JP2013520418A5

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Publication number: JP2013520418A5
Application number: JP2012553934A
Authority: JP
Filing date: 2011-02-08
Publication date: 2014-03-27
Anticipated expiration: 2031-02-08

Claims

式（Ｉ）の金属−配位子錯体：

｛式中、
各Ｌ^Ｑは、存在しないか、又はＬであり；
各Ｌは、独立に、存在しないか、又はハロゲン原子、水素原子、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビル、Ｒ^ＫＲ^ＬＮ−、Ｒ^ＬＯ−、Ｒ^ＬＳ−又はＲ^ＫＲ^ＬＰ−（ここで、各Ｒ^Ｋ及びＲ^Ｌは、独立に、水素、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル、［（Ｃ_１−Ｃ_１０）ヒドロカルビル］_３Ｓｉ、［（Ｃ_１−Ｃ_１０）ヒドロカルビル］_３Ｓｉ（Ｃ_１−Ｃ_１０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビルであるか、あるいはＲ^ＫとＲ^Ｌが一緒になって（Ｃ_２−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している）であるか、あるいはＬとＬ^Ｑが一緒になって（Ｒ^Ｄ）_２Ｃ＝Ｃ（Ｒ^Ｄ）−Ｃ（Ｒ^Ｄ）＝Ｃ（Ｒ^Ｄ）_２を形成しており、各Ｌは、独立に、Ｍ^１に結合しているモノアニオン性部分であり；
ｎは０〜３の整数であり；
各Ｘは、独立に、存在しないか、又はＲ^ＸＮＲ^ＫＲ^Ｌ、Ｒ^ＫＯＲ^Ｌ、Ｒ^ＫＳＲ^ＬもしくはＲ^ＸＰＲ^ＫＲ^Ｌである中性ルイス塩基基（ここで、各Ｒ^Ｘは、独立に、水素、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル、［（Ｃ_１−Ｃ_１０）ヒドロカルビル］_３Ｓｉ、［（Ｃ_１−Ｃ_１０）ヒドロカルビル］_３Ｓｉ（Ｃ_１−Ｃ_１０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビルであり、Ｒ^Ｋ及びＲ^Ｌは、独立に、先に定義したとおりである）であり；
Ｊは式（Ｊ^１）〜（Ｊ^７）：
Ｒ^ＫＲ^ＬＲ^ＸＰ＝Ｎ− （Ｊ^１），（式中、Ｒ^Ｋ、Ｒ^Ｌ及びＲ^Ｘの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
Ｒ^ＫＲ^ＬＢ−Ｏ− （Ｊ^２），（式中、Ｒ^Ｋ及びＲ^Ｌの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；

（式中、−−−は２つの非局在化したπ結合を示し、
各Ｒ^Ｗ１及びＲ^Ｗ２は独立にＲ^Ｘであり、Ｍ^２はＡｌ−Ｒ^Ａ、Ｇａ−Ｒ^Ａ又はＺｎであり、ここで、各Ｒ^Ａは独立に（Ｃ_１−Ｃ_４０）アルキル、Ｒ^ＫＲ^ＬＮ−又はＲ^ＬＯ−であり、各Ｒ^Ｊは独立に（Ｃ_６−Ｃ_１２）アリールである）；
Ｒ^ＫＲ^ＬＮ−Ｏ− （Ｊ^４），（式中、Ｒ^Ｋ及びＲ^Ｌの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
Ｒ^ＫＲ^ＬＣ＝Ｎ− （Ｊ^５），（式中、Ｒ^Ｋ及びＲ^Ｌの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
Ｒ^Ｋ（Ｒ^ＬＲ^ＸＮ）Ｃ＝Ｎ− （Ｊ^６），（式中、Ｒ^Ｋ、Ｒ^Ｌ及びＲ^Ｘの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
（Ｒ^ＬＲ^ＸＮ）_２Ｃ＝Ｎ− （Ｊ^７），（式中、Ｒ^Ｋ、Ｒ^Ｌ及びＲ^Ｘの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
のいずれか１つのモノアニオン性部分であるか、あるいは、
ｎは１、２又は３であり、１つのＸとＪが一緒になって式（Ｋ^１）〜（Ｋ^６）：

（式中、Ｒ^Ｋ、Ｒ^Ｌ及びＲ^Ｘの各々は、独立に、先に定義したとおりである）
のうちのいずれか１つのモノアニオン性二座部分Ｘ^Ｊ−Ｊ^Ｘを形成しており；
各Ｍ^１は、独立に、第４族金属であり、これは、Ｍ^１がハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）又はチタン（Ｔｉ）であることを意味し、当該金属は＋３又は＋４の形式酸化状態にあり；
ｍは０〜３の整数であり；
各Ｒ^１は、独立に、Ｈ、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビルであり；
Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４の各々は、独立に、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）_２−、（（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル）_２Ｎ−、（（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル）_２Ｐ−、又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビルであるか、あるいは、Ｒ^４は、先に定義したとおりであり、Ｒ^２とＲ^３が一緒になって式（Ｒ^２３）：

（式中、Ｒ^２Ａ及びＲ^３Ａの各々は、独立に、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）_２−、（（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル）_２Ｎ−、（（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル）_２Ｐ−、又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビルである）
のジラジカルを形成しており；
各Ｒ^５は、独立に、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビルであるか；あるいは
Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^１とＲ^４、Ｒ^１とＲ^２Ａ、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^２とＲ^５、Ｒ^２ＡとＲ^３Ａ、Ｒ^２ＡとＲ^５、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^３ＡとＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^１もしくはＲ^５とＸもしくはＪのＲ^Ｋ、又はＲ^１もしくはＲ^５とＬもしくはＪのＲ^Ｌは一緒になって（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであるか；あるいは
Ｒ^１もしくはＲ^５とＬが一緒になって、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン、又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであるか；あるいは
Ｒ^１〜Ｒ^５、Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、ＸもしくはＪのＲ^Ｋ及びＬもしくはＪのＲ^Ｌのうちのいずれか３つ又は４つが一緒になって、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビレンの各三価又は四価の類似体を形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであり；あるいは
Ｒ^１もしくはＲ^５と、Ｒ^１〜Ｒ^５の残りとＲ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、ＸもしくはＪのＲ^Ｋ及びＬもしくはＪのＲ^Ｌのうちのいずれか１つ又は２つとがＬと一緒になって、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン、又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビレンの各三価又は四価の類似体を形成しており、Ｒ^１〜Ｒ^５、Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、ＸもしくはＪのＲ^Ｋ及びＬもしくはＪのＲ^Ｌの残りは先に定義したとおりであり；
上記（Ｃ_６−Ｃ_１２）アリール、（Ｃ_１−Ｃ_１０）ヒドロカルビル、（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビル、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビル、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビル、（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン、（Ｃ_２−Ｃ_４０）ヒドロカルビレン、及び（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヘテロヒドロカルビレンの各々は、独立に、同じであるか又は異なり、置換されていないかもしくは１個以上の置換基Ｒ^Ｓにより置換されており；
各Ｒ^Ｓは、独立に、ハロゲン原子、ポリフルオロ、ペルフルオロ、非置換（Ｃ_１−Ｃ_１８）ヒドロカルビル、Ｆ_３Ｃ−、ＦＣＨ_２Ｏ−、Ｆ_２ＨＣＯ−、Ｆ_３ＣＯ−、オキソ、Ｒ_３Ｓｉ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＳ（Ｏ）−、ＲＳ（Ｏ）_２−、Ｒ_２Ｐ−、Ｒ_２Ｎ−、Ｒ_２Ｃ＝Ｎ−、ＮＣ−、ＲＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＯＣ（Ｏ）−、ＲＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、又はＲ_２ＮＣ（Ｏ）−であり、ここで、各Ｒは独立に非置換（Ｃ_１−Ｃ_１８）ヒドロカルビルであり；
各

は、独立に、結合フラグメントを示し；
各Ｌ、Ｌ^Ｑ、及びｍは、式（Ｉ）の金属−配位子錯体が集合体で中性であるように、金属Ｍ^１の形式酸化状態に応じて選択される｝。
Ｒ^２とＲ^３が一緒になって式（Ｒ^２３）：

のジラジカルを形成しているために、式（Ｉ）の金属−配位子錯体は、式（ＩＩ−Ｂ）、（ＩＩ−Ｅ）、（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩ−Ｈ）又は（ＩＩ−Ｉ）：

［式（ＩＩ−Ｂ）において、各Ｒ^３４は、独立に、Ｃ（Ｒ^３５）_２、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）_２、Ｎ（Ｒ^Ｎ）、Ｓｉ（Ｒ^Ｃ）_２又はＰ（Ｒ^Ｐ）であり、ここで、各Ｒ^３５は、独立に、Ｈ又は（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、各Ｒ^Ｎ、Ｒ^Ｃ及びＲ^Ｐは、独立に、（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルである］；

[式（ＩＩ−Ｅ）において、各−−−−は、存在しないか、又はπ結合である］

［式（ＩＩ−Ａ）において、各Ｒ^３４は、独立に、Ｃ（Ｒ^３５）_２、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）_２、Ｎ（Ｒ^Ｎ）、Ｓｉ（Ｒ^Ｃ）_２又はＰ（Ｒ^Ｐ）であり、ここで、各Ｒ^３５は、独立に、Ｈ又は（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、各Ｒ^Ｎ、Ｒ^Ｃ及びＲ^Ｐは、独立に、（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルである］；

[式（ＩＩ−Ｈ）において、Ｒ^２Ａは、Ｈ又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルであり、Ｒ^３ＡとＲ^４は一緒になって（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している］；又は

［式（ＩＩ−Ｉ）において、Ｒ^２Ａは、Ｈ又は（Ｃ_１−Ｃ_４０）ヒドロカルビルであり、Ｒ^３ＡとＲ^４は一緒になって（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している］
の金属−配位子錯体である、請求項１に記載の金属−配位子錯体。
式（ＩＩＩ）：

［式中、Ｒ ^２Ｂ、Ｒ ^３Ｂ及びＲ ^４の各々は、独立に、（Ｃ _１ −Ｃ _４０）ヒドロカルビル、（Ｃ _１ −Ｃ _４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ _１ −Ｃ _４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ _１ −Ｃ _４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ _１ −Ｃ _４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ） _２ −、（（Ｃ _１ −Ｃ _４０）ヒドロカルビル） _２Ｎ−、（（Ｃ _１ −Ｃ _４０）ヒドロカルビル） _２Ｐ−又は（Ｃ _１ −Ｃ _４０）ヘテロヒドロカルビルである］
の金属-配位子錯体であるか、または、ｎが１であり、ＸとＪが一緒になって式（Ｋ ^１）〜（Ｋ ^６）のいずれか１つの上記のモノアニオン性二座部分Ｘ ^Ｊ −Ｊ ^Ｘを形成していて、かかる金属−配位子錯体は式（ＩＶ）：

により表されるものである、請求項１に記載の金属−配位子錯体。
式（Ｉ）において；あるいは、式（ＩＩ−Ｂ）、（ＩＩ−Ｅ）又は（ＩＩ−Ａ）において；あるいは、式（ＩＩＩ）において、ＪがＲ ^ＫＲ ^ＬＲ ^ＸＰ＝Ｎ−（Ｊ ^１）又はＲ ^ＫＲ ^ＬＣ＝Ｎ−（Ｊ ^５）であり、ｎが０であり、Ｘが存在しない、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属−配位子錯体。
前記金属−配位子錯体が式（１）〜（１２）：

（式中、Ｍｅはメチルであり、ｉ−Ｐｒはｉｓｏ−プロピルを意味し、ｔ−Ｂｕは１，１−ジメチルエチルを意味し、Ｐｈはフェニルを意味する）
のいずれか１つにより表されるものである、請求項１に記載の金属−配位子錯体。