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Description

構造的エネルギー貯蔵アセンブリとその製造方法

本発明は、概略的にエネルギー貯蔵に関し、特に、構造的エネルギー貯蔵アセンブリ内のエネルギー貯蔵に関する。

（関連出願の相互参照）
本願は、２０１０年８月３０日出願の米国仮特許出願第６１／３７８，３７８号に基づき、合衆国法典第３５巻（35 U.S.C.）第１１９条に従って優先権を主張するものであり、参照により全内容が本明細書に組み込まれる。

（連邦政府の資金提供による研究開発の記載）
適用なし。

性能及び機能が向上した消費者用、産業用及び軍用製品の需要が着実に増加しているため、多機能の複合材料は、重要な研究対象のテーマとなっている。具体的には、高性能の製品の上記の需要に対応するため、簡単な構造支持体及び／又は機械的強度を備えると共に、少なくとも１つの特殊機能を有する複合材料が工学分野によって特に追求されてきた。精力的な研究のテーマである特に望まれる多機能複合材料の１つは、エネルギー貯蔵媒体と有効な構造支持体の両方を兼ね備えるアセンブリである。エネルギー貯蔵能力を有するこのような多機能複合材料の開発には様々な方法がなされてきたが、現在までの研究努力は、強度、電荷貯蔵容量、及び／又は電荷貯蔵密度、及び製造の簡単さの適切な組合せを実現するに至っていない。

カーボンナノチューブを含むある種の高性能材料は、機械的強度が高く、有効表面積は大きく、導電性があるため、多機能複合材料に使用するために提案されてきた。カーボンナノチューブは多機能複合材料を開発するための相当の可能性をもたらすものの、現在までの研究努力は、これらの物質によりもたらされる期待を満たすには至っていない。同様に、カーボンナノチューブは、例えばバッテリやスーパーキャパシタなどの蓄電装置の特性を大幅に増強する可能性をもたらすことができる。この点で、カーボンブラック及び／又は従来の蓄電装置の電極材料の代わりにカーボンナノチューブを使用して、蓄電装置を軽量化し、及び／又は電荷蓄積特性を高めることができる。

前述のことを考慮すると、良好な構造支持体とエネルギー貯蔵能力の両方を備える多機能複合材料は、当技術分野では大きな利点になるであろう。本発明はこのようなニーズを満たし、関連する利点をも提供するものである。

幾つかの実施形態では、エネルギー貯蔵アセンブリが本明細書に記載される。エネルギー貯蔵アセンブリは、離間して配置された複数の開口を有する絶縁層と、複数のエネルギー貯蔵デバイスとを備えた少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を含み、各エネルギー貯蔵デバイスは前記開口の１つに収容される。複数のエネルギー貯蔵デバイスは互いに電気的に接続される。

幾つかの実施形態では、本明細書に記載のエネルギー貯蔵アセンブリは、少なくとも２つの応力担持層(stress carrying layers)と、前記少なくとも２つの応力担持層間に配置された少なくとも１つのエネルギー貯蔵層とを含む。前記少なくとも１つのエネルギー貯蔵層は、支持材料と、離間して配置された複数の開口(openings)を有する絶縁層と、複数のエネルギー貯蔵デバイスとを含み、各エネルギー貯蔵デバイスはそれぞれ前記開口の１つに収容される。

幾つかの実施形態では、本明細書に記載の方法は、複数のエネルギー貯蔵デバイスを離間して支持材料上に配置するステップと、支持材料上の前記複数のエネルギー貯蔵デバイスの周囲に絶縁層を配置し、それによりエネルギー貯蔵層を形成するステップとを含む。

前述では、後述の詳細な説明をより良く理解するために、本開示の特徴をある程度広く概説した。本開示の更なる特徴及び利点は後述されるが、これらは特許請求の範囲の主題を形成する。

負荷がかかった梁(beam)の例示的概略図である。 絶縁層と２つの応力担持層とを含む従来の積層複合材料の例示的概略等角図である。 複数の穴が開けられている絶縁層の例示的概略等角図である。 複数の凹部が開けられている絶縁層の例示的概略等角図である。 直列の電気接続部と並列の電気接続部とが印刷されたプリント回路基板の例示的概略図である。 複数のエネルギー貯蔵デバイスを配置した後の、図４Ａに示す上記プリント回路基板の例示的概略図である。 上記エネルギー貯蔵デバイスの周囲に絶縁層を配置した後の、図４Ｂの上記プリント回路基板の例示的概略図である。 互いに並置された複数の単列エネルギー貯蔵層を有するエネルギー貯蔵アセンブリの例示的概略図である。 その内部で、エネルギー貯蔵デバイスケーシングにより絶縁層が形成されたエネルギー貯蔵層の例示的概略側面図である。

本開示及びその利点を十分に理解するために、以下の詳細な説明を、本開示の特定の実施形態を説明する添付図面と一致させて説明する。

本開示は、一つには、例えば多機能複合材料などの構造的エネルギー貯蔵アセンブリに対してなされるものである。また、本開示は、一つには、構造的エネルギー貯蔵アセンブリを製造する方法に対してもなされるものである。例えばバッテリやキャパシタなどの従来のエネルギー貯蔵デバイスを本明細書に記載のエネルギー貯蔵アセンブリで使用することができる。任意選択として、エネルギー貯蔵アセンブリは、カーボンナノチューブで増強されたエネルギー貯蔵デバイスを使用することができる。

本明細書に記載の実施形態は、以下に簡単に記載する単純梁理論(simple beam theory)を利用している。単純梁理論の以下の記述は機械的に限定されないことを理解されたい。本明細書で使用する「梁」という用語は、少なくともその両端が支持され、横せん断力を受けると、加えられたせん断力に垂直な引張り／圧縮応力を生じる、実質的に剛性の構造部材を指す。「梁」という用語は縦横比が大きい構造部材を指してもよいが、本明細書では「梁」という用語は、横せん断力を受けるどのような剛性構造部材も表すように、より広義に解釈されるべきであることを理解されたい。

図１は、負荷を受ける梁１００の例示的概略図を示す。単純梁理論に基づき、中立軸(neutral axis)１０１の近傍の梁１００の内部では、負荷１０５からせん断応力を受けるが、曲げ力１０６により生じる引張り／圧縮応力１０７及び１０８についてはそれほど受けない。これに対して梁１００の外面１０２では、負荷がかかると相当の引張り／圧縮応力１０７及び１０８を受ける。

上記説明を鑑みて、本発明により有利なことに、梁内部の少なくとも一部を、主として構造的な材料ではなく、主として機能的な材料と置き換え可能であることが確認された。梁内部は最小限の引張り／圧縮応力しか受けないので、変更前の梁(unmodified beam)の構造的完全性(structural integrity)と同等の構造的完全性を維持するためには、置き換え材料（代替材料）はせん断力に耐えることができるだけでよい。本発明の実施形態により、電荷を貯蔵することができると共に、引張り／圧縮応力へのかなりの抵抗力を維持することができる多機能複合材料を製造するため、梁内部の少なくとも一部をエネルギー貯蔵アセンブリと置き換えることができる。それに加えて、梁内部の少なくとも一部を置き換え材料と置き換えることにより、幾つかの実施形態によれば、梁の総重量を変更前の梁の総重量と比較して低減又は維持することができると共に、同等の構造的完全性を維持し、有利な機能特性が得られる。好ましいことではないが、置き換え材料が梁材料より重い場合は、梁の総重量は増加する。

梁内部の置き換えは、２つの応力担持層の間に位置するエネルギー貯蔵アセンブリを含む積層複合材料（例えばサンドイッチ構造）には特に有利であり、容易である。本明細書で使用される「応力担持層」という用語は、特に積層複合材料の外部層（単層又は複層）として使用される場合に、相当の引張り／圧縮応力に耐えることができる材料を指す。

本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを含む複合材料の特別の利点は、これによって形成される物品が、エネルギー貯蔵アセンブリがない物品よりも増強された性能を発揮できると共に、しかも元の物品の重量又は機械的特性が大幅に変化することがないことである。すなわち、本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを使用して、エネルギー貯蔵アセンブリがない類似の物品に匹敵する、又は低減された重量、及び同様の機械的特性を有する物品を構成することができる。従って、本発明の実施形態により製造される物品は、機能的なエネルギー貯蔵能力を利用することができ、そのためエネルギー貯蔵アセンブリがない同等の物品と比べて動作時間が長くなる。エネルギー貯蔵アセンブリを含む物品のその他の利点も同様に実現できる。

本発明のエネルギー貯蔵アセンブリのさらなる利点は、積層複合材料を準備するために使用される従来の製造技術との互換性が高いことである。さらに、本明細書に記載のエネルギー貯蔵アセンブリは、例えば従来のバッテリ（例えばリチウムイオンバッテリ）及びキャパシタなどの、当業者には多くの構成が知られている一般的なエネルギー貯蔵デバイスと互換性がある。本発明の実施形態で使用されるエネルギー貯蔵デバイスは、（例えばカーボンナノチューブを組み込むことによって）さらに増強可能であるが、そのための特定の製造要件はない。

さらには、本明細書に記載のエネルギー貯蔵アセンブリには大きさの制約がなく、広範囲のサイズの物品を形成するために使用できる。最終的には、エネルギー貯蔵アセンブリ内のエネルギー貯蔵デバイスのサイズでエネルギー貯蔵アセンブリの厚さが決まる。当業者はエネルギー貯蔵デバイスの多くのサイズと構成を利用できるため、多様なサイズと構成のエネルギー貯蔵アセンブリを準備できる。従って、厚さが約１ミリメートルから数十又は数百センチメートルの物品をエネルギー貯蔵アセンブリから製造することができる。さらに、エネルギー貯蔵アセンブリを積み重なることにより、必要ならばさらに厚い物品を準備できる。

本明細書に記載のエネルギー貯蔵アセンブリは有利には、これによって形成される物品全体に電荷貯蔵能力を配分することができる。すなわち、本発明の実施形態により、例えば大型の集中型バッテリ又は類似のエネルギー貯蔵デバイスなどの、単一の集中エネルギー貯蔵場所（部位）を有する類似の物品とは異なり、エネルギー貯蔵媒体を物品全体に分散させることができる。本発明の実施形態で、分散してより小型のエネルギー貯蔵デバイスを電気的に直列又は並列に接続することにより、より大型のエネルギー貯蔵デバイスと同等の電気貯蔵特性を実現できる。本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを含む物品は、１つ以上の集中型エネルギー貯蔵デバイス含むこともできるが、電荷貯蔵能力を分散させることにより、ある種の物品では特別な利点が得られる。

幾つかの物品には本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを使用できる可能性がある。例えば、本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを含む、無人航空機（ＵＡＶ）、航空機、衛星、及びガソリン電気ハイブリッド車は、動作の完全性に大きな影響を及ぼさずに動作時間を延ばすことができよう。一般に、電源を使用するいずれかの物品、特に複合材料加工技術により形成される物品は、本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを利用できる。しかし、従来はそれ自体が電荷を引き込まず、又は使用しない物品も本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを使用できる。例えば、例えばパイプライン、送電塔、橋及びビルなどの構造物品がエネルギー貯蔵アセンブリを組み込むことができる。その際、これらの構造物品は、何らかのかたちでエネルギーが必要となるまで、（例えば太陽エネルギー収集により）電気を取得し、貯蔵することができる。従って、従来の配電網の用途(electrical grid applications)の補充として本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを使用できる。同様に、例えば太陽エネルギー収集、水力発電エネルギー収集、風力エネルギー収集などを含むエネルギー収集に従来から関連する多くの用途に本発明のエネルギー貯蔵アセンブリを使用できる。

本明細書で使用する「開口」という用語は、絶縁層内の空きスペースを指す。幾つかの実施形態では、開口は絶縁層を貫通する穴であることができる。別の実施形態では、開口は絶縁層を完全には貫通していない凹部(depression)又は空胴(void)であることができる。

本明細書で使用する「可撓的」という用語は、破壊せずに曲がることができる状態を指す。

本明細書において、用語「繊維」、「繊維材料」又は「フィラメント」とは、同等に、基本構造特徴として、繊維質成分を有するあらゆる材料を言う。本明細書において、用語「連続繊維」とは、例えば、個々のフィラメント、ヤーン（yarns）、ロービング（rovings）、トウ（tows）、テープ、リボン、織布及び不織布（woven and non-woven fabrics）、プライ（plies）、マット等の、巻き取り可能な長さの繊維材料を言う。

本明細書において、用語「導入する」とは、結合することを意味し、用語「導入」とは、結合プロセスを意味する。本明細書において、「カーボンナノチューブ導入繊維」、「カーボンナノチューブ導入繊維材料」又は「カーボンナノチューブが導入した繊維」は、同等に、カーボンナノチューブが結合した繊維材料を意味する。繊維材料に対するカーボンナノチューブのこのような結合には、機械的連結、共有結合、イオン結合、π−π相互作用（πスタッキング相互作用：pi-stacking interactions）又はファンデルワールス力の介在した物理吸着などが包含され得る。ある実施形態において、カーボンナノチューブは繊維材料に直接的に結合され得る。他の実施形態において、カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブの成長を媒介するために用いられるバリアコーティング又は触媒ナノ粒子を介して繊維材料に間接的に結合され得る。カーボンナノチューブが繊維材料に導入する具体的な態様は、結合モチーフ（bonding motif）と呼ばれる。

本明細書において、用語「巻き取り可能な長さ」又は「巻き取り可能な寸法」は、同等に、長さが限定されず、それによって繊維材料をスプール（spool）又はマンドレル（mandrel）に巻き取っておくことを可能にする、繊維材料の少なくとも１つの寸法をいう。「巻き取り可能な長さ」又は「巻き取り可能な寸法」の繊維材料は、その上にカーボンナノチューブ導入のための、バッチプロセス又は連続プロセスのいずれの使用を示す少なくとも一つの寸法を有する。

本明細書において、用語「ナノ粒子」とは、相当球径で約０．１から約１００ｎｍの直径を有する粒子を意味するが、ナノ粒子は必ずしも球形である必要はない。本明細書において、用語「触媒ナノ粒子」とは、カーボンナノチューブ成長を媒介するための触媒作用を有するナノ粒子を意味する。

本明細書において、用語「遷移金属」とは、周期表のｄブロック（３〜１２族）にある任意の元素又は元素の合金を意味し、用語「遷移金属塩」とは、例えば遷移金属の酸化物、炭化物、窒化物、硝酸塩、硫化物、硫酸塩、リン酸塩、ハロゲン化物（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物及びヨウ化物）、酢酸塩、クエン酸塩などのあらゆる遷移金属化合物を意味する。カーボンナノチューブの合成に適した触媒ナノ粒子を形成する例示的な遷移金属には、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、これらの合金、これらの塩、及びこれらの混合物が含まれる。

本明細書において、用語「サイジング剤（sizing agent）」又は「サイジング（sizing）」とは、繊維材料の完全な状態を守るための、繊維材料とマトリックス材料との界面相互作用を強化するための、あるいは、繊維材料の特定の物理的性質を変更又は強化するためのコーティングとして、繊維材料の製造において用いられる材料を意味する。

本明細書において、用語「長さが均一」とは、約１μｍから約５００μｍの範囲に及ぶカーボンナノチューブ長さに関して、全てのカーボンナノチューブ長さの誤差が±約２０％以内となるような長さをカーボンナノチューブが有する状態を意味する。極めて短いカーボンナノチューブ長さ（例えば、約１μｍから約４μｍまで）では、全てのカーボンナノチューブ長さの誤差は、±約１μｍ、すなわち、約２０％よりも若干大きくてもよい。

本明細書において、用語「密度分布が均一」とは、繊維材料上におけるカーボンナノチューブの被覆密度が、カーボンナノチューブにより被覆される繊維材料表面エリアにわたって±約１０％の誤差を有している状態を意味する。

本明細書に記載の実施形態は、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を使用する。このようなエネルギー貯蔵層は少なくとも、１）離間して配置された複数の開口を有する絶縁層、２）上記開口の１つの内部にそれぞれ収容される複数のエネルギー貯蔵デバイスを含む。エネルギー貯蔵デバイスには別々にアクセスできるが、必要に応じて、エネルギー貯蔵デバイスが互いに電気的に接続されることも一般的である。

本発明の実施形態によれば、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層の絶縁層は、梁の内部との置き換えが成功するために必要なせん断強度を提供することができる。すなわち、従来の積層複合材料で、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層は複合材料の内部の少なくとも一部を構成することができる。図２は、内部層２０１と応力担持層２０２とを含む従来の積層複合材料２００の例示的概略等角図を示す。驚くべきことには、以下により詳細に記載するように、層のせん断強度にさほど影響を及ぼさずに、内部層２０１内に複数の開口を配置できることが判明した。せん断強度を維持することに加えて、絶縁層内に開口を配置することで内部層２０１の可撓性を高めることができ、これは本発明の実施形態のさらなる利点であることができる。本発明の実施形態によれば、内部層２０１は電気絶縁層（例えば誘電体材料）であることができる。絶縁層内の各々の開口内にエネルギー貯蔵デバイスを配置することによって、構造的に堅牢でエネルギー貯蔵が可能な多機能複合材料を作製することができる。

幾つかの実施形態では、絶縁層内の開口は複数の穴であることができる。図３Ａは、内部に複数の穴３０１が開いている絶縁層３００の例示的概略等角図を示す。穴は絶縁層を貫通している。別の実施形態では、絶縁層内の穴は複数の凹部であることができる。図３Ｂは、内部に複数の凹部３０３が開いている絶縁層３０２の例示的概略等角図を示す。凹部は絶縁層を完全には貫通していない。絶縁層内に開口を設けることによる絶縁層のせん断強度への影響はほとんど無視できるほどであるため、開口内にエネルギー貯蔵デバイスを組み込むことで、そうしないと複合材料で自重をなすことになる絶縁層に機能性を付与することができる。エネルギー貯蔵デバイスは絶縁層のせん断強度又はその他の機械的特性を強化することができるが、場合によってはそうする必要がないこともある。

複合材料の内部層内の開口が内部層のせん断強度に大きな影響を及ぼさないことを実証するため、アルミニウム製の等方性梁材料を使用した予備モデリングの研究がなされた。モデリング研究はParametric Technology Corporation製のPro Engineer Mechanicaソフトウエアで実施された。制限として、厚さ０．０７インチの梁がモデリングされ、その重量と最大応力とが判定された。このような梁の場合、重さが０．０１４２ポンドであり、最大応力は１．２５ｋｓｉであった。次に、５インチ毎に０．０３インチ×０．０４３インチ×０．４３インチの開口（凹部）を有する厚さ０．０８インチの梁がモデリングされ、その重量と最大応力とが判定された。この場合は、重量は０．０１２ポンドであり、最大応力は１．１１ｋｓｉに低減しただけであった。従って、少しだけ大きくした梁では、重量は約１５％だけ低減し、最大応力は僅か約１０％だけ低減した。１５％の重量損は本発明の実施形態によるエネルギー貯蔵デバイスで補充することができ、元の梁よりも僅かしか厚くなく、且つ僅かしか弱くない梁を製造できる。上記分析は、内部に配置される開口を有した状態で、絶縁層の最大応力をほぼ維持することができることを実証する予備的な提示であるに過ぎないことに留意されたい。それは、開口の上記の寸法や開口の配置が、絶縁層内の応力を維持する最適な配置であることを決して示唆するものではない。

最終的に、エネルギー貯蔵デバイスの高さが絶縁層の最小高さを決定する。様々な実施形態で、絶縁層の高さは、少なくともエネルギー貯蔵デバイスの高さであってよい。幾つかの実施形態では、絶縁層の高さは、エネルギー貯蔵デバイスの高さと実質的に同じ高さでよい。このような実施形態では、絶縁層内の開口は穴を構成する、それは両方の高さが同じならば絶縁層はエネルギー貯蔵デバイスを覆わないからである。別の実施形態では、絶縁層の高さはエネルギー貯蔵デバイスの高さよりも高くてもよい。このような実施形態では、絶縁層内の開口は穴又は凹部のどちらの形態でもよい。例えば、絶縁層の高さはエネルギー貯蔵デバイスの高さを越えるが、絶縁層がこれらを覆わない場合は、開口は穴の形態でよく、エネルギー貯蔵デバイスは穴の容積を完全には埋めない。しかし、絶縁層の高さがエネルギー貯蔵デバイスの高さを越え、これらを覆う場合は、開口は凹部又は空胴の形態でよい。このような実施形態では、エネルギー貯蔵デバイスは、凹部の容積を完全に埋めるか、又は完全には埋めることができない。

幾つかの実施形態では、本明細書に記載のエネルギー貯蔵アセンブリは、離間して配置された複数の開口を有する絶縁層と、各々が開口の１つ内に収容された複数のエネルギー貯蔵デバイスとを備える少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を含むことができる。エネルギー貯蔵アセンブリ内では、複数のエネルギー貯蔵デバイスを互いに接続することができる。幾つかの実施形態では、上記開口は絶縁層を部分的に貫通している凹部であることができる。別の実施形態では、開口は絶縁層を完全に貫通している穴であることができる。

一般に、本発明の実施形態の絶縁層は、ポリマー、又は繊維強化されたポリマー複合体であることができる。上述のように、絶縁層は、エネルギー貯蔵層に構造的完全性と、せん断保持力とを与えることができる。幾つかの実施形態では、繊維強化されたポリマー複合体は、ファイバグラス複合体であることができる。幾つかの実施形態では、絶縁層に適するポリマーはポリカーボネートであることができる。当業者はその他の熱可塑性及び熱硬化性ポリマーを想定することができる。

幾つかの実施形態では、エネルギー貯蔵層はさらに、複数のエネルギー貯蔵デバイスと絶縁層とがその上に配置される支持材料を含むことができる。一般に、このような支持材料はある程度の可撓性を維持することができるので、エネルギー貯蔵層も可撓的である。このような支持材料は、少なくとも複数のエネルギー貯蔵デバイスと絶縁層とを支持するために十分な構造的完全性を有することができる。

一般に、支持材料の厚さはエネルギー貯蔵デバイス及び絶縁層と比較して相対的に薄くてもよい。すなわち、このような実施形態では、支持材料はエネルギー貯蔵デバイス又は絶縁層よりも薄い。幾つかの実施形態では、支持材料は、例えば可撓性ウェーハ又は薄膜などの構造のものでよい。幾つかの実施形態では、支持材料は可撓性リボン材料の形態のものでよい。幾つかの実施形態では、例えば熱可塑性又は熱硬化性ポリマー（例えばエポキシ）などのポリマーであることができる。幾つかの実施形態では、支持材料はプリント回路基板であることができる。このような実施形態では、複数のエネルギー貯蔵デバイス間の電気接続部は支持材料上にあることができる。例示的なプリント回路基板は、例えば、互いにエポキシ樹脂が積層された誘電体材料を含むことができる。当業者には幾つかのプリント回路基板が知られており、本発明の実施形態の特定の実装に適応するようにどのプリント回路基板を選択してもよい。

エネルギー貯蔵デバイスは、幾つかの実施形態では、支持材料上に配置される際に単列で配列されることができる。代替実施形態では、複数列のエネルギー貯蔵デバイスを支持材料上に配列することができる（例えば格子構造）。幾つかの実施形態では、エネルギー貯蔵層内のエネルギー貯蔵デバイスは格子構造の形態のものでよい。エネルギー貯蔵アセンブリを形成する際、支持材料上に複数列のエネルギー貯蔵デバイスを有するエネルギー貯蔵層を初期形成することにより、又は複数列の単列エネルギー貯蔵層を互いに並置することにより（図５を参照）、複数列のエネルギー貯蔵デバイスを格子構造に配列することができる。

一般に、本発明の実施形態では適切なサイズの任意のエネルギー貯蔵デバイスを使用することができる。幾つかの実施形態では、エネルギー貯蔵デバイスはバッテリであることができる。幾つかの実施形態では、適切なバッテリはリチウムイオンバッテリであることができる。別の実施形態では、エネルギー貯蔵デバイスはキャパシタ又はスーパーキャパシタであることができる。幾つかの実施形態では、エネルギー貯蔵はカーボンナノチューブによりさらに増強することができる。

エネルギー貯蔵デバイス間の電気接続は、当業者に知られている任意の手段で確立することができる。幾つかの実施形態では、少なくとも幾つかのエネルギー貯蔵デバイスは並列に接続される。幾つかの実施形態では、少なくとも幾つかのエネルギー貯蔵デバイスは直列に接続される。幾つかの実施形態では、少なくとも幾つかのエネルギー貯蔵デバイスは直列及び並列に接続される。当業者は、本エネルギー貯蔵アセンブリ内のエネルギー貯蔵層用の所望の電圧及び電流を確立するために直列電気接続及び並列電気接続の任意の組合せを使用できることを理解するであろう。

幾つかの実施形態では、エネルギー貯蔵デバイス間の電気接続は、エネルギー貯蔵層用の支持材料として機能するプリント回路基板上の電気接続部により確立することができる。図４Ａは、直列の電気接続部４０１と並列の電気接続部４０２とを有するプリント回路基板４００の例示的概略図を示す。図４Ｂは、複数のエネルギー貯蔵デバイス４０４ａ〜４０４ｆを上に配置させた後の図４Ａのプリント回路基板の例示的概略図を示す。図４Ａ及び図４Ｂに示すように、エネルギー貯蔵デバイス４０４ａ〜４０４ｆは互いに並列に接続されており、電圧をセットアップするために３つのエネルギー貯蔵デバイスのすべては、さらに互いに直列に接続されている。図４Ａ及び図４Ｂに示す配置は例示的な性質に過ぎないものと見なされるべきであり、直列／並列の任意のエネルギー貯蔵デバイスを本発明の実施形態で使用できることを理解されたい。特に、３つのエネルギー貯蔵デバイスのすべてを直列に接続することを限定的であると見なすべきではない。図４Ｃは、エネルギー貯蔵デバイス４０４ａ〜４０４ｆの周囲に絶縁層４０５を配置してエネルギー貯蔵層４０６を形成した後の図４Ｂのプリント回路基板の例示的概略図を示す。

上述のように、エネルギー貯蔵層を積層複合材料で使用して良好な引張り／圧縮応力特性を有するエネルギー貯蔵アセンブリを形成することができる。このような実施形態では、エネルギー貯蔵アセンブリの外部応力担持層は、引張り／圧縮応力に耐えることができ、内部のエネルギー貯蔵層（単層又は複層）は、電気貯蔵能力を伝達することに加えてせん断強度に耐えることができる。

幾つかの実施形態では、少なくとも１つの応力担持層は少なくとも１つのエネルギー貯蔵層と接触することができる。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を少なくとも２つの応力担持層の間に配置することができる。このような実施形態では、絶縁層２０１が、エネルギー貯蔵デバイスが開口内に位置する図３Ａ及び図３Ｂにそれぞれ示される絶縁層３００又は３０２と置き換えられること以外は、エネルギー貯蔵アセンブリは図２に示される積層複合体２００に類似している。幾つかの実施形態では、適切な応力担持層は繊維強化されたポリマー複合体であることができる。

幾つかの実施形態では、本エネルギー貯蔵アセンブリは、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層内に格子構造で配置された複数のエネルギー貯蔵デバイスを有することができる。上述のように、エネルギー貯蔵層（単層又は複層）は、複数列のエネルギー貯蔵デバイスを収容するように構成することができる。あるいは、複数の単列エネルギー貯蔵層を互いに並置して、エネルギー貯蔵アセンブリ内により大きいエネルギー貯蔵層を形成することができる。図５は、互いに並置された複数の単列エネルギー貯蔵層５０１を有するエネルギー貯蔵アセンブリの例示的概略図を示す。図５では、簡明にするために応力担持層は示されていない。

幾つかの実施形態では、エネルギー貯蔵アセンブリは、互いに積層され、２つ以上の応力担持層の間に配置された複数のエネルギー貯蔵層を含むことができる。すなわち、エネルギー貯蔵アセンブリを含む物品の所望の高さを得るようにエネルギー貯蔵層を積層することができる。同様に、複数の応力担持層を使用して所望の厚さ又は強度を達成することができる。

本エネルギー貯蔵アセンブリ内の応力担持層は実質的に引張り／圧縮応力に耐えることができるため、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層の厚さは構造的完全性を含まないエネルギー貯蔵アセンブリの厚さのかなりの部分であることができる。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層の厚さはエネルギー貯蔵アセンブリの約５０％に及んでもよい。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層の厚さはエネルギー貯蔵アセンブリの約６０％に及んでもよい。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層の厚さはエネルギー貯蔵アセンブリの約７０％に及んでもよい。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層の厚さはエネルギー貯蔵アセンブリの約８０％に及んでもよい。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層の厚さはエネルギー貯蔵アセンブリの約９０％に及んでもよい。

幾つかの代替実施形態では、エネルギー貯蔵デバイスを囲むケーシングにより絶縁層を形成することができる。このような実施形態では、エネルギー貯蔵デバイスのケーシングは、エネルギー貯蔵デバイスを支持し、保護する両方の役割を果たすことができる一方、エネルギー貯蔵アセンブリ内のせん断力に対する抵抗をもたらす。図６は、エネルギー貯蔵デバイスのケーシングが絶縁層を形成するエネルギー貯蔵層６００の例示的概略側面図を示す。図６に示すように、ケーシング６０２によって保護されるエネルギー貯蔵デバイス６０１は、支持材料６０３上で互いに隣接している。その結果生じるエネルギー貯蔵層６００は圧縮性の時計バンドに類似しており、個々のエネルギー貯蔵デバイス６０１とそれに関連するケーシング６０２が時計バンドにおけるリンク機構を表している。当業者には明らかであるように、エネルギー貯蔵デバイス６０１及びケーシング６０２のこのような配置はかなりの可撓性を維持し、それは支持材料６０３によってさらに高められる。関連するケーシング６０２はエネルギー貯蔵デバイス自体の一部ではないため、エネルギー貯蔵層６００は依然として離間して配置されたエネルギー貯蔵デバイス６０１を含むことを指摘する必要がある。図６に示す実施形態では、エネルギー貯蔵デバイス６０１は、ケーシング６０２により画定される絶縁層内の凹部内にある。図６に示すように、エネルギー貯蔵デバイス６０１は各ケーシング６０２内の空胴を完全には埋めない。しかし、エネルギー貯蔵デバイスとケーシングの両方の設計に応じて、エネルギー貯蔵デバイス６０１はケーシング６０２を完全に埋めるか、又は完全には埋めなくてもよいことを理解されたい。

幾つかの実施形態では、本明細書に記載のエネルギー貯蔵アセンブリは少なくとも２つの応力担持層と、少なくとも２つの応力担持層の間に配置された少なくとも１つのエネルギー貯蔵層とを含むことができる。少なくとも１つのエネルギー貯蔵層は、支持材料と、離間して配置された複数の開口を有する絶縁層と、複数のエネルギー貯蔵デバイスとを含むことができ、各エネルギー貯蔵デバイスは開口の１つ内に収容される。

幾つかの実施形態では、本エネルギー貯蔵アセンブリの形成方法が本明細書に記載される。幾つかの実施形態では、上記方法は複数のエネルギー貯蔵デバイスを離間して支持材料上に配置するステップと、次に、絶縁層を支持材料上の複数のエネルギー貯蔵デバイスの周囲に配置してエネルギー貯蔵層を形成するステップとを含むことができる。幾つかの実施形態では、上記方法はさらに、支持材料上に複数の電気接続部を形成するステップと、次に、複数の電気接続部を使用して複数のエネルギー貯蔵デバイスを電気的に接続するステップとを含むことができる。代替実施形態では、上記方法は、エネルギー貯蔵デバイス間に直接的に電気接続部（例えばワイヤなど）を形成するステップを含むことができる。

幾つかの実施形態では、エネルギー貯蔵層の絶縁層は、エネルギー貯蔵デバイスの周囲に配置される前に、事前に形成されてもよい。すなわち、このような実施形態では、絶縁層は、支持材料上の複数のエネルギー貯蔵デバイスの間隔に適合して離間した複数の開口を有するように、事前に形成されうる。離間している複数の開口を有するポリマーなどの絶縁層のパターン形成は、当業者には周知である幾つかの製造技術によって遂行することができる。パターン形成された絶縁層の形成後、この絶縁層をエネルギー貯蔵デバイスの周囲に配置してエネルギー貯蔵層を形成することができる。

幾つかの実施形態では、本方法はさらに、少なくとも２つの応力担持層の間に少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を配置するステップを含むことができる。ある実施形態では、各応力担持層は繊維強化されたポリマー複合体でよい。幾つかの実施形態では、単一のエネルギー貯蔵層を応力担持層の間に配置することができる。別の実施形態では、複数の単列エネルギー貯蔵層が応力担持層の間に配置される場合は、これらのエネルギー貯蔵層を互いに並置することができる。さらに別の実施形態では、複数のエネルギー貯蔵層が応力担持層の間に配置される場合は、これらのエネルギー貯蔵層を互いに積み重ねることができる。

幾つかの実施形態では、応力担持層の間に少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を配置するステップは、積層プロセスを含むことができる。幾つかの実施形態では、このような積層プロセスは、エネルギー貯蔵層の条片(strips)を単純に所望の長さに切断し、次に、所望の数のエネルギー貯蔵層の条片を応力担持層の間に配置するステップを含むことができる。エネルギー貯蔵層の切断時に、エネルギー貯蔵デバイスが切断プロセス中に切り離されることがあることに留意されたい。エネルギー貯蔵デバイスを切断することは特に望ましくないが、エネルギー貯蔵層が満足できる機能を果たすためにすべてのエネルギー貯蔵デバイスが機能を保持することは不可欠ではない。すなわち、１つのエネルギー貯蔵デバイスが損失しても電気的性能が大幅に劣化することはない。

幾つかの実施形態では、少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を応力担持層の間に配置するステップは、フィラメントワインディングプロセス(filament winding prosess)を含むことができる。このようなプロセスは、雄モールド(male mould)上にエネルギー貯蔵層を巻回するステップを含むことができ、当業者には知られている。フィラメントワインディングは、例えばパイプなどの筒形構造を有するエネルギー貯蔵アセンブリを形成するために使用することができる。

幾つかの実施形態では、本エネルギー貯蔵アセンブリのエネルギー貯蔵デバイスは、カーボンナノチューブを含むことができる。上述のように、エネルギー貯蔵デバイスにカーボンナノチューブを含めると、エネルギー貯蔵デバイスの重量を増加させずにそれらの電気的特性を増強させることができる。エネルギー貯蔵デバイスにカーボンナノチューブを含めることによって、重量単位当たりのより高いエネルギー密度を実現できる。例えば、従来のリチウムイオンバッテリにおいてカーボンブラックをカーボンナノチューブに置き換えると、電力密度の約１５〜２５％の上昇を実現できる。エネルギー貯蔵デバイスにおいて金属電極をカーボンナノチューブ複合材料に置き換えると、電力密度のさらなる上昇を達成できる。従来のバッテリ及びキャパシタの金属電極は電池の正味重量の約６０％を示すことがあるため、金属電極をカーボンナノチューブ複合材料に置き換えると、重量の大幅な軽量化も実現できる。

カーボンナノチューブで増強されたエネルギー貯蔵デバイスの例示的な、しかし非限定的な例には、係属中である同一出願人の、２０１１年３月２日にそれぞれ出願された米国特許出願第１３／０３９，０２５号、及び第１３／０３９，０２８号、及び２０１１年３月２６日に出願された米国特許出願第１３／１１７、０７１号に、記載されており、各出願について、その全内容が参照により本明細書に組み込まれる。カーボンナノチューブはエネルギー貯蔵デバイスに含められる場合、エネルギー貯蔵デバイスのどの部分にも置き換えることができる。具体的には、カーボンナノチューブを、幾つかの実施形態では、活性炭素又は電極材料と置き換えることができる。別の実施形態では、本開示のエネルギー貯蔵アセンブリにおいて、従来とはより異なる設計パラダイムを組み込んだカーボンナノチューブを含むエネルギー貯蔵デバイスを使用することもできる。カーボンナノチューブを含むスーパーキャパシタに関するさらなる開示は以下に記載する。

エネルギー貯蔵デバイスにおいて使用する場合、カーボンナノチューブはいずれかの適切な形態で使用することができる。幾つかの実施形態では、カーボンナノチューブを個々のカーボンナノチューブとして分散させることができる。幾つかの実施形態では、カーボンナノチューブをカーボンナノチューブ導入繊維の形態でエネルギー貯蔵デバイスに組み込むことができる。このようなカーボンナノチューブ導入繊維は、係属中である同一出願人の、２００９年１１月２日に全て出願された米国特許出願第１２／６１１，０７３号、第１２／６１１，１０１号及び第１２／６１１，１０３号、及び、２０１０年１１月２日に出願された米国特許出願第１２／９３８，３２８号に、記載されており、各出願について、その全内容が参照により本明細書に組み込まれる。このようなカーボンナノチューブ導入繊維の繊維材料は、通常、限定されることなく様々であり、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、金属繊維、セラミック繊維および有機繊維（例えばアラミド繊維）を含むことができる。このようなカーボンナノチューブ導入繊維を、市販の連続繊維又は連続繊維の形態（例えば繊維トウ（fiber tows）又は繊維テープ(fiber tapes)）から巻き取り可能な長さで容易に生成することができる。加えて、カーボンナノチューブの長さ、直径および被覆密度を、上述した方法によって容易に変更することができる。

カーボンナノチューブ導入繊維のカーボンナノチューブを、それらの成長条件及び後続の処理に応じて、繊維材料の表面に対してほぼ垂直、又は、繊維材料の縦軸に対してほぼ平行に、配向することができる。本実施形態において、ほぼ垂直なカーボンナノチューブを有するカーボンナノチューブ導入繊維を用いることにより、カーボンナノチューブ表面のより良好な提示（presentation）が可能となる（例えば、電解質に対して）。このことは、特に、カーボンナノチューブが実質的に束になっていない状態の場合に当てはまる。カーボンナノチューブ導入繊維を生成する上述した方法は、ほぼ垂直な配向、及び、実質的に束になっていない状態を実現させるのに適しており、それによって、本実施形態において用いる高い有効表面積を有するカーボンナノチューブ導入繊維が提供される。カーボンナノチューブ導入繊維及びその製造方法に関する付加的な詳細を以下に示す。

連続繊維に導入するカーボンナノチューブの種類は、通常、限定されることなく様々である。様々な実施形態において、連続繊維に導入するカーボンナノチューブは、例えば、単層カーボンナノチューブ、２層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ及びこれらのあらゆる組み合わせなど、フラーレン族のうち円筒状をしたあらゆる数の炭素同素体であってよい。ある実施形態において、カーボンナノチューブはフラーレン様構造で閉塞される。換言すれば、このような実施形態では、カーボンナノチューブは閉塞端を有している。一方、他の実施形態では、カーボンナノチューブは端部が開口した状態である。ある実施形態において、閉塞されたカーボンナノチューブ端部は、適切な酸化剤（例えば、HN0₃/H₂SO₄）による処理によって開口され得る。ある実施形態において、カーボンナノチューブは他の物質を封入する。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、繊維材料に導入した後に共有結合的に機能化され得る（covalently functionalized）。ある実施形態において、プラズマプロセスは、カーボンナノチューブの機能化を促進するために用いられ得る。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、連続繊維に導入したとき、別の材料で少なくとも部分的にコーティングされる。

カーボンナノチューブは、そのキラリティに応じて、金属的、半金属的又は半導体的となり得る。カーボンナノチューブのキラリティを指定するために確立された命名システムが当業者に認識されており、２つの指数（ｎ，ｍ）を用いて識別されている（ここで、ｎとｍは、管状構造に形成される場合の六方晶系のグラファイトの切断部及び巻き方を表す整数である）。
また、キラリティに加えてカーボンナノチューブの直径は、その電気伝導性と熱伝導性に関する性質にも影響を与える。カーボンナノチューブの合成において、カーボンナノチューブの直径は、一定サイズの触媒ナノ粒子を用いることにより制御可能である。カーボンナノチューブの直径は、通常、ほぼその形成に触媒作用を及ぼす触媒ナノ粒子の直径である。このため、カーボンナノチューブの性質は、例えば、カーボンナノチューブの合成に用いられる触媒ナノ粒子のサイズを調整することで、ある面ではさらに制御される。限定しない例として、直径約１ｎｍの触媒ナノ粒子は、繊維材料に単層カーボンナノチューブを導入させるために用いられる。より大きな触媒ナノ粒子は、主に、多層カーボンナノチューブを生成するために用いられるが、これは、その複数のナノチューブ層、あるいは、単層及び多層カーボンナノチューブの混合であるため、より大きな直径を有する。多層カーボンナノチューブは、通常、単層カーボンナノチューブより複雑な伝導性プロファイル（conductivity profile）を有する。何故なら、壁間反応が個々のナノチューブ層間に生じて電流を不均一に再配分することがあるからである。対照的に、単層カーボンナノチューブでは、異なる部分にまたがる電流に変化がない。

一般に、連続繊維に導入するカーボンナノチューブは、どのような長さも可能である。本願の実施形態において、より長いカーボンナノチューブは、より高い有効表面積を有することができるため、一般により有益である。様々な実施形態において、カーボンナノチューブは、約１μｍから約１，０００μｍの範囲、又は、約１μｍから約５００μｍの範囲、に及ぶ長さを有することができる。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、約１００μｍから約５００μｍの範囲に及ぶ長さを有することができる。他の実施形態において、カーボンナノチューブは、約１μｍから約５０μｍの範囲、又は、約１０μｍから約２５μｍの範囲、に及ぶ長さを有することができる。実施例によっては、カーボンナノチューブは、ほぼ均一な長さである。

ある実施形態において、カーボンナノチューブの平均長さは、約１μｍから約５００μｍに及び、約１μｍ、約２μｍ、約３μｍ、約４μｍ、約５μｍ、約６μｍ、約７μｍ、約８μｍ、約９μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、約２５μｍ、約３０μｍ、約３５μｍ、約４０μｍ、約４５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７０μｍ、約８０μｍ、約９０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍ、約２００μｍ、約２５０μｍ、約３００μｍ、約３５０μｍ、約４００μｍ、約４５０μｍ、約５００μｍ、及びその間のすべての値及びその間の部分的範囲を含む。ある実施形態において、カーボンナノチューブの平均長さは、例えば、約０．５μｍなど約１μｍ未満であり、及びその間のすべての値及びその間の部分的範囲を含む。ある実施形態において、カーボンナノチューブの平均長さは、約１μｍから約１０μｍに及び、例えば、約１μｍ、約２μｍ、約３μｍ、約４μｍ、約５μｍ、約６μｍ、約７μｍ、約８μｍ、約９μｍ、約１０μｍ、及びその間のすべての値及びその間の部分的範囲を含む。また他の実施形態において、カーボンナノチューブの平均長さは約５００μｍよりも大きく、例えば、約５１０μｍ、約５２０μｍ、約５５０μｍ、約６００μｍ、約７００μｍ、及びその間のすべての値及びその間の部分的範囲を含む。

カーボンナノチューブの平均長さは、連続繊維に導入するカーボンナノチューブの重量百分率を決定する１つの因子である。概して、上述した同時係属中である特許出願に記載されているカーボンナノチューブ導入繊維は、他の方法によって得られるものよりはるかに高いカーボンナノチューブ担持百分率を有する。例えば、カーボンナノチューブ導入繊維は、約１重量％から約３０重量％の範囲、又は、約４０重量％から約５０重量％の範囲にも及ぶ導入カーボンナノチューブを含有する。本願の実施形態において、選択されたカーボンナノチューブ重量百分率は、好ましい電気特性（例えば、スーパーキャパシタに対して好ましい静電容量）によって決定される。

連続繊維上のカーボンナノチューブ被覆密度は、導入したカーボンナノチューブの重量百分率を決定する他の因子となり得る。繊維材料に導入したカーボンナノチューブの密度の均一性に関して、ある実施形態では、繊維材料に導入したカーボンナノチューブは、通常、密度分布が均一である。前述で定義したように、密度分布の誤差は、カーボンナノチューブが導入する繊維材料の表面積全体で±約１０％である。限定しない例として、この誤差は、直径８ｎｍの５層カーボンナノチューブで、１平方マイクロメートル当たり±約１５００のカーボンナノチューブに相当する。このような数字は、カーボンナノチューブ内の空間が充填可能であると仮定している。ある実施形態において、繊維材料のパーセント被覆率（すなわち、カーボンナノチューブで被覆される繊維材料の表面積の百分率）として表されるカーボンナノチューブ密度の最大値は、再び直径８ｎｍの５層カーボンナノチューブにおいて内部空間を充填可能と仮定すると、約５５％にもなる。５５％の表面積被覆率は、前述の寸法を有するカーボンナノチューブで、１平方マイクロメートル当たり最大約１５，０００のカーボンナノチューブに相当する。ある実施形態において、被覆の密度は、１平方マイクロメートル当たり最大約１５，０００のカーボンナノチューブである。繊維材料表面上における触媒ナノ粒子の配置、カーボンナノチューブの成長条件における繊維材料の曝露時間、及び、繊維材料へのカーボンナノチューブの導入に用いられる実際の成長条件自体を変えることにより、広範囲にわたるカーボンナノチューブの密度分布を達成できることが当業者には認識される。

幾つかの実施形態では、繊維材料上に成長するカーボンナノチューブは個々のカーボンナノチューブとして存在することができる。すなわち、カーボンナノチューブは実質的に束ねられない状態で存在することができる。幾つかの実施形態では、繊維材料上で成長するカーボンナノチューブは、相互連結したカーボンナノチューブ(interlinked carbon nanotubes)を含むカーボンナノ構造体として存在することができる。このような実施形態では、実質的に束ねられないカーボンナノチューブはカーボンナノチューブの相互連結した網状織物(an interlinked network of carbon nanotubes)として存在することができる。幾つかの実施形態では、上記相互連結網状織物は、別のカーボンナノチューブから樹枝状(dendrimeric fashion)に分岐するカーボンナノチューブを含むことができる。幾つかの実施形態では、また、上記相互連結した網状織物は、カーボンナノチューブ間を架橋するカーボンナノチューブも含むことができる。幾つかの実施形態では、上記相互連結した網状織物は、また、その側壁の少なくとも一部を別のカーボンナノチューブと共用するカーボンナノチューブも含むことができる。

幾つかの実施形態では、成長条件の適切な修正によりグラフェン(graphene)又はその他のカーボンナノ材料を繊維材料上で成長させることができる。このような修正は当業者には明らかである。カーボンナノチューブに言及する本明細書のいずれかの実施形態は、グラフェン又はその他のカーボンナノ材料も使用することができ、これらも本開示の精神と範囲内にあることを理解されたい。

さまざまな実施形態において、各連続繊維（すなわち各フィラメント）は、約１μｍから約１００μｍの範囲に及ぶ直径を有することができる。この範囲の直径を有する連続長繊維は、様々な商業的供給源から容易に調達することができる。

一般に、連続繊維は、本実施形態において、個別のフィラメントとして使用されるというよりは、より高次の繊維形態（higher order fiber form）に使用される。このようなより高次の繊維形態は多様な構造があり、以下により詳細に検討される。ある実施形態において、例えば、連続繊維の繊維形態は、繊維トウ、繊維テープおよび／または繊維リボンである。他の実施形態において、繊維形態は、繊維ロービング（fiber roving）、ヤーン、ガラス繊維編組（glass fiber braid）、織布又は不織布、プライ及び／又はマット等である。

ロービングには、撚り合わされ、細くされた不純物のない連続繊維からなる柔らかいストランド（strands）が含まれる。

繊維トウは、通常、フィラメントを密に結合した連続繊維の束（bundle）であり、ある実施形態では、これが撚り合わされてヤーンとなる。ヤーンには、撚り合わされた繊維を密に結合した束が含まれるが、ここで、ヤーンにおける各繊維の直径は、比較的均一である。ヤーンには、「テックス（tex）」（１０００リニアメーター当たりのグラム重量として示される）又は「デニール（denier）」（１０，０００ヤード当たりのポンド重量として示される）で表される様々な重量がある。ヤーンに関して、標準的なテックス範囲は、通常、約２００テックスから約２０００テックスまでである。

繊維編組（Fiber braids）は、連続繊維が高密度に詰め込まれたロープ状構造体である。このようなロープ状構造体は、例えば、ヤーンから組まれる。編組構造体は、選択的に中空部分を含んでもよく、あるいは、別のコア材料の周囲に組まれてもよい。

繊維トウには、撚り合わされていない連続繊維を結合した束も含まれる。このように、繊維トウは、単一動作で大量のほぼ平行な繊維を操作するために便利な形態である。ヤーンと同様に、繊維トウにおける個々繊維の直径は概して均一である。また、繊維トウも様々な重量を有し、テックス範囲は、通常、約２００テックスから約２０００テックスの間である。加えて、繊維トウは、例えば、１２Ｋトウ、２４Ｋトウ、４８Ｋトウなどの繊維トウ内にある数千の各繊維の数により、しばしば特徴付けられる。

テープ及びリボンは、例えば、織布又は不織の扁平繊維トウとして組まれる連続繊維を含有する。テープは様々な幅をもち、通常、リボンに類似する両面構造体である。テープ又はリボンにおいて、カーボンナノチューブは、それらの一面又は両面に導入する。また、種類、直径又は長さの異なるカーボンナノチューブが、テープ又はリボンの各面で成長可能である。

ある実施形態において、連続繊維は、布（fabrics）又はシート状構造体に組織化される。これらには、前述のテープに加えて、例えば、織布、不織布、不織繊維マット及び繊維プライが含まれる。このようなより高次の構造は、元となる、連続繊維、繊維トウ、ヤーン、フィラメントなどから組まれる。

カーボンナノチューブ導入繊維を含有するスーパーキャパシタにおいて、静電容量は、一般的に、連続繊維のグラム当りで少なくとも約１Farad/gramである。ある実施形態において、静電容量は連続繊維のグラム当りで約１Farad/gramから約１００Farad/gramに及び。他の実施形態において、静電容量は連続繊維のグラム当りで約１Farad/gramから約５０Farad/gram、又は、連続繊維のグラム当りで約１Farad/gramから約４０Farad/gramに及び、その間のすべての部分的範囲を含む。

本明細書に記載されるさらに特定の実施形態によれば、エネルギー貯蔵装置の導入したカーボンナノチューブは、少なくとも部分的にコーティングで被覆される。スーパーキャパシタにおいてこの様なコーティングを使用すると、スーパーキャパシタの静電容量を増加させることができる。場合によっては、静電容量の増加は、導入したカーボンナノチューブ上にコーティングが施されていない同様のスーパーキャパシタと比べた場合、一桁又はそれ以上である（例えば、少なくとも１０倍高い）。このような実施形態において、静電容量は連続繊維のグラム当りで少なくとも約１０Farad/gramである。ある実施形態において、コーティングされたカーボンナノチューブを有するスーパーキャパシタは連続繊維のグラム当りで約１０Farad/gramから約１００Farad/gramに及ぶ静電容量を有することができる。静電容量を増加させる適切なカーボンナノチューブのコーティングに関する更なる詳細を以下に記載する。

様々な実施形態において、スーパーキャパシターの静電容量を増加させるために、カーボンナノチューブを被覆する適切な材料は、例えば、導電性高分子、主族金属化合物、遷移金属化合物、及びそれらの組合せを含み得る。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、コーティング材料で完全にコーティングされる。他の実施形態において、カーボンナノチューブはコーティング材料で部分的にコーティングされる。ある実施形態において、カーボンナノチューブの一部分はコーティング材料で完全に被覆され、カーボンナノチューブのその他の部分は部分的に被覆されるか、又は、被覆されないままである。

使用される場合、カーボンナノチューブコーティングは、通常、カーボンナノチューブ導入繊維の、約１重量パーセントから約重量９０パーセントの範囲に及ぶ量で存在し得る。更に特定の実施形態において、カーボンナノチューブコーティングの量は、カーボンナノチューブ導入繊維の、約２．５重量パーセントから約７０重量パーセントの範囲、又は、約５重量パーセントから約５０重量パーセントの範囲に及ぶ。

使用される場合、カーボンナノチューブコーティングの厚さは、通常、約０．０００１μｍから約１０μｍの範囲に及ぶ。更に特定の実施形態においては、カーボンナノチューブコーティングの厚さは、約０．００１μｍから約１μｍの範囲、又は、約０．００５μｍから約０．５μｍの範囲に及ぶ。

本明細書に開示された実施形態は、係属中であり、共同出願の米国特許出願第１２／６１１，０７３号、第１２／６１１，１０１号及び第１２／６１１，１０３号、及び第１２／９３８，３２８号（各出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる）に記載された方法で容易に作製されるカーボンナノチューブ導入繊維材料を利用する。これらに記載されたプロセスの簡単な説明を以下にする。

繊維材料にカーボンナノチューブを導入させるために、カーボンナノチューブは繊維材料上に直接合成される。これは、ある実施形態において、繊維材料上にカーボンナノチューブ形成触媒（例えば、触媒ナノ粒子）を最初に配置することで可能となる。この触媒付着の前に、多くの準備プロセスを行ってもよい。

ある実施形態において、繊維材料をプラズマで任意に処理して、触媒を受け入れる繊維表面を準備できる。例えば、プラズマで処理されたガラス繊維材料により、カーボンナノチューブ形成触媒が付着する粗面化されたガラス繊維表面がもたらされる。また、ある実施形態において、プラズマは、繊維表面を「浄化」する機能をも果たす。このように繊維表面を「粗面化（roughing）」するためのプラズマプロセスは、触媒の付着を容易にする。粗度は、通常、ナノメートルのスケールである。プラズマ処理プロセスにおいて、深さ及び直径がナノメートル単位のクレーター（crater）又はくぼみが形成される。このような表面改質は、限定するものではないが、アルゴン、ヘリウム、酸素、アンモニア、窒素及び水素など、種々異なる１以上のあらゆるガスのプラズマを用いても達成される。さらに、繊維表面のプラズマ処理は、ある実施形態において有用である官能基（functional groups）をそれらに付加することができる。

ある実施形態において、使用される繊維材料が、これに付随するサイジング剤を有する場合、このようなサイジング剤を、触媒の付着前に任意除去してもよい。任意的には、サイジング剤を触媒付着後に除去することもできる。ある実施形態において、サイジング剤の除去は、カーボンナノチューブの合成中、又は予熱工程中、カーボンナノチューブ合成の直前に行われる。他の実施形態において、サイジング剤材料の中には、カーボンナノチューブ合成プロセスの全体にわたって残存するものがある。

カーボンナノチューブ形成触媒（すなわち、触媒ナノ粒子）の付着前、又はこれと付随するさらにもう１つの工程として、繊維材料上のバリアコーティングの適用がある。バリアコーティングは、繊細な繊維材料（例えば、炭素繊維、有機繊維、ガラス繊維、金属繊維など）の完全な状態を守るために設けられる材料である。このようなバリアコーティングには、例えば、アルコキシシラン、アルモキサン、アルミナナノ粒子、スピンオンガラス（spin on glass）及びガラスナノ粒子が含まれる。例えば、ある実施形態において、バリアコーティングは、Accuglass Ｔ−１１ Spin−On Glass（Honeywell International Inc., Morristown, NJ）である。一実施形態において、カーボンナノチューブ形成触媒は、未硬化のバリアコーティング材に加えられて、その後、共に繊維材料に塗布されてもよい。他の実施形態において、バリアコーティング材は、カーボンナノチューブ形成触媒の付着前に繊維材料に加えられる。このような実施形態において、バリアコーティングは、触媒の付着前に部分的に硬化されてよい。バリアコーティング材は、後続のＣＶＤ又はＣＶＤ様カーボンナノチューブ成長のための炭素原料にカーボンナノチューブ形成触媒をさらすことが可能な程度に十分薄い厚さである。ある実施形態において、バリアコーティングの厚さは、カーボンナノチューブ形成触媒の有効径未満か、それとほぼ等しい。カーボンナノチューブ形成触媒及びバリアコーティングが適切に配置された時点で、バリアコーティングを十分に硬化させることができる。ある実施形態において、バリアコーティングの厚さは、触媒位置へのカーボンナノチューブ原料ガスのアクセスがまだ可能である限り、カーボンナノチューブ形成触媒の有効径よりも大きくてよい。このようなバリアコーティングは、カーボンナノチューブ形成触媒に対して炭素原料ガスのアクセスが十分可能な程度に多孔質であってよい。

ある実施形態では、バリアコーティングの厚さは、約１０ｎｍから約１００ｎｍの範囲に及ぶ。他の実施形態では、バリアコーティングの厚さは、４０ｎｍを含む、約１０ｎｍから約５０ｎｍの範囲に及ぶ。ある実施形態では、バリアコーティングの厚さは、約１０ｎｍ未満であり、約１ｎｍ、約２ｎｍ、約３ｎｍ、約４ｎｍ、約５ｎｍ、約６ｎｍ、約７ｎｍ、約８ｎｍ、約９ｎｍ及び約１０ｎｍ、及びその間のすべての値及びその間の部分的範囲を含む。

理論に拘束されるものではないが、バリアコーティングは、繊維材料とカーボンナノチューブの中間層として機能し、また、繊維材料にカーボンナノチューブを機械的に導入させる。このようなバリアコーティングを介した機械的な導入は、カーボンナノチューブを組織化するための基盤として機能するカーボンナノチューブ成長のための強固なシステムを提供しつつ、有益なカーボンナノチューブ特性は依然として繊維材料に伝えること可能とする。また、バリアコーティングを含み得ることの利点には、例えば、水分にさらされることに起因した化学的損傷、及び／又は、カーボンナノチューブ成長を促進するために用いられる高温での熱的損傷から、繊維材料を保護することを含まれる。

更に後述するように、カーボンナノチューブ形成触媒は、遷移金属触媒ナノ粒子としてのカーボンナノチューブ形成触媒を含有する液体溶液として作製される。合成されたカーボンナノチューブの直径は、前述のように、遷移金属触媒ナノ粒子の大きさに関係する。

カーボンナノチューブの合成は、高温で生じる化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、又は、関連するカーボンナノチューブ成長プロセスに基づく。ある実施形態おいて、ＣＶＤベースの成長プロセスは、成長プロセス中にカーボン・ナノチューブが電界方向に従うように電界を与えることによってプラズマ助長されるであろう。他の例示的なカーボンナノチューブ成長プロセスには、例えば、マイクロキャビティ（micro-cavity）、レーザー・アブレーション、火炎合成、アーク放電、及び高圧一酸化炭素法（ＨｉＰＣＯ）による合成が含まれる。具体的な温度は触媒の選択に依存するが、通常は、約５００℃〜１０００℃の範囲である。したがって、カーボンナノチューブの合成には、前記範囲の温度まで繊維材料を加熱して、これによりカーボンナノチューブの成長を支援することが含まれる。

ある実施形態おいて、触媒を含んだ繊維材料上でＣＶＤにより促進されるカーボンナノチューブ成長が行われる。ＣＶＤプロセスは、例えば、炭素含有原料ガス（アセチレン、エチレン又はメタンなど）により促進される。カーボンナノチューブ成長プロセスでは、主要なキャリアガスとして、一般に、不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン又はヘリウム）も用いられる。炭素含有原料ガスは、通常、混合物全体の約０％から約１５％の範囲で供給される。ＣＶＤ成長のためのほぼ不活性環境は、成長チャンバーから水分及び酸素を除去して準備される。

カーボンナノチューブ成長プロセスにおいて、カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブを成長させる働きをする遷移金属触媒ナノ粒子の位置で成長する。強プラズマ励起電界の存在を任意に用いて、カーボンナノチューブの成長に影響を与えることができる。すなわち、成長は、電界方向に従う傾向がある。プラズマ・スプレー及び電界の配置（geometry）を適切に調節することにより、垂直配列の（すなわち、繊維材料の表面に対して垂直な）カーボンナノチューブを合成できる。一定の条件下では、プラズマがない場合であっても、密集したカーボンナノチューブは成長方向をほぼ垂直に維持して、結果として、カーペット（carpet）又はフォレスト（forest）に似た高密度配列のカーボンナノチューブになる。ある実施形態において、相互連結されたカーボンナノチューブ網状織物(an interlinked carbon nanotube network)を形成することができる

触媒付着のプロセスに戻るが、カーボンナノチューブを成長させることを目的として、カーボンナノチューブ形成触媒は配置され、繊維材料上に触媒ナノ粒子の層（一般に単層だけ）が提供される。繊維素材上に触媒ナノ粒子を付着させる工程は、例えば、溶液のスプレー若しくは浸漬コーティングにより、又は、プラズマプロセスによって生じる気層蒸着、を含む多くの技術により可能である。このように、ある実施形態では、溶媒に触媒を含んだ溶液を形成した後、その溶液で繊維材料をスプレー若しくは浸漬コーティングすることにより、又はスプレー及び浸漬コーティングの組み合わせにより、触媒が適用される。単独であるいは組み合わせて用いられるいずれか一方の手法は、１回、２回、３回、４回、あるいは何回でも使用され、これにより、カーボンナノチューブを形成する働きをする触媒ナノ粒子が十分均一にコーティングされた繊維材料を提供することができる。例えば、浸漬コーティングが使用される場合、繊維材料は、第１の浸漬槽において、第１の滞留時間、第１の浸漬槽内に置かれる。第２の浸漬槽を使用する場合、繊維材料は、第２の滞留時間、第２の浸漬槽内に置かれる。例えば、繊維材料は、浸漬の形態及びラインスピードに応じて約３秒〜約９０秒の間、カーボンナノチューブ形成触媒の溶液にさらされる。スプレー又は浸漬コーティングを用いることにより、繊維材料は、触媒の表面密度が約５％未満から約８０％もの表面被覆率で得られる。高表面密度（例えば、約８０％）では、カーボンナノチューブ形成触媒ナノ粒子はほぼ単分子層である。ある実施形態において、繊維材料上にカーボンナノチューブ形成触媒をコーティングするプロセスは単分子層だけを生成する。例えば、積み重ねたカーボンナノチューブ形成触媒上におけるカーボンナノチューブの成長は、カーボンナノチューブが繊維材料へ導入する程度を低下させることがある。他の実施形態において、遷移金属触媒ナノ粒子は、蒸着技術、電解析出技術、及び当業者に既知の他のプロセス（例えば、遷移金属触媒を、有機金属、金属塩又は気相輸送を促進する他の組成物として、プラズマ原料ガスへ添加することなど）を用いて繊維材料上に付着する。

カーボンナノチューブ導入繊維を製造するためのプロセスは連続的に設計されるため、巻き取り可能な繊維材料は、一連の槽で浸漬コーティングを施すことが可能である（この場合、浸漬コーティング槽は空間的に分離されている）。例えば、炉から新たに形成されたガラス繊維など、発生期の繊維が新たに生成されている連続プロセスにおいて、カーボンナノチューブ形成触媒の浸漬又はスプレーは、新たに形成された繊維材料を十分に冷却した後の第１段階となり得る。ある実施形態において、新たに形成されたガラス繊維の冷却は、カーボンナノチューブ形成触媒粒子を分散させた冷却水の噴流で実施される。

ある実施形態では、連続プロセスにおいて、繊維を生成してこれにカーボンナノチューブを導入させる場合に、サイジング剤の適用に代えてカーボンナノチューブ形成触媒の適用が行われる。他の実施形態において、カーボンナノチューブ形成触媒は、他のサイジング剤の存在下で新たに形成された繊維材料に適用される。このようなカーボンナノチューブ形成触媒及び他のサイジング剤の同時適用は、繊維材料と表面接触するカーボンナノチューブ形成触媒を供給してカーボンナノチューブの導入を確実にすることができる。またさらなる実施形態において、繊維材料が、例えば、焼きなまし温度近傍又はそれ未満の十分に軟化した状態にある間、カーボンナノチューブ形成触媒をスプレー又は浸漬コーティングにより発生期の繊維に適用し、これにより、カーボンナノチューブ形成触媒が繊維材料の表面に僅かに埋め込まれる。例えば、高温のガラス繊維材料上にカーボンナノチューブ形成触媒を付着する場合、ナノ粒子が溶融して結果的にカーボンナノチューブの特性（例えば、直径）が制御不能とならないように、カーボンナノチューブ形成触媒の融点を超えないように配慮する必要がある。

繊維材料に導入したカーボンナノチューブは、例えば、水分、酸化、剥離（abrasion）圧縮及び／又は他の環境条件等を含む条件から繊維材料を保護するのに役立つ。この場合、カーボンナノチューブ自体はサイジング剤としての機能を果たす。このようなカーボンナノチューブをベースにしたサイジング剤は、従来のサイジング剤に代えて、又は従来のサイジング剤に加えて繊維材料に適用される。従来のサイジング剤は、存在する場合には、繊維材料上でのカーボンナノチューブの導入及び成長の前に、又は、後に適用される。従来のサイジング剤は、種類及び機能が大きく異なり、例えば、界面活性剤、静電気防止剤、潤滑剤、シロキサン、アルコキシシラン、アミノシラン、シラン、シラノール、ポリビニルアルコール、でんぷん及びこれらの混合物を含む。このような従来のサイジング剤は、様々な条件からカーボンナノチューブ自体を保護するためか、又はカーボンナノチューブによって与えられていないさらなる性質を繊維に与えるために使用することができる。ある実施形態において、従来のサイジング剤は、カーボンナノチューブの成長前に繊維材料から除去されてもよい。選択的に、従来のサイジング剤を、カーボンナノチューブ又はカーボンナノチューブ成長条件により適合する他の従来のサイジング剤に置き換えることができる。

カーボンナノチューブ形成触媒溶液は、あらゆるｄブロック遷移金属の遷移金属ナノ粒子溶液であってもよい。また、ナノ粒子には、元素形態及び塩形態のｄブロック金属からなる合金や非合金の混合物、並びにこれらの混合物が含まれる。このような塩形態には、限定するものではないが、酸化物、炭化物、窒化物、硝酸塩、硫化物、硫酸塩、リン酸塩、ハロゲン化物（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物及びヨウ化物）、酢酸塩、クエン酸塩などが含まれる。限定しない例示的な遷移金属ナノ粒子には、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ及びＡｇと、これらの塩と、これらの混合物と、が含まれる。多くの遷移金属ナノ粒子触媒が、例えば、Ferrotec Corporation（Beford, NH）などの様々なサプライヤーから市販されており容易に入手できる。

繊維材料にカーボンナノチューブ形成触媒を適用するために用いられる触媒溶液は、カーボンナノチューブ形成触媒が全域にわたって均一に分散可能ないかなる共通溶媒でもよい。このような溶媒には、限定するものではないが、水、アセトン、ヘキサン、イソプロピルアルコール、トルエン、エタノール、メタノール、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、シクロヘキサン、又はカーボンナノチューブ形成触媒ナノ粒子の適切な分散系を形成するために極性が制御された他のいかなる溶媒も含まれる。触媒溶液中におけるカーボンナノチューブ形成触媒の濃度は、触媒対溶媒で、およそ１：１から１：１００００の範囲内である。

ある実施形態において、繊維材料にカーボンナノチューブ形成触媒を適用した後、繊維材料は軟化温度まで任意に加熱されてもよい。この工程は、繊維材料の表面にカーボンナノチューブ形成触媒を埋め込むのに役立ち、これにより、種結晶成長（seeded growth）を促して、成長するカーボンナノチューブの先端に触媒が浮き上がる（float）先端成長を阻止することが可能である。ある実施形態において、繊維材料上にカーボンナノチューブ形成触媒を付着した後に加熱される温度は、約５００℃から約１０００℃である。カーボンナノチューブの成長のために用いられるこのような温度まで加熱することは、繊維材料上の既存のサイジング剤を除去する役割を果たして、繊維材料上にカーボンナノチューブ形成触媒を直接付着させることを可能にする。また、ある実施形態では、カーボンナノチューブ形成触媒は、加熱前に、サイジング剤のコーティング表面上に置かれてもよい。加熱工程は、カーボンナノチューブ形成触媒を繊維材料表面上に配置したままにしながら、サイジング剤を除去するために用いられる。この温度での加熱は、カーボンナノチューブ成長のための炭素原料ガスの導入前に、又はこれとほぼ同時に行われる。

ある実施形態において、カーボンナノチューブを繊維材料に導入させるプロセスには、繊維材料からサイジング剤を除去すること、サイジング剤除去後にカーボンナノチューブ形成触媒を繊維材料に適用すること、繊維材料を少なくとも５００℃まで加熱すること、及び、繊維材料上にカーボンナノチューブを合成することが含まれ得る。ある実施形態において、カーボンナノチューブ導入プロセスの工程には、繊維材料からサイジング剤を除去すること、繊維材料に対してカーボンナノチューブ形成触媒を適用すること、カーボンナノチューブの合成温度まで繊維を加熱すること、及び、触媒を含有する繊維材料上へ炭素プラズマをスプレーすること、が含まれ得る。このように、工業用のガラス繊維材料が使用される場合、カーボンナノチューブ導入繊維を構成するためのプロセスには、繊維材料上に触媒ナノ粒子を配置する前に、繊維材料からサイジング剤を除去する個別の工程が含まれる。工業用サイジング剤の中には、これが存在する場合、カーボンナノチューブ形成触媒と繊維材料との面接触を防止して、繊維材料に対するカーボンナノチューブの導入を抑制できるものがある。ある実施形態において、カーボンナノチューブの合成条件下でサイジング剤を確実に除去する場合には、サイジング剤の除去は、カーボンナノチューブ形成触媒付着後であって炭素含有原料ガスの供給直前又は供給中に行われる。

カーボンナノチューブを合成する工程には、限定するものではないが、マイクロキャビティ（micro-cavity）、熱又はプラズマ助長ＣＶＤ法、レーザー・アブレーション、アーク放電、火炎合成、及び、高圧一酸化炭素法（ＨｉＰＣＯ）など、カーボンナノチューブを形成するための多数の手法が含まれる。ＣＶＤ中、特に、カーボンナノチューブ形成触媒が配置されたサイジング繊維材料が直接用いられる。ある実施形態において、従来のいかなるサイジング剤もカーボンナノチューブの合成中に除去可能である。ある実施形態において、他のサイジング剤は除去されないが、サイジング剤を介した炭素原料の拡散により、繊維材料へのカーボンナノチューブの合成及び導入が妨害されることはない。ある実施形態において、アセチレンガスは、カーボンナノチューブ合成のための低温炭素プラズマジェットを形成するために、イオン化され得る。プラズマは触媒を有する繊維材料に向けられる。このように、ある実施形態では、繊維材料上におけるカーボンナノチューブの合成には、（ａ）炭素プラズマを形成すること、及び（ｂ）繊維材料上に配置された触媒に炭素プラズマを向けること、が含まれ得る。成長するカーボンナノチューブの直径は、カーボンナノチューブ形成触媒の大きさにより決定される。ある実施形態において、サイジングされた繊維材料は、カーボンナノチューブの成長を容易にするために、約５５０℃〜約８００℃に加熱され得る。カーボンナノチューブの成長を開始させるために、反応器（reactor）には２つ以上のガス、すなわち、不活性キャリアガス（例えば、アルゴン、ヘリウム又は窒素）及び炭素含有原料ガス（例えば、アセチレン、エチレン、エタノール又はメタン）が流される。カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブ形成触媒の位置で成長する。

ある実施形態において、ＣＶＤ成長プロセスはプラズマで助長される。プラズマは、成長プロセス中に電界を与えることにより生成される。この条件下で成長するカーボンナノチューブは電界方向に従う。したがって、反応器の配置を調節することにより、垂直配向のカーボンナノチューブが、繊維材料の表面に対してほぼ垂直に成長する。ある実施形態では、繊維の周囲に放射状に成長させるために、プラズマは必要とされない。明確な面を有する繊維材料（例えば、テープ、マット、織布、パイルなど）に関して、カーボンナノチューブ形成触媒は、繊維材料の一面又は両面に配置可能である。これに対応して、このような条下、カーボンナノチューブもまた、繊維材料の一面又は両面で成長可能である。

前述のように、カーボンナノチューブ合成は、巻き取り可能な長さの繊維材料にカーボンナノチューブを導入させる連続プロセスを提供するのに十分な速度で行われる。以下に例示されるように、このような連続的な合成は、多くの装置構成により容易になる。

ある実施形態において、カーボンナノチューブ導入繊維材料は、「オール・プラズマ（all plasma）」プロセスで作製される。このような実施形態では、繊維材料は、多くのプラズマ介在工程を通って、最終的なカーボンナノチューブ導入繊維材料を形成する。プラズマの第１プロセスには、繊維表面の改質工程が含まれる。これは、前述のように、繊維材料の表面を「粗面化（roughing）」して触媒の配置を容易にするためのプラズマプロセスである。選択的に、繊維材料の機能化（a functionalization）を含むこともできる。また前述のように、表面改質は、限定するものではないが、アルゴン、ヘリウム、酸素、アンモニア、水素及び窒素などの種々異なる１以上のガスからなるプラズマを用いて実現できる。

表面改質後、繊維材料は触媒の適用へと進む。本願のオール・プラズマプロセスにおいて、この工程は、繊維材料上にカーボンナノチューブ形成触媒を配置するためのプラズマプロセスである。カーボンナノチューブ形成触媒は、前述のように、通常、遷移金属である。遷移金属触媒は、例えば、磁性流体、有機金属、金属塩、これらの混合物、又は気相輸送の促進に適した他のあらゆる組成物など、限定しない形態の前駆体としてプラズマ原料ガスに添加され得る。カーボンナノチューブ形成触媒は、真空及び不活性雰囲気のいずれも必要とはせず、周囲環境の室温で適用可能である。ある実施形態において、繊維材料は触媒の適用前に冷却され得る。

オール・プラズマプロセスを継続すると、カーボンナノチューブの合成がカーボンナノチューブ成長反応器で起こる。カーボンナノチューブの成長は、プラズマ助長化学蒸着を用いて実現されるが、この場合、炭素プラズマが触媒を含む繊維にスプレーされる。カーボンナノチューブの成長は高温（触媒にもよるが、通常は約５００℃〜約１０００℃の範囲）で起こるので、触媒を含む繊維は炭素プラズマにさらされる前に加熱される。カーボンナノチューブ導入プロセスのために、繊維材料は、軟化が始まるまで任意に加熱されてもよい。加熱後、繊維材料は炭素プラズマを受けられる状態になっている。炭素プラズマは、例えば、炭素を含有する原料ガス（例えば、アセチレン、エチレン、エタノールなど）を、ガスのイオン化が可能な電界中に通すことにより生成され得る。この低温炭素プラズマは、スプレーノズルにより繊維材料に向けられる。繊維材料は、プラズマを受けるために、例えば、スプレーノズルから約１センチメートル以内など、スプレーノズルにごく近接している。ある実施形態において、繊維材料を高温に維持するために、加熱器を繊維材料の上側のプラズマ・スプレーに配置することができる。

連続的なカーボンナノチューブ合成の別の構成には、カーボンナノチューブを繊維材料上に直接合成・成長させるための専用の矩形反応器が含まれる。その反応器は、カーボンナノチューブ導入繊維材料を生成するための連続的なインラインプロセス用に設計され得る。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、ＣＶＤプロセスにより、大気圧で、かつ、約５５０℃から約８００℃の範囲の高温で、マルチゾーン反応器（multi-zone reactor）内で成長する。カーボンナノチューブの合成が大気圧で起こるということは、繊維材料にカーボンナノチューブを導入させるための連続処理ラインに反応器を組み込むことが容易になる一因である。このようなゾーン反応器を用いた連続的なインライン処理に合致する別の利点は、カーボンナノチューブの成長が数秒単位で発生するということであり、当該技術分野で標準的な他の手法及び装置構成の場合の数分単位（又はもっと長い）とは対照的である。

様々な実施形態によるカーボンナノチューブ合成反応器には、以下の特徴が含まれる。

（矩形に構成された合成反応器）
当該技術分野で既知の標準的なカーボンナノチューブ合成反応器は横断面が円形である。これには、例えば、歴史的理由（研究所では円筒状の反応器がよく用いられる）及び利便性（流体力学は円筒状の反応器にモデル化すると容易になり、また、加熱器システムは円管チューブ（石英など）に容易に対応する）、並びに製造の容易性などの多くの理由がある。本開示は、従来の円筒形状を変えて、矩形横断面を有するカーボンナノチューブ合成反応器を提供する。変更の理由は以下の通りである。

１）反応器により処理される多くの繊維材料は相対的に平面的である（例えば、形状が薄いテープやシート状、あるいは、開繊したトウ若しくはロービング(roving)など）ので、円形横断面では反応器の体積を十分に使用していない。この不十分な使用は、円筒状のカーボンナノチューブ合成反応器にとって、例えば、以下のａ）ないしｃ）に挙げるような、いくつかの欠点となる。ａ）十分なシステムパージの維持；反応器の体積が増大すれば、同レベルのガスパージを維持するためにガス流量の増大が必要になる。これは、開放環境におけるカーボンナノチューブの大量生産には不十分なシステムとなる。ｂ）炭素含有原料ガス流量の増大；前記ａ）のように、システムパージのための不活性ガス流を相対的に増大させると、炭素含有原料ガス流量を増大させる必要がある。例示的な１２Ｋのガラス繊維ロービングが、矩形横断面を有する合成反応器の全体積に対して約２０００分の１の体積であることを考慮されたい。同等の円筒状反応器（すなわち、矩形横断面の反応器と同じ平坦化されたガラス繊維材料を収容できるだけの幅を有する円筒状の反応器）では、ガラス繊維材料の体積は、反応器の体積の約１７，５００分の１である。ＣＶＤなどのガス蒸着プロセス(gas deposition processes)は、通常、圧力及び温度だけで制御されるが、体積は蒸着の効率に顕著な影響を与え得る。矩形反応器の場合、それでもなお過剰な体積が存在し、この過剰体積は無用の反応を促進する。しかしながら、円筒状反応器は、無用な反応の促進が可能なその体積が約８倍もある。このように競合する反応が発生する機会が増加することにより、所望の反応が有効に生じるには、円筒状反応器では一層遅くなってしまう。このようなカーボンナノチューブ成長の速度低下は連続的な成長プロセスの進行にとって問題となる。矩形反応器構成の別の利点は、矩形チャンバーの高さを更に低くすることで反応器の体積が低減され、これにより体積比が改善され反応が更に効率的になるという点である。本明細書に開示される実施形態の中には、矩形合成反応器の全体積が、合成反応器を通過中の繊維材料の全体積に対して僅か約３０００倍にしかすぎないものがある。更なる実施形態の中には、矩形合成反応器の全体積が、合成反応器を通過中の繊維材料の全体積に対して僅か約４０００倍にしかすぎないものもある。また更なる実施形態の中には、矩形合成反応器の全体積が、合成反応器を通過中の繊維材料の全体積に対して約１０，０００倍未満のものがある。加えて、円筒状反応器を使用した場合、矩形横断面を有する反応器と比較すると、同じ流量比を提供するためには、より大量の炭素含有原料ガスが必要である点に注目されたい。当然のことながら、他の実施形態の中には、矩形ではないがこれに類似し、かつ、円形横断面を有する反応器に対して、反応器の体積を同様に低減する多角形状で表される横断面を有する合成反応器がある。ｃ）問題のある温度分布；相対的に小径の反応器を用いた場合、チャンバー中心からその壁面までの温度勾配はごく僅かである。しかし、例えば、工業規模の生産に用いられるなど、サイズの増大に伴い、このような温度勾配は増加する。温度勾配は、繊維材料の全域で製品品質がばらつく（すなわち、製品品質が半径位置に応じて変化する）原因となる。この問題は、矩形横断面を有する反応器を用いた場合に殆ど回避される。特に、平面的な基材が用いられる場合、基材のサイズが大きくなったときに、反応器の高さを一定に維持することができる。反応器の頂部と底部間の温度勾配は基本的にごく僅かであり、結果的に、生じる熱的な問題や製品品質のばらつきは回避される。

２）ガス導入：当該技術分野では、通常、管状炉が使用されているので、一般的なカーボンナノチューブ合成反応器は、ガスを一端に導入し、それを反応器に通して他端から引き出している。本明細書に開示された実施形態の中には、ガスが、反応器の両側面又は反応器の頂面及び底面のいずれかを通して対称的に、反応器の中心又は対象とする成長ゾーン内に導入されるものがある。これにより、流入する原料ガスがシステムの最も高温の部分（カーボンナノチューブの成長が最も活発な場所）に連続的に補充されるので、全体的なカーボンナノチューブ成長速度が向上する。

（ゾーン分け）
比較的低温のパージゾーンを提供するチャンバーは、矩形合成反応器の両端から延びる。出願人は、仮に高温ガスが外部環境（すなわち、反応器の外部）と接触（mix）すると、繊維材料の劣化（degradation）が増加することを究明した。低温パージゾーンは、内部システムと外部環境間の緩衝となる。当該技術分野で既知のカーボンナノチューブ合成反応器の構成では、通常、基材を慎重に（かつ緩やかに）冷却することが求められる。本願の矩形カーボンナノチューブ成長反応器の出口における低温パージゾーンは、連続的なインライン処理に必要とされるような短時間の冷却を実現する。

（非接触、ホットウォール型、金属製反応器）
ある実施形態において、金属製ホットウォール型（hot-walled）反応器（例えば、ステンレス鋼）が用いられる。この種類の反応器の使用は、金属、特にステンレス鋼が炭素の付着（すなわち、すす及び副生成物の形成）を受けやすいために、常識に反するようにも考えられる。したがって、大部分のカーボンナノチューブ合成反応器は、炭素の付着が殆どないため、また、石英は洗浄しやすく試料の観察を容易にするため、石英製である。しかしながら、出願人は、ステンレス鋼上におけるすす及び炭素付着物が増加することにより、より着実、より効率的、より高速、かつ、より安定的なカーボンナノチューブ成長がもたらされること、を発見した。理論に拘束されるものではないが、大気圧運転（atmospheric operation）と連動して、反応器内で起こるＣＶＤプロセスでは拡散が制限されることが示されている。すなわち、カーボンナノチューブ形成触媒に「過度に供給される（overfed）」、つまり、過量の炭素が、（反応器が不完全真空下で運転している場合よりも）その相対的に高い分圧により反応器システム内で得られる。結果として、開放システム（特に清浄な（clean）もの）では、過量の炭素がカーボンナノチューブ形成触媒の粒子に付着して、カーボンナノチューブの合成能力を低下させる。ある実施形態において、反応器に「汚れが付いて（dirty）」いる、すなわち、金属反応器壁にすすが付着している状態の場合に、矩形反応器を意図的に運転する。炭素が反応器壁上の単分子層に付着すると、炭素は、それ自体を覆って付着しやすくなる。得られる炭素の中には、この機構により「回収される（withdrawn）」ものがあるので、ラジカルの形で残っている炭素原料が、カーボンナノチューブ形成触媒を被毒させない速度でこの触媒と反応する。既存のシステムでは「清浄に（cleanly）」運転するが、連続処理のために開放状態であれば、減速した成長速度で、はるかに低い収率でしかカーボンナノチューブを生産できない。

カーボンナノチューブの合成を、前述のように「汚れが付いて」いる状態で実施するのは概して有益であるが、それでも、装置のある部分（例えば、ガスマニフォールド及びガス入口）は、すすが閉塞状態を引き起こした場合、カーボンナノチューブの成長プロセスに悪影響を与える。この問題に対処するために、カーボンナノチューブ成長反応チャンバーの当該部分を、例えば、シリカ、アルミナ又はＭｇＯなどのすす抑制コーティングで保護してもよい。実際には、装置のこれらの部分は、すす抑制コーティングで浸漬コーティングが施される。ＩＮＶＡＲ（商標名）は高温におけるコーティングの適切な接着性を確実にする同様のＣＴＥ（熱膨張係数）を有し、重要なゾーンにおけるすすの著しい堆積を防止するので、ＩＮＶＡＲ（商標名）などの金属が、これらのコーティングに用いられる。

（触媒還元及びカーボンナノチューブ合成の組み合わせ）
本明細書に開示されたカーボンナノチューブ合成反応器において、触媒還元及びカーボンナノチューブ成長のいずれもが反応器内で起こる。還元工程が個別の工程として実施されると、連続プロセスに用いるものとして十分タイムリーに行えなくなるため、このことは重要である。当該技術分野において既知の標準的なプロセスにおいて、還元工程の実施には、通常１〜１２時間かかる。本開示によれば、両工程は１つの反応器内で生じるが、これは、少なくとも１つには、炭素含有原料ガスを導入するのが、円筒状反応器を用いる当該技術分野では標準的となっている反応器の端部ではなく、中心部であることに起因する。還元プロセスは、繊維が加熱ゾーンに入ったときに行われる。この時点に至るまでに、ガスには、触媒を（水素ラジカルの相互作用を介して）還元する前に反応器壁と反応して冷える時間があるということである。還元が起こるのは、この移行領域である。システム内で最も高温の等温ゾーンでカーボンナノチューブの成長は起こり、反応器の中心近傍におけるガス入口の近位で最速の成長速度が生じる。

ある実施形態において、例えば、トウ又はロービングなど（例えば、ガラスロービングのように）、緩くまとまった（loosely affiliated）繊維材料が使用される場合、連続プロセスには、トウ又はロービングのストランド（strand）又はフィラメントを広げる工程が含まれる。このように、トウ又はロービングは、アンスプールされる（unspooled）ときに、例えば、真空ベースの開繊システム（vacuum-based fiber spreading system）を用いて開繊される（spread）。例えば、サイジングされて比較的堅いガラス繊維ロービングを使用する場合、ロービングを「軟化」して繊維の開繊を容易にするために、更なる加熱を用いることができる。個々のフィラメントを含有する開繊繊維（spread fiber）は、フィラメントの全表面積をさらせるよう十分分離して開繊され、こうして後続の処理工程でロービングがより効率的に反応できるようにする。例えば、開繊トウ又は開繊ロービングは、前述のようにプラズマシステムで構成される表面処理工程を経る。その後、粗面化された開繊繊維はカーボンナノチューブ形成触媒の浸漬槽を通過する。その結果、表面で放射状に分布した触媒粒子を有するガラスロービングの繊維となる。触媒を含んだロービングの繊維は、その後、前述のように、例えば、矩形チャンバーなどの適切なカーボンナノチューブ成長チャンバーに入るが、ここでは、大気圧ＣＶＤ又はプラズマ助長ＣＶＤプロセスを通る流れを用いて、毎秒数ミクロンの速度でカーボンナノチューブを合成する。ロービングの繊維は、こうして放射状に配列されたカーボンナノチューブを備えて、カーボンナノチューブ成長反応器を出る。

当然のことながら、本発明の様々な実施形態の働きに実質的に影響を与えない変更も、本明細書で提供された本発明の定義内に含まれる。本発明は開示された実施形態を参照して説明されたが、当業者であれば、これらの実施形態が本発明の例示にすぎないことを容易に認識するであろう。当然のことながら、本発明の精神から逸脱することなく、様々な変形例を考え出すことが可能である。本願発明は、変更され、異なるものの本明細書内の技術の利益を有する当業者にとって明らかに均等な方法で実施されてもよいので、上記に開示された特定の実施形態は単なる例示である。また、以下の特許請求の範囲の記載によるほか、本明細書に示された詳細な構造又はデザインはなんら限定されるものではない。従って、上記に開示された特定の例示的な実施形態は、変更され、組合わされ又は修正されること、及び、全てのこのような変形が本願発明の精神及び範囲内であるとみなされることは明らかである。組成物及び方法は、様々な構成要素又は工程を「含んで構成される(comprising)」、「含有する、含む(contain)」、又は「含む（include）」という言葉で記載されるが、組成物及び方法は、様々な構成要素又は働き「から本質的に成る」又は「から成る」ものでもある。上記に記載された全ての数及び範囲を若干変更することができる。下限及び上限を有する数値範囲が開示された場合、より広い範囲の中に含まれる全ての数及び全ての部分的範囲が具体的に開示される。また、特許請求の範囲の用語は、特許権所有者によって、別段の、はっきりとした明瞭な定義がされた場合を除き、それらの簡潔な一般的な意味を有する。仮に本明細書、及び、参照によって本明細書に組み込まれる一つ以上の特許又は他の書類において、単語又は用語の利用においていくらかの矛盾がある場合、本明細書と合致する定義を採用するべきである。
以上の実施形態から把握し得る請求項以外の技術的思想について、以下に記載する。
（ａ）前記電気的接続は、前記支持材料上でなされる、請求項２に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｂ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、互いに電気的に並列接続される、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｃ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、互いに電気的に直列接続される、上記（ｂ）に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｄ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、バッテリを含んで構成される、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｅ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、キャパシタ又はスーパーキャパシタを含んで構成される、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｆ）前記カーボンナノチューブは、ポリピロール、ＭｎＯ２、ＲｕＯ２、及びこれらの組合せからなる群より選択されるコーティングで少なくとも一部が被覆される、請求項５に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｇ）前記複数のエネルギー貯蔵デバイスは、前記少なくとも１つのエネルギー貯蔵層内に格子構造で配置される、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｈ）前記絶縁層の高さは、少なくとも前記エネルギー貯蔵デバイスの高さである、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｉ）前記絶縁層は、ポリマー、及び繊維強化ポリマー複合体からなる群より選択される材料を含んで構成される、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｊ）前記各エネルギー貯蔵デバイスはケーシングで囲まれ、
前記ケーシングは、前記絶縁層を含んで構成される、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｋ）前記各々の開口は、前記絶縁層内の穴を含む、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｌ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、バッテリを含んで構成される、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｍ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、キャパシタ又はスーパーキャパシタを含んで構成される、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｎ）前記複数のエネルギー貯蔵デバイスは、前記少なくとも１つのエネルギー貯蔵層内に格子構造で配置される、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
（ｏ）少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を配置するステップは、積層プロセスを含んで構成される、請求項１７に記載の方法。
（ｐ）少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を配置するステップは、フィラメントワインディングプロセスを含んで構成される、請求項１７に記載の方法。
（ｑ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、バッテリを含んで構成される、請求項１４に記載の方法。
（ｒ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、キャパシタ又はスーパーキャパシタを含んで構成される、請求項１４に記載の方法。
（ｓ）少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、カーボンナノチューブを含む、請求項１４に記載の方法。

Claims (17)

1. エネルギー貯蔵アセンブリであって、
   少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を備え、
   前記エネルギー貯蔵層は、
   離間して配置された複数の開口を有する絶縁層と、
   それぞれが前記開口の１つの内に収容された複数のエネルギー貯蔵デバイスと、
   を含み、
   前記複数のエネルギー貯蔵デバイスは互いに電気的に接続されて構成される、エネルギー貯蔵アセンブリ。
2. 前記少なくとも１つのエネルギー貯蔵層は、前記複数のエネルギー貯蔵デバイスと前記絶縁層とが上に配置される支持材料をさらに含んで構成される、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
3. 前記絶縁層は、ポリマー及び繊維強化されたポリマー複合体からなる群より選択される材料を含んで構成される、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
4. 少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、カーボンナノチューブを含む、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
5. 少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、カーボンナノチューブ導入繊維を含む、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
6. 前記少なくとも１つのエネルギー貯蔵層に接触する少なくとも１つの応力担持層をさらに含んで構成される、請求項１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
7. 前記少なくとも１つのエネルギー貯蔵層は、少なくとも２つの応力担持層間に配置される、請求項６に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
8. 前記少なくとも２つの応力担持層は、それぞれ、繊維強化ポリマー複合体を含んで構成される、請求項７に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
9. エネルギー貯蔵アセンブリであって、
   少なくとも２つの応力担持層と、
   前記少なくとも２つの応力担持層の間に配置された少なくとも１つのエネルギー貯蔵層と、
   を含み、
   前記少なくとも１つのエネルギー貯蔵層は、
   支持材料と、
   離間して配置された複数の開口を有する絶縁層と、
   それぞれが前記開口の１つの内に収容された複数のエネルギー貯蔵デバイスと、
   を含んで構成される、エネルギー貯蔵アセンブリ。
10. 前記少なくとも１つのエネルギー貯蔵層は、前記エネルギー貯蔵アセンブリの厚さの約９０％までを占めて構成される、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
11. 前記複数のエネルギー貯蔵デバイスは、互いに電気的に接続される、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
12. 前記電気的接続は、前記支持材料上でなされる、請求項１１に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
13. 少なくとも幾つかの前記エネルギー貯蔵デバイスは、カーボンナノチューブを含む、請求項９に記載のエネルギー貯蔵アセンブリ。
14. 支持材料上に複数のエネルギー貯蔵デバイスを離間して配置するステップと、
    前記支持材料上の前記複数のエネルギー貯蔵デバイスの周囲に絶縁層を配置して、それによりエネルギー貯蔵層を形成するステップと、
    を含んで構成される、方法。
15. 前記絶縁層は、前記複数のエネルギー貯蔵デバイスの周囲に配置される前に、前記複数のエネルギー貯蔵デバイスの間隔に適合して離間した複数の開口を有するように、事前に形成される、請求項１４に記載の方法。
16. 前記支持材料上に複数の電気接続部を形成するステップと、
    前記複数の電気接続部を使用して前記複数のエネルギー貯蔵デバイスを電気的に接続するステップと、
    をさらに含んで構成される、請求項１４に記載の方法。
17. 少なくとも２つの応力担持層の間に少なくとも１つのエネルギー貯蔵層を配置するステップをさらに含み、各応力担持層は繊維強化ポリマー複合体を含んで構成される、請求項１４に記載の方法。