JP2013258240A - チップ部品構造体 - Google Patents

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Abstract

【課題】積層コンデンサによる回路基板での可聴音の発生を抑制し、等価直列インダクタンスを抑制する。
【解決手段】チップ部品構造体１は積層コンデンサ２を搭載するインターポーザー３を備える。インターポーザー３は、部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂ、外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂ、側面電極３４Ａ，３４Ｂ、および孔内電極３５Ａ，３５Ｂを備える。部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂと外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂとの間は、側面電極３４Ａ，３４Ｂと孔内電極３５Ａ，３５Ｂとにより電気的に接続される。部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂはコンデンサ２の外部電極が接合される。
【選択図】 図３

Description

本発明は、積層コンデンサと、そのコンデンサを搭載して回路基板に実装されるインターポーザーとを備えたチップ部品構造体に関する。
現在、チップ部品、特に小型の積層コンデンサが携帯電話等の移動体端末の回路基板に多く利用されている。通常、積層コンデンサは、複数の誘電体層間に内部電極を設けた長方体状の積層体と、積層体の長手方向に対向する両端面に形成された外部電極とから構成される。
一般的に積層コンデンサは、回路基板の実装用ランド上に外部電極を載置し、実装用ランドと外部電極とをはんだ等の接合剤で接合することにより、回路基板に対して電気的、物理的に接続される（例えば、特許文献１参照。）。
このような積層コンデンサは、電圧印加によって微小な機械的歪みが生じ、この歪みが回路基板に伝達されることにより回路基板から可聴音を発生させることがある。これを解決する構成として、他の部材を介在させてコンデンサを回路基板に実装することがある（例えば特許文献２，３参照。）。介在させる部材としては、例えばインターポーザーや導電性支持部材が用いられる。
インターポーザーは、積層コンデンサの外部電極が接合される上面電極と、回路基板の実装用ランドに接合される下面電極と、インターポーザーの側端面に設けられ上面電極と下面電極との間を接続する側面電極と、を備える基板である。
導電性支持部材は、下部が回路基板の実装用ランドに接合される支持脚を備え、対をなす支持脚との間に積層コンデンサを挟み込むことで、積層コンデンサを中空に支持する部材である。
特開平８−５５７５２号公報 特開２００４−１３４４３０号公報 特開２０１０−１２３６１４号公報
一般に、コンデンサでは小さな等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）が望まれるが、インターポーザーを介して積層コンデンサを回路基板に実装する場合には、インターポーザーにおける配線の分だけ電流経路が伸長してＥＳＬが増大する。
インターポーザーの配線によるＥＳＬを低減するには、側面電極の幅を拡大させて配線の断面積を増大させることが有効である。しかしながら、側面電極の幅を拡大させると、側面電極をぬれ上がる接合剤の分量が増大するため、接合剤がコンデンサの外部電極にまで到達し易くなる。すると、コンデンサの歪みが接合剤を介して回路基板に伝わり易くなり、回路基板で可聴音が発生し易くなってしまう。
そこで本発明の目的は、積層コンデンサを回路基板に実装する際にインターポーザーを用いても、回路基板での可聴音の発生を抑制しながらＥＳＬを低減できるチップ部品構造体を実現することにある。
この発明は、インターポーザーに積層コンデンサを搭載したチップ部品構造体に関する。積層コンデンサは積層体と外部電極とを備える。積層体は誘電体層と内部電極とを複数積層した長方体状の構成である。外部電極は、積層体の長手方向の部品端面の両面それぞれに形成され、互いに異なる内部電極に電気的に接続される。インターポーザーは基板本体と部品接続用電極と外部接続用電極と孔内電極とを備える。基板本体は両主面に開口する貫通孔が形成される。部品接続用電極は、インターポーザーの一方の主面である部品搭載面に形成され外部電極に接合される。外部接続用電極はインターポーザーの部品搭載面に対向する主面である基板実装面に形成される。孔内電極は、貫通孔の内部に設けられ、部品接続用電極と外部接続用電極との間を接続する。このような構成で、積層コンデンサの異なる外部電極に接続された孔内電極を同じ貫通孔の内部に設ける。
この構成では、インターポーザーの貫通孔に形成される孔内電極を用いて部品接続用電極と外部接続用電極との間を接続するため、積層コンデンサの外部電極に到達するはんだの分量を抑制できる。
また、積層コンデンサの異なる外部電極に接続された孔内電極を同じ貫通孔の内部に設けると、各孔内電極がインターポーザー内部に生じさせる磁界のループ面が貫通孔を中心にして一致することになり、また、それぞれの孔内電極を流れる電流が逆向きで互いの磁界が打ち消し合うことになる。したがって、孔内電極のインダクタンスが低減される。
上述のチップ部品構造体は、基板本体の部品搭載面および基板実装面に交差する基板端面に、外部接続用電極と部品接続用電極とに直接接続して形成される側面電極を備えてもよい。
この構成では、側面電極と部品接続用電極とが直接接続されるために、部品接続用電極と外部接続用電極との間に側面電極と孔内電極とが並列に接続されることになる。したがって、電流経路が分散してチップ部品構造体の全体としてのＥＳＬを低減できる。
上述のチップ部品構造体のインターポーザーは、側面電極が形成される各基板端面を、各基板端面に平行する積層体の部品端面よりも外側に配した構成であると好適である。
また、上述のチップ部品構造体の側面電極は、主面法線方向から視て基板端面から積層コンデンサに重なる位置まで入り込む溝の内部に形成された構成であると好適である。
これらの構成では、インターポーザーの側面電極をぬれ上がって積層コンデンサの外部電極に到達する接合剤の分量を抑制でき、回路基板での可聴音の発生を抑制できる。
上述のチップ部品構造体は、基板端面に部品接続用電極および外部電極から離間し、外部接続用電極に直接接続して形成される側面電極を備えてもよい。
この構成では、部品接続用電極や外部電極から側面電極が離間しているために、側面電極を濡れ上がるはんだが、部品接続用電極や積層コンデンサの外部電極に到達しにくくなり、回路基板での可聴音の発生を抑制できる。
上述のチップ部品構造体の貫通孔は、基板本体の各主面に対向する空間同士を連通させると好適である。
チップ部品構造体は、回路基板の実装用ランド上にフラックスおよび接合剤を設け、その上にチップ部品構造体を載置し、接合剤を固化させることにより、回路基板への実装が行われる。実装後には固化した接合剤の周囲にフラックスの残滓が残り周囲の電極を腐食させる恐れがある。そのため実装後にはフラックスの残滓を洗浄する必要がある。しかしながら、回路基板とインターポーターとの間隙にフラックスの残滓が残留していると、その残滓を十分に洗浄することが困難である。そこで、インターポーザーに設ける貫通孔が両主面に対向する空間の間を連通する構成により、回路基板とインターポーターとの間隙からの空気や洗浄剤の抜けを改善し、フラックスの残滓の洗浄効率を高めることができる。
または、この発明は、インターポーザーに積層コンデンサを搭載したチップ部品構造体に関する。インターポーザーは基板本体と部品接続用電極と外部接続用電極と側面電極と孔内電極とを備える。基板本体は両主面に開口する貫通孔が形成される。部品接続用電極は、インターポーザーの一方の主面である部品搭載面に形成され外部電極に接合される。外部接続用電極はインターポーザーの部品搭載面に対向する主面である基板実装面に形成される。側面電極は、インターポーザーの部品搭載面および基板実装面に交差する基板端面に形成され部品接続用電極と基板接続用電極との間を電気的に接続する。孔内電極は、貫通孔の内部に形成され、側面電極と並列に部品接続用電極と外部接続用電極との間を接続する。
この構成では、インターポーザーの貫通孔に形成される孔内電極を用いて、部品接続用電極と外部接続用電極との間を接続することで、側面電極の線路幅が狭くとも孔内電極により電流経路を確保してＥＳＬを抑制できる。そして、側面電極の線路幅を狭くすることで、側面電極をぬれ上がる接合剤の分量を抑制して回路基板での可聴音の発生を抑制することが可能になる。
この発明に示すチップ部品構造体を用いれば、積層コンデンサの外部電極に到達するはんだの分量を抑制でき、回路基板での可聴音の発生を抑制できる。また、各孔内電極がインターポーザー内部に生じさせる磁界同士が打ち消し合うことや、側面線路との併用により電流経路を分散させることになるため、孔内電極や側面線路のインダクタンスを低減してＥＳＬを大幅に低減できる。
第１の実施形態に係る積層コンデンサの構成を説明する図である。 第１の実施形態に係るインターポーザーの構成を説明する図である。 第１の実施形態に係るチップ部品構造体の構成を説明する図である。 第１の実施形態に係るチップ部品構造体の実装状態を説明する図である。 チップ部品構造体の有限要素解析例を説明する図である。 有限要素解析例に基づいてＥＳＬ低減効果を説明する図である。 第２の実施形態に係るチップ部品構造体の構成を説明する図である。 第３の実施形態に係るチップ部品構造体の構成を説明する図である。 第４の実施形態に係るチップ部品構造体の構成を説明する図である。 第５の実施形態に係るチップ部品構造体の構成を説明する図である。 第６の実施形態に係るチップ部品構造体の構成を説明する図である。
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態に係るチップ部品構造体１について説明する。
構造体１は詳細構造を後述する積層コンデンサ２とインターポーザー３とを備える。
図１（Ａ）はコンデンサ２の平面図、図１（Ｂ）は正面図、図１（Ｃ）は右側面図である。
コンデンサ２は積層体２１と外部電極２２Ａ，２２Ｂと内部電極２３とを備える。積層体２１は、長手方向の両端面（同図における左側面および右側面）が略正方形の長方体状であり、複数の誘電体層を短手方向に積層して構成される。内部電極２３は積層体２１の内部に誘電体層を挟んで積層される。外部電極２２Ａは、積層体２１の長手方向の第１端面（同図における左側面）と、積層体２１の短手方向の四側面（同図における正面、背面、天面、底面）における第１端面から一定距離の領域とに設けられている。外部電極２２Ｂは、積層体２１の長手方向の第２端面（同図における右側面）と、積層体２１の短手方向の四側面における第２端面から一定距離の領域とに設けられる。
なお、外部電極２２Ａ，２２Ｂには、耐腐食性や導電性を加味して所定の金属メッキが施されていてもよい。また、コンデンサ２としては一般に普及している外形寸法のものを利用すると良く、例えば、長手方向寸法×短手方向寸法が３．２mm×１．６mm、２．０mm×１．２５mm、１．６mm×０．８mm、１．０mm×０．５mm、０．６mm×０．３mmなどのものを利用することができる。
図２（Ａ）はインターポーザー３の平面図、図２（Ｂ）は正面図、図２（Ｃ）は右側面図、図２（Ｄ）は底面図、図２（Ｅ）は側面断面図、図２（Ｆ）は正面断面図である。
インターポーザー３は基板本体３１と部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂと外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂと側面電極３４Ａ，３４Ｂと孔内電極３５Ａ，３５Ｂとを備える。
基板本体３１は材質が絶縁性樹脂であり、天面（部品搭載面）および底面（基板実装面）に直交する主面法線方向の厚みが例えば0.5mm〜1.0mm程度であり、主面法線方向から視た平面形状を略矩形状としている。
また基板本体３１は、溝部３１Ａおよび貫通孔３１Ｂを設けている。溝部３１Ａは、長手方向の両端面である第１端面および第２端面（同図における左側面および右側面）それぞれに設けられていて、平面形状が半円弧状であり、奥行き方向（同図における正面及び背面に対して垂直な方向）の中央から主面法線方向に延設されている。貫通孔３１Ｂは、基板本体３１の主面の中央に円形状で設けられ、両主面間を貫通する。
部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂは基板本体３１の天面に長手方向に配列して形成している。部品接続用電極３２Ａは、基板本体３１の天面と第１端面との境界線の全長に亘る幅で、その境界線から一定距離の矩形領域に形成している。部品接続用電極３２Ｂは、基板本体３１の天面と第２端面との境界線の全長に亘る幅で、その境界線から一定距離の矩形領域に形成している。
なお、部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂは、基板本体３１の天面と第１・第２端面との境界線から貫通孔３１Ｂに達するような形状であればどのような形状であっても良い。例えば、コンデンサ２の外部電極２２Ａ，２２Ｂの平面形状に略一致する平面形状とすれば、所謂セルフアライメント効果により所望の位置にコンデンサ２を高い精度で実装できる。
外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂは基板本体３１の底面に長手方向に配列して形成している。外部接続用電極３３Ａは、基板本体３１の底面と第１端面との境界線における両脇の一定寸法を除く幅で、その境界線から一定距離の矩形領域に形成している。外部接続用電極３３Ｂは、基板本体３１の底面と第２端面との境界線における両脇の一定寸法を除く幅で、その境界線から一定距離の矩形領域に形成している。
なお、外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂは基板本体３１の底面と第１・第２端面との境界線から貫通孔３１Ｂに達するような形状であればどのような形状であっても良い。例えば、構造体１を実装する回路基板の実装用ランドに応じて形状を設定すればよい。
側面電極３４Ａ，３４Ｂは、溝部３１Ａの円弧状の側壁面に形成している。側面電極３４Ａは部品接続用電極３２Ａと外部接続用電極３３Ａとを導通させる。側面電極３４Ｂは部品接続用電極３２Ｂと外部接続用電極３３Ｂとを導通させる。
孔内電極３５Ａ，３５Ｂは、貫通孔３１Ｂの側壁面に形成している。孔内電極３５Ａは貫通孔３１Ｂの左側面側の領域に設けられ部品接続用電極３２Ａと外部接続用電極３３Ａとを導通させる。孔内電極３５Ｂは貫通孔３１Ｂの右側面側の領域に設けられ部品接続用電極３２Ｂと外部接続用電極３３Ｂとを導通させる。
図３（Ａ）は構造体１の外観斜視図、図３（Ｂ）は平面図、図３（Ｃ）は正面図、図３（Ｄ）は右側面図、図３（Ｅ）は底面図、図３（Ｆ）は正面断面図である。
構造体１は前述のコンデンサ２をインターポーザー３に搭載して構成している。なお、インターポーザー３に対するコンデンサ２の搭載面は、短手方向の四側面（前述の正面、背面、天面、底面）のいずれであってもよい。本実施形態では、基板本体３１の平面形状をコンデンサ２の平面形状よりも若干大きくしている。
コンデンサ２は、外部電極２２Ａ，２２Ｂが溝部３１Ａに部分的に重なるようにインターポーザー３に搭載され、外部電極２２Ａ，２２Ｂが部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂに接合される。これにより、コンデンサ２の外部電極２２Ａ，２２Ｂが、インターポーザー３の部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂと、側面電極３４Ａ，３４Ｂおよび孔内電極３５Ａ，３５Ｂと、を介して外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂに接続される。
なお、外部電極２２Ａ，２２Ｂと部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂとの接合法はどのようなものであってもよいが、例えば部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂや外部電極２２Ａ，２２Ｂに予め再溶融可能な金属メッキ（例えば錫メッキ）を設けておき、その金属メッキの再溶融により実現することができる。このような接合法を用いることにより、部品接続用電極３２Ａ，３２Ｂと外部電極２２Ａ，２２Ｂとの間は再溶融した金属メッキにより電気的、機械的に接続することができる。なお、その他の接合法を用いても良く、例えばはんだ等の接合剤を利用して、コンデンサ２とインターポーザー３とを接合してもよい。
図４（Ａ）は構造体１を回路基板１００に実装した状態での斜視図であり、図３（Ｂ）は正面図、図３（Ｃ）は右側面図である。
構造体１は接合剤としてはんだ２００を用いて回路基板１００に実装される。回路基板１００は、はんだペーストおよびフラックスが塗布される実装用ランド１０１Ａ，１０１Ｂを備え、実装用ランド１０１Ａ，１０１Ｂ上に構造体１の外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂを接触させた状態で、はんだペーストを溶融、固化させることにより、構造体１は回路基板１００に実装される。はんだペーストを溶融、固化させると、溶融はんだが構造体１の側面電極３４Ａ，３４Ｂをぬれ上がりフィレットが形成される。
はんだ２００のフィレットは、少なくとも実装用ランド１０１Ａ，１０１Ｂから側面電極３４Ａ，３４Ｂにかけて形成される。したがって、構造体１と回路基板１００との間を十分な接合強度で接合することができる。また、構造体１の回路基板１００からの浮きを防ぐことができる。また、フィレット形状から接合不良を目視確認することができる。接合剤としては、はんだ２００の他、適切なぬれ性を有し導電性を有するものであれば、どのような接合剤を用いてもよい。
このような構成の構造体１では、孔内電極３５Ａ，３５Ｂを設けることによって、側面電極３４Ａ，３４Ｂのみを設ける場合よりも配線断面積が増加し、構造体１の全体としてのＥＳＬが低減したものになる。特に、インターポーザー３の略中心付近に設けた単一の貫通孔３１Ｂに２つの孔内電極３５Ａ，３５Ｂを設けることにより、孔内電極３５Ａ，３５Ｂのそれぞれから貫通孔３１Ｂを中心にして逆極性（逆回転）の磁界が生じ、磁界が互いに打ち消し合うことでＥＳＬが顕著に低減される。
このため、孔内電極３５Ａ，３５Ｂを設けることで、側面電極３４Ａ，３４Ｂの線路幅を細いものとしても、構造体１のＥＳＬを低いものにできる。すると、側面電極３４Ａ，３４Ｂからインターポーザー３の上面側までぬれ上がるはんだ２００の分量を抑制することができる。
また、インターポーザー３の基板端面がコンデンサ２の部品端面から離間し、コンデンサ２の底面側に溝部３１Ａが入り込み、その溝部３１Ａの側壁面のみに側面電極３４Ａ，３４Ｂを形成している構成のため、側面電極３４Ａ，３４Ｂからコンデンサ２の底面を超えてインターポーザー３の上面側にはんだ２００がぬれ上がり難くなる。したがって、はんだペーストの供給量がある程度大きくても、コンデンサ２の両端面の外部電極２２Ａ，２２Ｂにまではんだ２００がぬれ上がり難くなり、外部電極２２Ａ，２２Ｂに到達するはんだ２００の分量を抑制することができる。例えば、実装用ランド１０１Ａ，１０１Ｂにコンデンサ２を直接実装する場合と同程度のはんだ量であれば、外部電極２２Ａ，２２Ｂまでぬれ上がるはんだ２００の高さ（Ｈｔｈ）を、最大でも底面から略１／４〜略１／３程度に制限することができる。
このため、コンデンサ２と回路基板１００とは、はんだ２００を介して直接的に接合されるのではなく、実質的にインターポーザー３を介して間接的に接合されることになり、実装用ランド１０１Ａ，１０１Ｂから電圧を印加することで生じるコンデンサ２の歪みが、はんだ２００を介して直接的に回路基板１００に伝達されることがなくなり、回路基板１００で生じる可聴音を大幅に低減することができる。
なお、構造体１の回路基板１００への実装後には、はんだ２００の周囲にフラックスの残滓が残ることがある。フラックスの残滓は周囲の電極を腐食させて錆などを生じさせるため、実装後には洗浄によりフラックスの残滓を除去すると好適である。本構成では、貫通孔３１Ｂがインターポーザー３の両主面に対向する空間それぞれに開口して、それらの空間の間を通気させるため、洗浄処理液や空気が貫通孔３１Ｂを介して上部や下部に抜け易く、コンデンサ２とインターポーザー３との間の間隙を効果的に洗浄することができる。
次に、孔内電極を設けることによるＥＳＬの低減効果について、模式構成に対する有限要素法解析例に基づいて説明する。
図５（Ａ）は、有限要素解析に用いた第１の模式構成を示す図である。この構成は、溝部３１Ａおよび側面電極３４Ａ，３４Ｂを省き、貫通孔３１Ｂに設けた孔内電極３５Ａ，３５Ｂ（不図示）を介して部品搭載用電極３２Ａ，３２Ｂに交流電圧を印加する構成である。
図５（Ｂ）は有限要素解析に用いた第２の模式構成を示す図である。この構成は、貫通孔３１Ｂおよび孔内電極３５Ａ，３５Ｂを省き、溝部３１Ａに設けた側面電極３４Ａ，３４Ｂ（不図示）を介して部品搭載用電極３２Ａ，３２Ｂに交流電圧を印加する構成である。
有限要素解析では、これらの構成を用い、回路基板のペアライン上にサイズ2.2×1.4×0.1mmのインターポーザー３を設置し、サイズ1.6×0.8×0.8mm、静電容量10μFのコンデンサ２をインターポーザー３上に搭載した状態で、ペアラインから交流電圧を印加した。
図６（Ａ）は、周波数100MHzにおける第１の模式構成での磁界分布を示す図であり、図６（Ｂ）は、第２の模式構成での磁界分布を示す図である。
有限要素解析によれば、インターポーザーの内部での磁界分布が、第２の模式構成よりも第１の模式構成でより小さく、孔内電極のみを設ける第１の模式構成ではＥＳＬが低減されることが確認された。このことは、単一の貫通孔内に２つの孔内電極を設ける第１の模式構成では、各孔内電極を中心にした逆極性（逆回転）の磁界同士が打ち消し合ったためと考えられる。
また、上記構成毎にＳパラメータを解析し、Ｓパラメータから各構成の周波数−インピーダンス特性を求めた。
図６（Ｃ）は、解析によって得られた各構成の周波数−インピーダンス特性を示す図である。第１の模式構成では、インピーダンスが最も低下する周波数（共振周波数）が第２の模式構成よりも低く、このため、その共振周波数よりも高域側の帯域で第２の模式構成よりも低いインピーダンスが得られ、低域側の帯域で第２の模式構成よりも高いインピーダンスが得られた。例えば共振周波数よりも高域側の周波数50MHzでは、第１の模式構成はインダクタンス248pHであり、第２の模式構成のインダクタンス312pHよりも、20％ほど小さいインダクタンスであった。このインピーダンス解析によっても、孔内電極のみを設ける第１の模式構成ではＥＳＬが低減されることが確認できた。
なお、ここで示したように側面電極を設けずに孔内電極のみを設ける構成でもＥＳＬを低減する効果は得られるが、インターポーザーに側面電極と孔内電極とを併設する構成では電流経路が分散するため、孔内電極のみを設ける構成よりもＥＳＬが確実に低減することになる。したがって、第1の実施形態で示したインターポーザーに側面電極と孔内電極とを併設する構成は、大幅にＥＳＬを低減できることがわかる。
《第２の実施形態》
図７（Ａ）は第２の実施形態に係るチップ部品構造体１Ａの平面図、図７（Ｂ）は正面断面図、図７（Ｃ）は底面図である。
本実施形態のチップ部品構造体１Ａは、第１の実施形態のチップ部品構造体１に対して、積層コンデンサ２の構造は同じであるが、サイズが異なるインターポーザー３Ａを備える点で相違する。そのため以下の説明では、第１の実施形態の構成と対応する構成には同じ符号を付す。
インターポーザー３Ａは平面視した外形が積層コンデンサ２とほとんど同じである。そのため、基板本体３１の長手方向の両端面に設ける溝部３１Ａはコンデンサ２の外部電極２２Ａおよび外部電極２２Ｂの底面下に円弧の全体が入り込む。
このような構成でも、側面電極３４Ａ，３４Ｂを濡れ上がるはんだが、コンデンサ２の底面によってインターポーザー３Ａの上面側への回り込みを阻害されるため、外部電極２２Ａ，２２Ｂに到達するはんだ量を抑制して振動音抑制効果が得られる。
また、本実施形態の構成では、インターポーザー３Ａの平面視した面積が、積層コンデンサ２単体と同じであるので、インターポーザー３Ａを用いても実装面積が拡大することがない。したがって必要最小限の実装面積で構造体１Ａを実装することができる。
《第３の実施形態》
図８（Ａ）は第３の実施形態に係るチップ部品構造体１Ｂの平面図、図８（Ｂ）は正面断面図、図８（Ｃ）は底面図である。
本実施形態のチップ部品構造体１Ｂは、第１の実施形態のチップ部品構造体１に対して、積層コンデンサ２の構造は同じであるが、サイズが異なるインターポーザー３Ｂを備える点で相違する。そのため以下の説明では、第１の実施形態の構成と対応する構成には同じ符号を付す。
インターポーザー３Ｂは第１の実施形態に示したインターポーザー３よりもさらに広い面積で構成する。そして、基板本体３１の長手方向の両端面に設ける溝部３１Ａは主面法線方向から視てコンデンサ２の外部電極２２Ａおよび外部電極２２Ｂと重ならず円弧の全体が露出する。
このような構成であっても、インターポーザー３Ｂの基板端面とコンデンサ２の部品端面とが大きく離間しているので、外部電極２２Ａ，２２Ｂへのはんだの到達とぬれ上がりを抑制して振動音抑制効果を得ることができる。
なお、この構成での外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂは回路基板の実装用ランドの形状に応じて適宜形状を設定すればよい。また、溝部３１Ａは省略することもでき、この場合、側面電極３４Ａ，３４Ｂは基板端面に適宜形成すればよい。
《第４の実施形態》
図９（Ａ）は第４の実施形態に係るチップ部品構造体１Ｃの斜視図であり、図９（Ｂ）はその右側面図、図９（Ｃ）は底面図である。
本実施形態のチップ部品構造体１Ｃは、第１の実施形態のチップ部品構造体１に対して、積層コンデンサ２の構造は同じであるが、形状が異なるインターポーザー３Ｃを備える点で相違する。そのため以下の説明では、第１の実施形態の構成と対応する構成には同じ符号を付す。
インターポーザー３Ｃは長手方向の基板端面がコンデンサの基板端面の位置と一致し、短手方向の基板端面がコンデンサの基板端面よりも外側に位置する。このような構成であっても、上述と同様の振動音抑制効果を得ることができる。則ち、溝部３１Ａをコンデンサ２の下部に設けることにより、溝部３１Ａの側面電極３４Ａ，３４Ｂを濡れ上がるはんだが、溝部３１Ａよりもコンデンサ２の外形の外側の領域で濡れ上がることを殆ど無くし、コンデンサ２の外部電極２２Ａ，２２Ｂを濡れ上がるはんだの高さを効果的に抑制することができる。
《第５の実施形態》
図１０は、第５の実施形態に係るチップ部品構造体１Ｄの斜視図である。
本実施形態のチップ部品構造体１Ｄは、第３の実施形態のチップ部品構造体１Ｂに対して、積層コンデンサ２の構造は同じであるが、部品搭載用電極の形状が異なるインターポーザー３Ｄを備える点で相違する。そのため以下の説明では、第３の実施形態の構成と対応する構成には同じ符号を付す。
インターポーザー３Ｄは、電極端部が側面電極３４Ａ，３４Ｂから離間する部品搭載用電極３２Ｃ，３２Ｄを備える。このため、側面電極３４Ａ，３４Ｂは、それぞれ外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂに対してのみ直接接続されていて、外部接続用電極３３Ａ，３３Ｂと部品搭載用電極３２Ｃ，３２Ｄとの電気的な接続は、孔内電極３５Ａ，３５Ｂのみを介して実現されている。
この構成では、側面電極３４Ａ，３４Ｂをはんだが濡れ上がっても、そのはんだが積層コンデンサ２の外部電極２２Ａ，２２Ｂに到達しにくく、回路基板での可聴音の発生を効果的に抑制することができる。なお、孔内電極３５Ａ，３５Ｂをはんだが濡れ上がることになるが、そのはんだは、積層コンデンサ２の底面によって積層コンデンサ２の側面への回り込みが阻害されるため、十分に少ない分量となり、孔内電極３５Ａ，３５Ｂを濡れ上がるはんだによって回路基板に積層コンデンサ２の歪みが伝わることを抑制できる。
《第６の実施形態》
図１１（Ａ）は第６の実施形態に係るチップ部品構造体１Ｅの平面図であり、図１１（Ｂ）はその正面断面図である。
本実施形態のチップ部品構造体１Ｅは、第１の実施形態のチップ部品構造体１に対して、積層コンデンサ２の構造は同じであるが、貫通孔の形状が異なるインターポーザー３Ｅを備える点で相違する。そのため以下の説明では、第１の実施形態の構成と対応する構成には同じ符号を付す。
インターポーザー３Ｅの基板本体３１は、貫通孔内に電極材が充填された構成の孔内電極３５Ｃ，３５Ｄを備える。孔内電極３５Ｃ，３５Ｄは部品搭載用電極３２Ａ，３２Ｂそれぞれの略中央となる位置に設けている。このような構成であっても、ＥＳＬ低減効果を得ることができる。なお、孔内電極３５Ｃ，３５Ｄの数をより多くてもよく、また、第１の実施形態と同様の構成の孔内電極と併用するようにしてもよい。いずれにしても、孔内電極を設けることによりＥＳＬを抑制しながら、回路基板に生じる可聴音を効果的に抑制することができる。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ…チップ部品構造体
２…積層コンデンサ
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ…インターポーザー
２１…積層体
２２Ａ，２２Ｂ…外部電極
２３…内部電極
３１…基板本体
３１Ａ…溝部
３１Ｂ…貫通孔
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ…部品接続用電極
３３Ａ，３３Ｂ…外部接続用電極
３４Ａ，３４Ｂ…側面電極
３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｄ…孔内電極
１００…回路基板
１０１Ａ，１０１Ｂ…実装用ランド
２００…はんだ

Claims (11)

  1. 誘電体層と内部電極とを複数積層した直方体状の積層体と、前記積層体の長手方向の部品端面の両面それぞれに形成され互いに異なる内部電極に電気的に接続される外部電極と、を備える積層コンデンサ、および、
    両主面に開口する貫通孔が形成された平板状の基板と、前記基板の一方の主面である部品搭載面に形成され前記外部電極に接合される部品接続用電極と、前記基板の前記部品搭載面に対向する主面である基板実装面に形成される外部接続用電極と、前記貫通孔の内部に形成され前記部品接続用電極と前記外部接続用電極との間を接続する孔内電極と、を備え、前記積層コンデンサの異なる外部電極に接続された孔内電極を同じ貫通孔の内部に設けたインターポーザー、
    を備えるチップ部品構造体。
  2. 前記基板の前記部品搭載面および前記基板実装面に交差する基板端面に、前記外部接続用電極と前記部品接続用電極とに直接接続して形成される側面電極を備える、請求項１に記載のチップ部品構造体。
  3. 前記インターポーザーは、前記側面電極が形成される各基板端面を、各基板端面に平行する前記積層体の部品端面よりも外側に配した構成である、請求項１または２に記載のチップ部品構造体。
  4. 前記側面電極は、前記インターポーザーを主面法線方向から視て、前記基板端面から前記積層コンデンサに重なる位置まで入り込む溝の内部に形成される、請求項１〜３のいずれかに記載のチップ部品構造体。
  5. 前記基板の前記部品搭載面および前記基板実装面に交差する基板端面に、前記部品接続用電極および前記外部電極から離間し、前記外部接続用電極に直接接続して形成される側面電極を備える、請求項１に記載のチップ部品構造体。
  6. 前記貫通孔は、前記基板本体の各主面に対向する空間同士を連通させる、請求項１〜５のいずれかに記載のチップ部品構造体。
  7. 誘電体層と内部電極とを複数積層した直方体状の積層体と、前記積層体の長手方向の部品端面の両面それぞれに形成され互いに異なる内部電極に電気的に接続される外部電極と、を備える積層コンデンサ、および、
    両主面に開口する貫通孔が形成された平板状の基板と、前記基板の一方の主面である部品搭載面に形成され前記外部電極に接合される部品接続用電極と、前記基板の前記部品搭載面に対向する主面である基板実装面に形成される外部接続用電極と、前記基板の前記部品搭載面および前記基板実装面に交差する基板端面に形成され前記部品接続用電極と前記外部接続用電極とを電気的に接続する側面電極と、前記貫通孔の内部に形成され前記側面電極と並列に前記部品接続用電極と前記外部接続用電極との間を接続する孔内電極と、を備えるインターポーザー、
    を備えるチップ部品構造体。
  8. 前記貫通孔は、前記基板の各主面に対向する空間同士を連通させる、請求項７に記載のチップ部品構造体。
  9. 前記部品接続用電極と前記外部接続用電極と前記側面電極と前記孔内電極との組を２組備え、各組の孔内電極を同一の貫通孔の内部に設けた、請求項７〜８のいずれかに記載のチップ部品構造体。
  10. 前記側面電極は、前記インターポーザーを主面法線方向から視て、前記基板端面から前記積層コンデンサに重なる位置まで入り込む溝の内部に形成される、請求項７〜９のいずれかに記載のチップ部品構造体。
  11. 前記インターポーザーは、前記側面電極が形成される各基板端面を、各基板端面に平行する前記セラミック積層体の部品端面よりも外側に配した構成である、請求項７〜１０のいずれかに記載のチップ部品構造体。
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