２Ａに示した弾性ユニットを使用することなく、第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１との噛み合わせを増強するか、第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１との間に樹脂、例えば脱落防止用樹脂を塗布し、ねじの間の隙間を低減することによって位置調整および移動の精度を向上させる。
別の一実施形態は、エンジニアリングプラスチックまたは金属などの異なる材料でレンズホルダー２６０ｃおよびインターポーザー２２を別々に製作することによってねじの噛み合わせを強化する。
本実施形態は、レンズホルダー２６０ｃおよびインターポーザー２２を硬度の異なる材料で別々に製作することによってねじの噛み合わせを強化する。例えば、インターポーザー２２の硬度はレンズホルダー２６０ｃの硬度より大きい。またはンターポーザー２２の硬度はレンズホルダー２６０ｃの硬度より小さい。特にインターポーザー２２の硬度がレンズホルダー２６０ｃの硬度より大きい場合は比較的好ましい。装着溝２６００は壁面とレンズホルダー２６０ｃの外側壁面との間の厚さＤが次の数式を満足させる。
レンズホルダー２６０ｃは装着溝２６００を有する柱状体である。位置調整部２６１ｃは二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄと、第一ねじ山２６１０と、第二ねじ山２６１１とを有する。二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄはレンズホルダー２６０ｃの表面に形成され、かつ装着溝２６００の開口部の外側に対称的に配置される。第一ねじ山２６１０は第二穿孔２２０の内壁面に形成される。第二ねじ山２６１１は第一ねじ山２６１０と噛み合うようにレンズホルダー２６０ｃの表面に形成される。
本実施形態は図２Ａに示した弾性ユニットを使用することなく、第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１との噛み合わせを増強するか、第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１との間に樹脂、例えば脱落防止用樹脂を塗布し、ねじの間の隙間を低減することによって位置調整および移動の精度を向上させる。
別の一実施形態は、エンジニアリングプラスチックまたは金属などの異なる材料でレンズホルダー２６０ｃおよびインターポーザー２２を別々に製作することによってねじの噛み合わせを強化する。
本実施形態は、レンズホルダー２６０ｃおよびインターポーザー２２を硬度の異なる材料で別々に製作することによってねじの噛み合わせを強化する。例えば、インターポーザー２２の硬度はレンズホルダー２６０ｃの硬度より大きい。またはンターポーザー２２の硬度はレンズホルダー２６０ｃの硬度より小さい。特にインターポーザー２２の硬度がレンズホルダー２６０ｃの硬度より大きい場合は比較的好ましい。装着溝２６００は壁面とレンズホルダー２６０ｃの外側壁面との間の厚さＤが次の数式を満足させる。
[数１]
０．５ｍｍ≦Ｄ≦１．５ｍｍ
０．５ｍｍ≦Ｄ≦１．５ｍｍ
図１１Ａに示すように、本実施形態は二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄを有するため、十字型の調整治具と二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４とを接続し、時計回りまたは逆時計回りに回せば、レンズホルダー２６０ｃをＺ軸方向に上または下に移動させることができる。
本実施形態は二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄを使用するが、これに限らず、実施形態の精神に基づいて少なくとも一つの調整溝を使用してもよい。それに対し、別の一実施形態は一対の調整溝を使用するため、一字型の調整治具と調整溝とを接続すれば、レンズホルダー２６０ｃを回転させることができる。一方、本実施形態は図２Ａに示したレンズホルダー２６０の突起部２６０１および弾性ユニット２６１２を配置することがないため、インターポーザー２２の幅を小さくし、レンズ調整機構２６ｃの体積を縮小することができる。
本実施形態は二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄを使用するが、これに限らず、実施形態の精神に基づいて少なくとも一つの調整溝を使用してもよい。それに対し、別の一実施形態は一対の調整溝を使用するため、一字型の調整治具と調整溝とを接続すれば、レンズホルダー２６０ｃを回転させることができる。一方、本実施形態は図２Ａに示したレンズホルダー２６０の突起部２６０１および弾性ユニット２６１２を配置することがないため、インターポーザー２２の幅を小さくし、レンズ調整機構２６ｃの体積を縮小することができる。
図１１Ｂはレンズ調整機構の別の実施形態を示す斜視図である。本実施形態において、レンズ調整機構２６ｄはレンズホルダー２６０ｄおよび位置調整部２６１ｄを有する。図１１Ａとの違いは次の通りである。
本実施形態において、レンズホルダー２６０ｄの表面は第一エリア２６０４および第二エリア２６０５に分割される。位置調整部２６１ｄは複数のスリット２６１５を有し、スリット２６１５はレンズホルダー２６０ｄの第一エリア２６０４に位置する本体に配置される。レンズホルダー２６０ｄは第一エリア２６０４に複数のねじ山噛み合わせ調整部２６０６を有し、ねじ山噛み合わせ調整部２６０６は第一エリア２６０４から外側へ広がって形成される。第一エリア２６０４の第二ねじ山２６１１の外径は上から漸減する。第二エリア２６０５の第二ねじ山の外径は上下の大きさが一致する。
本実施形態において、レンズホルダー２６０ｄの表面は第一エリア２６０４および第二エリア２６０５に分割される。位置調整部２６１ｄは複数のスリット２６１５を有し、スリット２６１５はレンズホルダー２６０ｄの第一エリア２６０４に位置する本体に配置される。レンズホルダー２６０ｄは第一エリア２６０４に複数のねじ山噛み合わせ調整部２６０６を有し、ねじ山噛み合わせ調整部２６０６は第一エリア２６０４から外側へ広がって形成される。第一エリア２６０４の第二ねじ山２６１１の外径は上から漸減する。第二エリア２６０５の第二ねじ山の外径は上下の大きさが一致する。
図１１Ｂに示すように、本実施形態は二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄを有する。その作動原理は図１１Ａに基づいた実施形態と同じであるため、説明を省略する。
本実施形態において、レンズホルダー２６０ｄの第二ねじ山２６１１は第エリア２６０４および第二エリア２６０５に配置される。第一エリア２６０４の第二ねじ山２６１１の外径は第二エリア２６０５の第二ねじ山２６１１の外形より大きい。組み立てを行う際、第二エリア２６０５の第二ねじ山２６１１と第一ねじ山２６１０とを噛み合わせ、続いてレンズホルダー２６０を下に移動させ、ねじ山噛み合わせ調整部２６０６（第一エリア２６０４）の第二ねじ山２６１１と第一ねじ山２６１０とを噛み合わせることによってレンズホルダー２６０ｄを締め付ける。
一方、ねじ山噛み合わせ調整部２６０６は外側へ広がるため、レンズホルダー２６０ｄが下に移動する際、ねじ山噛み合わせ調整部２６０６は第二穿孔２２０によって拘束され、レンズホルダー２６０ｄの装着溝２６００の内部に追い詰められる。このときスリット２６１５は緩衝空間となる。
ねじ山噛み合わせ調整部２６０６は追い詰められると同時に外部の第二穿孔２２０に反発力が作用し、第二ねじ山２６１１と第一ねじ山２６１０とを緊密に噛み合わせるため、レンズホルダー２６０ｄを上下に移動させる際、ねじの間の隙間が原因で誤差を生じることを避け、位置調整および移動の精度を向上させることができる。
本実施形態において、レンズホルダー２６０ｄの第二ねじ山２６１１は第エリア２６０４および第二エリア２６０５に配置される。第一エリア２６０４の第二ねじ山２６１１の外径は第二エリア２６０５の第二ねじ山２６１１の外形より大きい。組み立てを行う際、第二エリア２６０５の第二ねじ山２６１１と第一ねじ山２６１０とを噛み合わせ、続いてレンズホルダー２６０を下に移動させ、ねじ山噛み合わせ調整部２６０６（第一エリア２６０４）の第二ねじ山２６１１と第一ねじ山２６１０とを噛み合わせることによってレンズホルダー２６０ｄを締め付ける。
一方、ねじ山噛み合わせ調整部２６０６は外側へ広がるため、レンズホルダー２６０ｄが下に移動する際、ねじ山噛み合わせ調整部２６０６は第二穿孔２２０によって拘束され、レンズホルダー２６０ｄの装着溝２６００の内部に追い詰められる。このときスリット２６１５は緩衝空間となる。
ねじ山噛み合わせ調整部２６０６は追い詰められると同時に外部の第二穿孔２２０に反発力が作用し、第二ねじ山２６１１と第一ねじ山２６１０とを緊密に噛み合わせるため、レンズホルダー２６０ｄを上下に移動させる際、ねじの間の隙間が原因で誤差を生じることを避け、位置調整および移動の精度を向上させることができる。
図１１Ｃはレンズ調整機構の別の実施形態を示す斜視図である。本実施形態において、レンズ調整機構２６ｅはレンズホルダー２６０ｅおよび位置調整部２６１ｅを有する。図１１Ａとの違いは次の通りである。
本実施形態において、位置調整部２６１ｅはさらに可とう性環状体２６１６、例えばＯ型環状体を有するが、これに限らない。可とう性環状体２６１６はレンズホルダー２６０ｅに嵌合され、かつ第二ねじ山２６１１の最先端に位置付けられる。インターポーザー２２の第二穿孔２２０は外側に陥没溝２２５を有する。可とう性環状体２６１６の外径Ｄ１は陥没溝２２２５の内径Ｄ２より大きいかそれに等しい。インターポーザー２２にレンズホルダー２６０ｅを締め付ける際、可とう性環状体２６１６は陥没溝２２５の内壁に係止されるため、レンズホルダー２６０ｅと陥没溝２２５とを緊密に接続し、かつインターポーザー２２にレンズホルダー２６０ｅを固定する効果を向上させることができる。
一方、図に示した陥没溝２２５の内径Ｄ２は第二穿孔２２０の口径より大きい。それに対し、別の一実施形態において、陥没溝２２５の内径Ｄ２は第二穿孔２２０の口径に等しい。従って、本発明はこれに限らず、状況に応じて決めることができる。
本実施形態において、位置調整部２６１ｅはさらに可とう性環状体２６１６、例えばＯ型環状体を有するが、これに限らない。可とう性環状体２６１６はレンズホルダー２６０ｅに嵌合され、かつ第二ねじ山２６１１の最先端に位置付けられる。インターポーザー２２の第二穿孔２２０は外側に陥没溝２２５を有する。可とう性環状体２６１６の外径Ｄ１は陥没溝２２２５の内径Ｄ２より大きいかそれに等しい。インターポーザー２２にレンズホルダー２６０ｅを締め付ける際、可とう性環状体２６１６は陥没溝２２５の内壁に係止されるため、レンズホルダー２６０ｅと陥没溝２２５とを緊密に接続し、かつインターポーザー２２にレンズホルダー２６０ｅを固定する効果を向上させることができる。
一方、図に示した陥没溝２２５の内径Ｄ２は第二穿孔２２０の口径より大きい。それに対し、別の一実施形態において、陥没溝２２５の内径Ｄ２は第二穿孔２２０の口径に等しい。従って、本発明はこれに限らず、状況に応じて決めることができる。
図１１Ｃに示すように、本実施形態は二対の調整溝２６１４ｃ、２６１４ｄを有する。その作動原理は図１１Ａに基づいた実施形態と同じであるため、説明を省略する。
本実施形態において、第二ねじ山２６１１と第二穿孔２２０の第一ねじ山２６１０とを噛み合わせ、レンズホルダー２６０ｅを時計回りに回転させてＺ軸方向に沿って下へ移動させる際、可とう性環状体２６１６はレンズホルダー２６０ｅの降下に伴って陥没溝２２５の壁面に接触する。レンズホルダー２６０ｅを下へ持続的に移動させれば、可とう性環状体２６１６は陥没溝２２５によって圧縮され、変形し、陥没溝２２に密着する。
圧縮された可とう性環状体２６１６に生じた反発弾力は陥没溝２２５を追い詰めるため、可とう性環状体２６１６を配置する前より、レンズホルダー２６０ｅとインターポーザー２２とをより緊密に接合することができる。一方、可とう性環状体２６１６と陥没溝２２５とが相互に密着した上でレンズホルダー２６０ｅを上下に移動させる際、可とう性環状体２６１６の作用によって第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１との間の隙間を低減し、レンズホルダー２６０ｅのスライドを抑制することができるだけでなく、レンズホルダー２６０ｅを上下に移動させる際、位置を正確に制御することができる。
本実施形態において、第二ねじ山２６１１と第二穿孔２２０の第一ねじ山２６１０とを噛み合わせ、レンズホルダー２６０ｅを時計回りに回転させてＺ軸方向に沿って下へ移動させる際、可とう性環状体２６１６はレンズホルダー２６０ｅの降下に伴って陥没溝２２５の壁面に接触する。レンズホルダー２６０ｅを下へ持続的に移動させれば、可とう性環状体２６１６は陥没溝２２５によって圧縮され、変形し、陥没溝２２に密着する。
圧縮された可とう性環状体２６１６に生じた反発弾力は陥没溝２２５を追い詰めるため、可とう性環状体２６１６を配置する前より、レンズホルダー２６０ｅとインターポーザー２２とをより緊密に接合することができる。一方、可とう性環状体２６１６と陥没溝２２５とが相互に密着した上でレンズホルダー２６０ｅを上下に移動させる際、可とう性環状体２６１６の作用によって第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１との間の隙間を低減し、レンズホルダー２６０ｅのスライドを抑制することができるだけでなく、レンズホルダー２６０ｅを上下に移動させる際、位置を正確に制御することができる。
図２Ａ、図２Ｂおよび図１１Ａから図１１Ｃに示すように、インターポーザー２２は単一のレンズ調整機構のみを有するが、これに限らない。それに対し、図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、別の一実施形態は状況に応じて実施形態の精神に基づいてインターポーザー２２に複数のレンズ調整機構を配置することができる。
上述した実施形態において、例として図２Ａに示したレンズ調整機構を使用する場合、光源はレンズ調整機構２６内のレンズ２７によって測定対象９０（ｄｅｖｉｃｅ ｕｎｄｅｒ ｔｅｓｔ，ＤＵＴ）に光信号を生じ、伝送することができる。
本実施形態において、測定対象９０は光学測定用チップ（特にＣＯＭＳイメージセンサ；ＣＯＭＳ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ；ＣＩＳ）である。高周波プローブカード２はＤＵＴの電気測定に用いられるため、光源をキャッチし、測定対象９０に光源を受けさせる。測定対象９０が光源を受けた後、高周波プローブカード２は光源を電気信号に変換し、プローブモジュール２１によって電気信号を回路基板２３に伝送し、そののちテスターに伝送する。
続いて、テスターは測定対象９０の光源を受けた信号に問題があるか否かを測定する。測定過程においてレンズ調整機構２６を測定対象９０へ寄せる際、第二穿孔２２０の孔径が第一穿孔２００の孔径より小さいため、第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１とを噛み合わせれば（測定対象９０の方向に沿って締め付ければ）、レンズ調整機構２６を測定対象９０へ寄せることができる。一方、別の一実施形態において、第二導体２１４は溝部２０２および第二溝部２２２内に同時に配置される。
本実施形態において、測定対象９０は光学測定用チップ（特にＣＯＭＳイメージセンサ；ＣＯＭＳ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ；ＣＩＳ）である。高周波プローブカード２はＤＵＴの電気測定に用いられるため、光源をキャッチし、測定対象９０に光源を受けさせる。測定対象９０が光源を受けた後、高周波プローブカード２は光源を電気信号に変換し、プローブモジュール２１によって電気信号を回路基板２３に伝送し、そののちテスターに伝送する。
続いて、テスターは測定対象９０の光源を受けた信号に問題があるか否かを測定する。測定過程においてレンズ調整機構２６を測定対象９０へ寄せる際、第二穿孔２２０の孔径が第一穿孔２００の孔径より小さいため、第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１とを噛み合わせれば（測定対象９０の方向に沿って締め付ければ）、レンズ調整機構２６を測定対象９０へ寄せることができる。一方、別の一実施形態において、第二導体２１４は溝部２０２および第二溝部２２２内に同時に配置される。
図１２は本発明により提示された光学測定装置３を示す斜視分解図である。光学測定装置３はインターポーザー２２、レンズホルダー２６０、基板２０および複数のプローブモジュール２１を備える。
インターポーザー２２は第二穿孔２２０と、第二穿孔２２０の内壁に形成された第一ねじ山２６１０と、第一側面に形成された第二装着溝３０２とを有する。第二装着溝３０２は基板２０の装着に用いられる。第二穿孔２２０は第二装着溝３０２を貫通し、かつ基板２０の第一穿孔２００に対応する。第二装着溝３０２は底面に複数のねじ孔３０３および複数のスリット３０４を有する。
本実施形態において、ねじ孔３０３はそれぞれ第二装着溝３０２の四つの角に配置され、四つのザグリ穴２０５に対応する。スリット３０４はプローブモジュール２１に対応し、かつプローブモジュール２１のプローブ列２１０に対応する複数の穿孔３０５を有する。穿孔３０５はインターポーザー２２を貫通するため、プローブ列２１０上のあらゆるプローブの延長部２１００とプローブカードの回路基板の表面のはんだパッドとを、穿孔３０５によって電気的に接続することができる。
インターポーザー２２は第二穿孔２２０と、第二穿孔２２０の内壁に形成された第一ねじ山２６１０と、第一側面に形成された第二装着溝３０２とを有する。第二装着溝３０２は基板２０の装着に用いられる。第二穿孔２２０は第二装着溝３０２を貫通し、かつ基板２０の第一穿孔２００に対応する。第二装着溝３０２は底面に複数のねじ孔３０３および複数のスリット３０４を有する。
本実施形態において、ねじ孔３０３はそれぞれ第二装着溝３０２の四つの角に配置され、四つのザグリ穴２０５に対応する。スリット３０４はプローブモジュール２１に対応し、かつプローブモジュール２１のプローブ列２１０に対応する複数の穿孔３０５を有する。穿孔３０５はインターポーザー２２を貫通するため、プローブ列２１０上のあらゆるプローブの延長部２１００とプローブカードの回路基板の表面のはんだパッドとを、穿孔３０５によって電気的に接続することができる。
レンズホルダー２６０は、第二穿孔２２０内に締め付けられ、かつ内部に装着溝２６００と、その中に装着されたレンズ２７とを有し、外部の表面に第二ねじ山２６１１を有する。第二ねじ山２６１１は第二穿孔２２０内の第一ねじ山２６１０と噛み合う。
一実施形態において、レンズ２７はねじ山によってレンズホルダー２６０内のねじ山２６０９と噛み合う。レンズホルダー２６０は一端に調整治具との接合に用いる複数の調整溝２６１４ａ、２６１４ｂを有する。調整治具によってレンズホルダー２６０を回せば、レンズホルダー２６０は第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１とが相互に噛み合うことによって上昇または降下することができる。調整治具は一字型治具または十字型治具であるが、これに限らない。
一実施形態において、レンズ２７はねじ山によってレンズホルダー２６０内のねじ山２６０９と噛み合う。レンズホルダー２６０は一端に調整治具との接合に用いる複数の調整溝２６１４ａ、２６１４ｂを有する。調整治具によってレンズホルダー２６０を回せば、レンズホルダー２６０は第一ねじ山２６１０と第二ねじ山２６１１とが相互に噛み合うことによって上昇または降下することができる。調整治具は一字型治具または十字型治具であるが、これに限らない。
基板２０は、ねじなどの複数の締付ユニット３２がザグリ穴２０５を通ってねじ孔３０３と噛み合うことによってインターポーザー２２の第二装着溝３０２内に締め付けられる。
チップテストを行う際、まず外部の光源は測定対象となるチップに照射され、電気信号を生じさせる。続いて、測定対象となるチップと電気的に接続されたプローブ列２１０は電気信号をキャッチした後、延長部２１００によって回路基板のはんだパッドに電気信号を伝送する。続いて、回路基板は電気信号を受け、受けた電気信号をテスターに伝送し、電気信号測定を進める。
一方、レンズホルダー２６０は第二穿孔２２０内に締め付けられる。第二穿孔２２０は基板２０の第一穿孔２００に対応するため、レンズホルダー２６０内のレンズ２７は第一穿孔２００によって光線をキャッチし、測定対象に光学測定を行うことができる。
チップテストを行う際、まず外部の光源は測定対象となるチップに照射され、電気信号を生じさせる。続いて、測定対象となるチップと電気的に接続されたプローブ列２１０は電気信号をキャッチした後、延長部２１００によって回路基板のはんだパッドに電気信号を伝送する。続いて、回路基板は電気信号を受け、受けた電気信号をテスターに伝送し、電気信号測定を進める。
一方、レンズホルダー２６０は第二穿孔２２０内に締め付けられる。第二穿孔２２０は基板２０の第一穿孔２００に対応するため、レンズホルダー２６０内のレンズ２７は第一穿孔２００によって光線をキャッチし、測定対象に光学測定を行うことができる。
上述した実施形態において、インターポーザー２２は単一の基板のみを格納するが、これに限らない。図１３Ａおよび図１３Ｂは複数の基板上の複数のプローブモジュールの配列状態を示す斜視図である。
図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、別の一実施形態において、基板２０は二次元配列を保つようにインターポーザー２２内に配置され、かつ一つのレンズホルダーに対応し、それを装着する。図１３Ａに示した実施形態において、基板２０は単一のコ字型に配列された複数のプローブモジュール２１を有する。図１３Ｂに示した実施形態において、単一の基板２０ａは複数のコ字型に配列された複数のプローブモジュール２１を有する。以上は本発明の精神に基づいて変更した実施形態である。
図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、別の一実施形態において、基板２０は二次元配列を保つようにインターポーザー２２内に配置され、かつ一つのレンズホルダーに対応し、それを装着する。図１３Ａに示した実施形態において、基板２０は単一のコ字型に配列された複数のプローブモジュール２１を有する。図１３Ｂに示した実施形態において、単一の基板２０ａは複数のコ字型に配列された複数のプローブモジュール２１を有する。以上は本発明の精神に基づいて変更した実施形態である。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
１ 光学測定装置
１０ 光学レンズ
１１ プローブカード
１１０ 基板
１１１ インターポーザー
１１２ 回路基板
１１３ 穿孔
１１４ プローブ
２ 高周波プローブカード
２０、２０ａ 基板
２００ 第一穿孔
２０１、２０２ 溝部
２０４ 第一貫通孔
２０５ ザグリ穴
２１ プローブモジュール
２１０ プローブ列
２１０ａ Ｎ型アースプローブ
２１０ｂ 高周波信号プローブ
２１０ｃ Ｎ型信号プローブ
２１００ 延長部
２１０１ アーム
２１０２ 検知部
２１１ 第一導体
２１２ 絶縁材
２１３ 絶縁層
２１４ 第二導体
２１４０ 第一表面
２１４１ 第二表面
２１５ 電気接点
２１６ 金属膜
２１７ 絶縁構造
２１８ 導線
２１９、２１９ａから２１９ｃ 固定ユニット
２２ インターポーザー
２２０ 第二穿孔
２２２ 第二溝部
２２５ 陥没溝
２３ 回路基板
２３０ 第三穿孔
２３１、２３２、２３３ 電気接点
２３４ 導線
２４、２４ａ、２４ｂ 樹脂
２６、２６ｃから２６ｅ レンズ調整機構
２６０、２６０ｃから２６０ｅ レンズホルダー
２６００ 装着溝
２６０１ 突起部
２６０４ 第一エリア
２６０５ 第二エリア
２６０６ ねじ山噛み合わせ調整部
２６０９ ねじ山
２６１、２６１ｃから２６１ｅ 位置調整部
２６１０ 第一ねじ山
２６１１ 第二ねじ山
２６１２ 弾性ユニット
２６１３ 中空部
２６１４ａから２６１４ｄ 調整溝
２６１５ スリット
２６１６ 可とう性環状体
２７ レンズ
９０ 測定対象
Ｄ 厚さ
３ 光学測定装置
３２ 締付ユニット
３０２ 第二装着溝
３０３ ねじ孔
３０４ スリット
３０５ 穿孔
１０ 光学レンズ
１１ プローブカード
１１０ 基板
１１１ インターポーザー
１１２ 回路基板
１１３ 穿孔
１１４ プローブ
２ 高周波プローブカード
２０、２０ａ 基板
２００ 第一穿孔
２０１、２０２ 溝部
２０４ 第一貫通孔
２０５ ザグリ穴
２１ プローブモジュール
２１０ プローブ列
２１０ａ Ｎ型アースプローブ
２１０ｂ 高周波信号プローブ
２１０ｃ Ｎ型信号プローブ
２１００ 延長部
２１０１ アーム
２１０２ 検知部
２１１ 第一導体
２１２ 絶縁材
２１３ 絶縁層
２１４ 第二導体
２１４０ 第一表面
２１４１ 第二表面
２１５ 電気接点
２１６ 金属膜
２１７ 絶縁構造
２１８ 導線
２１９、２１９ａから２１９ｃ 固定ユニット
２２ インターポーザー
２２０ 第二穿孔
２２２ 第二溝部
２２５ 陥没溝
２３ 回路基板
２３０ 第三穿孔
２３１、２３２、２３３ 電気接点
２３４ 導線
２４、２４ａ、２４ｂ 樹脂
２６、２６ｃから２６ｅ レンズ調整機構
２６０、２６０ｃから２６０ｅ レンズホルダー
２６００ 装着溝
２６０１ 突起部
２６０４ 第一エリア
２６０５ 第二エリア
２６０６ ねじ山噛み合わせ調整部
２６０９ ねじ山
２６１、２６１ｃから２６１ｅ 位置調整部
２６１０ 第一ねじ山
２６１１ 第二ねじ山
２６１２ 弾性ユニット
２６１３ 中空部
２６１４ａから２６１４ｄ 調整溝
２６１５ スリット
２６１６ 可とう性環状体
２７ レンズ
９０ 測定対象
Ｄ 厚さ
３ 光学測定装置
３２ 締付ユニット
３０２ 第二装着溝
３０３ ねじ孔
３０４ スリット
３０５ 穿孔
Claims (1)
- 少なくとも一つの基板、一つのインターポーザー、一つの回路基板および少なくとも一つのプローブモジュールを備え、
前記基板は、少なくとも一つの第一穿孔を有し、
前記インターポーザーは、前記基板に配置され、少なくとも一つの前記第一穿孔に対応する第二穿孔を有し、
前記回路基板は、前記インターポーザーに配置され、かつ前記第一穿孔および前記第二穿孔に対応する第三穿孔を有し、
前記プローブモジュールは、前記基板上の前記第一穿孔の周りに配置され、かつ少なくとも一つのＮ型アースプローブおよび少なくとも一つの高周波信号プローブを有し、
前記高周波信号プローブは、前記基板および前記インターポーザーを貫通し、前記第三穿孔を介して前記回路基板の高周波信号接点に電気的に接続され、かつＮ型信号プローブおよび第一導体を有し、
前記第一導体は、前記Ｎ型信号プローブに対応し、かつ前記Ｎ型アースプローブに電気的に接続され、
前記Ｎ型信号プローブと前記第一導体との間には、絶縁層を有することを特徴とする、
高周波プローブカード。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101213567 | 2012-07-13 | ||
| TW101213567 | 2012-07-13 | ||
| TW101214087U TWM445759U (zh) | 2012-07-20 | 2012-07-20 | 探針固持結構及其光學檢測裝置 |
| TW101214087 | 2012-07-20 | ||
| TW101216517U TWM459405U (zh) | 2012-08-28 | 2012-08-28 | 高頻探針結構及其高頻探針卡 |
| TW101216517 | 2012-08-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014021106A true JP2014021106A (ja) | 2014-02-03 |
| JP5694451B2 JP5694451B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=49913467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013139824A Expired - Fee Related JP5694451B2 (ja) | 2012-07-13 | 2013-07-03 | 高周波プローブカード |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9201098B2 (ja) |
| JP (1) | JP5694451B2 (ja) |
| CN (1) | CN103543304B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103543298B (zh) * | 2012-07-13 | 2016-03-23 | 旺矽科技股份有限公司 | 探针固持结构及其光学检测装置 |
| CN103543372B (zh) * | 2012-07-13 | 2016-08-24 | 旺矽科技股份有限公司 | 光学检测装置 |
| TW201504631A (zh) * | 2013-07-23 | 2015-02-01 | Mpi Corp | 光電元件檢測用之高頻探針卡 |
| TWI541512B (zh) * | 2015-05-29 | 2016-07-11 | Use a probe card with a coaxial pin | |
| CN106053895A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-10-26 | 苏州韬盛电子科技有限公司 | 一种用于50GHz高频的检测装置及其检测方法 |
| US10509071B2 (en) * | 2016-11-18 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for aligning probe card in semiconductor device testing |
| CN107102181B (zh) | 2017-07-07 | 2019-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 测试探针、测试装置及测试方法 |
| TWI626453B (zh) * | 2017-09-29 | 2018-06-11 | 中華精測科技股份有限公司 | 探針組件及其空間轉換介面板 |
| IT201800001170A1 (it) * | 2018-01-17 | 2019-07-17 | Technoprobe Spa | Testa di misura di tipo cantilever e relativa sonda di contatto |
| TWI647454B (zh) * | 2018-02-26 | 2019-01-11 | 中華精測科技股份有限公司 | 探針組件及其探針結構 |
| CN110389242B (zh) * | 2018-04-16 | 2023-02-21 | 台湾中国探针股份有限公司 | 应用于探针基座的绝缘件及其探针基座 |
| CN110568232B (zh) * | 2018-06-06 | 2023-02-17 | 台湾中华精测科技股份有限公司 | 探针卡装置及其平板式转接结构 |
| CN110716122B (zh) * | 2018-07-13 | 2021-09-28 | 中华精测科技股份有限公司 | 高频探针卡装置及其信号传输模块 |
| US11782074B2 (en) | 2018-11-27 | 2023-10-10 | Nhk Spring Co., Ltd. | Probe unit |
| CN110189668A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-08-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 检测治具 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170876A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
| JPH05113451A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Nippon Maikuronikusu:Kk | プローブボード |
| JPH06181246A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
| JP2008045950A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
| WO2008059767A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Japan Electronic Materials Corp. | Appareil d'inspection de dispositif optique |
| JP2011112421A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05307049A (ja) | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Nec Kansai Ltd | 半導体ウェーハ特性測定装置 |
| US5525911A (en) * | 1993-08-04 | 1996-06-11 | Tokyo Electron Limited | Vertical probe tester card with coaxial probes |
| JPH09274125A (ja) | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Minolta Co Ltd | プラスチックレンズの取付構造 |
| JPH1126521A (ja) | 1997-07-08 | 1999-01-29 | Sony Corp | 固体撮像素子の評価装置 |
| US5959461A (en) | 1997-07-14 | 1999-09-28 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe station adapter for backside emission inspection |
| US6509751B1 (en) | 2000-03-17 | 2003-01-21 | Formfactor, Inc. | Planarizer for a semiconductor contactor |
| EP1568983A4 (en) | 2002-12-06 | 2008-06-25 | Inter Action Corp | TEST INSTRUMENT FOR TRANSISTORIZED IMAGING DEVICE |
| TWI378245B (en) | 2004-02-02 | 2012-12-01 | Formfactor Inc | Probe card configuration for low mechanical flexural strength electrical routing substrates |
| TWI266057B (en) * | 2004-02-05 | 2006-11-11 | Ind Tech Res Inst | Integrated probe card and the packaging method |
| JP4656393B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-03-23 | 横河電機株式会社 | 光源装置 |
| JP2007103787A (ja) | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の検査装置 |
| WO2007066622A1 (ja) | 2005-12-05 | 2007-06-14 | Nhk Spring Co., Ltd. | プローブカード |
| JP2007311515A (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Aitos Kk | 撮像素子の検査装置、光学検査ユニット装置並びに光学検査ユニット |
| TWI321820B (en) * | 2006-08-25 | 2010-03-11 | Star Techn Inc | Integrated circuits probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism |
| US7595651B2 (en) * | 2007-02-13 | 2009-09-29 | Mpi Corporation | Cantilever-type probe card for high frequency application |
| JP5049694B2 (ja) * | 2007-08-07 | 2012-10-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法 |
| CN201203517Y (zh) | 2007-10-25 | 2009-03-04 | 比亚迪股份有限公司 | 一种可更换镜头的测试装置 |
| TW200941000A (en) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Probeleader Co Ltd | Vertical probe card used for testing image sensing chip |
| KR101061593B1 (ko) | 2008-04-21 | 2011-09-01 | 윌테크놀러지(주) | 프로브 카드 |
| TW200949256A (en) | 2008-05-19 | 2009-12-01 | Probeleader Co Ltd | Probe card for testing image sensing chips |
| TWM356906U (en) | 2008-07-10 | 2009-05-11 | Probeleader Co Ltd | Probe testing device for testing image-sensing chip |
| CN101726635A (zh) * | 2008-10-21 | 2010-06-09 | 励威电子股份有限公司 | 探针卡 |
| TWI390209B (zh) | 2009-05-07 | 2013-03-21 | Pleader Yamaichi Co Ltd | A cantilever probe card for high frequency testing of image sensing wafers |
| US8430676B2 (en) | 2009-08-10 | 2013-04-30 | Sv Probe Pte. Ltd. | Modular space transformer for fine pitch vertical probing applications |
| US8832933B2 (en) * | 2011-09-15 | 2014-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor test probe head |
-
2013
- 2013-06-24 CN CN201310253453.0A patent/CN103543304B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-03 JP JP2013139824A patent/JP5694451B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-12 US US13/941,210 patent/US9201098B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170876A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
| JPH05113451A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Nippon Maikuronikusu:Kk | プローブボード |
| JPH06181246A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
| JP2008045950A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
| WO2008059767A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Japan Electronic Materials Corp. | Appareil d'inspection de dispositif optique |
| JP2011112421A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103543304B (zh) | 2016-05-18 |
| JP5694451B2 (ja) | 2015-04-01 |
| US9201098B2 (en) | 2015-12-01 |
| US20140015561A1 (en) | 2014-01-16 |
| CN103543304A (zh) | 2014-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5694451B2 (ja) | 高周波プローブカード | |
| JP5615409B2 (ja) | 光学測定装置 | |
| JP6255914B2 (ja) | 検査治具 | |
| JP4242199B2 (ja) | Ｉｃソケット | |
| JP5352170B2 (ja) | 検査用ソケット | |
| US10234431B2 (en) | Transducer unit, acoustic probe including the transducer unit, and photoacoustic apparatus including the acoustic probe | |
| JP2004325306A (ja) | 検査用同軸プローブおよびそれを用いた検査ユニット | |
| EP3367108A1 (en) | Probe card and contact inspection device | |
| TWI821332B (zh) | 檢查工具及檢查裝置 | |
| WO2018209901A1 (zh) | 垂直探针卡 | |
| CN111432106B (zh) | 摄像单元以及摄像装置 | |
| JP2015021973A (ja) | 光電子ユニット測定用高周波プローブカード | |
| JP5694452B2 (ja) | 光学測定装置 | |
| TW202011032A (zh) | 測試治具 | |
| US20110121846A1 (en) | Contact structure for inspection | |
| TWI506279B (zh) | 高頻探針卡 | |
| JP4884749B2 (ja) | 導電性接触子ホルダの製造方法および導電性接触子ユニットの製造方法 | |
| JP2011137663A (ja) | 検査用治具、検査用治具の接続体及びその製造方法 | |
| KR101188288B1 (ko) | 반도체 소자 검사 장치 | |
| JP4722715B2 (ja) | ソケット | |
| US10335830B2 (en) | Ultrasonic probe | |
| JP2011153998A (ja) | コンタクトプローブおよびプローブユニット | |
| KR100714569B1 (ko) | 반도체 집적회로 시험장치 | |
| WO2011162363A1 (ja) | プローブホルダ、プローブホルダおよびプローブユニットの製造方法 | |
| US20220229091A1 (en) | Probe tip assembly |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140828 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150120 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5694451 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |