KR100859264B1

KR100859264B1 - 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 커패시터

Info

Publication number: KR100859264B1
Application number: KR1020077013344A
Authority: KR
Inventors: 토시히로 오카마츠; 타카시 히라마츠; 하루노부 사노
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2004-12-24
Filing date: 2005-12-06
Publication date: 2008-09-18
Also published as: US20070236865A1; TWI290913B; JPWO2006067958A1; TW200635874A; EP1829842A4; US7626803B2; WO2006067958A1; CN100519474C; KR20070070260A; EP1829842A1; CN101076503A; JP4548423B2

Abstract

비유전율이 높고, 적층 세라믹 커패시터(1)에 이용되었을 때, 유전체 세라믹층(3)이 박층화되어도, 절연성이 높고, 신뢰성이 우수한 유전체 세라믹을 제공한다.

100(Ba_l _-w-x- _mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z- _nZr_yHf_zMg_n)O₃ _+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 적층 세라믹 커패시터(1)의 유전체 세라믹층(3)을 구성하기 위한 유전체 세라믹. 단, 0.995≤k≤1.010, 0≤w＜0.04, 0≤x≤0.04, 0≤y≤0.10, 0≤z≤0.05, 0.015≤m≤0.035, 0.015≤n≤0.035, 0.01≤p≤1.0, 0.5≤q≤2.5, 및 0.01≤r≤5.0. a는 3으로부터의 편차에 대하여 주성분이 전기적으로 중성이도록 선택되는 값.

유전체 세라믹, 적층 세라믹 커패시터, 전극, 비유전율, 정전용량

Description

유전체 세라믹 및 적층 세라믹 커패시터{DIELECTRIC CERAMIC AND MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR}

본 발명은 유전체 세라믹 및 이 유전체 세라믹을 이용하여 구성되는 적층 세라믹 커패시터에 관한 것으로, 특히, 유전체 세라믹으로 구성된 적층 세라믹 커패시터에 있어서의 유전체 세라믹층의 보다 박층화를 가능하게 하기 위한 개량에 관한 것이다.

본 발명에 있어 흥미 있는 유전체 세라믹으로서, 국제공개 제2004/067473호 팜플렛(특허문헌 1)에는, 일반식: (Ba_l _-h-i- _mCa_hSr_iGd_m)_k(Ti_l _-y-j- _nZr_yHf_jMg_n)O₃로 표시되고, 또한, 0.995≤k≤1.015, 0≤h≤0.03, 0≤i≤0.03, 0.015≤m≤0.035, 0≤y＜0.05, 0≤j＜0.05, 0≤(y+j)＜0.05, 및 0.015≤n≤0.035의 각 관계를 만족하는, Ba의 일부를 Gd로 치환하고 또한 Ti의 일부를 Mg로 치환한 티탄산바륨계 복합산화물로 이루어지는 주성분과, Ma(Ma는 Ba, Sr 및 Ca의 적어도 1종), Mb(Mb는 Mn 및 Ni의 적어도 한쪽) 및 Mc(Mc는 Si 또는 Si 및 Ti의 쌍방)를 포함하는 것이며, Ma가 주성분 100몰에 대하여 1.5몰 미만(단, 0몰은 포함하지 않음), Mb가 주성분 100몰에 대하여 1.0몰 미만(단, 0몰은 포함하지 않음), Mc가 주성분 100몰에 대하여 0.5 몰 이상 또한 2.0몰 이하 각각 포함하고 있는 첨가성분을 포함하는 유전체 세라믹이 기재되어 있다.

상기 유전체 세라믹에 의하면, 이것을 이용하여 적층 세라믹 커패시터에 구비하는 유전체 세라믹층을 구성했을 때, 소결 안정성이 양호하기 때문에 내습성이 향상하고, JIS 규격으로 규정되는 F특성 및 EIA 규격으로 규정되는 Y5V 특성을 만족하며, 비유전율이 9000 이상이고, 적층 세라믹 커패시터를 넓은 온도범위에서 이용할 수 있게 된다.

또한, 유전체 세라믹층이 박층화되어도, 내습성 및 고온에서의 신뢰성이 우수하므로, 박층화에 의한 적층 세라믹 커패시터의 소형화 또한 대용량화가 가능해지고, 또한, 정격전압을 낮출 필요가 없다. 따라서, 유전체 세라믹층의 두께를 예를 들면 3㎛로 박층화하여도, 적층 세라믹 커패시터에 있어서, 실용적으로 충분한 특성을 부여할 수 있다.

또한, 이 유전체 세라믹은 중성 또는 환원성 분위기에서 소성되어도, 반도체화하지 않고, 높은 비저항을 부여할 수 있으므로, 이것을 이용하여 적층 세라믹 커패시터를 구성하면, 내부전극에 포함되는 도전성분으로서, 비금속을 문제없이 이용할 수 있고, 그 결과, 적층 세라믹 커패시터의 비용절감을 도모할 수 있다.

그러나, 특허문헌 1에 기재된 유전체 세라믹을 이용하여 적층 세라믹 커패시터의 유전체 세라믹층을 구성한 경우, 유전체 세라믹층의 두께를 2㎛이하로까지 박층화하면, 신뢰성을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다는 것을 알 수 있었다. 또한, 특허문헌 1에 기재된 유전체 세라믹은 이것을 소결시키기 위해, 1200℃ 근방 혹은 1200℃이상의 높은 소성온도가 필요하다.

특허문헌 1: 국제공개 제2004/067473호 팜플렛

그래서, 본 발명의 목적은, 상술의 문제를 해결할 수 있는 유전체 세라믹을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 상술의 유전체 세라믹을 이용하여 구성된 적층 세라믹 커패시터를 제공하고자 하는 것이다.

본 발명에 따른 유전체 세라믹은, 상술한 기술적 과제를 해결하기 위해, 일반식: 100(Ba_l _-w-x- _mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z- _nZr_yHf_zMg_n)O₃ _+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.

단, 상기 일반식 중, (Ba_l _-w-x- _mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l _-y-z- _nZr_yHf_zMg_n)O₃ _+a가 주성분이고, k, w, x, y, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하며, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0≤w＜0.04,

0≤x≤0.04,

0≤y≤0.10,

0≤z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고, a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 주성분이 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.

본 발명에 따른 유전체 세라믹에 있어서, 상기 주성분 100몰에 대하여, 부성분으로서, Re₂O₃(Re는 Y, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb 중에서 선택되는 적어도 1종)를 0.50몰 이하 더 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명은 또한, 복수의 적층된 유전체 세라믹층 및 복수의 유전체 세라믹층 간의 특정의 계면을 따라 또한 적층방향으로 서로 겹쳐진 상태로 형성된 복수의 내부전극을 포함하는 적층체와, 내부전극의 특정의 것에 전기적으로 접속되도록 적층체의 외표면상에 형성된 외부전극을 구비하는 적층 세라믹 커패시터에도 적합하다.

본 발명에 따른 적층 세라믹 커패시터는 상기 유전체 세라믹층이, 전술한 바와 같은, 본 발명에 따른 유전체 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.

본 발명에 따른 적층 세라믹 커패시터에 있어서, 내부전극은 비금속을 주성분으로서 포함하는 것이 바람직하다.

<발명의 효과>

본 발명에 따른 유전체 세라믹은 특허문헌 1에 기재된 것과 비교하여, 공통의 원소를 포함하고, 주성분이 실질적으로 같지만, 첨가성분으로서, Cu를 포함하고 있는 점에서 다르다.

이와 같은 특징적 구성을 구비하는, 본 발명에 따른 유전체 세라믹에 의하면, 이것을 이용하여 적층 세라믹 커패시터에 구비하는 유전체 세라믹층을 구성했을 때, 특허문헌 1에 기재된 유전체 세라믹에 비하여, 유전체 세라믹층을 박층화한 경우라도, 신뢰성이 높고, 또한, 보다 저온에서 소결시킬 수 있으며, 또한, 실온에서의 정전용량의 경시변화를 적게 할 수 있다. 또한, 비유전율, 온도특성 및 비저항에 대해서는, 특허문헌 1에 기재된 유전체 세라믹과 실질적으로 동등한 특성을 얻을 수 있다.

보다 구체적으로는, 본 발명에 따른 유전체 세라믹에 의하면, 비유전율이 10000 이상으로 높고, 유전율 온도특성에 대해서는, JIS 규격으로 규정되는 F특성 및 EIA 규격으로 규정되는 Y5V 특성의 쌍방을 만족하며, 비저항이 10¹¹Ωm이상으로 높고, 가속 신뢰성 시험에서의 고장에 이르는 시간이 길어, 높은 신뢰성을 부여할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 유전체 세라믹은 적층 세라믹 커패시터에 구비하는 유전체 세라믹층에 대하여, 그것이 박층화되어도, 우수한 내습성 및 고온에서의 우수한 신뢰성을 부여할 수 있다. 따라서, 유전체 세라믹층의 박층화에 의한 적층 세라믹 커패시터의 소형화 또한 대용량화가 가능해지고, 또한, 유전체 세라믹층을 박층화하여도, 정격전압을 낮출 필요가 없다. 이러한 점들로부터, 유전체 세라믹층의 두께를 예를 들면 2㎛이하로 박층화하여도, 적층 세라믹 커패시터에 있어서, 실용적으로 충분한 특성을 부여할 수 있다.

본 발명에 따른 유전체 세라믹에 있어서, 주성분 100몰에 대하여, 부성분으로서, Re₂O₃(Re는 Y, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb 중에서 선택되는 적어도 1종)를 0.50몰 이하 더 포함하게 되면, 이러한 유전체 세라믹으로 구성되는 적층 세라믹 커패시터의 실온에서의 정전용량의 경시변화율의 절대치를 보다 작게 할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 유전체 세라믹을 이용하여 구성되는 적층 세라믹 커패시터(1)를 도해적으로 나타내는 단면도이다.

<부호의 설명>

1: 적층 세라믹 커패시터 2: 적층체

3: 유전체 세라믹층 4, 5: 내부전극

8, 9: 외부전극

적층 세라믹 커패시터(1)는 전체로서 직육면체 형상의 적층체(2)를 구비하고 있다. 적층체(2)는 적층된 복수의 유전체 세라믹층(3)과, 복수의 유전체 세라믹층(3)간의 특정의 복수의 계면을 따라 각각 형성되는 복수의 내부전극(4 및 5)으로 구성된다. 내부전극(4 및 5)은, 적층체(2)의 외표면에까지 도달하도록 형성되지만, 적층체(2)의 한쪽의 단면(6)에까지 인출되는 내부전극(4)과 다른쪽의 단면(7)에까지 인출되는 내부전극(5)이, 적층체(2)의 내부에 있어서 번갈아 배치되어 있다.

적층체(2)의 외표면상이며, 단면(6 및 7)상에는, 도전성 페이스트를 부여하고, 이어서 베이킹함으로써, 외부전극(8 및 9)이 각각 형성되어 있다. 외부전극(8 및 9)상에는, 필요에 따라, 니켈, 동, 니켈-동 합금 등으로 이루어지는 제1의 도금층(10 및 11)이 각각 형성되고, 또한 그 위에는, 땜납, 주석 등으로 이루어지는 제2의 도금층(12 및 13)이 각각 형성된다.

이렇게 하여, 적층 세라믹 커패시터(1)에 있어서, 복수의 내부전극(4 및 5)은, 적층체(2)의 적층방향으로 서로 겹쳐진 상태로 형성되고, 그것에 의해, 서로 이웃하는 내부전극(4 및 5) 사이에서 정전용량을 형성한다. 또한, 내부전극(4)과 외부전극(8)이 전기적으로 접속됨과 동시에, 내부전극(5)과 외부전극(9)이 전기적으로 접속되고, 그것에 의해, 이들 외부전극(8 및 9)을 통하여, 상술의 정전용량이 추출된다.

유전체 세라믹층(3)은 본 발명의 특징이 되는, 다음과 같은 유전체 세라믹으로 구성된다.

즉, 일반식: 100(Ba_l _-w-x- _mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z- _nZr_yHf_zMg_n)O₃ _+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는, 유전체 세라믹으로 유전체 세라믹층(3)이 구성된다.

0.995≤k≤1.010,

0≤w＜0.04,

0≤x≤0.04,

0≤y≤0.10,

0≤z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

상술과 같은 유전체 세라믹을 이용하여 유전체 세라믹층(3)을 구성하면, 후술하는 실험예로부터 명백하듯이, 비유전율이 10000 이상으로 높고, JIS 규격으로 규정되는 F특성 및 EIA 규격으로 규정되는 Y5V 특성을 만족하며, 비저항이 10¹¹Ωm이상으로 높고, 가속 신뢰성 시험(150℃, DC 전계강도 16.8V/㎛)에 있어서의 평균 고장시간이 20시간 이상이라고 하는 것처럼, 적층 세라믹 커패시터(1)를 신뢰성이 우수한 것으로 할 수 있다.

또한, 유전체 세라믹층(3)이 박층화되어도, 우수한 내습성이나 고온에서의 신뢰성을 확보할 수 있으므로, 유전체 세라믹층(3)의 박층화에 의해, 적층 세라믹 커패시터(1)의 소형화 또한 대용량화를 도모할 수 있다. 또한, 유전체 세라믹층(3)을 박층화하여도, 정격전압을 낮출 필요가 없다. 따라서, 유전체 세라믹층(3)의 두께를 2㎛이하로 하여도, 적층 세라믹 커패시터(1)에 있어서, 실용적으로 충분한 특성을 부여할 수 있다.

또한, 상술의 유전체 세라믹은 중성 또는 환원성 분위기 중에서의 소성이 가능하므로, 니켈, 니켈 합금, 동 또는 동 합금 등의 비금속을 내부전극(4 및 5)의 재료로서 이용할 수 있다.

유전체 세라믹층(3)을 구성하는 유전체 세라믹은 상기 주성분 100몰에 대하여, 부성분으로서, Re₂O₃(Re는 Y, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb 중에서 선택되는 적어도 1종)를 0.50몰 이하 더 포함하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 적층 세라믹 커패시터(1)의 실온에서의 정전용량의 경시변화율의 절대치를 보다 작게 할 수 있다. 또한, Re₂O₃가 0.50몰을 넘게 포함되면, 유전체 세라믹의 비유전율이 낮아져 버린다.

다음으로, 도 1에 나타낸 적층 세라믹 커패시터(1)의 제조방법에 대하여 설명한다.

우선, 유전체 세라믹층(3)을 구성하는 유전체 세라믹의 원료분말이 준비된다. 이 원료분말은 이하와 같이 하여 제작되는 것이 바람직하다.

즉, 일반식: (Ba_l _-w-x- _mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l _-y-z- _nZr_yHf_zMg_n)O₃ _+a로 표시되는 조성을 가지는 주성분이 합성된다. 단, k, w, x, y, z, m 및 n은 각각,

0.995≤k≤1.010,

0≤w＜0.04,

0≤x≤0.04,

0≤y≤0.10,

0≤z≤0.05,

0.015≤m≤0.035, 및

0.015≤n≤0.035

의 범위 내에 있다.

보다 구체적으로는, 상기 주성분에 포함되는 원소를 각각 포함하는 화합물, 예를 들면, BaCO₃, CaCO₃, SrCO₃, TiO₂, ZrO₂, HfO₂, Gd₂O₃ 및 MgCO₃의 각 분말을, 상기 조성비를 부여하도록 혼합하고, 대기중에 있어서 하소하며, 이어서 분쇄하는 것이 행해진다.

또한, 상기 주성분에 포함되는 원소를 각각 포함하는 화합물로서는, 상기와 같은 탄산염 또는 산화물 이외의 화합물이 이용되어도 좋다. 또한, 상기 분말을 얻기 위한 합성방법으로서는, 상술과 같은 하소법 이외에, 알콕시드법, 공침법 또는 수열 합성법 등이 적용되어도 좋다.

한편, 첨가성분으로서의 MnCO₃, SiO₂ 및 CuO의 각 분말이 준비된다. 이들 분 말에 대해서도, 상기와 같은 탄산염 또는 산화물 이외의 화합물이 이용되어도 좋다.

다음으로, 상기 주성분 100몰에 대하여, MnCO₃가 0.01~1.0몰, SiO₂가 0.5~2.5몰, 및 CuO가 0.01~5.0몰이 각각 되도록 혼합된다. 이 혼합분말이 유전체 세라믹의 원료분말이 된다.

상술의 혼합공정에 있어서, 주성분 100몰에 대하여, 부성분으로서, Re₂O₃(Re는 Y, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb 중에서 선택되는 적어도 1종)가 0.50몰 이하 더 혼합되어도 좋다.

또한, 주성분으로서 포함되는 분말에 있어서, 불순물로서 존재할 수 있는, Na₂O, K₂O 등의 알칼리 금속산화물, Al₂O₃ 등의 다른 산화물 중, 특히, Na₂O, K₂O 등의 알칼리 금속산화물에 대해서는, 그 함유량이 전기적 특성에 비교적 크게 영향을 미치는 것이 확인되고 있다. 그러나, 이와 같이 불순물로서 존재할 수 있는 알칼리 금속 산화물의 함유량은 주성분으로서의 (Ba_l _-w-x- _mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l _-y-z- _nZr_yHf_zMg_n)O₃ _+a에 있어서, 0.02중량% 미만이면, 전기적 특성을 열화시키지 않는 것도 확인하고 있다.

다음으로, 상술과 같이 하여 얻어진 유전체 세라믹을 위한 원료분말에, 유기 바인더 및 용제를 첨가하고, 혼합함으로써, 슬러리가 제작되고, 이 슬러리를 이용하여, 유전체 세라믹층(3)이 되는 세라믹 그린시트가 성형된다.

이어서, 특정의 세라믹 그린시트상에, 내부전극(4 또는 5)이 될 도전성 페이스트막이 예를 들면 스크린 인쇄에 의해 형성된다. 이 도전성 페이스트막은 니켈, 니켈 합금, 동 또는 동 합금과 같은 비금속을 도전성분으로서 포함하고 있다. 또한, 내부전극(4 및 5)은 스크린 인쇄법과 같은 인쇄법에 의한 것 외에, 예를 들면, 증착법, 도금법 등에 의해 형성되어도 좋다.

이어서, 상술과 같이 도전성 페이스트막을 형성한 복수의 세라믹 그린시트가 적층됨과 동시에, 이들 세라믹 그린시트를 사이에 두도록, 도전성 페이스트막이 형성되지 않은 세라믹 그린시트가 적층되고, 압착된 후, 필요에 따라 절단됨으로써, 적층체(2)가 될 그린 적층체가 얻어진다. 이 그린 적층체에 있어서, 도전성 페이스트막은 그 단 가장자리를 어느 하나의 단면에 노출시키고 있다.

이어서, 그린 적층체는 환원성 분위기 중에 있어서 소성된다. 이것에 의해, 도 1에 나타내는 바와 같은 소결 후의 적층체(2)가 얻어지고, 적층체(2)에 있어서, 상술의 세라믹 그린시트가 유전체 세라믹으로 이루어지는 유전체 세라믹층(3)을 구성하며, 도전성 페이스트막이 내부전극(4 또는 5)을 구성한다.

상술의 유전체 세라믹층(3)을 구성하는 유전체 세라믹은, 일반식: 100(Ba_l _-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지고 있다. 이 일반식에 있어서, 희토류 원소인 Gd는 페로브스카이트의 A사이트에 기재되고, 또한, Mg는 페로브스카이트의 B사이트에 기재되어 있다. 이것은, Gd가 A사이트에 고용(즉 치환)하고, Mg가 B사이트에 고용(즉 치환)하고 있는 것을 나타내고 있다. 이러한 상태에서 Gd 및 Mg를 고용시키기 위해, 상술한 바와 같이, Gd₂O₃ 및 MgCO₃는 BaCO₃ 및 TiO₂ 등과 혼합한 상태에서 하소된다.

유전체 세라믹층(3)을 구성하는 유전체 세라믹은, 상술과 같이, Gd가 페로브스카이트의 A사이트에 주로 고용하고, Mg가 페로브스카이트의 B사이트에 주로 고용하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 목적을 훼손하지 않는 범위라면, 미량의 Gd가 페로브스카이트의 입계 또는 B사이트에 존재하고, 미량의 Mg가 페로브스카이트의 입계 또는 A사이트에 존재해도 좋다.

이어서, 내부전극(4 및 5)의 노출한 각 단 가장자리에 각각 전기적으로 접속되도록, 적층체(2)의 단면(6 및 7)상에, 각각, 외부전극(8 및 9)이 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된다.

외부전극(8 및 9)은 통상, 상술과 같이, 도전성 페이스트를, 소성 후의 적층체(2)의 외표면상에 도포하고, 베이킹함으로써 형성되지만, 소성 전의 그린 적층체의 외표면상에 도포하고, 적층체(2)를 얻기 위한 소성과 동시에 베이킹함으로써 형성되어도 좋다.

그 후, 필요에 따라, 외부전극(8 및 9)상에, 니켈, 동 등의 도금을 행하여, 제1의 도금층(10 및 11)을 형성한다. 그리고, 이 제1의 도금층(10 및 11)상에, 땜납, 주석 등의 도금을 행하여, 제2의 도금층(12 및 13)을 형성한다.

이상과 같이 하여, 적층 세라믹 커패시터(1)가 완성된다.

다음으로, 본 발명을, 실험예에 기초해서 보다 구체적으로 설명한다. 이 실험예에는, 본 발명의 범위 또는 바람직한 범위의 한정의 근거를 나타내는 의의도 있다.

실험예

<실험예 1>

유전체 세라믹의 출발원료로서, 고순도의 BaCO₃, CaCO₃, SrCO₃, TiO₂, ZrO₂, HfO₂, Gd₂O₃ 및 MgCO₃의 각 분말을 준비하였다.

다음으로, (Ba_l _-w-x- _mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l _-y-z- _nZr_yHf_zMg_n)O₃ _+a로 나타나는 주성분을 얻기 위해, 상기 출발원료 분말을, 표 1의 "k", "w", "x", "y", "z", "m" 및 "n"의 각란에 나타낸 몰비율이 되도록 혼합하고, 습식분쇄하였다. 그리고, 건조 후, 혼합분말을 대기중에 있어서 900℃이상의 온도에서 가열함으로써, (Ba_l _-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a 분말을 합성하고, 평균 입경 0.2~0.4㎛가 되도록 분쇄하였다.

한편, MnCO₃, SiO₂ 및 CuO의 각 분말을 준비하였다.

다음으로, 미리 합성된 상기 주성분 분말에, 상기 MnCO₃, SiO₂ 및 CuO의 각 분말을, 각각, MnO₂, SiO₂ 및 CuO로 환산하여, 표 1의 "p", "q" 및 "r"의 각란에 나타낸 몰비율이 되도록 배합하고, 또한 혼합함으로써, 각 시료에 따른 유전체 세라믹 원료분말을 얻었다.

다음으로, 표 1에 나타낸 각 유전체 세라믹 원료분말에, 폴리비닐부티랄계 바인더 및 에탄올 등의 유기용제를 첨가하고, 볼밀에 의해 습식혼합하여, 세라믹 슬러리를 제작하였다.

다음으로, 세라믹 슬러리를, 그라비아 코터법에 의해, 시트형상으로 성형하여, 두께 2㎛의 세라믹 그린시트를 얻었다.

다음으로, 세라믹 그린시트상에, 니켈을 주체로 하는 도전성 페이스트를 인쇄하여, 내부전극이 될 도전성 페이스트막을 형성하였다.

다음으로, 복수매의 세라믹 그린시트를, 상술의 도전성 페이스트막이 인출되어 있는 쪽이 서로 다르게 되도록 적층하여, 그린 적층체를 얻었다.

다음으로, 그린 적층체를, 대기중에 있어서, 250℃의 온도로 가열하고, 바인더를 연소시킨 후, 산소분압 10^-9~10^-12MPa의 H₂-N₂-H₂O 가스로 이루어지는 환원성 분위기 중에 있어서, 표 2의 "소성온도"의 난에 나타난 각 온도에서 2시간 소성하여, 소결한 적층체를 얻었다.

다음으로, 소결된 적층체의 양 단면상에, B₂O₃-SiO₂-BaO계의 유리 프릿을 함유함과 동시에 은을 도전성분으로 하는 도전성 페이스트를 도포하고, 질소 분위기 중에 있어서, 800℃의 온도에서 베이킹하여, 내부전극과 전기적으로 접속된 외부전극을 형성하였다.

이와 같이 하여 얻어진 적층 세라믹 커패시터의 외형치수는 폭이 1.2mm, 길이가 2.0mm 및 두께가 0.5mm이고, 내부전극 사이에 개재하는 유전체 세라믹층의 두께는 1.5㎛였다. 또한, 유효 유전체 세라믹층의 수는 10이고, 1층당의 대향 전극면적은 1.3×10^-6㎡였다.

이들 얻어진 시료에 대하여, 표 2에 나타내는 바와 같은 각 항목의 평가를 행하였다.

우선, "불량률"은 시료에 따른 적층 세라믹 커패시터가 쇼트 또는 오픈되어 있는 것을 불량으로 하고, 이 불량이 발생한 시료의 비율을 구한 것이다. 이하의 평가는 불량품을 제외한 시료에 대하여 행하였다.

"비유전율"에 대해서는, 정전용량을, 자동 브리지식 측정기를 이용하여, JIS 규격 "5102"에 따라 측정하고, 측정된 정전용량으로부터 산출한 것이다.

"tanδ"에 대해서도, 자동 브리지식 측정기를 이용하여 측정한 것이다.

"비저항(logρ)"에 대해서는, 절연저항계를 이용하여, 4.2kV/mm의 직류전압을 2분간 인가하고, 25℃에서의 절연저항을 측정하여, 절연저항으로부터 산출한 것이다.

JIS 규격의 "F특성"에 대해서는, 온도 20℃에서의 정전용량을 기준으로 해서, -25℃~+85℃ 사이에 있어서의 용량 변화율을 구함으로써, 이것을 만족하는지 아닌지, 즉 규격 내인지 규격 외인지를 평가한 것이다.

EIA 규격의 "Y5V 특성"에 대해서는, 온도 25℃에서의 정전용량을 기준으로 해서, -30℃~+85℃ 사이에 있어서의 용량 변화율을 구함으로써, 이것을 만족하는지 아닌지, 즉 규격 내인지 규격 외인지를 평가한 것이다.

"평균 고장시간"에 대해서는, 온도 150℃에 있어서, 직류전압을 전계강도가 16.8V/㎛가 되도록 인가하고, 그 절연저항의 경시변화를 측정하는, 고온 부하시험을 실시해서, 각 시료의 절연저항치가 10^5.0Ω이하가 된 시점을 고장으로 하여, 이 고장에 이르기까지의 시간의 평균치를 구한 것이다.

"실온에서의 정전용량의 경시변화율"에 대해서는, 시료를, 150℃이상의 온도하에서 30분간 이상, 무부하 상태로 방치한 후, 실온(25℃)하에서 방치하고, 이 실온하에서의 24시간 방치한 시점에서의 정전용량을 기준으로 하여, 실온하에서의 240시간 방치 후의 정전용량의 변화율을 구한 것이다.

표 1 및 표 2에 있어서, 시료번호에 *를 붙인 것은 본 발명의 범위 외의 시료를 나타내고 있다.

본 발명의 범위 내에 있는 시료 2~4, 6, 7, 9, 10, 12~14, 16, 17, 20, 21, 24, 25, 28, 29, 32, 33 및 36~39에 의하면, 표 1에 나타내는 바와 같이, 0.995≤k≤1.010, 0≤w＜0.04, 0≤x≤0.04, 0≤y≤0.10, 0≤z≤0.05, 0.015≤m≤0.035, 0.015≤n≤0.035, 0.01≤p≤1.0, 0.5≤q≤2.5, 및 0.01≤r≤5.0의 각 관계를 만족하고 있다.

그 결과, 이들 시료에 의하면, 표 2에 나타내는 바와 같이, 1200℃이하의 소성온도에서 소결시킬 수 있고, 10000 이상의 비유전율이 얻어지며, 유전손실에 대해서는, tanδ가 16.0%이하의 특성을 만족하고, 또한 12.5%이하라고 하는 보다 바람직한 특성을 만족하는 시료도 많으며, 비저항에 대해서는, logρ(ρ:Ωm)가 11.0 이상의 특성을 만족시킬 수 있었다. 또한, 유전체 세라믹층의 두께가 2㎛이하의 1.5㎛라고 하는 것처럼 얇음에도 불구하고, 20시간 이상의 평균 고장시간이 얻어지며, 실온에서의 정전용량의 경시변화율에 대해서는, -12%이내의 특성을 만족하고, 또한 -10%이내라고 하는 보다 바람직한 특성을 만족하는 시료도 많으며, F특성 및 Y5V 특성이 모두 규격 내에 있고, 불량률에 대해서도, 10%이내로 할 수 있었다.

이들에 비해서, 본 발명의 범위 외에 있는 시료 1에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, k가 0.995 미만이기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비저항 logρ가 11.0 미만으로 낮고, 평균 고장시간의 측정을 할 수 없었다. 한편, 시료 5에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, k가 1.010을 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮고, 또한, 평균 고장시간이 짧았다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 8에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, w가 0.04 이상이기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮았다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 11에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, x가 0.04를 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮고, 평균 고장시간이 짧았다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 15에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, y가 0.10을 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮고, 또한, 평균 고장시간이 짧았다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 18에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, z가 0.05를 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 평균 고장시간이 짧았다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 19에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, m이 0.015 미만이기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비저항 logρ가 11.0 미만으로 낮고, 또한, 평균 고장시간이 짧았다. 한편, 시료 22에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, m이 0.035를 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮았다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 23에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, n이 0.015 미만이므로, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비저항 logρ가 11.0 미만으로 낮고, 또한, 평균 고장시간이 짧았다. 한편, 시료 26에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, n이 0.035를 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮았다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 27에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, p가 0.01 미만이므로, 표 2에 나타내는 바와 같이, 반도체화할 정도로 비저항이 낮았다. 한편, 시료 30에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, p가 1.0을 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮고, 또한, 정전용량의 경시변화율의 절대치가 컸다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 31에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, q가 0.5 미만이므로, 소결성이 나쁘고, 표 2에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮으며, 비저항 logρ가 11.0 미만이고, 또한, 평균 고장시간의 측정을 할 수 없었다. 한편, 시료 34에서는, q가 2.5를 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 평균 고장시간이 짧고, 불량률이 높아졌다.

본 발명의 범위 외에 있는 시료 35에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, r이 0.01 미만이므로, 표 2에 나타내는 바와 같이, 평균 고장시간이 짧고, 또한, 정전용량의 경시변화율의 절대치가 컸다. 한편, 시료 40에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, r이 5.0을 넘기 때문에, 표 2에 나타내는 바와 같이, 유전율이 낮고, 또한, 평균 고장시간이 짧았다.

<실험예 2>

유전체 세라믹의 출발원료로서, 실험예 1에 있어서 준비한 것에 더하여, Re₂O₃ 분말을 준비하였다. 그리고, 실험예 1의 경우와 같은 방법에 의해, 표 3에 나타내는 몰비율로, 주성분 분말을 합성하였다. 이어서, 이 주성분 분말에, 표 3에 나타내는 몰비율로, MnCO₃, SiO₂ 및 CuO의 각 분말을 배합함과 동시에, 표 3에 나타내는 Re종 및 몰비율의 Re₂O₃ 분말을 배합하고, 이들을 혼합함으로써, 각 시료에 따른 유전체 세라믹 원료분말을 얻었다.

또한, 표 3에 나타낸 시료 41~71은 주성분 자신의 조성, 및 주성분과 MnO₂, SiO₂ 및 CuO와의 조성비에 대해서는, 실험예 1에 있어서의 표 1에 나타낸 시료 3과 같다. 따라서, "s"가 "0.00"으로 된, 즉 Re₂O₃를 포함하지 않는 시료 41은 시료 3과 같다고 하는 것이 된다.

그 후, 실험예 1의 경우와 같은 방법에 의해, 적층 세라믹 커패시터를 제작하고, 같은 평가를 행하였다. 이 평가결과가 표 5에 나타나 있다.

표 3 및 표 4에 있어서, 시료번호에 *를 붙인 것은 Re₂O₃의 함유량에 대한 바람직한 범위를 벗어난 시료를 나타내고 있다.

Re₂O₃를 첨가한 시료 42~71에 의하면, Re₂O₃를 첨가하고 있지 않은 시료 41과 비교하여, 표 4에 나타내는 바와 같이, 정전용량의 경시변화율의 절대치를 보다 작게 할 수 있었다.

또한, 시료 42~71 사이에서 비교하면, Re₂O₃의 함유량이 주성분 100몰에 대하여 0.50몰을 넘는 시료 60~71에서는, 함유량이 0.50몰 이하의 시료 42~59에 비해, 표 4에 나타내는 바와 같이, 비유전율이 낮아졌다. 따라서, Re₂O₃를 포함하는 경우, 그 함유량은 주성분 100몰에 대하여 0.50몰 이하인 것이 바람직한 것을 알 수 있다.

<실험예 3>

실험예 3은 제조방법의 차이에 의한 시료의 성상 또는 특성에의 영향을 조사하고자 해서 실시한 것이다.

실험예 1에 있어서의 시료 3을 기준의 시료로 하였다. 한편, 비교대상이 되는 시료 3a에 따른 적층 세라믹 커패시터를 얻기 위해, 유전체 세라믹 원료분말을 얻는 단계에 있어서, Gd₂O₃ 및 MgCO₃의 각 분말에 대해서는, BaCO₃, CaCO₃, TiO₂ 및 ZrO₂의 각 분말과 함께 혼합하지 않고, MnCO₃, SiO₂ 및 CuO의 각 분말을 나중에 첨가하는 단계에서 동시에 첨가한 것을 제외하고, 실험예 1에 있어서의 시료 3의 경우와 같은 조건을 적용하였다.

상술의 실험예 1에 있어서 얻어진 시료 3 및 상술과 같이 하여 얻어진 시료 3a의 각각에 대하여, 적층 세라믹 커패시터의 임의의 단면을 잘라내고, 이것을 연마하며, 1200℃의 온도에서 열 에칭을 행한 후, 임의의 7점에 있어서 SEM 관찰을 행하였다. SEM의 배율은 2000배, 1시야의 크기는 12㎛×9㎛였다. 1시야 내의 세라믹 입자 전부에 있어서, 직경법을 이용하여 입경을 평가하고, 입경의 평균치, 최대치, 최소치, 표준편차 σ, 및 3CV(=σ/평균치×3×100)[%]를 구하였다.

표 5에는, 시료 3에 대한 평가결과가 나타나고, 표 6에는, 시료 3a에 대한 평가결과가 나타나 있다.

표 5와 표 6을 비교하면, 시료 3쪽이 시료 3a에 비해, 입경의 편차가 작은 것을 알 수 있다.

다음으로, 시료 3a에 대하여, 실험예 1에 있어서 시료 3에 대하여 행한 것과 같은 방법으로, "평균 고장시간"을 구하였다. 그 결과가 표 7에 나타나 있다. 또한, 표 7에는, 비교를 용이하게 하기 위해, 표 2에 나타낸 시료 3에 대한 "평균 고장시간"도 함께 나타나 있다.

표 7에서 알 수 있듯이, 시료 3쪽이 시료 3a에 비해, 보다 긴 평균 고장시간이 얻어졌다.

이상의 실험예 3의 결과는 다음과 같이 평가할 수 있다.

시료 3a에 있어서는, Gd 및 Mg의 출발원료를, 최초의 조합시가 아니라, 나중의 Mn, Si 및 Cu의 첨가와 동시에 첨가하고 있기 때문에, Gd 및 Mg에 대해서는, 주성분에의 고용도가 낮은 것이 추측되고, 그 때문에, 표 6에 나타내는 바와 같이, 입경의 편차가 크며, 이것이 표 7에 나타내는 바와 같이, 신뢰성을 저하시키는 원인이 되고 있다. 이러한 점으로부터, Gd 및 Mg에 대해서는, 최초의 조합시에, Ba 및 Ti와 함께 혼합해서 하소하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.

Claims

일반식: 100(Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹:

단, 상기 일반식 중 k, w, x, y, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜w＜0.04,

0＜x≤0.04,

0＜y≤0.10,

0＜z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
제1항에 있어서, 상기 (Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a성분 100몰에 대하여, Re₂O₃(Re는 Y, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb 중에서 선택되는 적어도 1종)를 0몰을 초과하여 0.50몰 이하로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.
복수의 적층된 유전체 세라믹층 및 복수의 상기 유전체 세라믹층간의 특정의 계면을 따라 또한 적층방향으로 서로 겹쳐진 상태로 형성된 복수의 내부전극을 포함하는 적층체와, 상기 내부전극의 특정의 것에 전기적으로 접속되도록 상기 적층체의 외표면상에 형성된 외부전극을 구비하고, 상기 유전체 세라믹층은 제1항 또는 제2항에 기재된 유전체 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
제3항에 있어서, 상기 내부전극은 비금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
일반식: 100(Ba_l-x-mSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, x, y, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜x≤0.04,

0＜y≤0.10,

0＜z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-x-mSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-w-mCa_wGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, w, y, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜w＜0.04,

0＜y≤0.10,

0＜z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-w-mCa_wGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-z-nHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, w, x, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜w＜0.04,

0＜x≤0.04,

0＜z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-z-nHf_zMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-nZr_yMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, w, x, y, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜w＜0.04,

0＜x≤0.04,

0＜y≤0.10,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-nZr_yMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-mGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, y, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜y≤0.10,

0＜z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-mGd_m)_k(Ti_l-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-x-mSr_xGd_m)_k(Ti_l-z-nHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, x, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜x≤0.04,

0＜z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-x-mSr_xGd_m)_k(Ti_l-z-nHf_zMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-x-mSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-nZr_yMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, x, y, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜x≤0.04,

0＜y≤0.10,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-x-mSr_xGd_m)_k(Ti_l-y-nZr_yMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-w-mCa_wGd_m)_k(Ti_l-z-nHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, w, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜w＜0.04,

0＜z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-w-mCa_wGd_m)_k(Ti_l-z-nHf_zMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-w-mCa_wGd_m)_k(Ti_l-y-nZr_yMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, w, y, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜w＜0.04,

0＜y≤0.10,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-w-mCa_wGd_m)_k(Ti_l-y-nZr_yMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-nMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, w, x, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜w＜0.04,

0＜x≤0.04,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_l-nMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-w-mCa_wGd_m)_k(Ti_l-nMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, w, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜w＜0.04,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-w-mCa_wGd_m)_k(Ti_l-nMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-x-mSr_xGd_m)_k(Ti_l-nMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, x, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜x≤0.04,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-x-mSr_xGd_m)_k(Ti_l-nMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-mGd_m)_k(Ti_l-y-nZr_yMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, y, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜y≤0.10,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-mGd_m)_k(Ti_l-y-nZr_yMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-mGd_m)_k(Ti_l-z-nHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, z, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0＜z≤0.05,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-mGd_m)_k(Ti_l-z-nHf_zMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.
일반식: 100(Ba_l-mGd_m)_k(Ti_l-nMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO로 표시되는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.

단, 상기 일반식 중 k, m, n, p, q 및 r은 단위를 몰로 하고, 각각,

0.995≤k≤1.010,

0.015≤m≤0.035,

0.015≤n≤0.035,

0.01≤p≤1.0,

0.5≤q≤2.5, 및

0.01≤r≤5.0

의 범위 내에 있고,

a는 3으로부터의 편차에 대하여 상기 (Ba_l-mGd_m)_k(Ti_l-nMg_n)O_3+a가 전기적으로 중성이도록 선택되는 값이다.