JP2006170700A - プローブ校正用治具、校正用治具付きプローブカードおよび半導体ウェハ測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型で低コストのプローブ校正用治具、校正用治具付きプローブカード、および、半導体ウェハ測定装置を提供する。
【解決手段】プローブ校正用治具３は、測定プローブが接触し、これをを通ることによって変化した後の電気信号を入力する入力電極パッド３２と、変化後の電気信号を検波して検波電圧に変換する検波回路３４と、検波回路３４からの検波電圧を外部に出力する検波電圧出力端子（たとえば、出力電極パッド３３）とを有する。プローブ校正用治具３は、測定プローブから出力される電気信号を検波して、その電力に応じた検波電圧（たとえば直流電圧）を出力できる。
【選択図】図３

Description

本発明は、測定プローブから出力される電気信号を検波するプローブ校正用治具、校正用治具付きプローブカード、および、半導体ウェハ測定装置に関するものである。

半導体集積回路デバイス（ＩＣデバイス）は、図９に示す半導体ウェハ１００から切り出された図１０に示す個片チップ（ＩＣチップ）１０１を様々な形態のパッケージに収容した電子部品である。
図１１に、モールド樹脂などによりＩＣチップが封入されたインライン・パッケージ製品１０２を示す。旧来は、このような樹脂封入タイプのパッケージが殆どであったが、樹脂封入タイプのパッケージはモールド樹脂による特性低下（とくに高周波特性の低下）が著しい。また、樹脂封入タイプのパッケージは外形寸法が規格化され、比較的大面積のＩＣチップを搭載するには、そのパッケージの外形寸法もある程度大きなものとなる。これはインライン形のリード端子のピッチ縮小が困難であることが、その小型化を阻害する１つの要因となっているからである。

一方、最近の携帯情報端末などに見られる電子製品の高性能化、多機能化、小型化の要求にともなって、ＩＣデバイスのパッケージにも様々なタイプが使用されるようになってきている。これらの多くは高密度パッケージと称され、ボール状の面状配置のリードを有するものに代表されるように以前に比べ小型化、高性能化されているが、パッケージすることによる外形寸法がＩＣチップの大きさより大きくなることは避けられない。また、パッケージすることによるコストを削減したい要請も強まっている。

したがって、最近の電子製品においては、そのメイン回路基板（マザーボード）あるいはサブ基板（モジュール基板）などにチップをベアで実装し、結線部分のみ樹脂でポッティングした形態も増えてきている。
このような実装形態でＩＣチップを使用する場合、その特性をウェハ状態で保証する必要がある。

ウェハ状態の特性測定においては、プローブカードに予め取り付けられている複数の測定プローブを個々のＩＣチップ部の電極パッドに接触させる。そして、このＩＣチップ部の電源用の電極パッドに、半導体ウェハ測定装置（ＩＣテスタ）から電流または電圧を供給して、測定信号を信号入力用の電源パッドに印加し、信号出力端子に現出する電圧または電流を測定する方法がとられている。

このプローブカードの測定プローブは、それ自体で抵抗成分、インダクタンス成分、キャパシタンス成分を有するだけでなく、測定プローブ間の結合容量、結合インダクタンス、その他の導体との結合によって高周波特性が変化する。したがって、プローブカードを使うと所定の高周波特性が得られにくく、正しい測定が行われているかどうかが不明なところがあった。たとえば、高周波においてＩＣに印加する電力が、実際にどれだけＩＣチップ部の電極パッドに印加されているかが分からないという問題があった。

このような問題に対処するために、プローブカードの測定プローブの先端にて、印加する信号を調整（校正）する方法として、ウェハプローバ（半導体ウェハ測定装置）の中にある従来ウェハを搭載するステージ（メインチャック）以外に、もうひとつの信号調節が可能な校正用ステージ（接触体）を有している半導体ウェハ測定装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
特開２００３−３０７５５２号公報

この特許文献１に記載の半導体ウェハ測定装置（プローブ装置）は、校正用ステージとウェハを搭載するウェハ測定用ステージが別に設けられ、これらは共通なＸＹテーブルに固定されている。このため、ウェハ測定用ステージと校正用ステージとのプローブカードに対する位置関係（上下位置関係）を、ウェハの測定時と校正時には切り替える必要がある。そのための手段としてＸＹテーブル上に、校正用ステージを上下に移動させ、ウェハ測定時には校正用ステージを下げてウェハ測定に邪魔にならないように退避させ、校正時には逆にウェハ測定用ステージより上げるシリンダを備えている。

このような半導体ウェハ測定装置は、校正用ステージおよびそれをプローブカードに愛して移動させる機構が必要であり、装置が大掛かりで、その金額が高価であるという課題があった。また、この汎用の半導体ウェハ測定装置を、このような機構を備えるように改造するにも改造費が高くなるという課題があった。

本発明が解決しようとする課題は、このような先行技術の代替として、小型で低コストのプローブ校正用治具、校正用治具付きプローブカード、および、半導体ウェハ測定装置を提供することである。

本発明に係るプローブ校正用治具は、測定プローブから出力される電気信号を検波するプローブ校正用治具であって、前記測定プローブが接触し、前記測定プローブを通ることによって変化した後の前記電気信号を入力する入力電極パッドと、前記変化後の電気信号を検波して検波電圧に変換する検波回路と、前記検波回路からの前記検波電圧を外部に出力する検波電圧出力端子と、を有する。

本発明に係る校正用治具付きプローブカードは、プローブ配置穴を有するカード本体、および、前記カード本体の前記プローブ配置穴の周囲に固定され、測定対象である半導体集積回路の電極パッドの配置形状に合わせて先端の位置が調整されている複数の測定プローブを有するプローブカードと、前記複数の測定プローブの１つから出力される電気信号を検波するプローブ校正用治具と、を備える校正用治具付きプローブカードであって、前記プローブ校正用治具は、前記測定プローブが接触し、前記測定プローブを通ることによって変化した後の前記電気信号を入力する入力電極パッドと、前記変化後の電気信号を検波して検波電圧に変換する検波回路と、前記検波回路からの前記検波電圧を外部に出力する検波電圧出力端子と、を有する。

本発明に係る半導体ウェハ測定装置は、ウェハステージ上に置かれた半導体ウェハに対し、複数の測定プローブを接触させた状態で測定部から測定信号を出力し、半導体ウェハからの出力信号により半導体ウェハの電気特性を測定する半導体ウェハ測定装置であって、前記ウェハステージに載置可能な擬似ウェハ形状を有する複数の測定プローブの校正用治具を備え、前記校正用治具は、前記複数の測定プローブの１つが接触し、前記測定部から印加された電気信号が測定プローブを通ることによって変化した後の前記電気信号を入力する入力電極パッドと、前記変化後の電気信号を検波して検波電圧に変換する検波回路と、前記検波回路からの前記検波電圧を前記測定部に出力する検波電圧出力端子と、を有し、前記測定部は、前記検波電圧出力端子から入力された前記検波電圧に基づいて、前記半導体ウェハの測定時に前記測定プローブに印加する前記測定信号のレベルを補正する。

本発明によれば、小型で低コストのプローブ校正用治具、校正用治具付きプローブカード、および、半導体ウェハ測定装置を提供することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳述する。
本実施の形態は、プローブカードを使用したウェハ状態での電気的特性試験を行うに当たり、ウェハ状態のＩＣチップ部の電極パッドに印加する電気信号を正確に検波電圧に変換し、これを基に測定プローブにおける電気信号の変化の程度を知ることができ、その結果として、調整（校正）が容易なプローブ校正用治具、その校正用治具付きプローブカード、および、半導体ウェハ測定装置に関するものである。

図１に、半導体ウェハ測定装置の基本構成を示す。
この半導体ウェハ測定装置１は、装置本体２に、本発明が適用されたプローブ校正用治具３が付属品として備えられていることが大きな特徴である。
装置本体２は、そのボディ２Ａ内にウェハステージ２１、ウェハステージの移動装置、たとえばウェハステージ２１の昇降が可能なＸＹテーブル２２、ボディ２Ａに固定されプローブカード４が装着されるパフォーマンスボード２３、ボディ２Ａに固定されパフォーマンスボード２３に接続されているテストヘッド２４、および、テストヘッド２４にケーブルなどで接続されているテスタ２５を有する。このうちパフォーマンスボード２３、テストヘッド２４およびテスタ２５が、本発明のおける「測定部」の例に該当する。

また、半導体ウェハ測定装置１の他の特徴として、測定部に検波電圧プローブ２６を備えることである。本例では、パフォーマンスボード２３に接続されている検波電圧プローブ２６が、プローブカード４の貫通穴を通してウェハステージ２１にその先端を向けている。
また、半導体ウェハ測定装置１は、プローブ校正用治具２にテスト用電気信号、たとえば高周波の正弦波信号などを出力可能で、ウェハ測定時に出力する信号の校正を、外部から入力される校正信号、本例の場合、直流電圧値（検波電圧という）に応じて行う機能を有している。

図２（Ａ）にプローブカード４の側面図、図２（Ｂ）に、その下面図を示す。また、図３（Ａ）にプローブ校正用治具３の斜視図、図３（Ｂ）に、その下面図（裏面図）を、図３（Ｃ）に図３（Ｂ）のＡ−Ａ線の断面図を示す。
この２つの図に示すプローブカード４およびプローブ校正用治具３は、本発明における「校正用治具付きプローブカード」の例に該当する。

図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すプローブカード４は、円盤状のカード本体４１と、カード本体４１の中心部に開口されたプローブ配置穴４１Ａと、カード本体４１に形成された図１に示す検波電圧プローブ２６の貫通穴４１Ｂと、プローブ配置穴４１Ａの周囲のカード本体４１の表面（上面）からプローブ配置穴４１Ａを通って裏面（下面）より外側（下側）に先端を向けて固定されている複数の測定プローブ４２とを有する。複数の測定プローブ４２の各先端は、測定対象のＩＣチップ部の電極パッド配置構造に対応して、相互の位置が調整されている。

図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すプローブ校正用治具３は、円盤状の治具本体３１と、治具本体の裏面（下面）に大きく形成されている凹部３１Ａと、治具本体３１の表面（上面）に配置されている入力電極パッド３２および検波電圧出力端子、たとえば出力電極パッド３３と、治具本体３１の裏面に形成されている凹部３１Ａ内に固定されている検波回路３４とを有する。
入力電極パッド３２と出力電極パッド３３との相対位置は、たとえば、図２（Ｂ）に示すプローブカード４に固定されている複数の測定プローブ４２の先端中心と、貫通穴４１Ｂとの位置関係に対応して決められている。また、入力電極パッド３２の大きさは、詳細は後述するが図２（Ｂ）に示す複数の測定プローブ４２において、それらの先端のピッチに基づいて決められている。
ところで、測定時に、複数の測定プローブ３２の先端により囲まれた領域において、その一方端から他方端までの距離に相当するだけプローカード４がプローブ校正用治具３に対して相対移動する。このとき貫通穴４１Ｂを通る検波電圧プローブ２６（図１参照）がプローブ校正用治具３に対して相対移動するが、この場合、検波電圧プローブ２６の先端が出力電極パッド３３から外れないように、出力電極パッド３３の位置と大きさが既定されている。

検波回路３４の入力端子が、治具本体３１の凹部３１Ａの薄肉部に形成され、入力電極パッド３２の裏面に達する貫通穴３１Ｂを通る導体３５によって、入力電極パッド３２と接続されている。また、検波回路３４の出力端子が、治具本体３１の凹部３１Ａの薄肉部に形成され、出力電極パッド３３の裏面に達する貫通穴３１Ｃを通る導体３５によって、出力電極パッド３３と接続されている。

図４（Ａ）と図４（Ｂ）に検波回路３４の具体的構成例を示す。
図４（Ａ）に示すダイオード検波回路（検波回路３４）は、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に接続された結合コンデンサＣ１と整流ダイオードＤｉ、整流ダイオードＤｉのアノードと接地電位との間に接続された、たとえば５０オームのインピーダンス整合抵抗Ｒ１、出力端子Ｔｏｕｔと接地電位との間に互いに並列に接続されているコンデンサＣ２および終端抵抗Ｒ２を有する。この検波回路３４は、結合コンデンサＣ１を介して整流ダイオードＤｉに入力された電気信号を、ここで整流し半波に変換し、これをコンデンサＣ２および電気信号経路に直列接続される抵抗成分で積分して直流に変化する。これにより、入力された電気信号を、その電力（規則的な正弦波の場合は波高値）に応じた検波電圧（直流電圧）に変換し、出力端子Ｔｏｕｔから出力する。
検波回路３４の同様な機能は、図４（Ｂ）に示すように結合コンデンサＣ１とインピーダンス整合抵抗Ｒ１を外付けとした検波ＩＣによっても実現できる。

図３（Ｃ）に戻ると、検波回路３４のこのような機能によって、入力電極パッド３２に入力された電気信号が検波電圧に変換され、出力電極パッド３３に与えられる。とくに入力される電気信号の周波数が高い場合、本例の配置においては、入力電極パッド３２から検波回路３４の入力端子までの経路が短くて信号ロスが殆どない導体３５によって達成され、これによる高周波信号（入力電気信号）の変化は殆どない。したがって、入力電極パッド３２に印加された電気信号の電力が正確に反映した検波電圧が、この検波回路３４から出力され出力電極パッド３３に与えられる。なお、この出力側は直流信号の経路であることから入力側ほどシビアでないが、本例では出力側でも短くて信号ロスが殆どない導体３５による接続が達成されている。

図５に、プローブカード４とプローブ校正用治具３とを接触させた校正時の状態を示す断面図である。また、図６は、複数の測定プローブの１つを校正するときに他のプローブの入力電極パッドに対する位置関係を示す上面図である。ここで図６に示す８本の測定用プローブのうち、測定プローブ４２Ｂが被検査プローブであるとする。
図１に示す半導体ウェハ測定装置において、プローブ校正用治具３をウェハステージ２１に載せて固定、たとえば真空チャックする。また、プローブカード４を取り付け、その後、プローブカード４とプローブ校正用治具３との位置合わせを行う、その相対位置十分に高く、両者の相対位置がデータとして得られている場合には自動で、そうでない場合は測定者の目合わせにより図１に示すＸＹテーブル２２がウェハステージ２１の被検査対象である測定プローブ４２Ｂの先端が、入力電極パッド３２の位置に合わされる。その状態で図１に示すＸＹテーブル２２によりウェハステージ２１が上昇し、図６に示すように、測定プローブ４２Ｂの先端が入力電極パッド３２に十分に接触する。

入力電極パッド３２の周囲には電気的に接地とされた接地電極パッド３６が形成されており、両隣の測定プローブ４２Ａと４２Ｃは必ず、その先端が接地電極パッド３６に接触した状態となる。換言すると、このような状態となるように、測定プローブの各先端のピッチに適合して入力電極パッド３２の大きさが決められ、また、入力電極パッド３２と接し電極パッドとの電気的絶縁を達成するためのギャップ幅などが決められている。
これにより、複数の測定プローブから任意に１つを選んで校正するときは、必ず他の測定プローブの測定時と同じ条件になる。なお、両端の２つのプローブについては、その片側のみプローブが存在し、両側にプローブが存在する他のプローブとは測定時の条件が異なるが、これは測定プローブの配置上、やむを得ない。また、実際のＩＣチップの測定においては、信号端子の両側の電極パッドが接地されているとは必ずしも言えないが、一定条件での校正を行う意味では、この方法が好ましく、また、とくに高周波ＩＣでは高い周波数の信号入出力パッドの両端に接地端子を設けることも多く、その意味で現実的な方法である。
なお、測定プローブ４２の先端のピッチをＩＣにおける電極パッド配置ルールの最小間隔に設定することで、汎用的に複数の違ったＩＣにも使用することが可能となり、この場合、ＩＣごとにプローブ校正用治具３を製作する必要がなくなる。

このとき、図５に示すように検波電圧プローブ２６が出力電極パッド２６に十分に接触する。
その状態で図１に示すテスタ２５からテストヘッド２４およびパフォーマンスボード２３を介して検査用の電気信号（たとえば高周波信号）が図６に示す測定プローブ４２Ｂに送られる。このテスタから測定プローブ４２Ｂの先端までの経路を伝達中に、前述した様々な寄生成分によって信号が変化する。この変化後の電気信号が入力電極パッド３２に入力され、検波回路３４で検波電圧に変換され、検波電圧が出力電極パッド３３から検波電圧プローブ２６を介してテスタ２５に戻される。テスタ内に通常、コンピュータベースの演算手段が内蔵されていることから、この検波電圧を参照して、測定プローブの番号と電力ロスとの対応が計算またはテーブルなどにより参照されて求められる。この対応関係は内部に記憶され、実際のＩＣ測定時に校正データとして利用される。
この動作が全ての測定プローブに対して順次実行される。

この測定プローブの検査において、プローブカード４と検波電圧プローブ２６の相対位置は固定であるが、これらに対してプローブ校正用治具３が最大で、複数の測定プローブの先端がなす略四角形状の対角距離だけ相対移動する。
この様子を図７（Ｂ）に示す。なお、この図では作図の関係上、ｘ方向に最大限移動した場合を示しており、その最大移動距離を「Ｄｘ」とする。このとき、図７（Ａ）に示すように、出力電極パッドのｘ方向の寸法Ｌｘは、最低でもＤｘより若干大きく、望ましくは、針先の微調整を行うことを考慮してＤｘより十分大きく（α：Ｄｘの数割〜１倍程度）することがのぞましい。なお、入力電極パッド３２と出力電極パッド３３が図７（Ａ）に示すように１対の場合は、寸法Ｌｘを距離Ｄｘよりさらに大きくしてもよい。

この入力電極パッド３２と出力電極パッド３３の対は、各電極の針接触により磨耗などを考慮して複数、たとえば図８に示すように８対程度設けることができる。この数は任意であるが、その数が多いと出力電極パッド３３の寸法にも制限が生じる。
なお、上記例では、プローブカード４に対する検波電圧プローブ２６の相対的位置が固定となっていることから、そのことによって、入力電極パッド３２と出力電極パッド３３との相対的位置関係が決められる。ただし、プローブカード４に対する検波電圧プローブ２６の相対的位置を可変とすることができる。その場合、入力電極パッド３２と出力電極パッド３３との相対的位置関係を図８に示すように一定とする必要は必ずしもないことから、入力電極パッド３２と出力電極パッド３３との配置の自由度が向上する。
また、上記例における検波回路３４は、入力電極パッド３２や出力電極パッド３３と同数とすることが配線長を短くして信号ロスを低減する意味で望ましい。ただし、配置を工夫して検波回路３４の個数を減らすことができる場合がある。たとえば、測定周波数が余り高くない場合などでは、入力電極パッドから検波回路までの配線長を一定にしなくても、その影響は軽微であることから、１つの検波回路３４を複数の入力電極パッド３２で共用するような変更も可能である。

このような配置の自由度を上げる他の変更としては、検波電圧出力端子としては検波電圧プローブ２６ではなく、フレキシブルケーブルが接続されるコネクタをプローブ校正用治具に設け、これをたとえばパフォーマンスボード２３、テストヘッド２４、あるいは直接、テスタ２５に接続するようにしてもよい。

上述したように本実施の形態によれば、検波回路３４を内蔵したプローブ校正用治具３と、その検波電圧を取り出す測定プローブ４２を持つプローブカード４を提供することで、半導体ウェハ測定装置１の改造を施すことなく、安価にプローブカード先端での印加電力の調整（校正）が可能となる。
また、同じ電極パッド配置ルールを持つＩＣ群には共通で使用することが可能なため、さらに安価に運用することが可能になる。

本発明は、測定プローブから出力される電気信号を検波するプローブ校正用治具、校正用治具付きプローブカード、および、半導体ウェハ測定装置に広く用途に適用できる。

実施の形態に係る半導体ウェハ測定装置の基本構成である。 （Ａ）はプローブカードの側面図、図２（Ｂ）は下面図である。 （Ａ）はプローブ校正用治具の斜視図、図３（Ｂ）は下面図（裏面図）、（Ｃ）は（Ｂ）のＡ−Ａ線の断面図である。 （Ａ）と（Ｂ）は検波回路の具体的構成例を示す回路図である。 プローブカードとプローブ校正用治具とを接触させた校正時の状態を示す断面図である。 複数の測定プローブの１つを校正するときに他のプローブの入力電極パッドに対する位置関係を示す上面図である。 （Ａ）は出力電極パッドの寸法を示すためのプローブ校正用治具の上面図、図７（Ｂ）は、この寸法を規定するプローブカードに対するプローブ校正用治具の移動ストロークを示す図である。 入力電極パッドと出力電極パッドの対を８対設けたプローブ校正用治具の上面図である。 一般的な半導体ウェハの斜視図である。 一般的なＩＣチップの斜視図である。 一般的なインライン・モールド樹脂パッケージの斜視図である。

符号の説明

１…半導体ウェハ測定装置、２…装置本体、３…プローブ校正用治具、４…プローブカード、２１…ウェハステージ、２６…検波電圧プローブ、３１…治具本体、３１Ａ…凹部、３２…入力電極パッド、３３…出力電極パッド、３４…検波回路、３５…導体、４１…カード本体、４２…測定プローブ

Claims (11)

1. 測定プローブから出力される電気信号を検波するプローブ校正用治具であって、
   前記測定プローブが接触し、前記測定プローブを通ることによって変化した後の前記電気信号を入力する入力電極パッドと、
   前記変化後の電気信号を検波して検波電圧に変換する検波回路と、
   前記検波回路からの前記検波電圧を外部に出力する検波電圧出力端子と、
   を有するプローブ校正用治具。
2. 複数本の前記測定プローブが並ぶ場合に、当該複数の測定プローブの先端におけるピッチの許容範囲が予め決められており、前記許容範囲内のピッチを有する複数の測定プローブであれば、その何れか１本の先端のみが接触するように前記入力電極パッドの大きさが既定されている
   請求項１に記載のプローブ校正用治具。
3. 前記１本の測定プローブの先端が前記入力電極パッドのいずれの位置に接触した場合でも、前記複数の測定プローブの残り全ての先端が接触する位置と大きさを有し、かつ、前記電極入力パッドと電気的に絶縁分離されている接地電極プレートを
   さらに有する請求項１に記載のプローブ校正用治具。
4. 前記検波回路、当該検波回路に電気的に接続している前記入力電極パッドおよび前記検波出力端子の組が複数設けられている
   請求項１に記載のプローブ校正用治具。
5. 前記検波電圧出力端子は、検波電圧プローブが接触したときに、前記検波回路からの前記検波電圧を前記検波電圧プローブに伝達する出力電極パッドである
   請求項１に記載のプローブ校正用治具。
6. 裏面の一部に凹部が形成されている円盤状の治具本体を有し、
   前記治具本体の表面に前記入力電極パッドと前記出力電極パッドとが配置され、
   前記治具本体の裏面内に前記検波回路が配置され、
   前記凹部による前記治具本体の薄肉部を貫通する導体によって、前記検波回路と前記入力電極パッド、および、前記検波回路と前記出力電極パッドとがそれぞれ接続されている
   請求項５に記載のプローブ校正用治具。
7. プローブ配置穴を有するカード本体、および、前記カード本体の前記プローブ配置穴の周囲に固定され、測定対象である半導体集積回路の電極パッドの配置形状に合わせて先端の位置が調整されている複数の測定プローブを有するプローブカードと、
   前記複数の測定プローブの１つから出力される電気信号を検波するプローブ校正用治具と、を備える校正用治具付きプローブカードであって、
   前記プローブ校正用治具は、
   前記測定プローブが接触し、前記測定プローブを通ることによって変化した後の前記電気信号を入力する入力電極パッドと、
   前記変化後の電気信号を検波して検波電圧に変換する検波回路と、
   前記検波回路からの前記検波電圧を外部に出力する検波電圧出力端子と、
   を有する校正用治具付きプローブカード。
8. 前記複数の測定プローブの先端におけるピッチに合わせて、前記複数の測定プローブの何れか１本の先端のみが接触する大きさに、前記入力電極パッドの大きさが既定されている
   請求項７に記載の校正用治具付きプローブカード。
9. 前記校正用治具は、前記複数の測定プローブから任意に選ばれる１本の測定プローブの先端が前記入力電極パッドのいずれの位置に接触した場合でも、前記複数の測定プローブの残り全ての先端が接触する位置と大きさを有し、かつ、前記電極入力パッドと電気的に絶縁分離されている接地電極プレートを
   さらに有する請求項７に記載の校正用治具付きプローブカード。
10. 前記検波電圧出力端子は、検波電圧プローブが接触したときに、前記検波回路からの前記検波電圧を前記検波電圧プローブに伝達する出力電極パッドであり、
    前記出力電極パッドのプローブ接触面が、前記複数の測定プローブの先端により囲まれる面より大きい
    請求項７に記載の校正用治具付きプローブカード。
11. ウェハステージ上に置かれた半導体ウェハに対し、複数の測定プローブを接触させた状態で測定部から測定信号を出力し、半導体ウェハからの出力信号により半導体ウェハの電気特性を測定する半導体ウェハ測定装置であって、
    前記ウェハステージに載置可能な擬似ウェハ形状を有する複数の測定プローブの校正用治具を備え、
    前記校正用治具は、
    前記複数の測定プローブの１つが接触し、前記測定部から印加された電気信号が測定プローブを通ることによって変化した後の前記電気信号を入力する入力電極パッドと、
    前記変化後の電気信号を検波して検波電圧に変換する検波回路と、
    前記検波回路からの前記検波電圧を前記測定部に出力する検波電圧出力端子と、を有し、
    前記測定部は、前記検波電圧出力端子から入力された前記検波電圧に基づいて、前記半導体ウェハの測定時に前記測定プローブに印加する前記測定信号のレベルを補正する
    半導体ウェハ測定装置。
    

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