TWI777596B - 探針卡結構 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種探針卡結構，其包括基板單元以及多個探針單元。多個探針單元穿設於基板單元。基板單元具有第一導通空間、多個第一填充物以及多個第一阻隔物，每一個填充物位於第一導通空間中且位於相鄰的二探針單元之間，每一個第一阻隔物位於第一導通空間中且位於相鄰的二探針單元之間；其中，相鄰的二探針單元藉由所對應的第一填充物與第一阻隔物，以形成一電容效應。

Description

探針卡結構
本發明關於一種探針卡結構，特別是關於一種可應用於高頻訊號檢測的探針卡結構。
在半導體晶片的電性試驗中，為了電性連接半導體晶片的電極與被分離配置的試驗用配線基板的電路等之間，會使用探針卡來作為檢查裝置。而為了確保晶片量測的精準度，探針卡在出廠前或使用前通常會經由探針卡檢測設備來檢測探針卡的品質。
其中一種檢測方式，是由探針卡檢測設備拉出多條電纜，每一條電纜分別連接其中一個探針與探針卡檢測設備。接著，多個探針與探針卡檢測設備形成電氣迴路，進而使探針卡與探針卡檢測設備產生連結，而能檢測探針卡是否有異常。然而，由於上述的檢測方式是以電纜作為訊號傳輸的路徑，因此，上述檢測方式不僅需要較大空間擺放電纜，而且也無法準確地應用於高頻訊號檢測方面。
故，如何通過結構設計的改良，來克服上述的缺陷，已成為本領域所要解決的重要課題之一。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一 種探針卡結構。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種探針卡結構，其包括一基板單元以及多個探針單元。多個探針單元穿設於該基板單元。其中，該基板單元具有至少一第一導通空間、多個第一填充物以及多個第一阻隔物，每一該第一填充物位於至少一該第一導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間，每一該第一阻隔物位於至少一該第一導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間；其中，相鄰的二該探針單元藉由所對應的該第一填充物與該第一阻隔物，以形成一電容效應。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種探針卡結構，其包括一基板單元、至少一固定單元以及多個探針單元。至少一固定單元連接於該基板單元。多個探針單元穿設於至少一該固定單元與該基板單元。其中，至少一該固定單元具有至少一第二導通空間、多個第二填充物以及多個第二阻隔物，每一該第二填充物位於至少一該第二導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間，每一該第二阻隔物位於至少一該第二導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間；其中，相鄰的二該探針單元藉由所對應的該第二填充物與該第二阻隔物，以形成一電容效應。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的探針卡結構，其能通過“多個探針單元穿設於該基板單元。其中，至少一該固定單元具有至少一第一導通空間、多個第一填充物以及多個第一阻隔物，每一該第一填充物位於至少一該第一導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間，每一該第一阻隔物位於至少一該第一導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間；其中，相鄰的二該探針單元藉由所對應的該第一填充物與該第一阻隔物，以形成一電容效應”的技術方案，以提升高頻訊號檢測的準確性以及便利性。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的探針卡結構， 其能通過“至少一固定單元連接於該基板單元。多個探針單元穿設於至少一該固定單元與該基板單元。其中，至少一該固定單元具有至少一第二導通空間、多個第二填充物以及多個第二阻隔件，每一該第二填充物位於至少一該第二導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間，每一該第二阻隔件位於至少一該第二導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間；其中，相鄰的二該探針單元藉由所對應的該第二填充物與該第二阻隔件，以形成一電容效應”的技術方案，以提升高頻訊號檢測的準確性以及便利性。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z:探針卡結構
1:基板單元
10:第一導通空間
11:第一填充物
12:第一阻隔物
13:第一板件
14:第二板件
2:固定單元
20:第二導通空間
21:第二填充物
22:第二阻隔物
23:第一固定件
24:第二固定件
3:探針單元
D:待測物件
圖1為本發明第一實施例的探針卡結構的部分剖面示意圖。
圖2為本發明第二實施例的探針卡結構的部分剖面示意圖。
圖3為圖2中的III-III部分的剖面示意圖。
圖4為本發明第三實施例的探針卡結構的部分剖面示意圖。
圖5為本發明第四實施例的探針卡結構的部分剖面示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“探針卡結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。並且，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺 寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。其中，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參閱圖1，為本發明第一實施例的探針卡結構的部分剖面示意圖。如圖所示，本發明的第一實施例提供一種探針卡結構Z，其包括一基板單元1以及多個探針單元3。
舉例來說，配合圖1所示，本實施例的探針卡結構Z可為懸臂式探針卡。基板單元1可為探針卡的電路板，但不以此為限。多個探針單元3穿設於基板單元1，相鄰兩個探針單元3之間的距離可依製造商或使用者需求而做更改。進一步來說，配合圖1所示，基板單元1可具有至少一個第一導通空間10、多個第一填充物11以及多個第一阻隔物12。當多個探針單元3穿設於基板單元1時，多個探針單元3將基板單元1內部的一個第一導通空間10區分成多個第一導通空間10，且相鄰的兩個探針單元3之間具有第一導通空間10。每一個第一填充物11可為導電材料，例如銅金屬或導電膠，但不以此為限；每一個第一阻隔物12可為絕緣材料，例如聚四氟乙烯(PTFE)、或交鏈聚丁二烯基板和環氧樹脂複合基板(FR-4)，但不以此為限。每一個第一填充物11位於第一導通空間20中且位於相鄰的二探針單元3之間；也就是說，每一個探針單元3可被兩側的第一填充物11包覆。每一個第一阻隔物12位於第一導通空間20中且位於相鄰的二探針單元3之間，並且，每一個第一阻隔物12將所對應的第一填充物11一分為二。
因此，配合圖1所示，相鄰的兩個探針單元3可藉由所對應的第一填充物11與第一阻隔物12，以形成一電容效應。當多個探針單元3接觸一待 測物件D時，待測物件D可藉由多個探針單元3進行一高頻迴路(loop-back)測試。進一步來說，藉由相鄰的兩個探針單元3形成電容效應，當待測物件D對其中一個探針單元3發送檢測訊號後，利用電容效應，可使得該檢測訊號在傳送到基板單元1之前，另外一個探針單元3可接收到該檢測訊號，並將該檢測訊號回傳到待測物件D，以完成高頻迴路測試。
藉此，本發明的探針卡結構Z藉由上述的技術方案，在基板單元1內部設置第一導通空間10、多個第一填充物11以及多個第一阻隔物12，以使相鄰的兩個探針單元3能形成電容效應，而與待測物件D形成一測試迴路，進而可供待測物件D能直接以高頻訊號對探針單元3進行高頻迴路測試。
此外，本發明的基板單元1可包括一第一板件13以及一第二板件14，第一板件13與第二板件14之間界定出第一導通空間10。
然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第二實施例]
請參閱圖2及圖3，分別為本發明第二實施例的探針卡結構的部分剖面示意圖以及圖2中的III-III部分的剖面示意圖，並請一併參閱圖1。如圖所示，本發明的第二實施例提供一種探針卡結構Z，其包括一基板單元1、至少一個固定單元2以及多個探針單元3。至少一個固定單元2連接於基板單元1。多個探針單元3穿設於至少一個固定單元2，並電性連接基板單元1。其中，至少一個固定單元2具有一第二導通空間20、多個第二填充物21以及多個第二阻隔物22，每一個第二填充物21位於第二導通空間20中且位於相鄰的二探針單元3之間，每一個第二阻隔物22位於第二導通空間20中且位於相鄰的二探針單元3之間；其中，相鄰的二探針單元3藉由所對應的第二填充物21與第二阻隔物22，以形成一電容效應。
具體來說，配合圖2與圖1比較所示可知，本實施例的探針卡結構Z與第一實施例的探針卡結構Z的差異在於，本實施例的探針卡結構Z還包括了至少一個固定單元2。固定單元2可為環形塊狀結構，但不以此為限；其中，固定單元2也可以是由多個幾何形狀的塊狀結構所形成的幾何形狀結構，例如，固定單元2可包括一第一固定件23以及一第二固定件24，第一固定件23與第二固定件24之間界定出第二導通空間20。多個探針單元3可以等距方式穿設於固定單元2，多個探針單元3的一端連接於基板單元1，多個探針單元3的另一端可為用於檢測一待測物件D(例如晶圓，但不以此為限)的針頭結構。
進一步來說，配合圖2及圖3所示，固定單元2的內部具有第二導通空間20；當多個探針單元3穿設於固定單元2時，多個探針單元3則將一個第二導通空間20區分成多個第二導通空間20，即相鄰的二探針單元3之間具有第二導通空間20。每一個第二導通空間20中填充有第二填充物21；其中，每一個第二填充物21可為導電材料，例如銅金屬或導電膠，但不以此為限。並且，每一個第二導通空間20中也設置一個第二阻隔物22；其中，每一個第二阻隔物22可為絕緣材料，例如聚四氟乙烯(PTFE)、或交鏈聚丁二烯基板和環氧樹脂複合基板(FR-4)，但不以此為限。並且，每一個第二阻隔物22將所對應的第二導通空間20中的第二填充物21一分為二。
因此，相鄰的兩個探針單元3可藉由兩者之間的第二填充物21與第二阻隔物22，而產生電容效應。接下來，待測物件D可藉由多個探針單元3進行一高頻迴路(loop-back)測試。
然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第三實施例]
請參閱圖4，為本發明第三實施例的探針卡結構的部分剖面示意 圖，並請一併參閱圖1至圖3。如圖所示，本實施例的探針卡結構Z與上述第一實施例的探針卡結構Z相同的元件的作動方式相似，在此不再贅述，值得注意的是，配合圖4與圖1比較所示可知，本實施例的探針卡結構Z與第一實施例的探針卡結構Z的差異在於，本實施例的探針卡結構Z可為垂直式探針卡。並且，基板單元1同樣可具有至少一個第一導通空間10、多個第一填充物11以及多個第一阻隔物12，多個探針單元3可穿設於基板單元1。
因此，配合圖4所示，相鄰的兩個探針單元3可藉由所對應的第一填充物11與第一阻隔物12，以形成一電容效應。而當多個探針單元3接觸一待測物件D時，待測物件D可藉由多個探針單元3進行一高頻迴路(loop-back)測試。進一步來說，藉由相鄰的兩個探針單元3形成電容效應，當待測物件D對其中一個探針單元3發送檢測訊號後，利用電容效應，可使得該檢測訊號在傳送到基板單元1之前，另外一個探針單元3可接收到該檢測訊號，並將該檢測訊號回傳到待測物件D，以完成高頻迴路測試。
然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第四實施例]
請參閱圖5，為本發明第四實施例的探針卡結構的部分剖面示意圖，並請一併參閱圖1至圖4。如圖所示，本實施例的探針卡結構Z與上述各實施例的探針卡結構Z相同的元件的作動方式相似，在此不再贅述，值得注意的是，配合圖5與圖4比較所示可知，本實施例的探針卡結構Z與第三實施例的探針卡結構Z的差異在於，本實施例的探針卡結構Z還可包括至少一個固定單元2。固定單元2可為載板結構，但不以此為限；其中，固定單元2也可以是由多個幾何形狀的載板結構所形成的幾何形狀結構，例如，固定單元2可包括一第一固定件23以及一第二固定件24，第一固定件23與第二固定件24之間界定出 第二導通空間20。多個探針單元3可以等距方式穿設於固定單元2，多個探針單元3的一端連接於基板單元1，多個探針單元3的另一端可為用於檢測一待測物件D(例如晶圓，但不以此為限)的針頭結構。
因此，相鄰的兩個探針單元3可藉由兩者之間的第二填充物21與第二阻隔物22，而產生電容效應。接下來，待測物件D可藉由多個探針單元3進行一高頻迴路(loop-back)測試。
然而，上述所舉的例子只是其中一個可行的實施例而並非用以限定本發明。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的探針卡結構Z能通過“多個探針單元3穿設於基板單元1。其中，基板單元1具有至少一個第一導通空間10、多個第一填充物11以及多個第一阻隔物12，每一個第一填充物11位於至少一個第一導通空間10中且位於相鄰的二探針單元3之間，每一個第一阻隔物12位於至少一個第一導通空間10中且位於相鄰的二探針單元3之間；其中，相鄰的二探針單元3藉由所對應的第一填充物11與第一阻隔物12，以形成一測試迴路”的技術方案，以高速訊號進行檢測的功效。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的探針卡結構Z能通過“至少一個固定單元2連接於基板單元1。多個探針單元3穿設於至少一個固定單元2，並電性連接基板單元1。其中，至少一個固定單元2具有至少一個第二導通空間20、多個第二填充物21以及多個第二阻隔物22，每一個第二填充物21位於第二導通空間20中且位於相鄰的二探針單元3之間，每一個第二阻隔物22位於第二導通空間20中且位於相鄰的二探針單元3之間；其中，相鄰的二探針單元3藉由所對應的第二填充物21與第二阻隔物22，以形成一電容效應”的技術方案，以提升高頻訊號檢測的準確性以及便利性。
更進一步來說，本發明所提供的探針卡結構Z藉由在基板單元1內部設置第一導通空間10、或固定單元2內部設置第二導通空間20，並在第一導通空間10中設置第一填充物11與第一阻隔物12、或在第二導通空間20中設置第二填充物21與第二阻隔物22，以使相鄰的兩個探針單元3形成電容效應，而使得相鄰的兩個探針單元3能與待測物件D形成測試迴路，進而可供待測物件D能直接以高頻訊號對探針單元3進行檢測，以提升高頻訊號檢測的準確性，以及省略了需要較大的空間擺放電纜，而可提升檢測時的便利性。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z:探針卡結構
1:基板單元
10:第一導通空間
11:第一填充物
12:第一阻隔物
13:第一板件
14:第二板件
2:固定單元
3:探針單元
D:待測物件

Claims (10)

  1. 一種探針卡結構，其包括：一基板單元；多個探針單元，其穿設於該基板單元；其中，該基板單元具有至少一第一導通空間、多個第一填充物以及多個第一阻隔物，每一該第一填充物位於至少一該第一導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間，每一該第一阻隔物位於至少一該第一導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間；其中，相鄰的二該探針單元藉由所對應的該第一填充物與該第一阻隔物，以形成一電容效應。
  2. 如請求項1所述的探針卡結構，其中，每一該第一填充物為導電材料，每一該第一阻隔物為絕緣材料，且每一該第一阻隔物將所對應的該第一填充物一分為二。
  3. 如請求項1所述的探針卡結構，其中，該基板單元包括一第一板件以及一第二板件，該第一板件與該第二板件之間界定出至少一該第一導通空間。
  4. 如請求項1所述的探針卡結構，其中，該基板單元為電路板，每一該探針單元為懸臂式探針。
  5. 如請求項1所述的探針卡結構，其中，每一該探針單元為垂直式探針。
  6. 一種探針卡結構，其包括：一基板單元；至少一固定單元，其連接於該基板單元；以及多個探針單元，其穿設於至少一該固定單元與該基板單元；其中，至少一該固定單元具有至少一第二導通空間、多個第二填充物以及多個第二阻隔物，每一該第二填充物位於至 少一該第二導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間，每一該第二阻隔物位於至少一該第二導通空間中且位於相鄰的二該探針單元之間；其中，相鄰的二該探針單元藉由所對應的該第二填充物與該第二阻隔物，以形成一電容效應。
  7. 如請求項6所述的探針卡結構，其中，每一該第二填充物為導電材料，每一該第二阻隔物為絕緣材料，且每一該第二阻隔物將所對應的該第二填充物一分為二。
  8. 如請求項6所述的探針卡結構，其中，該固定單元包括一第一固定件以及一第二固定件，該第一固定件與該第二固定件之間界定出至少一該第二導通空間。
  9. 如請求項6所述的探針卡結構，其中，該基板單元為電路板，每一該探針單元為懸臂式探針。
  10. 如請求項6所述的探針卡結構，其中，每一該探針單元為垂直式探針。
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