JP2013254954A - 積層セラミック部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、積層セラミック部品に関する。
【解決手段】本発明は、内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有する積層セラミック部品に関するものである。
本発明の一実施形態によると、高温での焼成時に内部電極層から押し出される共材の粒径と添加量を制御することにより前記内部電極の容量と信頼性を向上した積層セラミック部品を提供することができる。
【選択図】図４
【解決手段】本発明は、内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有する積層セラミック部品に関するものである。
本発明の一実施形態によると、高温での焼成時に内部電極層から押し出される共材の粒径と添加量を制御することにより前記内部電極の容量と信頼性を向上した積層セラミック部品を提供することができる。
【選択図】図４
Description
本発明は、容量特性に優れ、信頼性の高い積層セラミック部品に関する。
積層セラミックコンデンサ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｃｅｒａｍｉｃ ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ；ＭＬＣＣ）は、成形された誘電体層シート上に伝導性ペーストをスクリーン、グラビアまたはその他の方式で印刷して電極層を形成し、内部電極層を印刷し、前記内部電極層が印刷されたシートを積層して製造される。
この際使用される伝導性ペーストは、主にニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属粉末とセラミック粉末（共材）などの無機物及び分散剤、樹脂、添加剤、溶剤などの有機物からなる。
通常、内部電極ペーストに使用される前記Ｎｉ、Ｃｕなどの金属粉末は誘電体層に使用されるセラミック粉末に比べて融点が低いため、焼結収縮が開始される温度が低い。従って、セラミック粉末などを共材として添加し、収縮開始温度が誘電体と最大限に類似するように高温に移動させ、内部電極層が焼成される過程で共材として使用されたセラミック粉末は誘電体層に吸収され、最終的には誘電特性に影響を与えるため、誘電体層と同一または類似した組成で設計される。通常、誘電体層の成分と同一のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を共材の主成分として使用し、焼結開始温度をより増加させるために各種酸化物系の副成分を使用する。
ＭＬＣＣの製作において内部電極は次の過程で焼結される。
（１）８００〜１０００℃にて金属粉末が収縮し、共材が押し出される段階、（２）１０００〜１１００℃にて誘電体層が収縮し、内部電極層が連結される段階、（３）１１００℃以上で誘電体層の密度が高くなり、内部電極層が凝集する段階。
前記過程で確認できるように、焼結温度が高いほど電極切れが増加して電極の連結性は低下し、薄層化のために微粒の金属粉末を使用するほど電極切れ現象はより問題になる。
近年、電子製品の小型化及び多機能化に伴い、前記電子製品に内蔵されるＭＬＣＣも小型化及び高容量化が要求される。ＭＬＣＣの小型化及び高容量化のために、セラミック本体内の内部電極層の間に介在される誘電体層の厚さを減少させたり、内部電極層の積層数を増加させる方法を利用する。しかし、誘電体層の厚さを減少させるとＭＬＣＣの信頼性が低下される傾向があるため限界がある。
従って、容量を増大すると共に信頼性を維持できる積層セラミック部品の開発が必要である。
本発明の目的は、内部電極層に添加される共材の含量または大きさを調節することにより高い信頼性を維持し、容量を極大化することができる多様な構造を有する積層セラミック部品を提供することにある。
本発明の第１形態による積層セラミック部品は、内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有することを特徴とする。
また、本発明の第２形態による積層セラミック部品は、内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有し、前記誘電体層の誘電体微粒子は層状構造を有することを特徴とする。
また、本発明の第３形態による積層セラミック部品は、内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有し、前記誘電体層の誘電体微粒子は層状構造を有し、前記層状構造を有する誘電体微粒子において、前記内部電極層と隣接する界面に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）は内部電極層と隣接せず誘電体微粒子同士が隣接する誘電体層の内部に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｎｅｒ）より小さいことを特徴とする。
前記第３形態において、Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）／Ｄ（ｉｎｎｅｒ）は０．３〜０．９５を満足することがを特徴とする。
前記第１〜３形態において、前記誘電体層の厚さは０．６μｍ以下であることが好ましい。
また、前記第１〜３形態において、前記誘電体微粒子の平均粒径は０．１５μｍ以下であることが好ましい。
また、前記第１〜３形態において、前記内部電極層は０．６μｍ以下の厚さを有することが好ましい。
また、前記第１〜３形態において、前記内部電極層はニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）からなることが好ましい。
前記第１〜３形態において、前記共材はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）と金属酸化物を含むことが好ましい。
前記金属酸化物の金属はＹ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋、及びＬｕ３＋からなる群から選択される１種以上のランタン族希土類元素であることが好ましい。
前記第２〜３形態において、前記誘電体層は３〜７層の層状構造を有することが好ましい。
前記第２〜３形態において、前記誘電体微粒子は球形以外の他の形状で互いに隣接していることが好ましい。
本発明の第１形態によると、高温での焼成時に内部電極層から押し出される共材の粒径と添加量を制御することにより前記内部電極の容量と信頼性を向上した積層セラミック部品を提供することができる。
また、本発明の第２形態によると、積層セラミック部品の誘電体層が０．６μｍ以下の厚さでも前記誘電体層に含まれる誘電体微粒子が層状構造、好ましくは３〜７層の構造を有し、このような多層の層状構造によって前記積層セラミック部品の容量と信頼性を向上することができる。
また、本発明の第３形態によると、誘電体微粒子が層状構造を有する誘電体層において、誘電体層と内部電極層が隣接する界面における誘電体微粒子の粒径を誘電体微粒子同士が隣接する誘電体層の内部での微粒子の粒径より小さく調節することにより、積層セラミック部品の信頼性と容量を向上することができる。
以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態を説明するために用いられ、本発明を限定しようとするものではない。本明細書に用いられたように、単数形は文脈上異なる場合を明白に指摘するものでない限り、複数形を含むことができる。また、本明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらの組み合わせが存在することを特定するものであり、一つ以上の他の形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらの組み合わせの存在または付加を排除するものではない。
本発明は、内部電極層の容量を改善し、高信頼性を有する積層セラミック部品に関する。
図１は積層型電子部品であるＭＬＣＣの製作において一般的な共材の役割を示すものである。これを参照すると、誘電体層１１０ａ、１１０ｂの間に内部電極層１２０が形成された誘電体シートを焼結すると、（１）前記内部電極層１２０に含まれた共材１２１が内部電極層１２０の金属粉末として使用されたニッケル金属１２２の収縮開始を抑制して共材本来の役割を果たす。
（２）次に、７００〜９００℃にて前記金属ニッケル粉末１２２の収縮が開始されると共に、前記金属ニッケル粉末１２２のネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）が開始され、金属ニッケル粉末１２２同士、また共材１２１同士が凝集する状態となる。
（３）最後に、９００℃以上では共材１２１が前記内部電極層１２０から押し出されながら誘電体層１１０ａ、１１０ｂに移動して吸収されたり、または別の共材蓄積層１３０が生成される場合もある。前記誘電体層１１０ａ、１１０ｂは焼結が開始されて内部電極層１２０から流入された共材と反応する。従って、共材の組成が誘電体層の特性に影響を与える。
本発明の明細書全般で使用される「共材」は前記内部電極層で金属粉末と共に使用され、前記金属粉末の焼成温度を低める役割をする物質を意味する。
本発明は、高容量、高信頼性を有する積層セラミック部品を提供することを特徴とし、本発明の第１実施形態による積層セラミック部品は、内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有することを特徴とする。
即ち、第１実施形態では、内部電極層の焼結を遅延させるために含まれる共材の含量を金属粉末に対して特定の範囲に調節し、その大きさを誘電体母材の粒径に対して特定化しすることにより積層セラミック部品で内部電極の容量と信頼性を向上することを特徴とする。
本発明の第１実施形態によると、内部電極層はニッケルなどの導電性金属ペーストを製造することにおいて、焼結抑制剤として適用されるチタン酸バリウム及び酸化物、即ち共材の含量を金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％で含み、その粒径を誘電体層に適用される誘電体母材であるチタン酸バリウムの平均粒径に対して３０％〜５０％に制限したことを特徴とする。
前記共材の含量が金属粉末の重量に対して０．０１重量％未満である場合には電極連結性向上の効果が充分でなく、また、１２重量％を超える場合には焼結時に前記共材が誘電体層に押し出されて誘電体層の厚さを過度に成長させ、むしろ容量を減少させる可能性があるため、好ましくない。
また、前記共材の平均粒径は前記金属粉末の平均粒径に対して３０〜５０％の比較的大きい共材を使用することが好ましい。前記共材の平均粒径が前記金属粉末の平均粒径に対して３０％未満である場合、微細粒子の高い焼結駆動力によって界面の微粒子（ｇｒａｉｎ）が相対的に大きくなる問題があるため好ましくない。また、前記金属粉末の平均粒径に対して５０％を超える大きすぎる共材を使用する場合、内部電極の高温収縮制御の効果が低下して容量が低くなる問題があるため好ましくない。
本発明による共材は、誘電体層を構成するチタン酸バリウムと同様な成分を使用し、内部電極では金属粉末の収縮開始温度を最大限に高温に移動させる役割を果たし、前記内部電極層が焼成される過程中に誘電体層に吸収されることが一般的である。
しかし、前記のように共材の平均粒径と含量を調節すると、前記内部電極として使用された金属粉末の間の微細気孔（ｐｏｒｅ）に微粒の共材が閉じこめられ、焼結条件によって誘電体層に押し出されず内部電極層の内部でトラップ（ｔｒａｐ）される。このようにトラップされた共材は最終的に内部電極の内部で高温収縮挙動を制御し、結果的に高い連結性を示す電極を形成する。
本発明による共材は誘電体層の母材と同様な材料であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分として使用し、金属酸化物を副成分として混合して使用する。前記金属酸化物の金属はＹ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋、及びＬｕ３＋からなる群から選択される１種以上のランタン族希土類元素であることができる。
前記内部電極層の金属粉末はニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）を使用することが好ましい。
本発明の第１実施形態によると、比較的大きい共材を使用することにより前記内部電極層は０．６μｍ以下の厚さを有することができる。しかし、前記内部電極層の厚さが０．６μｍを超える場合、同一のＭＬＣＣでチップの層数が減少して容量特性を具現するために好ましくない。
また、本発明の第２実施形態による積層セラミック部品は、図２に示すように、内部電極層１２０ａ、１２０ｂと誘電体層１１０が交互に積層された構造を有し、前記内部電極層１２０ａ、１２０ｂは金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層１１０に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有し、前記誘電体層１１０の誘電体微粒子１１１が層状構造を有することを特徴とする。
本発明の第２実施形態によると、図２のように共材の含量と粒径を調節して誘電体層１１０を構成する誘電体微粒子１１１が層状構造を有することを特徴とする。
前記第２実施形態において、前記誘電体層１１０の厚さが０．６μｍ以下の場合であり、内部電極層の共材を比較的大きいものを使用して前記誘電体層１１０の厚さも多少厚く形成される。また、前記誘電体層１１０の厚さが０．６μｍを超えてより厚く形成される場合には、前記誘電体微粒子１１１がより多い層を形成することができることは自明であり、本発明では０．６μｍ以下の誘電体層１１０を有すると共に、これを構成する誘電体微粒子１１１が多層の層状構造を形成することができることを特徴とする。本発明の誘電体層１１０は、図２のように、前記誘電体微粒子１１１が２層以上、好ましくは３〜７層の構造を有して形成されることが分かる。前記誘電体微粒子１１１が多層の層状構造を形成することにより積層セラミック部品の信頼性を向上することができる。
また、前記誘電体層に形成された前記誘電体微粒子は球形以外の他の形状（角を有する形状）で互いに隣接していることを特徴とする。これは前記誘電体微粒子が空の空間（ｖｏｉｄ）なしに緻密な形態で層状構造を形成することができ、信頼性をより向上することができると考えられる。
前記誘電体層１１０を構成する誘電体微粒子１１１の平均粒径は０．１５μｍ以下であることが好ましく、前記誘電体微粒子１１１の平均粒径が０．１５μｍを超える場合、積層セラミック部品チップの絶縁破壊電圧（ＢＤＶ；ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）を増加させるために厚い誘電体層を形成する必要があり、超高容量チップの製作が難しいため好ましくない。
このような誘電体層１１０の構造的な特徴は前記内部電極層に使用される共材の含量と粒径を好適に調節することで達成されることができる効果である。従って、前記内部電極層１２０ａ、１２０ｂは金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層１１０に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有するように含む。
従って、本発明による共材が金属粉末の重量に対して０．０１重量％未満の場合には、前記のような多層構造を有するために充分でなく、また、１２重量％を超える場合には、誘電体層と内部電極層の界面に位置した誘電体微粒子が過度に成長したり、または厚い誘電体層を形成して信頼性が低下し、容量が低くなるなどチップ特性の具現において問題があるため好ましくない。
また、前記共材の平均粒径は前記金属粉末の平均粒径に対して３０〜５０％の比較的大きい共材を使用することが好ましい。前記共材の平均粒径が前記金属粉末の平均粒径に対して３０％未満である場合、微細粒子の高い焼結駆動力によって界面の微粒子（ｇｒａｉｎ）が相対的に大きくなる問題があるため好ましくない。また、前記金属粉末の平均粒径に対して５０％を超えて大きすぎる共材を使用する場合、内部電極の高温収縮制御の効果が低下して容量の低くなる問題があるため好ましくない。
本発明の第２実施形態による誘電体層を構成する誘電体成分は、前記第１実施形態のようにチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）が好ましく、前記内部電極層の金属粉末はニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）を使用することが好ましい。
また、本発明の第２実施形態によると、比較的大きい共材を使用することにより前記内部電極層は０．６μｍ以下の多少厚い厚さを有することができる。前記内部電極層の厚さが０．６μｍを超える場合、同一のＭＬＣＣでチップの層数が減少して容量特性を具現するために好ましくない。
また、前記共材はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分として使用し、金属酸化物を副成分として混合して使用する。前記金属酸化物の金属はＹ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋、及びＬｕ３＋からなる群から選択される１種以上のランタン族希土類元素であることができる。
また、本発明の第３実施形態による積層セラミック部品は、図３に示すように、内部電極層１２０ａ、１２０ｂと誘電体層１１０が交互に積層された構造を有し、前記内部電極層１２０ａ、１２０ｂは金属粉末の重量に対して３〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層１１０に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０％以内の大きさを有し、前記誘電体層１１０の誘電体微粒子１１１が層状構造を有し、前記層状構造を有する誘電体微粒子１１１において、内部電極と隣接する界面に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）は内部電極と隣接せず誘電体微粒子同士が隣接する誘電体層の内部に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｎｅｒ）より小さいことを特徴とする。
本発明の第３実施形態によると、図３のように共材の含量と粒径を調節して誘電体層１１０を構成する誘電体微粒子１１１が多層の層状構造を有するが、前記層状構造を有する誘電体微粒子１１１において、内部電極と隣接する界面に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）は内部電極と隣接せず誘電体微粒子同士が隣接する誘電体層の内部に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｎｅｒ）より小さく形成することを特徴とする。
本発明の第３実施形態でも内部電極層に使用された共材の粒径が比較的大きいため、前記共材が押し出されて生成された前記誘電体層も０．６μｍ以下の厚さを有することができる。しかし、前記誘電体層１１０の厚さを有しながらもこれを構成する誘電体微粒子１１１が多層、例えば、２層以上、好ましくは３〜７層の層状構造を形成することができる。前記誘電体微粒子１１１が多層の層状構造を形成することにより積層セラミック部品の信頼性特性を向上することができる。
また、前記誘電体層に形成された前記誘電体微粒子は球形以外の他の形状（角を有する形状）で互いに隣接していることを特徴とする。これは前記誘電体微粒子が空の空間（ｖｏｉｄ）なしに緻密な形態で層状構造を形成することができ、信頼性をより向上することができると考えられる。
特に、本発明の第３実施形態による誘電体層１１０は、図３のように、誘電体層１１０を構成する誘電体微粒子１１１で内部電極と隣接する界面に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）は内部電極と隣接せず誘電体微粒子同士が隣接する誘電体層の内部に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｎｅｒ）より小さいことが分かる。好ましくは、前記Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）／Ｄ（ｉｎｎｅｒ）が０．３〜０．９５を満足する範囲で前記誘電体微粒子１１１が形成されることができる。前記Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）／Ｄ（ｉｎｎｅｒ）が０．３未満の場合には誘電率の低下によって容量確保に問題があり、また、前記Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）／Ｄ（ｉｎｎｅｒ）が０．９５を超える場合には、ＢＤＶ及び信頼性水準を満足することができないため好ましくない。
本発明の前記誘電体層１１０を構成する誘電体微粒子１１１の平均粒径は０．１５μｍ以下であることが好ましく、前記誘電体微粒子の平均粒径が０．１５μｍを超える場合、積層型セラミック部品チップのＢＤＶを増加させるために厚い誘電体層を形成する必要があり超高容量チップ製作が難しいため好ましくない。
このような本発明の第３実施形態において、前記誘電体層１１０の界面における誘電体微粒子（Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ））と内部の誘電体微粒子（Ｄ（ｉｎｎｅｒ））の粒径が相違するように調節されることができることは前記内部電極層１２０ａ、１２０ｂに含まれる共材の含量と粒径を好適に調節したためである。
従って、第３実施形態による前記内部電極層１２０ａ、１２０ｂは、金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、前記共材の平均粒径は前記誘電体層１１０に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有するように含む。
従って、本発明による共材が金属粉末の重量に対して０．０１重量％未満である場合には前記のような多層構造を有し、Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）／Ｄ（ｉｎｎｅｒ）が０．３〜０．９５を満足する範囲で前記誘電体微粒子の大きさを調節するには充分でなく、また、１２重量％を超えて過量添加時に誘電体層と内部電極層の界面に位置した誘電体微粒子の過度な成長及び厚い誘電体層形成によって信頼性が低下し、容量が低くなるなど積層型セラミック部品チップ特性具現に問題があるため好ましくない。
また、前記共材の平均粒径は前記金属粉末の平均粒径に対して３０〜５０％の比較的大きい共材を使用することが好ましい。前記共材の平均粒径が前記金属粉末の平均粒径に対して３０％未満である場合、微細粒子の高い焼結駆動力によって界面の微粒子（ｇｒａｉｎ）が相対的に大きくなる問題があるため好ましくない。また、前記金属粉末の平均粒径に対して５０％を超えて大き過ぎる共材を使用する場合、内部電極高温収縮制御効果が低下して容量が低くなる問題があるため好ましくない。
本発明の第３実施形態による誘電体層を構成する誘電体成分は、前記第１実施形態のようにチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）が好ましく、前記内部電極層の金属粉末はニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）を使用することが好ましい。
また、本発明の第３実施形態によると、比較的大きい共材を使用することにより前記内部電極層は０．６μｍ以下の多少厚い厚さを有することができる。前記内部電極層の厚さが０．６μｍを超える場合、同一のＭＬＣＣでチップの層数が減少して容量特性を具現するために好ましくない。
また、前記共材はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分として使用し、金属酸化物を副成分として混合して使用する。前記金属酸化物の金属はＹ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋、及びＬｕ３＋からなる群から選択される１種以上のランタン族希土類元素であることができる。
以下、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。以下の実施例は本発明を例示するためのものに過ぎず、本発明の範囲がこれら実施例によって制限されると解釈してはならない。また、以下の実施例では特定化合物を用いて例示しているが、これらの均等物を使用する場合においても同等／類似した程度の効果を発揮することができることは当業者にとって自明である。
実施例及び比較例
表１のように各組成、粒径及び含量を変化させながら、積層型電子部品（ＭＬＣＣ）を製造した。内部電極層の金属粉末はニッケル金属を使用し、共材はチタン酸バリウムを主成分とし、金属酸化物を副成分として含み、超高容量ＭＬＣＣ（誘電体厚さ０．６μｍ以下、内部電極０．６μｍ）を製造した。また、前記製造された超高容量ＭＬＣＣの容量及び信頼性をＢＤＶ（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）の加速寿命で測定し、その結果を以下の表１に示す。
表１のように各組成、粒径及び含量を変化させながら、積層型電子部品（ＭＬＣＣ）を製造した。内部電極層の金属粉末はニッケル金属を使用し、共材はチタン酸バリウムを主成分とし、金属酸化物を副成分として含み、超高容量ＭＬＣＣ（誘電体厚さ０．６μｍ以下、内部電極０．６μｍ）を製造した。また、前記製造された超高容量ＭＬＣＣの容量及び信頼性をＢＤＶ（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）の加速寿命で測定し、その結果を以下の表１に示す。
前記表１の結果のように、内部電極層に含まれる共材は平均粒径が誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％のものを使用し、共材の添加量をニッケル金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％に含む場合、誘電体層と内部電極層の界面に押し出された（ｓｑｕｅｅｚｅ ｏｕｔ）共材の高い焼結駆動力により容量と信頼性に優れることが分かる。
また、使用された共材の粒径及び含量に応じてＭＬＣＣチップの容量及び信頼性を確認した結果、共材の粒径が小さいほど容量上昇効果が著しく現われた。しかし、共材の含量がニッケル金属粉末の重量に対して１２重量％を超える場合、誘電体層の厚さが過度に成長し、むしろ容量が減少する結果が生じた。また、共材の含量が高いほど高い信頼性が観察され、これは小さい粒径を有する共材においてさらに著しく現われる。
また、図４のように、本発明によって製造された超高容量ＭＬＣＣの誘電体層をＦＥ−ＳＥＭを用いて測定した結果、誘電体層で誘電体微粒子が３〜７層の多層の層状構造を形成したことが確認できる。また、前記誘電体層に形成された前記誘電体微粒子は球形以外の他の形状（角を有する形状）で互いに隣接していることが確認できた。
１２０ａ、１２０ｂ、１２０ 内部電極層
１１０ａ、１１０ｂ、１１０ 誘電体層
１２２ 金属粉末（Ｎｉ）
１２１ 共材
１１１ 誘電体微粒子
Ｄ（ｉｎｎｅｒ） 誘電体層の内部に位置して誘電体微粒子同士が隣接する誘電体微粒子
Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ） 誘電体層と内部電極層の界面に位置する誘電体微粒子
１１０ａ、１１０ｂ、１１０ 誘電体層
１２２ 金属粉末（Ｎｉ）
１２１ 共材
１１１ 誘電体微粒子
Ｄ（ｉｎｎｅｒ） 誘電体層の内部に位置して誘電体微粒子同士が隣接する誘電体微粒子
Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ） 誘電体層と内部電極層の界面に位置する誘電体微粒子
Claims (12)
- 内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、
前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、
前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有する積層セラミック部品。 - 内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、
前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、
前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有し、
前記誘電体層の誘電体微粒子は層状構造を有する積層セラミック部品。 - 内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有し、
前記内部電極層は金属粉末の重量に対して０．０１〜１２重量％の共材を含み、
前記共材の平均粒径は前記誘電体層に含まれる誘電体母材の平均粒径に対して３０〜５０％の大きさを有し、
前記誘電体層の誘電体微粒子は層状構造を有し、
前記層状構造を有する誘電体微粒子において、前記内部電極層と隣接する界面に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）は内部電極層と隣接せず誘電体微粒子同士が隣接する誘電体層の内部に位置した前記誘電体微粒子の平均粒径Ｄ（ｉｎｎｅｒ）より小さい積層セラミック部品。 - 前記Ｄ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）／Ｄ（ｉｎｎｅｒ）は０．３〜０．９５を満足する請求項３に記載の積層セラミック部品。
- 前記誘電体層の厚さは０．６μｍ以下である請求項１〜３の何れか一項に記載の積層セラミック部品。
- 前記誘電体微粒子の平均粒径は０．１５μｍ以下である請求項１〜３の何れか一項に記載の積層セラミック部品。
- 前記内部電極層は０．６μｍ以下の厚さを有する請求項１〜３の何れか一項に記載の積層セラミック部品。
- 前記内部電極層はニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）からなる請求項１〜３の何れか一項に記載の積層セラミック部品。
- 前記共材はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）と金属酸化物を含む請求項１〜３の何れか一項に記載の積層セラミック部品。
- 前記金属酸化物の金属はＹ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋、及びＬｕ３＋からなる群から選択される１種以上のランタン族希土類元素である請求項９に記載の積層セラミック部品。
- 前記誘電体層は３〜７層の層状構造を有する請求項２または３に記載の積層セラミック部品。
- 前記誘電体微粒子は球形以外の他の形状で互いに隣接している請求項２または３に記載の積層セラミック部品。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021077828A (ja) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6281502B2 (ja) * | 2014-06-12 | 2018-02-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR102183425B1 (ko) | 2015-07-22 | 2020-11-27 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| CN110171971A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-08-27 | 深圳市森世泰科技有限公司 | 陶瓷粘合浆料及多层陶瓷及其制作方法及电子器件 |
| US11776744B2 (en) * | 2020-05-19 | 2023-10-03 | Samhwa Capacitor Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof |
| KR20230068721A (ko) * | 2021-11-11 | 2023-05-18 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 |
| KR20230078084A (ko) * | 2021-11-26 | 2023-06-02 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 캐패시터 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291634A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2004063912A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Kyocera Corp | 積層型電子部品およびその製法 |
| JP2008251739A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 積層型電子部品 |
| JP2010153485A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Tdk Corp | 電子部品 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423309A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Hitachi Aic Inc | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2001015375A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP4557472B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製法 |
| JP2005159224A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| JP4407299B2 (ja) | 2004-01-30 | 2010-02-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US7158364B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor and method of producing the same |
| JP2007214244A (ja) | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極インク、およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP4947418B2 (ja) | 2007-04-27 | 2012-06-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性ペースト、導電性ペースト乾燥膜及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2010010157A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び、その製造方法 |
| JP4888572B2 (ja) | 2010-01-25 | 2012-02-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 |
-
2012
- 2012-06-05 KR KR1020120060430A patent/KR101548787B1/ko active IP Right Grant
-
2013
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291634A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2004063912A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Kyocera Corp | 積層型電子部品およびその製法 |
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