JP6256306B2 - 電子部品内蔵基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、コア基板と、コア基板の一方主面に実装された電子部品と、その電子部品を埋設して設けられた樹脂層とを備える電子部品内蔵基板、およびその製造方法に関するものである。

近年、携帯型電子機器の薄型化を受けて、国際公開第２０１１／１３５９２６号（特許文献１）のように、基板内部に電子部品を埋設することにより基板の薄型化を図った電子部品内蔵基板が提案されている。

図１７は、特許文献１に記載されている電子部品内蔵基板１００の断面図である。図１７に記載の電子部品内蔵基板１００では、コア基板１０８に電子部品１０１、１０２が実装され、それらの電子部品１０１、１０２が埋設されるように樹脂層１０９が形成されている。

このような電子部品内蔵基板１００は、軽量であり、かつセラミック基板のように高温焼成を伴わないため、内蔵する電子部品に制約が少ないという利点がある。

ここで、特許文献１に記載の電子部品内蔵基板１００の樹脂層１０９に埋設される電子部品１０１、１０２として、積層セラミックコンデンサを考える。図１８に、積層セラミックコンデンサ２０１の断面図を示す。

積層セラミックコンデンサ２０１は、セラミック積層体２０２と、セラミック積層体２０２の表面に設けられる第１の外部電極２０３および第２の外部電極２０４とを備える。セラミック積層体２０２は、セラミック誘電体層２０５が第１の内部電極２０６と第２の内部電極２０７との間に挿入されてなるコンデンサ素子が、並列接続されて積層されたものである。そのような積層セラミックコンデンサ２０１は、信頼性および耐久性に優れ、小型でありながら大容量を実現することができる。

小型大容量の積層セラミックコンデンサ２０１は、セラミック積層体２０２を構成するセラミック誘電体層２０５の材料として、チタン酸バリウムを基本材料とする高誘電率のセラミック材料を用いることが多い。そのようなセラミック積層体２０２を備える積層セラミックコンデンサ２０１に電圧を印加すると、電歪効果および逆圧電効果により、印加された電圧の大きさに応じた歪みがセラミック積層体２０２に発生する。それに伴い、セラミック積層体２０２が、積層方向への膨張、積層方向と直交する面方向への収縮を繰り返す。

近年、積層セラミックコンデンサ２０１の小型化・薄層化の進展に伴い、誘電体に印加される電界強度が高くなったため、上記のセラミック積層体２０２の歪みの度合いも大きくなっている。

ここで、図１９（Ａ）に示すように、積層セラミックコンデンサ２０１が、はんだなどの接合部材Ｓにより基板Ｂに実装された場合を考える。積層セラミックコンデンサ２０１に電圧が印加されると、図１９（Ｂ）に示すように、セラミック積層体２０２に発生した歪みが、接合部材Ｓを介して積層セラミックコンデンサ２０１に固着されている基板Ｂを振動させる。

このような基板Ｂの振動は、基板Ｂに例えばショックセンサなどの加速度センサが実装されていた場合、加速度センサの誤作動を引き起こす可能性がある。

また、その振動数が可聴域である２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚである場合、可聴音として人間の耳に認識される。この現象は「鳴き（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｎｏｉｓｅ）」とも言われ、電子機器の静寂化に伴い、ノートパソコン、携帯電話、デジタルカメラなどの様々なアプリケーションの電源回路などにおける設計の課題となっている。

国際公開第２０１１／１３５９２６号

積層セラミックコンデンサ２０１を上記のように基板Ｂに接合部材Ｓにより実装し、さらに特許文献１に記載のように樹脂層に埋設した場合、接合部材Ｓと樹脂層とが共にセラミック積層体２０２の歪みを基板Ｂに伝達することが考えられる。その場合、前述の基板Ｂの振動が大きくなり、また可聴音が大きくなることが懸念される。

そこで、この発明の目的は、樹脂層に埋設されている電子部品に電圧の印加による歪みが発生したとしても、振動が低減され、さらに振動による可聴音の発生が防止または低減された電子部品内蔵基板、およびその製造方法を提供することである。

この発明では、樹脂層に埋設されている電子部品に電圧の印加による歪みが発生したとしても、電子部品内蔵基板の振動を低減し、さらに振動による可聴音の発生を防止または低減するため、樹脂層の形態についての改良が図られる。

この発明は、まず電子部品内蔵基板に向けられる。

この発明に係る電子部品内蔵基板は、コア基板と、コア基板の一方主面に実装された、少なくとも１つの電子部品と、コア基板の一方主面に、電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える。

上記の電子部品は、積層体と、第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサである。

積層体は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、その静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含む。また、積層体は、コンデンサ素子の積層方向と平行で、互いに対向する２つの端面と、２つの端面を接続する側面とを有する。

第１の外部電極および第２の外部電極は、積層体の端面上に設けられる端面部を有し、その端面部において第１の内部電極および第２の内部電極とそれぞれ接続される。

そして、樹脂層と第１の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材との間に第１の隙間が形成されており、樹脂層と第２の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材との間に第２の隙間が形成されている。

上記の電子部品内蔵基板では、電子部品に電圧印加による歪みが発生したとしても、第１の隙間および第２の隙間が形成されているため、電子部品の端面近傍の歪みが樹脂層に伝達されない。

したがって、樹脂層を介した電子部品の端面近傍の歪みのコア基板への伝達が遮断されることにより、電子部品内蔵基板の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

この発明に係る電子部品内蔵基板における第１の好ましい実施形態では、第１の隙間は、樹脂層より弾性率の低い第１の挿入部材を備えており、第２の隙間は、樹脂層より弾性率の低い第２の挿入部材を備えている。

上記の電子部品内蔵基板では、電子部品に電圧印加による歪みが発生したとしても、電子部品の端面近傍の歪みは、弾性率が低く、容易に変形する第１の挿入部材および第２の挿入部材により緩和される。

したがって、樹脂層を介した電子部品の歪みのコア基板への伝達が抑制されることにより、電子部品内蔵基板の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

また、第１の隙間が第１の挿入部材を備え、第２の隙間が第２の挿入部材を備えることにより、隙間すなわち空洞の形成された樹脂層を、隙間の形成されていない状態に近づけることができる。そのため、耐湿性や電子部品内蔵基板の剛性を、第１の隙間および第２の隙間が形成されただけの状態から向上させることができる。

この発明に係る電子部品内蔵基板における第２の好ましい実施形態では、樹脂層と、積層体の第１の外部電極および第２の外部電極により被覆されていない箇所との間に、第３の隙間がさらに形成されている。

上記の電子部品内蔵基板では、電子部品に電圧印加による歪みが発生したとしても、第１の隙間および第２の隙間に加えて第３の隙間が形成されているため、電子部品の端面近傍および側面近傍の歪みが樹脂層に伝達されない。

したがって、樹脂層を介した電子部品の歪みのコア基板への伝達がさらに遮断されることにより、電子部品内蔵基板の振動がさらに低減され、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減される。

この発明に係る電子部品内蔵基板における第３の好ましい実施形態では、第３の隙間は、前記樹脂層より弾性率の低い第３の挿入部材を備えている。

上記の電子部品内蔵基板では、電子部品に電圧印加による歪みが発生したとしても、電子部品の端面近傍および側面近傍の歪みが、弾性率が低く、容易に変形する第１ないし第３の挿入部材により緩和される。

したがって、樹脂層を介した電子部品の歪みのコア基板への伝達がさらに抑制されることにより、電子部品内蔵基板の振動がさらに低減され、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減される。

また、前述の第１の挿入部材および第２の挿入部材と同様に、第３の隙間が第３の挿入部材を備えることにより、隙間すなわち空洞の形成された樹脂層を、隙間の形成されていない状態に近づけることができる。そのため、耐湿性や電子部品内蔵基板の剛性を、第３の隙間が形成されただけの状態から向上させることができる。

また、この発明は、電子部品内蔵基板の製造方法にも向けられる。

この発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、コア基板と、コア基板の一方主面に実装された、少なくとも１つの電子部品と、コア基板の一方主面に、電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える電子部品内蔵基板を対象とする。

上記の電子部品は、積層体と、第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサである。

積層体は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、その静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含む。また、積層体は、コンデンサ素子の積層方向と平行で、互いに対向する２つの端面と、２つの端面を接続する側面とを有する。

第１の外部電極および第２の外部電極は、積層体の端面上に設けられる端面部を有し、その端面部において第１の内部電極および第２の内部電極とそれぞれ接続される。

そして、この発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、実装工程と、隙間形成部材付与工程と、未硬化樹脂層付与工程と、樹脂層形成工程と、を備える。

実装工程は、コア基板の一方主面に、電子部品を実装する工程である。

隙間形成部材付与工程は、コア基板に実装された電子部品の第１の外部電極の端面部上およびその端面部上の接合部材上に、加熱によって除去される第１の隙間形成部材を付与し、第２の外部電極の端面部上およびその端面部上の接合部材上に、加熱によって除去される第２の隙間形成部材を付与する工程である。

未硬化樹脂層付与工程は、コア基板の一方主面に、電子部品ならびに第１の隙間形成部材および第２の隙間形成部材を埋設する未硬化樹脂層を付与する工程である。

樹脂層形成工程は、未硬化樹脂層を加熱硬化させると共に、第１の隙間形成部材および第２の隙間形成部材を加熱除去して、樹脂層と第１の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材との間に第１の隙間を形成し、樹脂層と第２の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材との間に第２の隙間を形成する工程である。

上記の電子部品内蔵基板の製造方法では、これらの工程を備えることにより、電子部品内蔵基板の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減された電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

この発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法の好ましい実施形態では、隙間形成部材付与工程は、第１の隙間形成部材および第２の隙間形成部材の付与に加えて、積層体の第１の外部電極および第２の外部電極により被覆されていない箇所上に、第３の隙間形成部材を付与する工程である。

また、未硬化樹脂層付与工程は、コア基板の一方主面に、電子部品ならびに第１の隙間形成部材および第２の隙間形成部材に加えて、第３の隙間形成部材を埋設する未硬化樹脂層を付与する工程である。

さらに、樹脂層形成工程は、未硬化樹脂層の加熱硬化ならびに第１の隙間および第２の隙間の形成に加えて、第３の隙間形成部材を加熱除去して、樹脂層と、積層体の第１の外部電極および第２の外部電極により被覆されていない箇所との間に、第３の隙間を形成する工程である。

上記の電子部品内蔵基板の製造方法では、これらの工程を備えることにより、電子部品内蔵基板の振動がさらに低減され、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減された電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

この発明に係る電子部品内蔵基板の別の製造方法は、コア基板と、コア基板の一方主面に実装された、少なくとも１つの電子部品と、コア基板の一方主面に、電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える電子部品内蔵基板の製造方法である。

上記の電子部品は、前述したように、積層体と、第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサである。

積層体は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、その静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含む。また、積層体は、コンデンサ素子の積層方向と平行で、互いに対向する２つの端面と、２つの端面を接続する側面とを有する。

第１の外部電極および第２の外部電極は、積層体の端面上に設けられる端面部を有し、その端面部において第１の内部電極および第２の内部電極とそれぞれ接続される。

そして、この発明に係る電子部品内蔵基板の別の製造方法は、実装工程と、挿入部材付与工程と、未硬化樹脂層付与工程と、樹脂層形成工程と、を備える。

実装工程は、コア基板の一方主面に、電子部品を実装する工程である。

挿入部材付与工程は、コア基板に実装された電子部品の第１の外部電極の端面部上およびその端面部上の接合部材上に第１の挿入部材を付与し、第２の外部電極の端面部上およびその端面部上の接合部材上に第２の挿入部材を付与する工程である。

未硬化樹脂層付与工程は、コア基板の一方主面に、電子部品ならびに第１の挿入部材および第２の挿入部材を埋設する未硬化樹脂層を付与する工程である。

樹脂層形成工程は、未硬化樹脂層を加熱硬化させる工程である。

上記の電子部品内蔵基板の製造方法では、これらの工程を備えることにより、電子部品内蔵基板の振動が低減されることで、振動による可聴音の発生が防止または低減され、加えて耐湿性や電子部品内蔵基板の剛性を向上させた電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

この発明に係る電子部品内蔵基板の別の製造方法の好ましい実施形態では、挿入部材付与工程は、第１の挿入部材および第２の挿入部材の付与に加えて、積層体の第１の外部電極および第２の外部電極により被覆されていない箇所上に、第３の挿入部材を付与する工程である。

また、未硬化樹脂層付与工程は、コア基板の一方主面に、電子部品ならびに第１の挿入部材および第２の挿入部材に加えて、第３の挿入部材を埋設する未硬化樹脂層を付与する工程である。

上記の電子部品内蔵基板の製造方法では、これらの工程を備えることにより、電子部品内蔵基板の振動がさらに低減されることで、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減され、加えて耐湿性や電子部品内蔵基板の剛性を向上させた電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

この発明に係る電子部品内蔵基板では、電子部品に電圧印加による歪みが発生したとしても、第１の隙間および第２の隙間が形成されているため、電子部品の端面近傍の歪みが樹脂層に伝達されない。

したがって、樹脂層を介した電子部品の端面近傍の歪みのコア基板への伝達が遮断されることにより、電子部品内蔵基板の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

また、この発明に係る電子部品内蔵基板において、第１の隙間および第２の隙間がそれぞれ第１の挿入部材および第２の挿入部材を備えている場合、樹脂層を介した電子部品の端面近傍の歪みのコア基板への伝達が緩和されることにより、上記と同様の効果が得られる。

さらに、隙間すなわち空洞の形成された樹脂層を、隙間の形成されていない状態に近づけることができるため、耐湿性や電子部品内蔵基板の剛性を、第１の隙間および第２の隙間が形成されただけの状態から向上させることができる。

また、この発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法では、実装工程と、隙間形成部材付与工程と、未硬化樹脂層付与工程と、樹脂層形成工程と、を備える。

そして、隙間形成部材付与工程において付与された第１の隙間形成部材および第２の隙間形成部材を、未硬化樹脂層付与工程において電子部品と共に未硬化樹脂層中に埋設し、樹脂層形成工程において未硬化樹脂層の加熱硬化と共に加熱除去する。

その結果、樹脂層と第１の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材との間に第１の隙間を形成し、樹脂層と第２の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材との間に第２の隙間を形成する。

したがって、この製造方法により、電子部品内蔵基板の振動が低減されることで、振動による可聴音の発生が防止または低減された電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

さらに、この発明に係る電子部品内蔵基板の別の製造方法では、実装工程と、挿入部材付与工程と、未硬化樹脂層付与工程と、樹脂層形成工程と、を備える。

そして、挿入部材付与工程において付与された第１の挿入部材および第２の挿入部材を、未硬化樹脂層付与工程において電子部品と共に未硬化樹脂層中に埋設し、樹脂層形成工程において未硬化樹脂層を加熱硬化する。

その結果、樹脂層と第１の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材との間に第１の挿入部材が挿入され、樹脂層と第２の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材との間に第２の挿入部材が挿入された状態とする。

したがって、この別の製造方法により、電子部品内蔵基板の振動が低減されることで、振動による可聴音の発生が防止または低減され、加えて耐湿性や電子部品内蔵基板の剛性を向上させた電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の上面図である。 この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の断面図である。（Ａ）は図１のＹ１−Ｙ１線を含む面の矢視断面図である。（Ｂ）は図１のＸ１−Ｘ１線を含む面の矢視断面図である。 図１および図２に示したこの発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法の一例を説明するためのもので、（Ａ）および（Ｂ）は実装工程、ならびに（Ｃ）は隙間形成部材付与工程を模式的に示す図である。 図１および図２に示したこの発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法の一例を説明するためのもので、（Ａ）は未硬化樹脂層付与工程、ならびに（Ｂ）および（Ｃ）は樹脂層形成工程を模式的に示す図である。 この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第１の変形例１Ａの、図１に相当する上面図である。 この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第１の変形例１Ａの、図２に相当する断面図である。 この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第２の変形例１Ｂの、図１に相当する上面図である。 この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第２の変形例１Ｂの、図２に相当する断面図である。 この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第３の変形例１Ｃの、図１に相当する上面図である。 この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第３の変形例１Ｃの、図２に相当する断面図である。 この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板の上面図である。 この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄの断面図である。（Ａ）は図１１のＹ５−Ｙ５線を含む面の矢視断面図である。（Ｂ）は図１１のＸ５−Ｘ５線を含む面の矢視断面図である。 図１１および図１２に示したこの発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄの製造方法の一例を説明するためのもので、（Ａ）および（Ｂ）は実装工程、ならびに（Ｃ）は挿入部材付与工程を模式的に示す図である。 図１１および図１２に示したこの発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄの製造方法の一例を説明するためのもので、（Ａ）は未硬化樹脂層付与工程、ならびに（Ｂ）および（Ｃ）は樹脂層形成工程を模式的に示す図である。 この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板における変形例１Ｅの、図１１に相当する上面図である。 この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板における変形例１Ｅの、図１２に相当する断面図である。 背景技術の電子部品内蔵基板１００の断面図である。 この発明が解決しようとする課題を説明するための、積層セラミックコンデンサの断面図である。 この発明が解決しようとする課題を説明するための、積層セラミックコンデンサを基板に実装した状態の断面図である。（Ａ）は電圧が印加されていない状態である。（Ｂ）は電圧が印加されたときの歪みの状態を説明する概略断面図である。

以下にこの発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。

−電子部品内蔵基板の第１の実施形態−
この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１について、図１および図２を用いて説明する。

＜電子部品内蔵基板の構造＞
図１は、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の上面図である。図２（Ａ）は図１のＹ１−Ｙ１線を含む面の矢視断面図である。図２（Ｂ）は図１のＸ１−Ｘ１線を含む面の矢視断面図である。

この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１は、コア基板Ｂと、コア基板Ｂの一方主面に実装された電子部品１０と、コア基板Ｂの一方主面に、電子部品１０を埋設して設けられた樹脂層Ｒとを備える。

なお、コア基板Ｂは、前述の図１７に相当する多層基板であり、内部電極やビアなどを不図示として、簡略化して図示されている。また、この発明の第１の実施形態では、電子部品１０を強調するため、コア基板Ｂと、電子部品１０との大きさの関係は、実際のものとは異なっている。

この実施形態においては、電子部品１０は、セラミック積層体１１と、第１の外部電極１２および第２の外部電極１３とを備える積層セラミックコンデンサである。セラミック積層体１１は、セラミック誘電体層１４が第１の内部電極１５と第２の内部電極１６との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部ＣＰが、第１のセラミック保護部Ｐ１および第２のセラミック保護部Ｐ２で挟まれた構造となっている。

この実施形態においては、電子部品１０は、セラミック積層体１１のコンデンサ素子が積層された方向である積層方向がコア基板Ｂの一方主面と直交するようにして、コア基板Ｂに実装されている。したがって、セラミック積層体１１のうち静電容量発現部ＣＰの下側、すなわち静電容量発現部ＣＰとコア基板Ｂの一方主面との間に位置する部分が第１の保護部Ｐ１となり、静電容量発現部ＣＰの上側が第２の保護部Ｐ２となる。

セラミック誘電体層１４が電歪性または逆圧電効果を有することにより、セラミック誘電体層１４を含む電子部品１０は、電圧印加時に歪みが発生する。代表的な電歪性または逆圧電効果を有するセラミック材料としては、例えばチタン酸バリウムを基本材料とする高誘電率のセラミック材料が挙げられる。

この実施形態においては、電子部品１０として上記のように積層セラミックコンデンサを例示しているが、この発明は、電子部品１０として誘電体層が樹脂材料により構成された積層コンデンサである積層型金属化フィルムコンデンサに対しても適用できる。

セラミック積層体１１は、コンデンサ素子の積層方向と平行で、互いに対向する２つの端面と、２つの端面を接続する側面とを有する。

第１の外部電極１２および第２の外部電極１３は、それぞれセラミック積層体１１の表面に設けられる。第１の外部電極１２は、セラミック積層体１１の一方端面上に設けられる端面部ＴＰ１２を有する。なお、第１の外部電極１２の端面部Ｔ１２および第２の外部電極１３の端面部Ｔ１３は、セラミック積層体１１の端面全体を被覆していなくてもよい。

また、第２の外部電極１３は、セラミック積層体１１の他方端面上に設けられる端面部ＴＰ１３を有する。第１の外部電極１２は、端面部ＴＰ１２において第１の内部電極１５と接続され、第２の外部電極１３は、端面部ＴＰ１３において第２の内部電極１６と接続されている。

図２（Ａ）および（Ｂ）において、電子部品１０は、第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２に接合部材Ｓを用いて接続されることにより、コア基板Ｂに実装されている。第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２の材質ならびに接合部材Ｓの材質は、既存のものから適宜選択して用いることができる。第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２は、不図示の導電パターンを含んでなる配線上にある。電子部品１０には、この配線を通じて電圧が印加されることになる。

なお、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１は、複数の電子部品１０が実装されていてもよい。また、同様に電子部品内蔵基板１には、積層セラミックコンデンサ以外の電子部品が実装されていてもよい。

積層セラミックコンデンサである電子部品１０は、前述のようにチタン酸バリウムを基本材料とする高誘電率のセラミック材料が用いられることが多いため、電圧印加時の歪みにより振動する虞がある。この振動は、接合部材Ｓを介して電子部品１０に固着されている基板Ｂに伝達されるが、電子部品１０が樹脂層Ｒに埋設されている場合には、樹脂層Ｒを介しても基板Ｂに伝達され得る。

一方、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１では、樹脂層Ｒと第１の外部電極１２の端面部ＴＰ１２および端面部ＴＰ１２上の接合部材Ｓとの間に、第１の隙間Ｇ１が形成されている。また、樹脂層Ｒと第２の外部電極１３の端面部ＴＰ１３および端面部ＴＰ１３上の接合部材Ｓとの間に、第２の隙間Ｇ２が形成されている。

すなわち、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１では、電子部品１０に電圧印加による歪みが発生したとしても、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２が形成されているため、電子部品１０の端面近傍の歪みが樹脂層Ｒに伝達されない。

したがって、樹脂層Ｒを介した電子部品１０の端面近傍の歪みのコア基板Ｂへの伝達が遮断されることにより、電子部品内蔵基板１の振動は低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

なお、図１および図２では、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２は同一の形状となっているが、これに限らず、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２が非対称の形状となっていてもよい。

また、図１および図２では、セラミック積層体１１の第１の保護部Ｐ１の厚みと第２の保護部Ｐ２の厚みとが実質的に同じとなっている。一方、電子部品１０の第１の保護部Ｐ１の厚みを第２の保護部Ｐ２の厚みよりも厚くしてもよい。

＜電子部品内蔵基板の製造方法＞
この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法の一例について、図３および図４を用いて説明する。図３および図４は、電子部品内蔵基板１の製造方法の一例において順次行なわれる実装工程、隙間形成部材付与工程、未硬化樹脂層付与工程、および樹脂層形成工程をそれぞれ模式的に示す図である。なお、図３および図４の各図は、図１のＸ１−Ｘ１線を含む面の矢視断面図（図２（Ｂ））に相当する。

＜実装工程＞
図３（Ａ）および（Ｂ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の実装工程を模式的に示す図である。実装工程により、電子部品１０は、コア基板Ｂの一方主面に実装された状態となる。

図３（Ａ）は、電子部品１０と、電子部品１０を実装するコア基板Ｂとを準備する段階を示す。電子部品１０は、前述の構造を有し、電圧印加時に歪みが発生する積層セラミックコンデンサである。コア基板Ｂは、電子部品１０を接合するための第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２を一方主面に備えている。

図３（Ｂ）は、電子部品１０を、接合部材Ｓを用いて第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２に接続することにより、コア基板Ｂの一方主面に実装した段階を示す。

＜隙間形成部材付与工程＞
図３（Ｃ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の隙間形成部材付与工程を模式的に示す図である。隙間形成部材付与工程により、第１の外部電極１２の端面部Ｔ１２上および端面部Ｔ１２上の接合部材Ｓ上に第１の隙間形成部材Ｗ１が付与され、第２の外部電極１３の端面部Ｔ１３上および端面部Ｔ１３上の接合部材Ｓ上に、第２の隙間形成部材Ｗ２が付与された状態となる。

なお、図３（Ｃ）は、第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２を、同一の材料を用いて、同一の体積となるように、各端面部上および各接合部材上に付与した場合を示す。

第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２は、常温では固体または半固体で、加熱によって容易に軟化して液状化する材料であり、例えばワックスまたはパラフィンなどを用いることができる。第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２の各端面部上および各接合部材上への付与は、液状の隙間形成部材の材料を、不図示のディスペンサなどによって行なうことができる。または、半硬化状態の隙間形成部材の材料を各端面部上および各接合部材上に付着させることにより行なってもよい。

なお、第１の隙間形成部材Ｗ１と第２の隙間形成部材Ｗ２とは異なる材料であってもよい。また、第１の隙間形成部材Ｗ１と第２の隙間形成部材Ｗ２とが異なる体積であってもよい。

＜未硬化樹脂層付与工程＞
図４（Ａ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の未硬化樹脂層付与工程を模式的に示す図である。未硬化樹脂層付与工程により、コア基板Ｂの一方主面に、未硬化の樹脂層ＵＣＲが付与され、その中に電子部品１０ならびに第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２が埋設された状態となる。

図４（Ａ）は、電子部品１０ならびに第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２が設けられたコア基板Ｂの一方主面に、例えばディスペンサＤにより、一点鎖線で表される所定の厚みとなるように、液状の樹脂ＬＲを塗布する様子を示す。

塗布に用いる装置は、上記のディスペンサＤに限らず、既存の塗布装置を用いることができる。例えば、カーテンコーターやスピンコーターなどの種々のコーターを用いてもよい。

また、液状の樹脂ＬＲは、単一の樹脂材料からなるものに限らず、樹脂材料中にフィラーとしてガラス材料やシリカなどを含むものを用いることができる。

なお、未硬化の樹脂層ＵＣＲは、図４（Ａ）のような液状の樹脂ＬＲを塗布する方法に限らず、半硬化状態でシート状のプリプレグをコア基板Ｂの一方主面に載置し、電子部品１０ならびに第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２が埋設されるように押圧することにより付与してもよい。

＜樹脂層形成工程＞
図４（Ｂ）および（Ｃ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の樹脂層形成工程を模式的に示す図である。樹脂層形成工程により、未硬化の樹脂層ＵＣＲが加熱硬化され、コア基板Ｂの一方主面に、電子部品１０を埋設して樹脂層Ｒが設けられた状態となる。その際、樹脂層Ｒと第１の外部電極１２の端面部Ｔ１２および端面部Ｔ１２上の接合部材Ｓとの間に第１の隙間Ｇ１が形成され、樹脂層Ｒと第２の外部電極１３の端面部Ｔ１３および端面部Ｔ１３上の接合部材Ｓとの間に第２の隙間Ｇ２が形成される。

図４（Ｂ）は、電子部品１０ならびに第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２が埋設された未硬化の樹脂層ＵＣＲを加熱硬化させると共に、第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２を加熱除去している段階を示す。

この第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２の加熱除去と、それに伴う隙間（空洞）の形成は、例えば特公昭４５−２２３８４号公報に記載されている、いわゆるロストワックス法によるものである。すなわち、未硬化の樹脂層ＵＣＲの加熱硬化時または硬化後の加熱により、第１の隙間形成部材Ｗ１および第２の隙間形成部材Ｗ２を未硬化の樹脂層ＵＣＲまたは樹脂層Ｒ中に吸収させることで、各隙間形成部材の抜けた跡を隙間としている。

その結果、樹脂層Ｒと第１の外部電極１２の端面部Ｔ１２および端面部Ｔ１２上の接合部材Ｓとの間に第１の隙間Ｇ１が形成され、樹脂層Ｒと第２の外部電極１３の端面部Ｔ１３および端面部Ｔ１３上の接合部材Ｓとの間に第２の隙間Ｇ２が形成される。

図４（Ｃ）は、以上の工程により、電子部品１０を埋設すると共に、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２が形成された樹脂層Ｒをコア基板Ｂの一方主面に有する、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１が完成した段階を示す。

樹脂層Ｒの厚みの調整は、未硬化の樹脂層ＵＣＲの硬化時の体積変化を見込んで、液状の樹脂ＬＲをコア基板Ｂに塗布することが好ましい。また、予め多めに液状の樹脂ＬＲを塗布し、硬化後に余分な樹脂を除去することにより、樹脂層の厚みを所望の値とするようにしてもよい。

＜第１の実施形態の第１の変形例＞
この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａについて、図５および図６を用いて説明する。

なお、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａは、樹脂層Ｒと電子部品１０との間に形成される隙間の態様が、前述の電子部品内蔵基板１と異なるが、それ以外は共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。なお、コア基板Ｂは、前述の第１の実施形態と同様に、簡略化して図示されている。

図５は、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａの上面図である。図６（Ａ）は図５のＹ２−Ｙ２線を含む面の矢視断面図である。図６（Ｂ）は図５のＸ２−Ｘ２線を含む面の矢視断面図である。

この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａでは、樹脂層Ｒと、セラミック積層体１１の第１の外部電極１２および第２の外部電極１３により被覆されていない箇所との間に、第３の隙間Ｇ３がさらに形成されている。

なお、図６（Ｂ）は、第３の隙間Ｇ３がセラミック積層体１１の側面を環状に取り囲むように形成されると共に、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２と接続し、一体の隙間Ｇとなっている場合を示す。

上記の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａは、前述の電子部品内蔵基板の製造方法の隙間形成部材付与工程において、コア基板Ｂの一方主面に実装された電子部品１０を包むように隙間形成部材を付与した後、前述のロストワックス法により隙間を形成することにより製造される。

すなわち、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａでは、電子部品１０に電圧印加による歪みが発生したとしても、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２に加えて第３の隙間Ｇ３が形成されているため、電子部品１０の端面近傍および側面近傍の歪みが樹脂層に伝達されない。

したがって、樹脂層Ｒを介した電子部品１０の歪みのコア基板Ｂへの伝達がさらに遮断されることにより、電子部品内蔵基板１Ａの振動はさらに低減され、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減される。

なお、図６（Ｂ）では、第１の隙間Ｇ１、第２の隙間Ｇ２および第３の隙間Ｇ３が一体となり隙間Ｇを形成している場合を示している。一方、図６（Ｃ）に示すように、それぞれが独立して形成されるようにしてもよい。この場合、第１の外部電極１２および第２の外部電極１３の側面部上の隙間をなくすことができるため、電子部品内蔵基板１Ａの低背化を図ることができる。

＜第１の実施形態の第２の変形例＞
この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ｂについて、図７および図８を用いて説明する。

なお、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第２の変形例１Ｂは、電子部品１０の態様が前述の電子部品内蔵基板１と異なるが、それ以外は共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。なお、コア基板Ｂは、前述の第１の実施形態と同様に、簡略化して図示されている。

図７は、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第２の変形例１Ｂの上面図である。図８（Ａ）は図７のＹ３−Ｙ３線を含む面の矢視断面図である。図８（Ｂ）は図７のＸ３−Ｘ３線を含む面の矢視断面図である。

この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第２の変形例１Ｂでは、電子部品１０が、接合部材Ｓによって第１の外部電極１２に取り付けられている第１の電極端子Ｔ１１と、第２の外部電極１３に取り付けられている第２の電極端子Ｔ１２とを有している。そして、電子部品１０は、第１の電極端子Ｔ１１および第２の電極端子Ｔ１２を、それぞれ第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２に接合部材Ｓを用いて接続することにより、コア基板Ｂ上に実装されている。

上記の電子部品内蔵基板１Ｂにおいても、前述の電子部品内蔵基板１と同様に、樹脂層Ｒと各外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材Ｓとの間に隙間を形成することにより、電子部品内蔵基板１Ｂの振動が低減され、さらに振動による可聴音の発生が防止または低減される。

なお、図８（Ｂ）では、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２がそれぞれ第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２まで到達している場合を示している。一方、図８（Ｃ）に示すように、第１の電極端子Ｔ１１および第２の電極端子Ｔ１２のコア基板Ｂに対して直立している部分の途中まで到達するようにしてもよい。

＜第１の実施形態の第３の変形例＞
この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃについて、図９および図１０を用いて説明する。

なお、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃは、第２の変形例１Ｂと同様に、電子部品１０の態様が前述の電子部品内蔵基板１と異なるが、それ以外は共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。なお、コア基板Ｂは、前述の第１の実施形態と同様に、簡略化して図示されている。

図９は、この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃの上面図である。図１０（Ａ）は図９のＹ４−Ｙ４線を含む面の矢視断面図である。図１０（Ｂ）は図９のＸ４−Ｘ４線を含む面の矢視断面図である。

この発明の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃでは、電子部品１０が、いわゆるインターポーザＩを有している。インターポーザＩは、実質的に平行な一方主面と他方主面とを有し、一方主面に第１の中継ランドＩＬ１１および第２の中継ランドＩＬ１２が設けられており、他方主面に第３の中継ランドＩＬ２１および第４の中継ランドＩＬ２２が設けられている。第１の中継ランドＩＬ１１および第２の中継ランドＩＬ１２は、それぞれ第３の中継ランドＩＬ２１および第４の中継ランドＩＬ２２と導通している。

インターポーザＩの第１の中継ランドＩＬ１１および第２の中継ランドＩＬ１２は、はんだＳにより、それぞれ第１の外部電極１２および第２の外部電極１３と接続されている。また、インターポーザＩの他方主面に設けられた第３の中継ランドＬ２１および第４の中継ランドＩＬ２２は、はんだＳにより、それぞれコア基板Ｂ上の第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２と接続されている。

その結果、第１の外部電極１２は、インターポーザＩを介して第１の実装ランドＬ１１に接続されている。また、第２の外部電極１３は、インターポーザＩを介して第２の実装ランドＬ１２に接続されている。

上記の電子部品内蔵基板１Ｃにおいても、前述の電子部品内蔵基板１と同様に、樹脂層Ｒと各外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材Ｓとの間に隙間を形成することにより、電子部品内蔵基板１Ｃの振動が低減され、さらに振動による可聴音の発生が防止または低減される。

なお、図１０（Ｂ）では、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２がそれぞれ第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２まで到達している場合を示したが、図１０（Ｃ）に示すように、インターポーザＩまで到達するようにしてもよい。

−電子部品内蔵基板の第２の実施形態−
この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄについて、図１１および図１２を用いて説明する。

なお、この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄは、樹脂層Ｒと電子部品１０との間に形成される隙間に挿入部材が備えられていることが前述の電子部品内蔵基板１と異なるが、それ以外は共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。なお、コア基板Ｂは、前述の第１の実施形態と同様に、簡略化して図示されている。

＜電子部品内蔵基板の構造＞
図１１は、この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄの上面図である。図１２（Ａ）は図１１のＹ５−Ｙ５線を含む面の矢視断面図である。図１２（Ｂ）は図１１のＸ５−Ｘ５線を含む面の矢視断面図である。

この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄでは、第１の隙間Ｇ１は、樹脂層Ｒより弾性率の低い第１の挿入部材ＩＭ１を備えており、第２の隙間Ｇ１は、樹脂層Ｒより弾性率の低い第２の挿入部材ＩＭ２を備えている。

すなわち、この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄでは、電子部品１０に電圧印加による歪みが発生したとしても、電子部品１０の端面近傍の歪みは、弾性率が低く、容易に変形する第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２により緩和される。

したがって、樹脂層Ｒを介した電子部品１０の端面近傍の歪みのコア基板Ｂへの伝達が抑制されることにより、電子部品内蔵基板１の振動は低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

また、第１の隙間Ｇ１が第１の挿入部材ＩＭ１を備え、第２の隙間Ｇ２が第２の挿入部材ＩＭ２を備えることにより、隙間すなわち空洞の形成された樹脂層Ｒを、隙間の形成されていない状態に近づけることができる。そのため、耐湿性や電子部品内蔵基板１Ｄの剛性を、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２が形成されただけの状態から向上させることができる。

なお、図１１および図１２では、第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２は同一の形状となっているが、これに限らず、第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２が非対称の形状となっていてもよい。

また、図１１および図１２では、セラミック積層体１１の第１の保護部Ｐ１の厚みと第２の保護部Ｐ２の厚みとが実質的に同じとなっている。一方、第１の実施形態と同じく、電子部品１０の第１の保護部Ｐ１の厚みを第２の保護部Ｐ２の厚みよりも厚くしてもよい。

＜電子部品内蔵基板の製造方法＞
この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄの製造方法の一例について、図１３および図１４を用いて説明する。図１３および図１４は、電子部品内蔵基板１Ｄの製造方法の一例において順次行なわれる実装工程、挿入部材付与工程、未硬化樹脂層付与工程、および樹脂層形成工程をそれぞれ模式的に示す図である。なお、図１３および図１４の各図は、図１１のＸ５−Ｘ５線を含む面の矢視断面図（図１２（Ｂ））に相当する。

なお、この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１Ｄの製造方法は、隙間形成部材付与工程に替えて挿入部材付与工程を備えることが、前述の第１の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法と異なっている。そのため、未硬化樹脂層付与工程が電子部品１０と挿入部材とを埋設すること、および樹脂層形成工程が単に未硬化の樹脂層ＵＣＲを加熱硬化させるだけとなっている。

これらについては本質的な違いではなく、また上記の内容以外は共通であるため、実質的に共通する内容については詳細な説明は省略し、挿入部材付与工程について主に説明する。

＜実装工程＞
図１３（Ａ）および（Ｂ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の実装工程を模式的に示す図である。実装工程により、電子部品１０は、コア基板Ｂの一方主面に実装された状態となる。

＜挿入部材付与工程＞
図１３（Ｃ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の挿入部材付与工程を模式的に示す図である。挿入部材付与工程により、第１の外部電極１２の端面部Ｔ１２上および端面部Ｔ１２上の接合部材Ｓ上に第１の挿入部材ＩＭ１が付与され、第２の外部電極１３の端面部Ｔ１３上および端面部Ｔ１３上の接合部材Ｓ上に、第２の挿入部材ＩＭ２が付与された状態となる。

なお、図１３（Ｃ）は、第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２を、同一の材料を用いて、同一の体積となるように、各端面部上および各接合部材上に付与した場合を示す。

第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２は、加熱によって容易に軟化して液状化せず、樹脂層Ｒより弾性率の低い材料であり、例えば軟化点が後述の樹脂層形成工程での加熱温度よりも十分高い、低弾性率の樹脂などを用いることができる。第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２の各端面部上および各接合部材上への付与は、液状の挿入部材の材料を、不図示のディスペンサなどによって行なうことができる。または、半硬化状態の挿入部材の材料を各端面部上および各接合部材上に付着させることにより行なってもよい。さらに、所定の形状に成形されたスポンジ状の樹脂を電子部品１０の２つの端面に嵌め込むようにして行なってもよい。

なお、第１の挿入部材ＩＭ１と第２の挿入部材ＩＭ２とは異なる材料であってもよい。また、第１の挿入部材ＩＭ１と第２の挿入部材ＩＭ２とが異なる体積であってもよい。

＜未硬化樹脂層付与工程＞
図１４（Ａ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の未硬化樹脂層付与工程を模式的に示す図である。未硬化樹脂層付与工程により、コア基板Ｂの一方主面に、未硬化の樹脂層ＵＣＲが付与され、その中に電子部品１０ならびに第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２が埋設された状態となる。

＜樹脂層形成工程＞
図１４（Ｂ）および（Ｃ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の樹脂層形成工程を模式的に示す図である。樹脂層形成工程により、未硬化の樹脂層ＵＣＲが加熱硬化され、コア基板Ｂの一方主面に、電子部品１０を埋設して樹脂層Ｒが設けられた状態となる。

以上の工程により、電子部品１０を埋設すると共に、第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２が形成された樹脂層Ｒをコア基板Ｂの一方主面に有する、この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板１が完成する。

＜第２の実施形態の変形例＞
この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板の変形例１Ｅについて、図１５および図１６を用いて説明する。

なお、この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板の変形例１Ｅは、樹脂層Ｒと電子部品１０との間にある挿入部材の態様が、前述の電子部品内蔵基板１Ｄと異なるが、それ以外は共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。なお、コア基板Ｂは、前述の第２の実施形態と同様に、簡略化して図示されている。

図１５は、この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板の変形例１Ｅの上面図である。図１６（Ａ）は図1５のＹ６−Ｙ６線を含む面の矢視断面図である。図１６（Ｂ）は図１５のＸ６−Ｘ６線を含む面の矢視断面図である。

この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板の変形例１Ｅでは、樹脂層Ｒと、セラミック積層体１１の第１の外部電極１２および第２の外部電極１３により被覆されていない箇所との間に形成された第３の隙間Ｇ３が、第３の挿入部材ＩＭ３を備えている。

なお、図１６（Ｂ）は、第３の挿入部材ＩＭ３がセラミック積層体１１の側面を環状に取り囲むように配置されると共に、第１の挿入部材ＩＭ１および第２の挿入部材ＩＭ２と接続し、一体の挿入部材ＩＭとなっている場合を示す。

上記の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板の変形例１Ｅは、前述の電子部品内蔵基板の製造方法の挿入部材付与工程において、コア基板Ｂの一方主面に実装された電子部品１０を包むように挿入部材を付与することにより製造される。

すなわち、この発明の第２の実施形態に係る電子部品内蔵基板の変形例１Ｅでは、電子部品１０に電圧印加による歪みが発生したとしても電子部品１０の端面近傍の歪みは、弾性率が低く、容易に変形する第１の挿入部材ＩＭ１、第２の挿入部材ＩＭ２、および第３の挿入部材ＩＭ３により緩和される。

したがって、樹脂層Ｒを介した電子部品１０の歪みのコア基板Ｂへの伝達がさらに抑制されることにより、電子部品内蔵基板１Ａの振動はさらに低減され、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減される。

また、第１の隙間Ｇ１が第１の挿入部材ＩＭ１を備え、第２の隙間Ｇ２が第２の挿入部材ＩＭ２を備え、第３の隙間Ｇ３が第３の挿入部材ＩＭ３を備えることにより、隙間すなわち空洞の形成された樹脂層Ｒを、隙間の形成されていない状態に近づけることができる。そのため、耐湿性や電子部品内蔵基板１Ｄの剛性を、第１の隙間Ｇ１、第２の隙間Ｇ２および第３の隙間Ｇ３が形成されただけの状態から向上させることができる。

なお、図１６（Ｂ）では、第１の挿入部材ＩＭ１、第２の挿入部材ＩＭ２および第３の挿入部材ＩＭ３が一体となり挿入部材ＩＭとなっている場合を示したが、図１６（Ｃ）に示すように、それぞれが独立して備えられるようにしてもよい。この場合、第１の外部電極１２および第２の外部電極１３の側面部上の挿入部材をなくすことができるため、電子部品内蔵基板１Ｅの低背化を図ることができる。

なお、この発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

１ 電子部品内蔵基板
１０ 電子部品（積層セラミックコンデンサ）
１１ セラミック積層体
１２ 第１の外部電極
１３ 第２の外部電極
１４ セラミック誘電体層
１５ 第１の内部電極
１６ 第２の内部電極
Ｂ コア基板
Ｇ１ 第１の隙間
Ｇ２ 第２の隙間
Ｇ３ 第３の隙間
ＩＭ１ 第１の挿入部材
ＩＭ２ 第２の挿入部材
ＩＭ３ 第３の挿入部材
ＵＣＲ 未硬化樹脂層
Ｒ 樹脂層
Ｓ 接合部材
Ｔ１２ 第１の外部電極の端面部
Ｔ１３ 第２の外部電極の端面部
Ｗ１ 第１の隙間形成部材
Ｗ２ 第２の隙間形成部材
Ｗ３ 第３の隙間形成部材

Claims (5)

1. コア基板と、
   前記コア基板の一方主面に接合部材により実装された、少なくとも１つの電子部品と、
   前記コア基板の一方主面に、前記電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える電子部品内蔵基板であって、
   前記電子部品は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、前記静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含み、前記コンデンサ素子の積層方向と平行で、互いに対向する２つの端面と、前記２つの端面を接続する側面とを有する積層体と、前記積層体の前記端面上に設けられる端面部を有し、前記端面部において前記第１の内部電極および前記第２の内部電極とそれぞれ接続される第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサであり、
   前記樹脂層と前記第１の外部電極の端面部および該端面部上の接合部材との間に第１の隙間が形成されており、前記樹脂層と前記第２の外部電極の端面部および該端面部上の接合部材との間に第２の隙間が形成されており、前記樹脂層と、前記積層体の前記第１の外部電極および前記第２の外部電極により被覆されていない箇所との間に、第３の隙間がさらに形成されており、
   前記第１の隙間、前記第２の隙間および前記第３の隙間が、それぞれ互いに独立して形成されていることを特徴とする、電子部品内蔵基板。
2. 前記第１の隙間は、前記樹脂層より弾性率の低い第１の挿入部材を備えており、前記第２の隙間は、前記樹脂層より弾性率の低い第２の挿入部材を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
3. 前記第３の隙間は、前記樹脂層より弾性率の低い第３の挿入部材を備えていることを特徴とする、請求項２に記載の電子部品内蔵基板。
4. コア基板と、前記コア基板の一方主面に実装された、少なくとも１つの電子部品と、前記コア基板の一方主面に、前記電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える電子部品内蔵基板の製造方法であって、
   前記電子部品は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、前記静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含み、前記コンデンサ素子の積層方向と平行で、互いに対向する２つの端面と、前記２つの端面を接続する側面とを有する積層体と、前記積層体の前記端面上に設けられる端面部を有し、前記端面部において前記第１の内部電極および前記第２の内部電極とそれぞれ接続される第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサであり、
   前記コア基板の一方主面に、前記電子部品を実装する実装工程と、
   前記コア基板に実装された前記電子部品の前記第１の外部電極の端面部上および該端面部上の接合部材上に、加熱によって除去される第１の隙間形成部材を付与し、前記第２の外部電極の端面部上および該端面部上の接合部材上に、加熱によって除去される第２の隙間形成部材を付与し、前記積層体の前記第１の外部電極および前記第２の外部電極により被覆されていない箇所上に、第３の隙間形成部材を付与する隙間形成部材付与工程と、
   前記コア基板の一方主面に、前記電子部品ならびに前記第１の隙間形成部材、前記第２の隙間形成部材、および前記第３の隙間形成部材を埋設する未硬化樹脂層を付与する未硬化樹脂層付与工程と、
   前記未硬化樹脂層を加熱硬化させると共に、前記第１の隙間形成部材および前記第２の隙間形成部材を加熱除去して、前記樹脂層と前記第１の外部電極の端面部および該端面部上の接合部材との間に第１の隙間を形成し、前記樹脂層と前記第２の外部電極の端面部および該端面部上の接合部材との間に第２の隙間を形成し、前記第３の隙間形成部材を加熱除去して、前記樹脂層と、前記積層体の前記第１の外部電極および前記第２の外部電極により被覆されていない箇所との間に、第３の隙間を形成する樹脂層形成工程と、
   を備え、
   前記第１の隙間、前記第２の隙間および前記第３の隙間が、それぞれ互いに独立して形成されていることを特徴とする、電子部品内蔵基板の製造方法。
5. コア基板と、前記コア基板の一方主面に実装された、少なくとも１つの電子部品と、前記コア基板の一方主面に、前記電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える電子部品内蔵基板の製造方法であって、
   前記電子部品は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、前記静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含み、前記コンデンサ素子の積層方向と平行で、互いに対向する２つの端面と、前記２つの端面を接続する側面とを有する積層体と、前記積層体の前記端面上に設けられる端面部を有し、前記端面部において前記第１の内部電極および前記第２の内部電極とそれぞれ接続される第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサであり、
   前記コア基板の一方主面に、前記電子部品を実装する実装工程と、
   前記コア基板に実装された前記電子部品の前記第１の外部電極の端面部上および該端面部上の接合部材上に第１の挿入部材を付与し、前記第２の外部電極の端面部上および該端面部上の接合部材上に第２の挿入部材を付与し、前記積層体の前記第１の外部電極および前記第２の外部電極により被覆されていない箇所上に、第３の挿入部材を付与する挿入部材付与工程と、
   前記コア基板の一方主面に、前記電子部品ならびに前記第１の挿入部材、前記第２の挿入部材および前記第３の挿入部材を埋設する未硬化樹脂層を付与する未硬化樹脂層付与工程と、
   前記未硬化樹脂層を加熱硬化させる樹脂層形成工程と、
   を備え、
   前記第１の挿入部材、前記第２の挿入部材および前記第３の挿入部材が、それぞれ互いに独立して備えられることを特徴とする、電子部品内蔵基板の製造方法。

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