CN103474237A - 多层陶瓷组件 - Google Patents

Abstract

本文公开了一种多层陶瓷组件，具有其中内部电极层和电介质层交替地多层化的结构，其中，所述内部电极层包含基于金属粉末的重量，0.01wt%至12wt%的普通材料，并且所述普通材料的平均粒径为包含在所述电介质层中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%。根据本发明的第一示例性实施方式，控制在高温下在其锻烧时从所述内部电极层中挤压出的所述普通材料的粒径和加入量，从而有可能改善所述内部电极的容量和可靠性。

Description

多层陶瓷组件

相关申请的引用

本申请要求根据35U.S.C.第119条，于2012年6月5日提交的标题为“Multilayered Ceramic Component”的韩国专利申请序列号10-2012-0060430的权益，在此通过引用将其整体并入本申请。

技术领域

本发明涉及具有优良的容量特征以及高可靠性的多层陶瓷组件。

背景技术

通过使用丝网、凹板等将导电性糊剂印刷在形成的电介质层薄片上通过形成电极层来制造多层陶瓷电容器（在下文中，称为MLCC），从而印刷内部电极层，以及在其上印刷内部电极层的多层薄片。

在这种情况下使用的导电性糊剂通常由金属粉末如镍（Ni）、铜（Cu）等、无机材料如陶瓷粉末（常见材料）等、和有机材料如分散剂、树脂、添加剂、溶剂等制成。

由于通常在内部电极糊剂中使用的金属粉末（如Ni、Cu等）的熔点低于在电介质层中使用的陶瓷粉末的熔点，其烧结收缩起始的温度较低。因此，陶瓷粉末作为常见材料加入并移动到高温使得其收缩起始温度尽可能地类似于电介质层的收缩起始温度。由于在其中煅烧内部电极层的过程中用作常见材料的陶瓷粉末被吸附到电介质层中以最终影响电介质特性，它被设计成具有与电介质层相同或相似的组成。在一般情况下，将具有与电介质层相同组成的钛酸钡（BaTiO₃）用作常见材料的主要组分。为了大大地提高烧结起始温度，使用了多种基于氧化物（oxide-based）的次要组分。

在制造MLCC中，通过以下方法烧结内部电极。

该方法包括（1）在800°C至1000°C下将常见材料挤压出同时使金属粉末收缩、（2）在1000°C至1100°C下使内部电极层互相连接同时使电介质层收缩、和（3）在1100°C以上温度下使内部电极层凝聚同时使电介质层致密化。

如在上述方法中证实的，随着烧结温度升高，电极断开增加从而降低了电极的连接性。对于减薄的MLCC，由于使用了颗粒状金属粉末，进一步产生了电极断开现象。

根据电子产品的小型化和多功能化的近期趋势，嵌入在电子产品中的MLCC需要小型化并具有大容量。为了实现小型化和大容量的MLCC，降低插入在陶瓷体的内部电极层之间的电介质层的厚度，或增加内部电极层的多层数量。然而，在其中降低电介质层厚度的情况下，由于MLCC的可靠性劣化而存在限制。

因此，需要开发能够改善MLCC的可靠性和容量的多层陶瓷组件。

现有技术文献

专利文献

（专利文献1）JP专利申请公开号2008-277066。

发明内容

本发明的目标是提供能够控制被加到内部电极层中的常见材料的含量或尺寸以维持高可靠性并使容量最大化，并且具有多种结构的多层陶瓷组件。

根据本发明的第一示例性实施方式，提供了具有其中内部电极层和电介质层交替地多层化的结构的多层陶瓷组件，其中，内部电极层包含基于金属粉末的重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，并且常见材料的平均粒径为包含在电介质层中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%。

根据本发明的第二示例性实施方式，提供了具有其中内部电极层和电介质层交替地多层化的结构的多层陶瓷组件，其中，内部电极层包含基于金属粉末的重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，并且常见材料的平均粒径为包含在电介质层中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%，并且电介质层的电介质颗粒具有分层结构。

根据本发明的第三示例性实施方式，提供了具有其中内部电极层和电介质层交替地多层化的结构的多层陶瓷组件，其中，内部电极层包含基于金属粉末重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，常见材料的平均粒径为包含在电介质层中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%，电介质层的电介质颗粒具有分层结构，并且在具有分层结构的电介质颗粒中，定位在其上电介质颗粒接近内部电极层的界面上的每个电介质颗粒的平均粒径D（界面）小于定位在其中电介质颗粒不接近内部电极，但是彼此接近的电介质层中的每个电介质颗粒的平均粒径D（内部）。

D（界面）/D（内部）可以为0.3至0.95。

电介质层可以具有0.6μm以下的厚度。

电介质颗粒的平均粒径可以是0.15μm以下。

内部电极层可以具有0.6μm以下的厚度。

可以由镍（Ni）或铜（Cu）制成内部电极层。

常见材料可以包含钛酸钡（BaTiO₃）和金属氧化物。

金属氧化物的金属可以是选自由以下组成的组中的至少一种镧系稀土元素：Y³⁺、La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、和Lu³⁺。

电介质层可以具有其中具有三至七个层的分层结构。

电介质颗粒能够以除了球形之外的形状彼此接近。

附图说明

图1示出了根据本发明的第一示例性实施方式的多层陶瓷组件的横截面的部分结构；

图2示出了根据本发明的第二示例性实施方式的多层陶瓷组件的部分结构；

图3示出了根据本发明的第三示例性实施方式的多层陶瓷组件的部分结构；以及

图4示出了根据本发明的第三示例性实施方式使用FE-SEM通过测量多层陶瓷组件中的电介质层的颗粒结构获得的结果。

具体实施方式

在下文中，参考附图，将详细描述本发明的优选实施方式。

本说明书中使用的术语是用于解释实施方式，而不是限制本发明。除非明确地说明与其相反，否则在本说明书中单数形式包括复数形式。并且，在本文中使用的词语“包括”和/或“包含”应当认为暗含包含所述的组分、步骤、数值、操作和/或元素，但并不排除任何其他组分、步骤、操作和/或元素。

本发明提供了具有内部电极层改善的容量并且具有高可靠性的多层陶瓷组件。

图1示出了在制造多层陶瓷组件中一般性常见材料的作用。参照图1，在将其中具有形成于电介质层110a和110b之间的内部电极层120的电介质薄片（dielectric sheet）烧结的情况下，包含在内部电极层120中的普通材料121抑制用作内部电极层120的金属粉末的金属镍粉末122的收缩起始从而执行常见材料的作用。

（2）随后，在700°C至900°C下金属镍粉末122开始颈缩（necking）同时金属镍粉末122开始收缩，使得金属镍粉末122以及常见材料121凝聚。

（3）最后，在900°C以上，将常见材料121从内部电极层120中挤压出，从而将其移动并吸入电介质层110a和110b中或形成单独的常见材料积聚层130。电介质层110a和110b开始烧结并与从内部电极层120引入的常见材料起反应。因此，常见材料的组分影响电介质层的特性。

遍及本发明的说明书“常见材料”与金属粉末一起用于内部电极层中，这意指延迟金属粉末的燃烧温度的材料。

本发明特征在于提供了具有高容量和高可靠性的多层陶瓷组件。根据本发明的第一示例性实施方式的多层陶瓷组件特征在于，其具有其中内部电极层和电介质层交替地多层化的结构，内部电极层包含基于金属粉末重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，并且常见材料的平均粒径为包含在电介质层中的电介质基底材料平均粒径的30%至50%。

即，在第一示例性实施方式中，将为了延迟内部电极层的烧结而包含的常见材料的含量控制在相对于金属粉末的特定范围内，并且基于电介质基底材料的粒径来确定常见材料的尺寸从而改善多层陶瓷组件中的内部电极的容量和可靠性。

根据本发明的第一示例性实施方式，在生产导电性金属（如镍等）的糊剂中，其特征在于内部电极层包含基于金属粉末重量，0.01wt%至12wt%含量的常见材料，即，用作烧结抑制剂的钛酸钡和氧化物，并且粒径被限制在钛酸钡（其是用于电介质层的电介质基底材料）平均粒径的30%至50%。

在其中常见材料的含量低于基于金属粉末含量0.01wt%的情况下，改进电极连接性的效果不足。在其中基底材料高于多于12wt%的情况下，在烧结时，常见材料被挤压出至电介质层从而过度增加了电介质层的厚度，从而可能降低容量，这不是优选的。

此外，常见材料的平均粒径为金属粉末平均粒径的30%至50%。优选使用较大的常见材料。在其中常见材料的平均粒径小于金属粉末平均粒径的30%的情况下，由于细颗粒的高温烧结驱动力，界面的颗粒相对地增加，这不是优选的。此外，在其中常见材料的平均粒径大于金属粉末平均粒径的50%以使用过大的常见材料的情况下，在内部电极中高温收缩控制效果劣化从而降低了容量，这不是优选的。

根据本发明的示例性实施方式的常见材料使用与配置电介质层的钛酸钡相同的组份。因此，通常在金属粉末的收缩起始温度变成尽可能高的高温的温度下常见材料移动至内部电极层，并且在其中煅烧内部电极的过程中被吸收至电介质层中。

然而，在其中如上文所述控制常见材料的平均粒径和含量的情况下，细的常见材料被截留在用作内部电极的金属粉末之间的细孔中，并且根据烧结条件并不被挤压出至电介质层而被截留在内部电极层中。截留的常见材料最终控制内部电极中的高温收缩操作，导致形成具有高连接性的电极。

在根据本发明的示例性实施方式的常见材料中，将与电介质层的基底材料相同材料的钛酸钡（BaTiO₃）用作主要成分，并且与作为次要成分的金属氧化物混合。金属氧化物的金属可以是选自由以下组成的组中的至少一种镧系稀土元素：Y³⁺、La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、和Lu³⁺。

优选地，可以将镍（Ni）或铜（Cu）用作内部电极层的金属粉末。

根据本发明的第一示例性实施方式，通过使用较大的常见材料，内部电极层可以具有0.6μm以下的厚度。然而，在其中内部电极层的厚度大于0.6μm的情况下，在相同MLCC中芯片的层数减少，因此这不是为了实现容量特征所优选的。

此外，如在图2中示出的，其特征在于，根据本发明的第二示例性实施方式的多层陶瓷组件具有其中内部电极层120a和120b，以及电介质层110交替地多层化的结构，内部电极层120a和120b包含基于金属粉末重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，常见材料的平均粒径为包含在电介质层110中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%，并且电介质层110的电介质颗粒111具有分层结构。

根据本发明的第二示例性实施方式，如在图2中示出的，其特征在于，通过控制常见材料的含量和粒径，配置电介质层110的电介质颗粒111具有分层结构。

在第二示例性实施方式中，该实施方式为其中电介质层110的厚度为0.6μm以下的情况，使用了内部电极层的较大的常见材料，使得还稍厚地形成电介质层110的厚度。此外，在其中电介质层110的厚度大于0.6μm的情况下（其是更厚地形成的），可以清楚的是电介质颗粒111可以具有更多的层。即使本发明的示例性实施方式具有0.6μm以下的电介质层110，配置电介质层110的电介质颗粒111可以具有多层的分层结构。如在图2中示出的，本发明的电介质层110具有其中以其具有两层、优选地三至七层的结构形成电介质颗粒111的结构。以多层的分层结构形成电介质颗粒111，从而改进了多层陶瓷组件的可靠性特征。

此外，其特征在于，在电介质层中形成的电介质颗粒以除了球形之外的形状（成角度形状）彼此接近。因此，能够以无空隙的分层结构致密地形成电介质颗粒，从而使得有可能更多地改善可靠性。

优选配置电介质层110的电介质颗粒111的平均粒径为0.15μm以下。在其中电介质颗粒111的平均粒径大于0.15μm的情况下，需要形成较厚的电介质层以提高芯片（其为多层陶瓷组件）的击穿电压（BDV），使得难以制造高容量芯片，这不是优选的。

通过适当地控制在内部电极层中使用的常见材料的含量和粒径可以实现电介质层110的结构特性。因此，内部电极层120a和120b包含基于金属粉末重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，并且常见材料的平均粒径为包含在电介质层110中的电介质基底材料平均粒径的30%至50%。

因此，在其中以基于金属粉末重量低于0.01wt%的量包含常见材料的情况下，这不足以具有如上文描述的多层的分层结构。此外，在其中以基于金属粉末重量大于12wt%的量包含常见材料的情况下，产生了定位在电介质层和内部电极层的界面处的电介质颗粒过度生长、由于形成较厚的电介质层导致可靠性劣化、容量降低等等问题，因此这不是为了实现芯片特征所优选的。

此外，常见材料的平均粒径是金属粉末的平均粒径的30%至50%。优选使用较大的常见材料。在其中常见材料的平均粒径小于金属粉末的平均粒径的30%的情况下，由于细颗粒的高烧结驱动力，界面的颗粒相对地增加，这不是优选的。此外，在其中常见材料的平均粒径大于金属粉末的平均粒径的50%以使用过大的常见材料的情况下，在内部电极中高温收缩控制效果劣化从而降低了容量，这不是优选的。

优选将钛酸钡（BaTiO₃）用作配置根据本发明的第二示例性实施方式的电介质层的电介质组分（介电性组份）并且优选将镍（Ni）或铜（Cu）用作内部电极层的金属粉末，类似本发明的第一示例性实施方式。

此外，根据本发明的第二示例性实施方式，通过使用较大的常见材料，内部电极层可以具有0.6μm以下的厚度。在其中内部电极层的厚度大于0.6μm的情况下，在相同MLCC中芯片的层数减少，因此这不是实现容量特征所优选的。

此外，在常见材料中，将钛酸钡（BaTiO₃）用作主要成分，并且与作为次要成分的金属氧化物混合。金属氧化物的金属可以是选自由以下组成的组中的至少一种镧系稀土元素：Y³⁺、La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、和Lu³⁺。

此外，如在图3中示出的，其特征在于，根据本发明的第三示例性实施方式的多层陶瓷组件具有其中内部电极层120a和120b以及电介质层110交替地多层化的结构，内部电极层120a和120b包含基于金属粉末重量，3wt%至12wt%的常见材料，常见材料的平均粒径为包含在电介质层110中的电介质基底材料的平均粒径的30%，并且电介质层110的电介质颗粒111具有分层结构。此外，在具有分层结构的电介质颗粒111中，定位在其上的电介质颗粒接近内部电极层的界面上的每个电介质颗粒的平均粒径D（界面）小于定位在其中电介质颗粒不接近内部电极但是彼此接近的电介质层中的每个电介质颗粒的平均粒径D（内部）。

根据本发明的第三示例性实施方式，如在图3中示出的，通过控制常见材料的含量和粒径，配置电介质层110的电介质颗粒111具有分层结构。然而，其特征在于，在具有多层的分层结构的电介质颗粒111中，定位在其上电介质颗粒接近内部电极层的界面上的每个电介质颗粒的平均粒径D（界面）小于定位在其中电介质颗粒不接近内部电极但是彼此接近的电介质层中的每个电介质颗粒的平均粒径D（内部）。

由于在本发明的第三示例性实施方式中，在内部电极中使用的常见材料的粒径较大，在常见材料被挤压出之后产生的电介质层还可以具有0.6μm以下的厚度。然而，可以在多层的（例如，两层、优选三至七层）分层结构中形成配置电介质层110的电介质颗粒111，同时电介质层110具有其厚度。以多层的分层结构形成电介质颗粒111，从而改善了多层陶瓷组件的可靠性特征。

此外，其特征在于，在电介质层中形成的电介质颗粒以除了球形之外的形状（成角度形状）彼此接近。因此，能够以无空隙的分层结构致密地形成电介质颗粒，从而使得有可能更多地改进可靠性。

具体地，如在图3中示出的，在根据本发明的第三示例性实施方式配置电介质层110的电介质颗粒111中，定位在其上电介质颗粒接近内部电极层的界面上的每个电介质颗粒的平均粒径D（界面）小于定位在其中电介质颗粒不接近内部电极，但是彼此接近的电介质层中的每个电介质颗粒的平均粒径D（内部）。优选地，能够以其中D（界面）/D（内部）为0.3至0.95的范围形成电介质颗粒111。在其中D（界面）/D（内部）小于0.3的情况下，可能存在由于介电常数劣化导致的确保容量的问题。此外，在其中D（界面）/D（内部）大于0.95的情况下，不能满足BDV和可靠性，这不是优选的。

优选配置电介质层110的电介质颗粒111的平均粒径为0.15μm以下。在其中电介质颗粒111的平均粒径大于0.15μm的情况下，需要形成较厚的电介质层以提高芯片（其是多层陶瓷组件）的BDV，使得难以制造高容量芯片，这不是优选的。

在本发明的第三示例性实施方式中，由于适当地控制了包含在内部电极层120a和120b中的常见材料的含量和粒径，不同地控制在电介质层110中界面的电介质颗粒的尺寸D（界面）和在电介质层110中的电介质颗粒的尺寸D（内部）。

因此，根据本发明的第三示例性实施方式的内部电极层120a和120b包含基于金属粉末重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，并且常见材料的平均粒径为包含在电介质层110中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%。

因此，在其中以小于金属粉末重量0.01wt%的量包含常见材料的情况下，不足以具有如上文描述的多层的分层结构，并且不足以将电介质颗粒的尺寸控制在D（界面）/D（内部）为0.3至0.95的范围内。此外，在其中以大于基于金属粉末重量12wt%的额外量包含常见材料的情况下，产生了定位在电介质层和内部电极层之间的界面处的电介质颗粒过度生长、由于形成较厚的电介质层导致的可靠性劣化、容量降低等等问题，因此这不是为了实现芯片特征所优选的。

此外，常见材料的平均粒径是金属粉末的平均粒径的30%至50%。优选使用较大的常见材料。在其中常见材料的平均粒径小于金属粉末的平均粒径的30%的情况下，由于细颗粒的高烧结驱动力，界面上的颗粒相对地增加，这不是优选的。此外，在其中常见材料的平均粒径大于金属粉末的平均粒径的50%以使用过大的常见材料的情况下，在内部电极中高温收缩控制效果劣化从而降低了容量，这不是优选的。

优选将钛酸钡（BaTiO₃）用作配置根据本发明的第三示例性实施方式的电介质层的电介质组分（介电性组份）并且优选将镍（Ni）或铜（Cu）用作内部电极层的金属粉末，类似本发明的第一示例性实施方式。

此外，根据本发明的第三示例性实施方式，通过使用较大的常见材料，内部电极层可以具有0.6μm以下的厚度。在其中内部电极层的厚度大于0.6μm的情况下，在相同MLCC中芯片的层数减少，因此这不是实现容量特征所优选的。

此外，在常见材料中，将钛酸钡（BaTiO₃）用作主要成分，并且与作为次要成分的金属氧化物混合。金属氧化物的金属可以是选自由以下组成的组中的至少一种镧系稀土元素：Y³⁺、La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、和Lu³⁺。

将在下文中详细说明本发明的示例性实施方式。以下实施例仅用于说明本发明，并且本说明书和权利要求的范围不应认为由这些实施例限制。此外，特定的化合物用于以下实施例中，但是本领域技术人员应当清楚的是其等价物可以表现出相同或类似程度的效果。

实施例和比较例

如在以下图1中示出的，通过改变相应组分的组成比、粒径、和含量制备每个多层电子元件（MLCC）。将金属镍用作内部电极层的金属粉末，并且对于常见材料，包括作为主要成分的钡钛（barium titanium）以及作为次要成分的金属氧化物，从而制造了超高容量MLCC（具有0.6μm以下厚度的电介质层，以及具有0.6μm厚度的内部电极）。

此外，对于制备的超高容量MLCC的容量和可靠性，测定了击穿电压加速的使用寿命，并且在以下表1中示出测量结果。

表1

从上述表1中可以清楚的是，在其中包含在内部电极层中的常见材料的平均粒径为包含在电介质层中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%，并且常见材料的加入量为基于镍金属粉末的重量，0.01wt%至12wt%的情况下，由于被挤压出至电介质层和内部电极层之间的界面上的常见材料的高烧结驱动力，MLCC的容量和可靠性是优异的。

此外，在根据所使用的常见材料的粒径和含量确定MLCC芯片的容量和可靠性之后，应当理解的是，随着常见材料的粒径减小，容量显著地增加。然而，在其中常见材料的含量为基于镍金属粉末的重量，大于12wt%的情况下，由于电介质层的厚度过度增加，容量反而减小。此外，随着常见材料的含量增加，观察到可靠性增加，这显著地显示于具有小粒径的常见材料的情况中。

此外，如在图4中示出的，应当清楚的是，在电介质层中，电介质颗粒具有如三至七层的多层的分层结构，作为使用FE-SEM测量根据本发明制备的超高容量MLCC的电介质层的结果。此外，可以证实在电介质层中形成的电介质颗粒以除了球形之外的形状（成角度形状）彼此接近。

如上文阐述的，根据本发明的第一示例性实施方式，控制在高温下在其锻烧之时从内部电极层中挤压出的普通材料的粒径和加入量，从而使得有可能改进内部电极的容量和可靠性。

此外，根据本发明的第二示例性实施方式，包含在电介质层中的电介质颗粒具有分层结构，优选其中具有三至七层的结构，即使在其中多层陶瓷组件的电介质层具有0.6μm以下厚度的情况下，从而使得有可能改进多层陶瓷组件的容量和可靠性。

此外，根据本发明的第三示例性实施方式，在其中电介质颗粒具有分层结构的电介质层中，控制在其上的电介质层接触内部电极层的界面上的电介质颗粒的粒径使之小于在其中电介质颗粒彼此接触的电介质层中的电介质颗粒的粒径，从而使得有可能改进多层陶瓷组件的可靠性和容量。

尽管为了说明的目的，已经公开了本发明的优选实施方式，本技术技术人员应当清楚的是各种修改、添加和取代是可能的，而不偏离如在所附的权利要求中公开的本发明的范围和精神。因此，这些修改、添加和取代也应当理解为落在本发明的范围之内。

Claims (12)

1.一种多层陶瓷组件，具有其中内部电极层和电介质层交替多层化的结构，

其中，所述内部电极层包含基于金属粉末的重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，并且

所述常见材料的平均粒径为包含在所述电介质层中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%。

2.一种多层陶瓷组件，具有其中内部电极层和电介质层交替地多层化的结构，

其中，所述内部电极层包含基于金属粉末的重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，

所述常见材料的平均粒径为包含在所述电介质层中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%，并且

所述电介质层的电介质颗粒具有分层结构。

3.一种多层陶瓷组件，具有其中内部电极层和电介质层交替地多层化的结构，

其中，所述内部电极层包含基于金属粉末的重量，0.01wt%至12wt%的常见材料，

所述常见材料的平均粒径为包含在所述电介质层中的电介质基底材料的平均粒径的30%至50%，

所述电介质层的电介质颗粒具有分层结构，并且

在具有所述分层结构的所述电介质颗粒中，定位在其上所述电介质颗粒接近所述内部电极层的界面上的每个所述电介质颗粒的平均粒径D（界面）小于定位在其中所述电介质颗粒不接近所述内部电极，但是彼此接近的所述电介质层中的每个所述电介质颗粒的平均粒径D（内部）。

4.根据权利要求3所述的多层陶瓷组件，其中，所述D（界面）/D（内部）为0.3至0.95。

5.根据权利要求1至3中任何一项所述的多层陶瓷组件，其中，所述电介质层具有0.6μm以下的厚度。

6.根据权利要求1至3中任何一项所述的多层陶瓷组件，其中，所述电介质颗粒的平均粒径是0.15μm以下。

7.根据权利要求1至3中任何一项所述的多层陶瓷组件，其中，所述内部电极层具有0.6μm以下的厚度。

8.根据权利要求1至3中任何一项所述的多层陶瓷组件，其中，所述内部电极层由镍（Ni）或铜（Cu）制成。

9.根据权利要求1至3中任何一项所述的多层陶瓷组件，其中，所述常见材料包含钛酸钡（BaTiO₃）和金属氧化物。

10.根据权利要求9所述的多层陶瓷组件，其中，所述金属氧化物的金属是选自由以下组成的组中的至少一种镧系稀土元素：Y³⁺、La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、和Lu³⁺。

11.根据权利要求2或3所述的多层陶瓷组件，其中，所述电介质层具有其中具有三至七个层的层状结构。

12.根据权利要求2或3所述的多层陶瓷组件，其中，所述电介质颗粒以除了球形之外的形状彼此接近。

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