TWM459405U - 高頻探針結構及其高頻探針卡 - Google Patents

Description

高頻探針結構及其高頻探針卡

本創作屬於一種探針結構之技術，尤其是指一種高頻探針結構及其高頻探針卡。

半導體晶片進行測試時，測試機必須透過一探針卡(probe card)接觸待測物(device under test,DUT)，例如：晶片，並藉由訊號傳輸以及電性訊號分析，以獲得待測物的測試結果。探針卡通常包含若干個尺寸精密的探針相互排列而成，每一個探針通常會對應晶片上特定的電性接點，當探針接觸待測物上的對應電性接點時，可以確實傳遞來自測試機的測試訊號；同時，配合探針卡及測試機之控制與分析程序，達到量測待測物之電性特徵的目的。

然而，隨著電子元件愈趨高速、高頻的運作條件下，電子元件往往有高標準的電性規格，如元件運作條件、操作頻率與訊號傳輸特性等，故電測探針卡在設計上需著重測試條件、測試頻寬與測試訊號傳輸的完整性。為達到有效傳輸高頻測試訊號，所選用的探針卡必須具有與檢測機及待測電子物件相匹配的阻抗，如此方能準確地反應出通電測試結果。

習用技術中，如第1圖所示之中華民國專利公開號第200829926號所揭露的一種光學偵測裝置1，其係具有一光學鏡頭10以及一探針卡11。該探針卡11具有一基板110、一中間基板111以及一電路基板112，該基板110、中間基 板111以及該電路基板112上分別具有相互對應的通孔113，以提供該光學鏡頭10之光學訊號通過。該基板110上具有複數個探針114，每一個探針114貫穿該基板110，經由該中間基板111之通孔，而再度貫穿該電路基板112，而與該電路基板112之表面相電性連接。然而，在該技術中，由於電路基板112需要額外進行加工以產生可以讓探針114貫穿之通孔或開槽，因此會額外增加製作所需程序，進而增加製造的成本與困難。

綜合上述，因此亟需一種具有與檢測機及待測電子物件相匹配的阻抗之高頻探針結構以及製作簡易之高頻探針卡。

本創作提供一種高頻探針結構，其係應用於測試探針卡，以維持高頻電測訊號的阻抗，並且可以達到高品質傳送高頻電測訊號之效果，並有效應用於晶片電測工程。

在一實施例中，本創作提供一種高頻探針結構，包括至少一N型接地探針以及至少一高頻訊號針。每一高頻訊號針更包括有一N型訊號探針以及一第一導體。該第一導體，其係與該N型訊號探針相對應，該第一導體係與該N型接地探針相電性連接，該N型訊號探針與該第一導體之間設置一絕緣層，該絕緣層與對應之N型訊號探針保持一絕緣距離。

在另一實施例中，本創作提供一種高頻探針卡，包括一基板、一中間基板、一電路基板以及至少一探針模組。 該基板，其係具有一第一通孔。該中間基板，其係設置於該基板上，該中間基板具有一第二通孔與該第一通孔相對應。該電路基板，其係設置於該中間基板上，該電路基板具有一第三通孔，其係與該第一與第二通孔相對應。該至少一個探針模組，其係分別設置於該第一通孔外圍之基板上，該至少一探針模組更包括有：至少一N型接地探針以及至少一高頻訊號針。該，至少一高頻訊號針其係貫穿該基板以及該中間基板，經由該第三通孔而與該電路基板相電性連接，每一高頻訊號針更包括有一N型訊號探針以及一第一導體。該第一導體，其係與該N型訊號探針相對應，該第一導體係與該N型接地探針相電性連接，該N型訊號探針與該第一導體之間設置一絕緣層，該絕緣層與對應之N型訊號探針保持一絕緣距離。

請參閱第2A圖所示，該圖係為本創作之高頻探針模組實施例立體示意圖。在第2A圖的實施例中，基板20上具有複數個高頻探針模組21a~21c，其係呈ㄇ字型排列，但不以此為限，例如：可以為口字型，或者是環繞於第一通孔200周圍的圓形配置。每一個高頻探針模組21a~21c具有複數個探針210。另外要說明的是，雖然圖示為三個探針模組21a~21c，但其數量係根據需求而定，只要有至少一個探針模組即可實施請參閱第2B圖所示，該圖係為第2A圖中之其中之一探針模組所具有之部份高頻探針結構示意圖。在本實施例中，以探針模組21a為例，探針模組21a所具有之高 頻探針結構，包括一N型接地探針210a、複數個高頻訊號針210b。每一個高頻訊號針210b包括有一N型訊號探針210c以及一第一導體211。該第一導體211，其係與該N型訊號探針210c相對應，該第一導體211係與該N型接地探針相電性連接，該N型訊號探針210c與該第一導體211之間設置一絕緣層213，該絕緣層213使該N型訊號探針210c與該第一導體211之間保持一絕緣距離。該絕緣距離的最小值係為該絕緣層213之厚度，該第一導體211係為一導線。另外要說明的是，雖然本實施例中的絕緣層213係為包覆於該第一導體211之外圍的結構，但並不以此為限制。

請參閱第2C圖所示，該圖係為第2A圖中之其中之一探針模組所具有之部份高頻探針結構示意圖。在本實施例中，以探針模組21a為例，探針模組21a所具有之高頻探針結構，包括一N型接地探針210a、複數個高頻訊號針210b。每一個高頻訊號針210b包括有一N型訊號探針210c以及一第一導體211。每一N型訊號探針210c係連接有一絕緣材212。該絕緣材212係為絕緣套筒或絕緣膠帶，在本實施例中，絕緣材212其係為絕緣套筒，該N型訊號探針210c及該第一導體211套設於該絕緣套筒中，該第一導體之一端則與該N型接地探針電性連接。每一第一導體211在對應該N型訊號探針之區域的表面上具有一絕緣層213。在本實施例中，係以漆包線來提供該第一導體211以及該絕緣層213之施作，即該第一導體211為一導線，而該絕緣層213係包覆於該導線與該N型訊號探針210c相對應之表面上，但不以此為限。

本實施例之N型接地探針210a以及每一N型訊號探針210c具有一延伸部2100、一懸臂部2101以及一偵測部2102。該延伸部2100，其係套設於該絕緣材212內。該懸臂部2101，其係與該延伸部2100相連接，與該延伸部2100間具有一第一夾角θ₁ 。該偵測部2102，其係與該懸臂部2101相連接，且與該懸臂部2101間具有一第二夾角θ₂ 。

該第一導體211的一端係與該N型接地探針210a相電性連接。該第一導體211與該N型訊號探針210c藉由該絕緣材212之套設使兩者相鄰，透過該絕緣材212的輔助，可以讓第一導體211與該N型訊號探針210c保持一定的絕緣距離，以達到高頻探針的效果。在本實施例中，該絕緣套筒限制了該絕緣距離，使該絕緣距離小於該絕緣套筒的內部孔徑，而該絕緣距離的最小值等於該絕緣層213厚度。在本實施例中，由於該N型接地探針210a與N型訊號探針210c之關係為一對多，因此第一導體211係與該N型接地探針210a相電性連接之方式為藉由一第二導體214來達到電性連接的目的。該第二導體214可以為帶狀導體或者是線狀導體，其係可以根據需求而定，並無一並之限制。在本實施例中，該第二導體214為帶狀之銅箔。該第二導體214上對應該N型接地探針210a以及該第一導體211之位置具有分別具有一電性連接點215，每一電性連接點215分別與該N型接地探針210a以及該第一導體211相電性連接，使得該第二導體214、N型接地探針210a以及第一導體211之間短路，當然該第一導體211放置在該第二導體214的區段，不會有絕緣層213。在本實施例中，該電性連接點215可以為焊錫。在本 實施例中，每一N型訊號探針210c之延伸部2100藉由絕緣結構217抵靠於該第二導體214之同側表面上。在一實施例中，該絕緣材212更可以抵靠於該第二導體214之邊緣。在第2C圖中的N型接地探針210a的延伸部2100係由電性連接點215再進一步延伸，如此可以透過N型接地探針210a與電路基板之接地接點電性連接。在第2D圖中，該N型接地探針210a的延伸部2100則延伸至該電性連接點215，這種實施方式，則是透過第一導體211來與電路基板的接地接點電性連接。此外，要說明的是，在第2C與第2D圖中，該電性連接點215形成於該第二導體214之第一表面2140上，而該複數個N型訊號探針210c之延伸部2100同樣抵靠在該第一表面2140的絕緣結構217上，因此該N型訊號探針210c與該電性連接點215係在該第二導體214之同一側面。除了前述之方式外，如第2E圖所示，其中該第二導體214具有第一表面2140以及與該第一表面2140相對應的第二表面2141，每一電性連接點215形成於該第一表面2140上而與對應的第一導體213相連接，每一訊號探針210b之延伸部2100藉由絕緣結構217抵靠於該第二導體214之第二表面2141上。在另一實施中，如第2F所示，也可以藉由在第二表面2141上形成整層的絕緣結構217，使該訊號探針210b與第二導體214絕緣。

前述之實施例，係屬於接地探針與訊號探針為一對多之關係，在另一實施例中，如第3A與第3B圖所示，該圖係為本創作之高頻探針結構另一實施例示意圖。在本實施例中，N型接地探針210a與N型訊號探針210c為一對一的關 係。因此每一個N型訊號探針210c與該第一導體211對應的區域(如圖中虛線區域所示)具有一絕緣層213，使該第一導體211和對應之N型訊號探針間保持一絕緣距離。在第3A圖中的N型接地探針210a的延伸部2100係由第一導體211與該延伸部2100電性連接之位置再進一步延伸，在第3B圖中，該N型接地探針210a的延伸部2100則止於第一導體211與該延伸部2100電性連接之位置。

在另一實施例中，如第3C與第3D圖所示，該圖係為本創作之高頻探針結構另一實施例示意圖。在本實施例中，N型接地探針210a與N型訊號探針210c為一對一的關係。而絕緣材212係為一絕緣套筒，每一個N型訊號探針210c及具有絕緣層213之第一導體211套設於該絕緣材212中，該第一導體211與對應的N型接地探針210a電性連接。在第3C圖中的N型接地探針210a的延伸部2100係由第一導體211與該延伸部2100電性連接之位置再進一步延伸，在第3D圖中，該N型接地探針210a的延伸部2100則止於第一導體211與該延伸部2100電性連接之位置。至於第3A至第3D圖中N型接地探針延伸部的長短之目的，則與前述第2C與第2D圖所述相同，在此不做贅述。

第4A圖所示，該圖係為本創作之高頻探針結構另一實施例示意圖。在本實施例中，基本上與第2C圖類似，差異的是第2C圖中的絕緣層213，在本實施例為包覆在每一N型訊號探針210c上的絕緣套筒，且第2C圖中的第一導體在本實施例中，係為該絕緣材212表面之金屬膜216，該金屬膜216與該N型接地探針210a電性連接。在本實施例中的電性 連接方式，係透過一第二導體214，其上所具有的複數個電性連接點215來與每一個訊號探針之絕緣層213上的金屬膜216相電性連接。在第4A圖之實施例之N型接地探針210a與N型訊號探針210c係為1對多的關係，在另一實施例中，如第4B與第4C圖所示，則屬於N型接地探針210a與N型訊號探針210c係為1對1的關係。其中，在第4B圖與第4C圖中的N型接地探針210a的延伸部2100係由一導線218與金屬膜216電性電性連接。其中，在第4B圖中，該延伸部2100由導線218電性連接之位置再進一步延伸，在第4C圖中，該N型接地探針210a的延伸部2100則止於該導線218與該延伸部2100電性連接之位置。該導線可以為漆包線或者是不具有絕緣層的導線，如果為漆包線，則該導線218在與N型接地探針210a電性連接之位置則不需要有絕緣的漆層。至於第4B與第4C圖中N型接地探針210a與導線218之結構的差異，其目的與前述第2C圖與第2D圖同，在此不做贅述。

另外，要說明的是，第4B圖與第4C圖該導線218與N型接地探針210a以及金屬膜216之間係可以藉由銲錫等方式來焊接，但不以此為限制。另外要說明的是，雖然前述之實施例為以第2A圖中之探針模組21a來做說明，但對其他探針模組21b或21c，如可分為N型接地探針與N型訊號探針，同樣可以根據前述探針模組21a之結構為之。

請參閱第2A與第5A至圖5B所示，其中第5A圖係為本創作之高頻探針卡實施例關於N訊號探針剖面示意圖；而第5B為關於N型接地探針剖面示意圖。在本實施例中，該高頻探針卡2包括有一基板20、複數個探針模組21、一中間 基板22以及一電路基板23。該基板20上具有一第一通孔200。該負數個探針模組21其係佈設於該基板20上。該複數個探針模組21可以如第2A圖所示的探針模組21a~21c呈現的ㄇ字型分佈，但不以此為限制，例如口字型分佈或延該第一通孔200外圍而成圓形狀之分佈，亦為可實施之態樣。每一個探針模組21具有至少一N型接地探針210a以及至少一高頻訊號針210b。該高頻訊號針210b包括有第一導體211以及N型訊號探針210c。該N型接地探針210a與該N型訊號探針210c之對應關係可以為一對一或者是一對多之關係。N型接地探針210a與N型訊號探針210c的連接關係可以選擇為第2B圖至第4C圖所示的結構。在本實施例係以第2C圖之態樣來說明。

在本實施例中，每一N型接地探針210a係貫穿基板20以及中間基板22，再經由該電路基板23之第三通孔230而穿過電路基板，進而與電路基板23頂面的電性接點231相電性連接；同樣地，每一N型訊號探針210c係貫穿基板20以及中間基板22，再經由該電路基板23之第三通孔230而穿過電路基板，進而與電路基板23頂面的電性接點232相電性連接。要說明的是，對應N型接地探針210a的電性接點231為接地接點，而對應N型訊號探針210c的電性接點232，則為傳遞訊號的接點。此外，該第一導體211之一端經由電性連接點215與第二導體214電性連接，該第一導體211之另一端，同樣貫穿中間基板22，再經由該電路基板23之第三通孔230而穿過電路基板23，進而與電路基板23頂面的屬於接地之電性接點233電性連接。在本實施例中，第二導體214設置 於該基板20內部之第一槽體201內，同時，探針210也穿過該第一槽體201，而黑膠(epoxy)24則提供固定該第二導體214以及探針210。此外，該絕緣材212提供容置該第一導體211以及探針210(訊號探針)。該絕緣材212容置於該中間基板22內的一第二槽體222內。在本實施例中，為了讓N型訊號探針210c達到高頻訊號偵測的效果，必須讓N型訊號探針210c作到阻抗匹配，而在本實施例中，阻抗匹配之方式係藉由第一導體211以及絕緣材212向上延伸至N型訊號探針210c在電路基板23頂面的位置，第一導體211再與電路基板23頂面的電性接點233電性連接，以產生阻抗匹配的效果。該絕緣材212之一端抵靠在第二導體214之邊緣，而另一端向上延伸至該電路基板23之頂面。在另一實施例中，該N型接地探針210a以及N型訊號探針210c更可以先安設於一座體25上，再將該座體25嵌入該基板20上之一容置槽202內，再透過黑膠24來固定。要說明的是，如何將複數個N型接地探針210a以及N型訊號探針210c安裝在基板20上的技術係為本領域之人所熟知的技藝，因此並不以本實施例所舉的座體25之方式為限制。

該中間基板22，其係設置於該基板20上，該中間基板22具有一第二通孔220與該第一通孔200相對應。該電路基板23，其係設置於該中間基板22上，該電路基板23之第三通孔230係與該第一通孔200與第二通孔220相對應。該第一通孔200、第二通孔220以及該第三通孔230構成一容置空間，可以提供一光學鏡頭座26容置其間。在本實施例中，該中間基板22之第二通孔220壁面上更可以形成有螺牙結 構221以與光學鏡頭座26表面的螺牙260相螺接，使得一光源透過光學鏡頭座26產生一光訊號到達待測物90(device under test,DUT)，本實施例中，該待測物90為光學檢測晶片(主要是影像感測晶片；COMS Image Sensor；CIS)。另外，在另一實施例中，該第二導體214也可以同時設置於第一槽體201以及該第二槽體222內。在本實施例中，由於該高頻探針卡2用於的DUT電性檢測，因此，該高頻探針卡2可以容納光源，以使待測物90在接收光源之後，轉換成電訊號，藉由探針模組21將訊號傳遞至電路基板23，再回傳到測試機，以量測待測物90接收光源的訊號是否有問題。為了讓光學鏡頭座26在檢測的過程中可以更接近待測物90，在本實施例中，透過該第二通孔220的孔徑係小於第一通孔200的孔徑，如此可以藉由螺牙結構221與260的螺合(往待測物90方向鎖)，可以使光學鏡頭座26與待測物90的距離越靠近。

在前述之實施例中，係藉由N型接地探針210a電性連接至電路基板23上之屬於接地之電性接點231。在另一實施例中，可以如第5C圖的架構所示，並非由N型接地探針210a電性連接至電路基板23的屬於接地之電性接點231，而是由第一導體211經由該第三通孔230而延伸至該電路基板23之頂面而與屬於接地之電性接點233電性連接。另外，要說明的是，本創作的N型接地探針210a、N型訊號探針210c與第一導體211電性連接到電路基板23之頂面，其主要的原因是要讓探針與電性接點電性連接的施作容易。

請參閱第5D圖所示，該圖係為本創作之高頻探針卡另 一實施例剖面示意圖。在本實施例中，基本上與第5A圖相似，差異的是，本實施例中的第二導體214係容置於該中間基板22所具有之槽體223內，而且該第一導體211以及N型高頻探針210c之延伸部2100也都通過該槽體223。該絕緣材212提供容置該第一導體211以及該N型高頻探針210c之延伸部2100，且設置於該第三通孔230內。在本實施例中，該絕緣材212之一端抵靠在中間基板22上，而與該第二導體214相鄰靠，另一端向上延伸至電路基板23之頂面。

請參閱第5E至5F圖所示，在本實施例中，主要是以第4A圖所示的高頻探針結構來作說明，該第二導體214設置於該基板之第一槽體201內，而絕緣層213之一端表面的金屬膜216則與電性連接點215電性連接。另外，第二導體214再進一步透過電性連接點215與N型接地探針210a電性連接，而N型接地探針210a之延伸部2100電性連接至電路基板23頂面的電性接點231。為了讓N型訊號探針210c達到高頻訊號偵測的效果，必須讓N型訊號探針210c作到阻抗匹配，而在本實施例中，係藉由具有金屬膜216之絕緣層213向上延伸至N型訊號探針210c在電路基板23頂面的位置，再透過導體或導線234將該金屬膜216與電路基板23頂面的電性接點233電性連接，以產生阻抗匹配的效果。其餘結構或變化之態樣可以根據前述第5A至第5B或第5D圖所示，在此不做贅述。

此外，在前述之實施例中，N型接地探針210a係電性連接至電路基板23上之屬於接地之電性接點231。在另一實施例中，可以如第5G圖的架構所示，N型接地探針210a電性 連接至第二導體214為止。

前述第5A至第5G圖中，該些電性接點231、232、233係以環形排列分布於該電路基板23頂面，且環繞該第三通孔230。

唯以上所述之具體實施例，僅係用於例釋本創作之特點及功效，而非用於限定本創作之可實施範疇，於未脫離本創作上揭之精神與技術範疇下，任何運用本創作所揭示內容而完成之等效改變及修飾，均仍應為下述之申請專利範圍所涵蓋。

2‧‧‧高頻探針卡

20‧‧‧基板

200‧‧‧第一通孔

201‧‧‧第一槽體

202‧‧‧容置槽

21‧‧‧探針模組

21a,21b,21c‧‧‧探針模組

210a‧‧‧N型接地探針

210b‧‧‧高頻訊號針

210c‧‧‧N型訊號探針

2100‧‧‧延伸部

2101‧‧‧懸臂部

2102‧‧‧偵測部

211‧‧‧第一導體

212‧‧‧絕緣材

213‧‧‧絕緣層

214‧‧‧第二導體

2140‧‧‧第一表面

2141‧‧‧第二表面

215‧‧‧電性連接點

216‧‧‧金屬膜

217‧‧‧絕緣結構

218‧‧‧導線

22‧‧‧中間基板

220‧‧‧第二通孔

221‧‧‧螺牙結構

222‧‧‧第二槽體

223‧‧‧槽體

23‧‧‧電路基板

230‧‧‧第三通孔

231,232,233‧‧‧電性接點

234‧‧‧導線

24‧‧‧黑膠

25‧‧‧座體

26‧‧‧光學鏡頭座

260‧‧‧螺牙

90‧‧‧待測物

第1圖為習用之光學偵測裝置示意圖。

第2A圖係為本創作之高頻探針模組實施例立體示意圖。

第2B、2C、2D、2E與2F圖係為本創作第2A圖中之其中之一探針模組所具有之部份高頻探針結構不同實施例示意圖。

第3A至第3D圖係為接地探針與訊號探針為1對1關係之探針結構之實施例示意圖。

第4A圖係為本創作之高頻探針結構另一實施例示意圖。

第4B與第4C圖係為接地探針與訊號探針為1對1關係之探針結構另一實施例示意圖。

第5A至5G圖係為本創作之高頻探針卡不同實施例剖面示意圖。

21a‧‧‧探針模組

210a‧‧‧N型接地探針

210b‧‧‧高頻訊號針

210c‧‧‧N型訊號探針

2100‧‧‧延伸部

2101‧‧‧懸臂部

2102‧‧‧偵測部

211‧‧‧第一導體

213‧‧‧絕緣層

214‧‧‧第二導體

2140‧‧‧第一表面

215‧‧‧電性連接點

217‧‧‧絕緣結構

θ₁ ‧‧‧第一夾角

θ₂ ‧‧‧第二夾角

Claims (35)

1. 一種高頻探針結構，包括：至少一N型接地探針；至少一高頻訊號針，每一高頻訊號針更包括有：一N型訊號探針；以及一第一導體，其係與該N型訊號探針相對應，該第一導體係與該N型接地探針相電性連接，該N型訊號探針與該第一導體之間設置一絕緣層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之高頻探針結構，其中該第一導體為一導線，該絕緣層係包覆於該導線與該N型訊號探針相對應之表面上。
3. 如申請專利範圍第2項所述之高頻探針結構，其係更具有一絕緣套筒，該N型訊號探針及該導線套設於該絕緣套筒中，該導線則與該N型接地探針電性連接。
4. 如申請專利範圍第3項所述之高頻探針結構，其中該絕緣層使該N型訊號探針與該第一導體之間保持一絕緣距離，該絕緣距離小於該絕緣套筒的內部孔徑，該絕緣距離最小值等於該絕緣層厚度。
5. 如申請專利範圍第3項所述之高頻探針結構，其係更具有一第二導體，該第二導體上對應該N型接地探針以及該第一導體之位置具有分別具有一電性連接點，每一電性連接點分別與該N型接地探針以及該第一導體電性連接。
6. 如申請專利範圍第5項所述之高頻探針結構，其中每一 N型訊號探針具有：一延伸部，其係套設於該絕緣套筒內；一懸臂部，其係與該延伸部相連接，與該延伸部間具有一第一夾角；以及一偵測部，其係與該懸臂部相連接，且與該懸臂部間具有一第二夾角。
7. 如申請專利範圍第6項所述之高頻探針結構，其中該延伸部與該第二導體之間具有一絕緣結構。
8. 如申請專利範圍第6項所述之高頻探針結構，其中該第二導體具有一第一表面以及與該第一表面相對應的一第二表面，每一電性連接點形成於該第一表面上而與對應的第一導體電性連接，每一N型訊號探針之延伸部藉由一絕緣結構抵靠於該第二導體之第二表面上。
9. 如申請專利範圍第8項所述之高頻探針結構，其中該絕緣結構係完全覆蓋於該第二表面上。
10. 如申請專利範圍第1項所述之高頻探針結構，其中該絕緣層係為一絕緣套筒，每一第一導體係為一金屬膜，其係形成於該絕緣套筒之表面，該N型訊號探針係套設於該絕緣套筒內。
11. 如申請專利範圍第10項所述之高頻探針結構，其中該金屬膜係藉由一導線與該N型接地探針相電性連接。
12. 如申請專利範圍第10項所述之高頻探針結構，其係更具有一第二導體，該第二導體上對應該N型接地探針以及每一金屬膜之位置上分別具有一電性連接點，每一電 性連接點分別與該N型接地探針以及每一金屬膜電性連接。
13. 如申請專利範圍第1項所述之高頻探針結構，其係更具有一第二導體，該第二導體上對應該N型接地探針以及該第一導體之位置具有分別具有一電性連接點，每一電性連接點分別與該N型接地探針以及該第一導體電性連接。
14. 如申請專利範圍第13項所述之高頻探針結構，其中每一N型訊號探針具有：一延伸部；一懸臂部，其係與該延伸部相連接，與該延伸部間具有一第一夾角；以及一偵測部，其係與該懸臂部相連接，且與該懸臂部間具有一第二夾角。
15. 如申請專利範圍第14項所述之高頻探針結構，其中該延伸部與該第二導體之間具有一絕緣結構。
16. 一種高頻探針卡，包括：一基板，其係具有一第一通孔；一中間基板，其係設置於該基板上，該中間基板具有一第二通孔與該第一通孔相對應；一電路基板，其係設置於該中間基板上，該電路基板具有一第三通孔，其係與該第一與第二通孔相對應；以及至少一個探針模組，其係分別設置於該第一通孔外圍 之基板上，該至少一探針模組更包括有：至少一N型接地探針；至少一高頻訊號針，其係貫穿該基板以及該中間基板，經由該第三通孔而與該電路基板相電性連接，每一高頻訊號針更包括有：一N型訊號探針；以及一第一導體，其係與該N型訊號探針相對應，該第一導體係與該N型接地探針相電性連接，該N型訊號探針與該第一導體之間設置一絕緣層。
17. 如申請專利範圍第16項所述之高頻探針卡，其中該第一導體為一導線，該絕緣層係包覆於該導線與該N型訊號探針相對應之表面上。
18. 如申請專利範圍第17項所述之高頻探針卡，其係更具有一絕緣套筒，該N型訊號探針及該導線套設於該絕緣套筒中，該導線之一端則與該N型接地探針電性連接，導線之另一端則與該電路基板之頂面上所具有之接地電性接點相電性連接。
19. 如申請專利範圍第18項所述之高頻探針卡，其中該絕緣層使該N型訊號探針與該第一導體之間保持一絕緣距離，該絕緣距離小於該絕緣套筒的內部孔徑，該絕緣距離最小值等於該絕緣層厚度。
20. 如申請專利範圍第18項所述之高頻探針卡，其中，該至少一探針模組分別具有一第二導體，該第二導體上對 應該N型接地探針以及該第一導體之位置具有分別具有一電性連接點，每一電性連接點分別與該N型接地探針以及該第一導體之一端電性連接，每一第一導體之另一端則與該電路基板之頂面上所具有之接地電性接點相電性連接。
21. 如申請專利範圍第20項所述之高頻探針卡，其中每一N型訊號探針具有：一延伸部，其係套設於該絕緣套筒內，該延伸部貫穿該基板以及該中間基板，經由該第三通孔而與該電路基板相電性連接；一懸臂部，其係與該延伸部相連接，與該延伸部間具有一第一夾角；以及一偵測部，其係與該懸臂部相連接，且與該懸臂部間具有一第二夾角。
22. 如申請專利範圍第21項所述之高頻探針卡，其中該第二導體具有一第一表面以及與該第一表面相對應的一第二表面，每一電性連接點形成於該第一表面上而與對應的第一導體之一端相連接，每一N型訊號探針之延伸部藉由一絕緣結構抵靠於該第二導體之第二表面上，該第一導體之另一端則與該電路基板之頂面上所具有之接地電性接點相電性連接。
23. 如申請專利範圍第22項所述之高頻探針卡，其中該絕緣結構係完全覆蓋於該第二表面上。
24. 如申請專利範圍第16項所述之高頻探針卡，其中該絕 緣層係為一絕緣套筒，每一第一導體係為一金屬膜，其係形成於該絕緣套筒之表面，該N型訊號探針係套設於該絕緣套筒內。
25. 如申請專利範圍第24項所述之高頻探針卡，其中該金屬膜係藉由一導線與該N型接地探針相電性連接。
26. 如申請專利範圍第24項所述之高頻探針卡，其係更具有一第二導體，該第二導體上對應該N型接地探針以及每一金屬膜之位置上分別具有一電性連接點，每一電性連接點分別與該N型接地探針以及每一金屬膜之一端電性連接，每一金屬膜之另一端則與該電路基板之頂面上所具有之接地電性接點相電性連接。
27. 如申請專利範圍第20、22或26項所述之高頻探針卡，其中該基板對應該至少一探針模組之位置上，分別具有至少一第一槽體，每一第二導體係容置於對應該探針模組之第一槽體內，每一探針模組之探針藉由該第一槽體貫穿該基板。
28. 如申請專利範圍第27項所述之高頻探針卡，其中每一第一槽體係貫穿該基板。
29. 如申請專利範圍第27項所述之高頻探針卡，其中該中間基板對應每一第一槽體之位置上，更分別具有一第二槽體，該第一與第二槽體提供容置對應之第二導體。
30. 如申請專利範圍第20、22或26項所述之高頻探針卡，其中該中間基板對應該至少一探針模組之位置上，分別具有至少一槽體，每一第二導體係容置於對應該探針模組之槽體內。
31. 如申請專利範圍第16項所述之高頻探針卡，其中該N型接地探針貫穿該基板以及該中間基板，經由該第三通孔而與該電路基板相電性連接。
32. 如申請專利範圍第16項所述之高頻探針卡，其中與該N型接地探針電性連接之第一導體係貫穿該中間基板，經由該第三通孔而與該電路基板相電性連接。
33. 如申請專利範圍第16項所述之高頻探針卡，其中該第二通孔之孔徑小於該第一通孔之孔徑。
34. 如申請專利範圍第16項所述之高頻探針卡，其中該電路基板頂面上更具有複數個第一電性接點以及複數個第二電性接點，其中每一第一電性接點係分別與每一N型訊號探針電性之一端電性連接，每一第二電性接點係分別與每一第一導體之一端電性連接。
35. 如申請專利範圍第34項所述之高頻探針卡，其中該電路基板頂面上更具有至少一第三電性接點其係分別與該至少一N型接地探針之一端電性連接。