CN1959859B - 聚合物-陶瓷电介质组合物、埋入式电容器及印刷电路板 - Google Patents

聚合物-陶瓷电介质组合物、埋入式电容器及印刷电路板 Download PDF

Info

Publication number
CN1959859B
CN1959859B CN2006101380145A CN200610138014A CN1959859B CN 1959859 B CN1959859 B CN 1959859B CN 2006101380145 A CN2006101380145 A CN 2006101380145A CN 200610138014 A CN200610138014 A CN 200610138014A CN 1959859 B CN1959859 B CN 1959859B
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxide
polymer
pottery
dielectric composition
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2006101380145A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1959859A (zh
Inventor
高旼志
朴殷台
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of CN1959859A publication Critical patent/CN1959859A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1959859B publication Critical patent/CN1959859B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
    • H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors 
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

本发明涉及聚合物-陶瓷电介质组合物。该聚合物-陶瓷电介质组合物包括聚合物以及分散于聚合物中的陶瓷，其中陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料以及金属氧化物掺杂剂组成，并具有带电的表面。根据该电介质组合物，陶瓷表面带电以便在聚合/陶瓷界面诱导空间电荷极化(或界面极化)，导致介电常数增大。由于该电介质组合物尤其在低频范围具有高介电常数，它适合用于制造去耦电容器。本文进一步披露了使用该电介质组合物的电容器和印刷电路板。

Description

聚合物-陶瓷电介质组合物、埋入式电容器及印刷电路板
相关申请
本申请是基于2005年11月2日提交的韩国申请第2005-104336号并要求其优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及聚合物-陶瓷电介质组合物，使用该电介质组合物的埋入式(或嵌入式)电容器以及其中埋入有电容器的印刷电路板。更具体地，本发明涉及聚合物-陶瓷电介质组合物，其可以确保因界面极化(其用来使陶瓷的表面带电)导致的高介电常数，以及使用该电介质组合物的电容器以及印刷电路板。
背景技术
安装在印刷电路板上的各种类型的无源元件已经成为使最终产品小型化的巨大障碍。具体地，由于半导体有源元件被埋入，以及在半导体有源元件中输入端/输出端的数目增加，需要保证有足够的空间以在有源元件的附近容纳尽可能多的无源元件。
电容器是典型的无源元件。将电容器布置成尽可能地靠近输入端是有利的，以便在较高操作频率下获得电容器的低电感。
为了满足小型化和高频率下的低电感的要求，目前正积极地对埋入式电容器进行研究。其中埋入有电容器的印刷电路板能有助于显著减少最终产品的尺寸。此外，由于埋入式电容器可以被布置在离有源元件的短距离处，使线的长度减到最小，以便可以较大降低电感，并且有利地去除高频噪音。
典型的埋入式电容器在全部由美国的Sanmina提交的美国专利第5,079,069号、第5,261,153号以及第5,800,575号中提出。通过将具有电容器特性的附加的介电层引入到印刷电路板(PCB)的内层中，来生产埋入式电容器。已知，即使使用称为FR4的PCB材料，也能实现介电层的电容器特性。还已知，为了达到需要的电容量，利用聚合物-陶瓷电介质组合物(或介电组合物)可以形成介电层。
由于与陶瓷相比较聚合物具有相对低的介电常数，因而聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数受充当电介质组合物基体(基质)的聚合物的介电常数的影响。因此，必须增加陶瓷粉末的比例，以便制造具有高介电常数的电介材料。
在这一点上，Cabot公司建议使用聚合物基体复合物，其中将60％～95％的钛酸钡基陶瓷分散于聚合物中(参见，美国专利公开号2002-0040085)。
然而，当增加陶瓷粉末的比例时，则金属箔与介电层的粘合性变差，引起印刷电路板的加工特性差的局限性。
另一方面，美国专利公开号2002-0040085教导了可以将金属氧化物例如Zr、Hf、Nb、Ca、La和Bi的氧化物涂覆到钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷的表面上，以改善聚合物基体复合物的机械性能和电性能。在该专利的公布内容中，没有具体提及关于所加入的金属的作用和量，而声明在由Cabot公司申请的美国专利第6,268,054号(美国专利申请序列号08/923,680(1997))中给出了详细的说明。
美国专利第6,268,054号涉及了利用陶瓷作为电介质的多层陶瓷芯片(MLCC)。该发明叙述了基于MLCC提高的加工性或属性，将金属氧化物例如Zr、Hf、Nb、Ca、La以及Bi的氧化物涂覆至BaTiO3基陶瓷上。关于金属氧化物的更具体描述是，当需要具有X7R介电性能的陶瓷电容器时，提供含有掺杂剂如与氧化镍或氧化钴结合的氧化铌、氧化钽或氧化钕的钛酸钡颗粒是有用的。
更确切地说，应当认为，为了提高铁电物质的温度特性，加入金属来涂覆BaTiO3基陶瓷。用顺电材料(paraelectric)例如金属氧化物包围BaTiO3基铁电物质的表面，以形成核-壳(core-cell)结构，从而确保MLCC随变化的温度的电容特性。
总之，Cabot公司打算将在MLCC中使用的BaTiO3基陶瓷应用到聚合物-陶瓷电介质领域。
然而，尽管在MLCC中使用的陶瓷被应用到聚合物-陶瓷电介质，但在电介质材料的介电常数方面几乎没有或没有变化。由于聚合物-陶瓷电介质的介电常数取决于聚合物的介电常数，复合物介电常数的改善不能简单地通过增加陶瓷粉末的介电常数来实现。如图1所示，虽然陶瓷材料的介电常数增加了100倍或更高，包含陶瓷材料的聚合物-陶瓷电介质的介电常数没有较大的变化。更确切地说，由图1的曲线图明显看出，聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数取决于具有相对低的介电常数的聚合物的介电常数。因此，如在由Cabot公司申请的美国专利公开第2002-0040085号中所教导的，陶瓷的含量必须增加至60％～95％，以便提高聚合物-陶瓷电介质的介电常数。
发明内容
本发明的一个目的是提供其中陶瓷粉末的介电常数可以被提高的聚合物-陶瓷电介质组合物。
根据本发明的另一目的提供使用该电介质组合物的电容器以及印刷电路板。
根据用于实现上述目标的本发明的一个方面，提供包括聚合物以及分散于聚合物中的陶瓷的聚合物-陶瓷电介质组合物，其中陶瓷由具有钛矿结构(用ABO3表示)的材料和金属氧化物掺杂剂组成，并具有带电的(electrically charged)表面。
金属氧化物掺杂剂的金属具有不同于ABO3的B位置元素的化合价。BaTiO3是ABO3最有代表性的实例。金属氧化物掺杂剂的金属具有不是+4价的化合价，并可选自由Nb、Sb、La、Y和Mn组成的组。Mn氧化物也可以用作金属氧化物掺杂剂，因为其在室温下为+4价，但在高温度下，其化合价变为+3价。
在一个具体实施方式中，本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物包括聚合物以及分散于聚合物中的陶瓷，其中陶瓷由BaTiO3和0.05mol％～2mol％的Nb氧化物组成。
在另一具体实施方式中，本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物包含聚合物以及分散于聚合物中的陶瓷，其中陶瓷由BaTiO3、0.05mol％～10mol％的Nb氧化物以及0.05mol％～10mol％的Ca氧化物组成。
当Nb氧化物和Ca氧化物是作为金属氧化物掺杂剂被加入时，Nb氧化物/Ca氧化物的比优选地为1.3～4。
陶瓷首先在800～1400℃下煅烧，并可选地，在1000℃或更高温度下焙烧(bake)。
根据本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物的陶瓷具有带电的表面。
根据本发明的另一方面，提供埋入式(或嵌入式)电容器，其包括第一电极膜、第二电极膜以及介电层，其中介电层由聚合物-陶瓷电介质组合物形成。
更确切地说，本发明的埋入式电容器包括第一电极膜、第二电极膜以及介电层，其中介电层由聚合物-陶瓷电介质组合物形成，该聚合物-陶瓷电介质组合物包含聚合物和分散于该聚合物中的陶瓷，并且陶瓷由具有钙钛矿结构(用ABO3表示)的材料和金属氧化物掺杂剂组成并且具有带电的表面。
在一种具体实施方式中，本发明的埋入式电容器包括第一电极膜、第二电极膜以及介电层，其中介电层由聚合物-陶瓷电介质组合物形成，该聚合物-陶瓷电介质组合物包含聚合物和分散于该聚合物的陶瓷，并且陶瓷由BaTiO3和0.05mol％～2mol％的Nb氧化物组词。
在另一具体实施方式中，本发明的埋入式电容器包括第一电极膜、第二电极膜以及介电层，其中介电层由聚合物-陶瓷电介质组合物形成，该聚合物-陶瓷电介质组合物包含聚合物和分散于该聚合物中的陶瓷，并且陶瓷由BaTiO3、0.05mol％～10mol％的Nb氧化物以及0.05mol％～10mol％的Ca氧化物组成。
根据本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物的陶瓷具有带电的表面。
根据本发明的又一个方面，提供包括埋入其中的电容器的印刷电路板。
本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物优选地包含10vol％～70vol％的陶瓷以及余量的聚合物，更优选包含15vol％至55vol％的陶瓷以及余量的聚合物，最优选包含20vol％至55vol％的陶瓷以及余量的聚合物。
任何用于制造埋入式电容器的聚合物均可用于本发明的电介质组合物中。该聚合物选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚苯醚、聚酯、聚酰胺、及其混合物。
附图说明
结合附图通过下面详细描述将更加清楚地理解本发明的上述和其它目的、特点以及其它优点。
图1是示出随着聚合物-陶瓷电介质组合物中陶瓷的介电常数的改变，电介质组合物的介电常数变化的模拟结果的图。
图2是示出随着陶瓷含量的改变，分别包含BaTO3陶瓷粉末和BCTZ陶瓷粉末的聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数变化的图。
图3是示出随着金属氧化物掺杂剂的含量改变，包含由BaTiO3和作为金属氧化物掺杂剂的MnO2组成的陶瓷的聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数的变化的图。
图4是示出BaTiO3粉末以及由BaTiO3和NbO组成的陶瓷的介电常数随频率改变而变化的图。
具体实施方式
下面对本发明进行详细描述。
通过实验已经发现，当将用于MLCC中的陶瓷施加到聚合物-陶瓷电介质时，聚合物-陶瓷电介质的介电常数下降。基于这种实验发现，通过设计在铁电体中诱导界面极化的新组分实现了本发明。基于以下试验结果，提供新组分的设计的解释说明。
表1示出用于MLCC中的陶瓷(X5R和X7R)的组成，表2示出分别包含15vol％的X5R和X7R以及余量的聚合物的介电组合物的电性能。为了比较，在与介电组合物相同的条件下测定BaTiO3粉末的电性能，结果示于表2中。
表1
  Moles   BaTiO<sub>3</sub>   MgO   Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Mn<sub>3</sub>O<sub>4</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>
  X5R   100   1.0   1.0   0.04   0.16   0.052
  X7R   100   2.12   1.28   0.04   0.236   0.076
表1所示的陶瓷在950℃和1220℃温度下进行烧结。
表2
           1kHz            1MHz
 介电常数(k)   电容(pF)  介电常数(k)   电容(pF)
  BaTiO<sub>3</sub>   9.9   21   8.6   18
  950℃   X5R   9.7   19.3   8.6   17.2
  X7R   8.8   18   7.84   16
  1220℃   X5R   9.6   20.5   8.62   18.4
  X7R   10.7   22.7   9.53   20.2
由表2所示的数据可以看出，当采用MLCC中使用的陶瓷X5R和X7R时，介电材料具有比BaTiO3粉末更低的介电常数值。这些结果表明用于MLCC中的陶瓷粉末不能应用于聚合物-陶瓷电介质。
图2是示出分别包含BaTO3陶瓷粉末和BCTZ陶瓷粉末(BaTO3+Ca+Zr)的聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数随着陶瓷含量的改变而变化的图。聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数随着陶瓷粉末量的增加而增大。这表明，尽管BaTO3陶瓷粉末具有比BCTZ陶瓷粉末更高的介电常数，但是这些聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数没有显著的差异。具体地，在陶瓷粉末的含量为15％或更少时，这些聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数值基本一致。
从上述实验结果，可以确定，根据对用于MLCC中陶瓷的设计不能获得聚合物-陶瓷电介质组合物的高介电常数值。
在MLCC中使用的基于BaTiO3的粉末通常根据离子极化设计。BaTiO3的Ti离子由于在四正方晶相(tetra-cubic phase)间的改变位置(shift)而迁移(发生在125℃)诱导离子极化，从而使BaTiO3具有介电常数。这种离子极化被应用于MLCC中。用于MLCC中的其它组分起作用形成核-壳结构，从而确保随温度变化或居里温度改变的电容量特性。
美国专利No.6,268,054和美国专利公开No.2002-0040085论述了基于MLCC提高的加工或属性，金属氧化物，如Zr、Hf、Nb、Ca、La和Bi氧化物被包含在陶瓷中。但是，从这些美国专利的思想中看不到聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数的改善，因此，在介电组合物中陶瓷含量不可避免地提高到60％至95％的水平。
极化在本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物中被诱导(induce)，导致介电常数的改善。具体地，极化在聚合物与陶瓷之间的界面被诱导。在作为绝缘体的聚合物与陶瓷之间的界面上诱导的极化导致陶瓷表面带电。由于至今为止，所研发的聚合物-陶瓷电介质中使用的陶瓷的表面不带电，在聚合物/陶瓷界面没有诱导极化。
极化是由于电场引起的电荷的重排或转移(displacement)所导致的现象。极化包括以下不同机理：离子极化、电子极化、取向极化(偶极极化)、以及界面极化(或空间电荷极化)。由于界面极化，去耦电容器的介电常数在低频范围能够极大地提高。界面极化是在不同电介质间的界面上发生的现象，并且与在电介质内诱导的极化不同。仅仅当在不同电介质间的界面上产生电荷时，才诱导界面极化。也就是说，将电荷有意地产生在陶瓷颗粒的表面上，以在聚合物/陶瓷界面上诱导空间电荷极化，导致提高的介电常数。
为了在陶瓷颗粒的表面产生电荷，杂质必须被有意地提供到陶瓷颗粒的表面。例如，当合适的掺杂剂元素加入到BaTiO3粉末时，产生Ti3+和电子以诱导界面极化。也就是说，掺杂剂金属必须在陶瓷表面产生电荷。最后，要求掺杂剂金属具有比Ti更高或更低的化合价。能与Ti结合的合适掺杂剂金属的实例包括+5价的Nb；+3价的Sb、La、Y和Mn；以及+2价的Mn。尽管Mn在室温具有+4价，但是它的化合价在高温变为+2或+3。这些金属以它们的氧化物形式使用。
在本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物中，通过使陶瓷的表面带电诱导界面极化。陶瓷包括具有钙钛矿结构的材料(表示为ABO3)。这样的材料的实例包括BaTiO3、PbTiO3、PbZrO3、Pb(Ti，Zr)O3、Pb(Mn，Nb)O3、SrTiO3、CaTiO3、以及MgTiO3。
陶瓷中的包含物金属氧化物掺杂剂使陶瓷的表面带电。金属氧化物掺杂剂的金属选自与ABO3的B位置元素具有不同化合价的金属。优选金属具有高于B位置元素的化合价。如果B位置元素具有+4价如Ti和Zr，金属氧化物掺杂剂的金属为具有+5价的Nb或者具有+3价的Sb、Y或La。最优选的是具有与B位置元素化合价不同并且原子半径与B位置元素相似的金属，以便促进该金属与B位置元素之间的置换。
ABO3的B位置元素被金属氧化物掺杂剂的金属置换，以使陶瓷表面带电。置换的适合性可以通过在全部频率范围内测量陶瓷的电导率或者通过测量聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数，以鉴定是否观测到在1kHz或更低的低频范围介电常数突然增大。
图3示出随着MnO2含量改变，包含由BaTiO3和MnO2组成的陶瓷的聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数的变化。这时，电介质组合物包含20vol％的陶瓷和余量的聚合物。
图3的曲线图示出介电常数随着MnO2含量的增加而增大，并且从2mol％MnO2处开始急剧下降。加入MnO2使陶瓷表面带电。由于在陶瓷表面上存在的电荷的优选量是受限的以确保根据本发明的电介质组合物的高介电常数，金属氧化物掺杂剂的优选量也是受限制的。
使根据本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物的陶瓷的表面带电以诱导界面极化，导致介电常数提高。相反，传统聚合物-陶瓷电介质组合物的陶瓷的表面不带电。
在本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物中，确定了由ABO3表示的材料的种类，选择与ABO3的B位置元素具有不同化合价的金属，然后加入金属氧化物以使陶瓷表面带电，从而诱导界面极化。陶瓷表面是否带电能通过测量陶瓷的电导率或者通过测量聚合物-陶瓷电介质组合物随变化的频率的介电常数并观测到在低频范围突然增大来确定。根据本发明中进行的实验，当加入金属氧化物掺杂剂时，介电常数在1kHz或更低的低频范围提高约34％至约49％。
参照采用Nb氧化物(但不限于此)作为金属氧化物掺杂剂对本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物进行解释说明。
由于BaTiO3的B位置元素具有+4价而Nb具有+5价，NbO能够用作金属氧化物掺杂剂。另外，由于Ti具有与Nb相似的原子半径，它易于被Nb置换。
当Nb氧化物以0.05mol％至2mol％、优选0.25mol％至0.75mol％的量加入时，电介质组合物的介电常数最高。如果加入的Nb氧化物的量太少，介电常数的提高是可忽略的。因此，优选Nb氧化物的下限含量限制在0.05mol％。同时，如果Nb氧化物的量太大，极化被很强地诱导，从而导致介电常数和介电损失均增大并恶化TCC性能(其表明介电常数随温度变化的改变)。因此，优选Nb氧化物的上限含量(upper content)限制在2mol％。
在Nb氧化物加入到BaTiO3中的情况下，Nb氧化物的含量范围一定要窄，通过加入Nb氧化物使介电常数增大必须出现。为了满足这些要求，陶瓷还包括Ca氧化物。Ca氧化物用来增加界面势垒(interface barrier)的厚度，以便使聚合物-陶瓷电介质组合物的介电常数的增大(量)最大化。
这时，优选Nb氧化物/Ca氧化物的比例在1.3至4范围内。当Nb氧化物/Ca氧化物的比例小于1.3或大于4时，与不加入Ca氧化物相比，介电常数的增大不明显。
陶瓷粉末在使用前可以在800～1400℃煅烧和/或在1000℃或更高温度烧结。即使当陶瓷粉末被煅烧时，也能实现介电常数的增大。
本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物优选包括10vol％～70vol％的陶瓷以及余量的聚合物。陶瓷(含量)低于10vol％会使得难以获得足够高的介电常数。同时，陶瓷(含量)高于70vol％会导致差的剥离强度(peel strength)，产生与可靠性有关的问题。由于在根据本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物中陶瓷含量增加，改善了电介质组合物的电性能。根据本发明的电介质组合物，由于界面极化，陶瓷的介电常数增大，从而避免过度增加陶瓷含量的需要。因此，本发明的电介质组合物具有陶瓷含量限制在15vol％～55vol％并优选15vol％～50vol％的范围的优点。
任何用于制造埋入式电容器的聚合物均可用于本发明的电介质组合物中。用于本发明的电介质组合物中的聚合物选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚苯醚、聚酯、聚酰胺、及其混合物。
本发明还提供使用该电介质组合物的埋入式电容器。本发明的埋入式电容器包括第一电极膜、第二电极膜以及介电层，其中介电层用该聚合物-陶瓷电介质组合物形成。
任何应用于电容器的导电金属均可用于形成第一和第二电极膜，其实例包括Pt、Au、Ag、Cu、Ni以及Pd。电极膜优选具有0.1～100μm的厚度。
本发明的埋入式电容器通过以下步骤生产。首先，将根据本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物的淤浆(slurry)施加到金属电极箔并固化以形成薄片(laminate)。该施加通过浇铸例如带铸法(tapecasting)进行。然后，将另一金属电极箔压制在薄片上以制造电容器。
可替换地，将本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物形成在两个金属箔上以获得两个薄片。将两个薄片以这样的方式压制，将其上形成有介电组合物的表面设置成彼此相对，以制造电容器。本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物可以具有高介电常数而无需增加陶瓷含量至60％或更高，从而确保介电层至(与)金属箔的良好粘合性。
本发明还提供其中具有埋入的电容器的印刷电路板。
通过将电容器层压在聚合物基板上将电容器埋入(嵌入)到印刷电路板中。如Sanmina(美国)在美国专利No.5,079,069、5,261,153以及5,800,575中提出方法中所教导的，核聚合物(core polymer)也可以用作电容器的介电层。
下面，将参照实施例对本发明进行详细说明。
实施例
[实施例1]
根据表3中示出的组合物(发明陶瓷1至6)制备陶瓷粉末。使用作为溶剂的乙醇以及氧化锆球将每种陶瓷粉末球磨并混合12小时。将混合物在200℃干燥12小时，煅烧和/或焙烧。煅烧是通过以5℃/min的速率加热混合物、在最终温度保持2小时进行的，然后冷却。使用作为溶剂的乙醇以及氧化锆球将热处理过的混合物研磨24小时，并在200℃干燥。
将干燥的陶瓷粉末与20vol％的双酚A树脂(环氧树脂型)混合。具体地，混合是通过将双酚A树脂、作为固化剂的二氰基胍(dicyanoguanidine)以及作为分散剂的Re 610一起在丙酮中混合而进行的，将所混合的混合物与陶瓷粉末混合以制备淤浆。这时，将双酚A树脂与固化剂的比例调节至62∶8.5(w/w)，分散剂以相对于淤浆组合物的总体积的0.01vol％的量使用。如在发明实施例1中，将BaTiO3粉末(传统陶瓷1)与双酚A树脂混合。
将淤浆以100μm的厚度施加到厚度为35μm的铜板上，在170℃固化20min以形成介电层。在介电层的两个表面上形成电极以制造电容器。然后，根据IPC-TM-650使用阻抗分析仪(HP4294A)在1kHz对介电层的介电常数和介电损失进行测量。结果示于表3中。
表3
陶瓷编号   NbO的量(mol％)   BaTiO<sub>3</sub>的量(mol％) 煅烧温度(℃) 焙烧温度(℃) 介电常数 损失系数(Df)
  传统陶瓷1   0   100   1100   -   13   0.05
  发明陶瓷1   0.25   100   1100   -   15.5   0.092
  发明陶瓷2   0.5   100   1100   -   16.4   0.088
  发明陶瓷3   0.75   100   1100   -   16.2   0.107
  发明陶瓷4   0.25   100   1100   1350   15   0.094
  发明陶瓷5   0.5   100   1100   1350   15.7   0.092
  发明陶瓷   0.75   100   1100   1350   17.3   0.128
由表3可以看出，加入Nb氧化物有助于改善电介质组合物的介电常数和介电损失系数。与仅仅煅烧相比，煅烧和焙烧的组合导致电介质组合物的改善的电性能。
图4示出随变化的频率传统陶瓷1和发明陶瓷2的介电常数值。图4的曲线图表明将NbO加入到BaTiO3中导致介电常数在整个频率范围、尤其在低频范围增大。如在1kHz或更低的低频范围所计算的，介电常数提高约34％至约49％。考虑到界面极化导致介电常数在低频范围急剧增大的事实，可以总结出界面极化是由加入NbO所诱导的，作为结果，陶瓷的表面带电。
[实施例2]
重复实施例1的步骤，只不过进一步将CaO加入到陶瓷中，将经煅烧的材料研磨以便具有约1μm的平均粒径，将所得到的粉末与44vol％的树脂混合。
表4
陶瓷编号  NbO的量(mol％) CaO的量(mol％) BaTiO<sub>3</sub>的量(mol％) 煅烧温度(℃) 介电常数 损失系数(Df)
  传统陶瓷1   0   0   100   1100   22   0.05
  发明陶瓷7   2   2   100   1100   19.9   0.03
  发明陶瓷8   3   2   100   1100   43.7   0.09
  发明陶瓷9   4   2   100   1100   26.2   0.02
  发明陶瓷10   8   2   100   1100   26.1   0.02
表4的结果表明Nb氧化物和Ca氧化物的加入导致电介质组合物的介电常数很大提高。
尽管参照前面的具体实施方式在本文中对本发明进行了详细描述，但是这些具体实施方式并不是为了限制本发明的保护范围。具有与在所附权利要求中所披露的本发明的技术精神基本相同的构造和基本相同的操作和效果的任何修改或改变都认为在本发明的范围内。例如，BaTiO3用作在实施例1和2中表示为ABO3的材料，但是其它类型的ABO3也可以用于本发明。另外，+5价的Nb用于使陶瓷表面带电荷，但是其它金属氧化物掺杂剂例如Mn也可以用于本发明。
由上述描述显而易见，根据本发明的聚合物-陶瓷电介质组合物，使陶瓷的表面带电以便在聚合物/陶瓷界面诱导极化，导致介电常数提高。能够获得根据本发明的电介质组合物的高介电常数，而无需增加陶瓷含量。因此，本发明的电介质组合物在印刷电路板的制造中是非常有用的。

Claims (41)

1.一种聚合物-陶瓷电介质组合物，包括聚合物以及分散在聚合物中的陶瓷，其中所述陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料以及金属氧化物掺杂剂组成，其中，所述金属氧化物掺杂剂的金属具有与所述B位置元素相似的原子半径和不同的化合价，并且置换所述B位置元素，从而使所述陶瓷的表面带电，并且在所述聚合物与所述陶瓷之间的界面处诱导界面极化。
2.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述金属氧化物掺杂剂在1kHz或更低的低频范围将ABO3的介电常数提高34％至49％。
3.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述ABO3选自BaTiO3、PbTiO3、PbZrO3、Pb(Ti，Zr)O3、Pb(Mn，Nb)O3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3及其混合物。
4.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述ABO3为BaTiO3。
5.根据权利要求3所述的电介质组合物，其中，所述金属氧化物掺杂剂选自Nb氧化物、Sb氧化物、La氧化物、Y氧化物和Mn氧化物。
6.根据权利要求5所述的电介质组合物，其中，所述金属氧化物掺杂剂为Nb氧化物并且以0.05mol％至2mol％的量加入。
7.根据权利要求5所述的电介质组合物，其中，所述金属氧化物掺杂剂为Nb氧化物并且以0.05mol％至10mol％的量加入；0.05mol％至10mol％的Ca氧化物作为另一种金属氧化物掺杂剂加入。
8.根据权利要求7所述的电介质组合物，其中，Nb氧化物/Ca氧化物的比例为1.3至4。
9.根据权利要求7所述的电介质组合物，其中，所述陶瓷首先在800至1400℃煅烧。
10.根据权利要求7所述的电介质组合物，其中，所述陶瓷首先在800至1400℃煅烧，并在1000℃或更高温度焙烧。
11.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述聚合物-陶瓷电介质组合物包含10vol％至70vol％的所述陶瓷以及余量的所述聚合物。
12.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述聚合物-陶瓷电介质组合物包含15vol％至55vol％的所述陶瓷以及余量的所述聚合物。
13.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述聚合物选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚苯醚、聚酯、聚酰胺、及其混合物。
14.根据权利要求12所述的电介质组合物，其中，所述电介质组合物在1kHz的频率具有26至45的介电常数。
15.一种埋入式电容器，其包括第一电极膜、第二电极膜以及介电层，其中所述介电层由聚合物-陶瓷电介质组合物形成，所述聚合物-陶瓷电介质组合物包含聚合物和分散于所述聚合物中的陶瓷，并且所述陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料和金属氧化物掺杂剂组成，其中，所述金属氧化物掺杂剂的金属具有与所述B位置元素相似的原子半径和不同的化合价，并且置换所述B位置元素从而使所述陶瓷的表面带电，并且在所述聚合物与所述陶瓷之间的界面处诱导界面极化。
16.根据权利要求15所述的埋入式电容器，其中，所述金属氧化物掺杂剂在1kHz或更低的低频范围将ABO3的介电常数提高34％至49％。
17.根据权利要求15所述的埋入式电容器，其中，所述ABO3选自BaTiO3、PbTiO3、PbZrO3、Pb(Ti，Zr)O3、Pb(Mn，Nb)O3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3及其混合物。
18.根据权利要求15所述的埋入式电容器，其中，所述ABO3为BaTiO3。
19根据权利要求17所述的埋入式电容器，其中，所述金属氧化物掺杂剂选自Nb氧化物、Sb氧化物、La氧化物、Y氧化物和Mn氧化物。
20.根据权利要求19所述的埋入式电容器，其中，所述金属氧化物掺杂剂为Nb氧化物并且以0.05mol％至2mol％的量加入。
21.根据权利要求19所述的埋入式电容器，其中，所述金属氧化物掺杂剂为Nb氧化物并且以0.05mol％至10mol％的量加入；0.05mol％至10mol％的Ca氧化物作为另一种金属氧化物掺杂剂加入。
22.根据权利要求21所述的埋入式电容器，其中，Nb氧化物/Ca氧化物的比例为1.3至4。
23.根据权利要求21所述的埋入式电容器，其中，所述陶瓷首先在800至1400℃下煅烧。
24.根据权利要求21所述的埋入式电容器，其中，所述陶瓷首先在800至1400℃煅烧，并在1000℃或更高温度下焙烧。
25.根据权利要求15所述的埋入式电容器，其中，所述聚合物-陶瓷电介质组合物包含10vol％至70vol％的所述陶瓷以及余量的所述聚合物。
26.根据权利要求15所述的埋入式电容器，其中，所述聚合物-陶瓷电介质组合物包含15vol％至55vol％的所述陶瓷以及余量的所述聚合物。
27.根据权利要求15所述的埋入式电容器，其中，所述聚合物选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚苯醚、聚酯、聚酰胺及其混合物。
28.根据权利要求26所述的埋入式电容器，其中，所述电介质组合物在1kHz的频率具有26至45的介电常数。
29.一种包括埋入其中的电容器的印刷电路板，其中所述电容器包括第一电极膜、第二电极膜以及介电层，所述介电层由聚合物-陶瓷电介质组合物形成，所述聚合物-陶瓷电介质组合物包含聚合物和分散于所述聚合物中的陶瓷，并且所述陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料和金属氧化物掺杂剂组成，其中，所述金属氧化物掺杂剂的金属具有与所述B位置元素相似的原子半径和不同的化合价，并且置换所述B位置元素，从而使所述陶瓷的表面带电，并且在所述聚合物与所述陶瓷之间的界面处诱导界面极化。
30.根据权利要求29所述的印刷电路板，其中，所述金属氧化物掺杂剂在1kHz或更低的低频范围将ABO3的介电常数提高34％至49％。
31.根据权利要求29所述的印刷电路板，其中，所述ABO3选自BaTiO3、PbTiO3、PbZrO3、Pb(Ti，Zr)O3、Pb(Mn，Nb)O3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3及其混合物。
32.根据权利要求29所述的印刷电路板，其中，所述ABO3为BaTiO3。
33.根据权利要求31所述的印刷电路板，其中，所述金属氧化物掺杂剂选自Nb氧化物、Sb氧化物、La氧化物、Y氧化物和Mn氧化物。
34.根据权利要求32所述的印刷电路板，其中，所述金属氧化物掺杂剂为Nb氧化物并且以0.05mol％～2mol％的量加入。
35.根据权利要求32所述的印刷电路板，其中，所述金属氧化物掺杂剂为Nb氧化物并且以0.05mol％至10mol％的量加入；0.05mol％至10mol％的Ca氧化物作为另一种金属氧化物掺杂剂加入。
36.根据权利要求35所述的印刷电路板，其中，Nb氧化物/Ca氧化物的比例为1.3至4。
37.根据权利要求31所述的印刷电路板，其中，所述陶瓷首先在800至1400℃煅烧。
38.根据权利要求32所述的印刷电路板，其中，所述陶瓷首先在800至1400℃煅烧，并在1000℃或更高温度焙烧。
39.根据权利要求29所述的印刷电路板，其中，所述聚合物-陶瓷电介质组合物包含10vol％至70vol％的所述陶瓷以及余量的所述聚合物。
40.根据权利要求29所述的印刷电路板，其中，所述聚合物-陶瓷电介质组合物包含15vol％至55vol％的所述陶瓷以及余量的所述聚合物。
41.根据权利要求29所述的印刷电路板，其中，所述聚合物选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚苯醚、聚酯、聚酰胺及其混合物。
42.根据权利要求40所述的印刷电路板，其中，所述电介质组合物在1kHz的频率具有26至45的介电常数。
CN2006101380145A 2005-11-02 2006-11-02 聚合物-陶瓷电介质组合物、埋入式电容器及印刷电路板 Expired - Fee Related CN1959859B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050104336A KR100691437B1 (ko) 2005-11-02 2005-11-02 폴리머-세라믹의 유전체 조성물, 이를 이용하는 내장형캐패시터와 인쇄회로기판
KR10-2005-0104336 2005-11-02
KR1020050104336 2005-11-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1959859A CN1959859A (zh) 2007-05-09
CN1959859B true CN1959859B (zh) 2010-12-15

Family

ID=37995974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101380145A Expired - Fee Related CN1959859B (zh) 2005-11-02 2006-11-02 聚合物-陶瓷电介质组合物、埋入式电容器及印刷电路板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7567426B2 (zh)
JP (1) JP4772643B2 (zh)
KR (1) KR100691437B1 (zh)
CN (1) CN1959859B (zh)
TW (1) TWI302816B (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100649633B1 (ko) * 2005-02-15 2006-11-27 삼성전기주식회사 접착력, 내열성 및 난연성이 우수한 임베디드 커패시터용수지 조성물
KR100576882B1 (ko) * 2005-02-15 2006-05-10 삼성전기주식회사 Ｔｃｃ 특성이 우수한 커패시터용 수지 조성물 및 폴리머/세라믹 복합체
KR100665261B1 (ko) * 2005-10-13 2007-01-09 삼성전기주식회사 온도변화에 따른 정전용량변화가 작은 복합 유전체 조성물및 이를 이용한 시그널 매칭용 임베디드 캐패시터
US20100144947A1 (en) * 2007-01-18 2010-06-10 Naoaki Narishige Inorganic filler and composite dielectric material using the same
US7672113B2 (en) * 2007-09-14 2010-03-02 Oak-Mitsui, Inc. Polymer-ceramic composites with excellent TCC
CN101423651B (zh) * 2007-11-02 2010-12-15 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 低温、高导热、电绝缘环氧树脂纳米复合材料制备工艺
US8697516B2 (en) * 2008-08-26 2014-04-15 Nxp, B.V. Capacitor and a method of manufacturing the same
US9390857B2 (en) 2008-09-30 2016-07-12 General Electric Company Film capacitor
KR101628355B1 (ko) 2008-10-30 2016-06-21 엘지이노텍 주식회사 임베디드 커패시터 및 그 제조방법
WO2010088686A2 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Space Charge, LLC Capacitors using preformed dielectric
WO2011063539A2 (en) * 2009-11-30 2011-06-03 Oc Oerlikon Balzers Ag Electronic battery with nano-composite
JP2013512554A (ja) * 2009-11-30 2013-04-11 オーツェー エリコン バルザーズ アーゲー 電子電池に応用されるコア−シェルナノ粒子
JP5337316B2 (ja) 2012-01-30 2013-11-06 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 高誘電絶縁性樹脂組成物
CN102810407A (zh) * 2012-07-31 2012-12-05 中国科学院化学研究所 一种高储能纯固态超级电容器的制备方法
CN102938321B (zh) * 2012-12-03 2016-01-20 济南航医纳科技有限公司 一种大功率超级储能电源的制造方法
US9551744B2 (en) * 2013-02-04 2017-01-24 Hamilton Sundstrand Corporation Detecting early failures in printed wiring boards
CN105086359B (zh) * 2014-05-07 2018-01-05 广东生益科技股份有限公司 一种陶瓷‑聚合物复合材料、制备方法及其用途
CN105140029A (zh) * 2015-09-25 2015-12-09 安捷利（番禺）电子实业有限公司 一种高电容密度的埋入式电容的制备方法
WO2017154167A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 三井金属鉱業株式会社 多層積層板及びこれを用いた多層プリント配線板の製造方法
WO2017176371A1 (en) * 2016-04-07 2017-10-12 The Penn State Research Foundation Thin film capacitors
WO2018137051A1 (zh) * 2017-01-24 2018-08-02 周虎 一种离子储能方法及装置
KR102391008B1 (ko) * 2017-08-08 2022-04-26 현대자동차주식회사 파워 모듈 및 그 파워 모듈을 포함하는 전력 변환 시스템
US11999616B2 (en) 2018-08-31 2024-06-04 Tdk Corporation Dielectric thin film, capacitor element, and electronic circuit board
CN110746742A (zh) * 2019-10-10 2020-02-04 深圳市峰泳科技有限公司 一种具有高介电常数的柔性介电材料及其制备方法
JP6986212B1 (ja) * 2020-02-07 2021-12-22 三菱瓦斯化学株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、積層板、金属箔張積層板、及びプリント配線板
CN113897021B (zh) * 2021-10-08 2023-11-03 广州敬信高聚物科技有限公司 一种聚丙烯组合物及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1252782A (zh) * 1997-02-18 2000-05-10 卡伯特公司 可分散的涂有金属氧化物的钛酸钡材料
US6068782A (en) * 1998-02-11 2000-05-30 Ormet Corporation Individual embedded capacitors for laminated printed circuit boards
US6661642B2 (en) * 2001-11-26 2003-12-09 Shipley Company, L.L.C. Dielectric structure

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970001260B1 (ko) * 1988-11-01 1997-02-04 탐 세라믹스. 인코퍼레이티드 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법
US5079069A (en) * 1989-08-23 1992-01-07 Zycon Corporation Capacitor laminate for use in capacitive printed circuit boards and methods of manufacture
US5261153A (en) * 1992-04-06 1993-11-16 Zycon Corporation In situ method for forming a capacitive PCB
US5800575A (en) * 1992-04-06 1998-09-01 Zycon Corporation In situ method of forming a bypass capacitor element internally within a capacitive PCB
IL115053A (en) * 1994-09-01 1999-11-30 Cabot Corp Ceramic slip compositions and method for making the same
EP1173047A4 (en) * 2000-02-07 2009-05-27 Ifire Ip Corp COMPOSITE SUBSTRATE, THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
AU2001276844A1 (en) 2000-07-18 2002-01-30 Cabot Corporation Polymer matrix composites
JP2002050536A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Murata Mfg Co Ltd 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
US6525922B2 (en) * 2000-12-29 2003-02-25 Intel Corporation High performance via capacitor and method for manufacturing same
WO2002071970A1 (de) 2001-03-14 2002-09-19 Braun Gmbh Verfahren und vorrichtung zur zahnreinigung
US6673274B2 (en) * 2001-04-11 2004-01-06 Cabot Corporation Dielectric compositions and methods to form the same
KR20020094329A (ko) * 2001-06-11 2002-12-18 최치준 적층 세라믹 콘덴서 용 세라믹 슬러리 제조 방법
KR100455891B1 (ko) * 2002-12-24 2004-11-06 삼성전기주식회사 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP2005002281A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Fujikura Ltd 高誘電率エポキシ樹脂組成物
JP2005008665A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Fujikura Ltd 高誘電率エポキシ樹脂組成物並びに電子部品
JP2005225721A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Tdk Corp 誘電体粉末の製造方法及び複合誘電体材料の製造方法
JP2005302435A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Tdk Corp 複合誘電体材料
KR100586963B1 (ko) * 2004-05-04 2006-06-08 삼성전기주식회사 유전체 형성용 조성물, 이로 제조된 캐패시터층 및 이를포함하는 인쇄회로기판

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1252782A (zh) * 1997-02-18 2000-05-10 卡伯特公司 可分散的涂有金属氧化物的钛酸钡材料
US6068782A (en) * 1998-02-11 2000-05-30 Ormet Corporation Individual embedded capacitors for laminated printed circuit boards
US6661642B2 (en) * 2001-11-26 2003-12-09 Shipley Company, L.L.C. Dielectric structure

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007126661A (ja) 2007-05-24
TW200742522A (en) 2007-11-01
TWI302816B (en) 2008-11-01
US7567426B2 (en) 2009-07-28
KR100691437B1 (ko) 2007-03-09
JP4772643B2 (ja) 2011-09-14
US20070097597A1 (en) 2007-05-03
CN1959859A (zh) 2007-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1959859B (zh) 聚合物-陶瓷电介质组合物、埋入式电容器及印刷电路板
US6777363B2 (en) Non-reducable, low temperature dielectric ceramic composition, capacitor and method of preparing
US9019690B2 (en) Conductive resin composition, multilayer ceramic capacitor having the same, and method of manufacturing the multilayer ceramic capacitor
US6226172B1 (en) Dielectric ceramic composition and electronic device
US8593038B2 (en) Dielectric composition and ceramic electronic component including the same
US9824819B2 (en) Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor including the same
JP7060213B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ
US9076578B2 (en) Dielectric composition and ceramic electronic component including the same
US20130083450A1 (en) Dielectric composition and ceramic electronic component including the same
JP5835012B2 (ja) 誘電体磁器組成物および電子部品
CN103474237B (zh) 多层陶瓷组件
US20220199327A1 (en) Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic electronic component using the same
CN108249915B (zh) 电介质组合物及电子部件
CN112017862A (zh) 介电陶瓷组合物及使用其的多层陶瓷电子组件
US20170008806A1 (en) Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor containing the same
JP4946822B2 (ja) 誘電体磁器組成物および電子部品
KR102222606B1 (ko) 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
EP1578179A2 (en) Thick-film dielectric and conductive compositions
KR102184672B1 (ko) 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR102566400B1 (ko) 유전 복합체, 및 이를 포함하는 적층형 커패시터 및 전자 소자
CN108231409B (zh) 介电组合物和具有介电组合物的多层陶瓷电容器
JP2789110B2 (ja) 高誘電率系磁器組成物
Alberta et al. High temperature ceramic multilayer capacitors
KR20210061776A (ko) 적층 세라믹 콘덴서
JP2021019005A (ja) 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101215

Termination date: 20131102