CN105140029A - 一种高电容密度的埋入式电容的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，包括使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂改性碳酸钡粉体，表面修饰改性的碳酸钡粉体，碳酸钡粉体与聚合物混合、搅拌以形成混合浆料，混合浆料涂覆在铜箔单面并预固化处理，将两个覆有介电薄膜的铜箔单面相对贴合以获得双面覆铜介电板，热压贴合双面覆铜介电板等步骤；掺杂改性的方法包括Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法；聚合物还可以是环氧树脂、聚偏氟乙稀、聚氨酯的一种或多种组合；铜箔为压延铜箔或电解铜箔。通过本发明所获得的埋入式电容，不仅具有热稳定性好，机械韧性强，易于加工的特点，更关键在于其表现出更高的电容密度。

Description

一种高电容密度的埋入式电容的制备方法

技术领域

本发明涉及印制电路板技术领域，特别是涉及一种高电容密度的埋入式电容的制备方法。

背景技术

电子元器件包括有源器件和无源器件。其中，绝大多数的无源器件是以分离式元件的形式存在，占据了基片80％的集成空间，因板面上互连长度和焊接点多，有着较强的寄生电感效应，材料和系统的电性能及可靠性能大为降低。而且，随着电子产品向着微型化、高多功能化方向发展，要求相应的印制电路板具有更高的集成密度，而过小的元件已经达到当前制造工艺的极限，很难进一步减小尺寸，换言之，传统的分离式无源元件已经难以符合先进电子产品的应用需求。而埋入式无源元件技术，能够将无源元件埋入印制电路板内部，可显著节约贴装空间，将元件高度整合，有效提升产品的性能和可靠性，因此越来越受到重视。

在一套电路系统的无源元件中，电容的数量通常占无源元件的50％以上，因此在所有的无源元件中，电容最受关注。使用埋入式电容可以有效地提高集成电路的集成密度，带来更加自由的电路设计空间，不仅能提高产品的性能和可靠性，还可以降低制造成本，因此埋入式电容技术的开发意义重大。

埋入式电容主要由两片铜箔和两片铜箔之间所夹的介电薄膜构成，介电薄膜层的介电性能对埋入式电容器的电容密度起着决定性的作用。近年来出现的埋入式电容产品，使用的介电薄膜主要由高分子聚合物和无机介电填料共筑而成，其中的无机介电填料主要选择钛酸钡，如环氧树脂-钛酸钡体系和聚酰亚胺-钛酸钡体系等，其原因主要在于钛酸钡不仅具有很高的介电常数，还表现出相当低的介电耗损，具有实际应用价值，而其他钛酸盐，如钛酸铜钙、钛酸铅等，虽然也可以表现出更高的介电常数，但是相应的介电耗损也急剧上升。进一步地，由高分子聚合物和无机介电填料共筑而成的薄膜体系的优点在于其可以同时发挥聚合物和无机介电填料的优势，一方面聚合物的使用使得材料具有良好的低温可加工性和柔韧性，另一方面无机填料的引入又使得薄膜体系的介电常数显著提升，提高了电容密度。

然而，在当前市场上，主流的埋入式电容材料的电容密度仍然偏低，通常在1.0～1.6nF/cm²之间，其中主要的原因在于有机无机复合体系的介电常数有限。因此，如何进一步提高埋入式电容材料的电容密度仍然具有非常重要的现实意义。

发明内容

为了解决现有技术的不足，本发明的目的是提供一种埋入式电容的制备方法，所获得的埋入式电容不仅热稳定性好、加工简单，更关键在于其更进一步提高了介电常数。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：

一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，其关键在于，包括以下步骤实现：

S1、使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂取代BaTiO₃粉体的晶体结构中部分Ti原子的位点，以实现对所述BaTiO₃粉体的掺杂改性；

S2、表面修饰经步骤S1处理后的所述BaTiO₃粉体；

S3、将经步骤S2处理后的所述BaTiO₃粉体与聚合物进行混合和搅拌，形成混合浆料，所述聚合物为聚酰亚胺；

S4、将所述混合浆料涂覆在铜箔单面上，然后进行预固化处理，使得所述铜箔单面覆上介电薄膜；

S5、将两个经步骤S4处理后的所述铜箔的覆有介电薄膜的一面相对贴合，获得双面覆铜介电板；

S6、将所述双面覆铜介电板进行热压贴合，最终得到埋入式电容。

进一步的，所述步骤S1中，所述掺杂取代的方法有Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法。

进一步的，所述步骤S1中，所述Mg掺杂的固相反应法如下：

(1)称量Ba(OH)₂·8H₂O粉体，溶于乙二醇甲醚中，按照化学计量比Ba/Ti＝1.06～1.03称量[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti，溶于甲醇中；

(2)按照化学计量比Mg/Ti为0.03～0.06称量Mg(OH)₂粉体，将所述Ba(OH)₂·8H₂O与[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti溶液混合、搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述Mg(OH)₂粉体；充分搅拌后形成凝胶；

(3)将所述凝胶陈化6h后，再置于烘箱中80℃干燥，得到干燥的凝胶，然后将所述凝胶于700℃下煅烧2h，得到Mg掺杂的BaTiO₃粉体，经过球磨后，得到粒径约为0.01～2.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。

进一步的，所述步骤S1中，所述Mg掺杂的水热反应法如下：

(1)称量TiCl₄液体，按照1g的TiCl₄液体对应8～9mL水的比例缓慢地滴加于冰水中，形成TiCl₄溶液；按照1g的TiCl₄液体对应3.15gBaCl₂的比例称量BaCl₂，并溶于水中，形成BaCl₂溶液；

(2)按照1g的TiCl₄液体对应0.015g的比例称量MgCl₂粉体；将所述BaCl₂溶液与所述TiCl₄溶液混合搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述MgCl₂粉体；充分搅拌后，按照1g的TiCl₄液体对应20mLNaOH溶液比例加入2mol/L的NaOH溶液，再次充分搅拌后置于高压不锈钢反应釜中，填充比为60％；在230℃的水热条件下保温14h后，将沉淀物过滤洗涤，去除Cl离子，获得过滤物；

(3)将所述过滤物在90℃下干燥24h，然后球磨，得到粒径约为1.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。

进一步的，所述步骤S1中，所述Cu和Ce掺杂的固相反应法如下：

(1)按照质量比0.41/1的比例称量TiO₂和BaCO₃粉体，混合后湿法球磨4h，然后在1050℃保温2h，获得混合粉体；

(2)按照1g的BaCO₃粉体对应0.05g的CeO₂粉体和0.01g的CuO粉体比例分别称量CeO₂粉体和CuO粉体，将所述CeO₂粉体、所述CuO粉体与所述混合粉体混合，然后继续湿磨6h，得到粒径约为1.0μm的Ce和Cu掺杂的BaTiO3粉体。

进一步的，所述步骤S2中，所述表面修饰的方法如下：

(1)将经过所述步骤S1处理得到的所述BaTiO₃粉体，按照1g所述BaTiO₃粉体对应10mL乙醇的比例与乙醇混合，在30～60℃下超声搅拌30min，得到掺杂改性BaTiO₃悬浊液；

(2)将所述掺杂改性BaTiO₃悬浊液在40～60℃温度下搅拌，同时加入质量分数1～2％的硅烷偶联剂；继续搅拌2-3h后，取出悬浊液，使用抽滤或离心的方法固液分离，洗涤以及干燥后，得到表面修饰后的掺杂改性BaTiO₃粉体。

进一步的，所述步骤S3中，所述混合和搅拌的方法为：按照掺杂改性BaTiO₃粉体体积分数为15～70％、聚酰亚胺体积分数为30～85％的比例，将经所述步骤S2处理后的所述掺杂改性BaTiO₃粉体与所述聚酰亚胺共混，在30～60℃下高速超声搅拌10～30min。通过此方式，使得混合效果更佳。

进一步的，所述步骤S3中，所述聚酰亚胺预先使用丙酮或二甲基甲酰胺(DMF)溶解；所述聚酰亚胺使用环氧基团或其他粘性基团进行改性，以提高其与铜箔的剥离强度。

进一步的，所述步骤S4中，所述铜箔为压延铜箔或电解铜箔；所述预固化处理的条件为在90-170℃的烘箱中保持3～30min，保证介电薄膜牢固覆在所述铜箔单面上。

进一步的，所述步骤S3中，所述聚酰亚胺用环氧树脂、聚偏氟乙稀、聚氨酯的一种或多种组合进行替代，可以达到相同效果，进一步扩大了聚合物的选材面。

相对现有技术，本发明的有益效果在于：

(1)本发明提供的高电容密度的埋入式电容的制备方法，通过Mg、Cu和Ce掺杂改性钛酸钡，然后使用Mg、Cu和Ce掺杂改性过的钛酸钡与聚合物构筑而成复合体系薄膜，并将该复合体系薄膜用于制备埋入式电容，所获得的埋入式电容不仅能进一步有效地提高介电层的电容密度，而且介电耗损仍可维持在较低的水平。

(2)本发明提供的高电容密度的埋入式电容的制备方法，所获得的埋入式电容具有热稳定性好、机械韧性强、易于加工的特点。

附图说明

图1是本发明所述的一种高电容密度的埋入式电容的制备方法一实施方式的流程示意图。

图2是本发明所述的一种高电容密度的埋入式电容的制备方法中待掺杂改性的钛酸钡晶体结构示意图。

图3是本发明所述的一种高电容密度的埋入式电容的制备方法中最终得到的埋入式电容结构组成示意图。

图中：1-BaTiO₃粉体的晶体结构；11-Ti原子的位点；12-氧；13-钡；2-铜箔；21-第一铜箔；22-第二铜箔；3-聚酰亚胺；4-掺杂改性的BaTiO₃粉体。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其不应限制本发明保护的范围。

为了解决现有技术的问题，本发明提供一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，具体地说，如图1-图3所示，该制备方法大致包括以下步骤：

S1、使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂取代BaTiO₃粉体的晶体结构1中部分Ti原子的位点11，以实现对所述BaTiO₃粉体的掺杂改性；

通过上述步骤S1，将Mg原子引入钛酸钡的晶格以掺杂取代Ti的位点，或者使用CuO和CeO₂掺杂，通过适量掺杂，显著改变外加电场下其他Ti⁴⁺离子和O^2-的位移极化，获得掺杂改性的BaTiO₃粉体4，可进一步提高作为介电层的BaTiO₃粉体的介电性能；最终获取的掺杂改性的BaTiO₃粉体4，其粒径在0.01～2.0μm范围内。

S2、表面修饰经步骤S1处理后的所述BaTiO₃粉体；

通过上述步骤S2，使得掺杂改性的BaTiO₃粉体4的表面得到良好的修饰。

S3、将步骤S2处理后的掺杂改性的BaTiO₃粉体4与聚合物进行混合和搅拌，形成混合浆料，所述聚合物为聚酰亚胺3；

通过上述步骤S3，掺杂改性的BaTiO₃粉体4与聚酰亚胺3得到很好的混合，形成作为介电层的混合浆料，其中，聚酰亚胺3的作用主要为支撑介电层，保证埋入式电容的机械韧性；掺杂改性的BaTiO₃粉体4可以增强埋入式电容的介电性能。

S4、将所述混合浆料涂覆在铜箔2单面上，然后进行预固化处理，使得铜箔2单面覆上介电薄膜；

通过上述步骤S4，将掺杂改性的BaTiO₃粉体4与聚酰亚胺3混合形成的混合浆料涂覆于铜箔2表面，通过预固化处理，使得作为介电层的混合浆料更好地吸附于铜箔2表面。

S5、将两个经步骤S4处理后的铜箔2的覆有介电薄膜的一面相对贴合，获得双面覆铜介电板；

S6、将所述双面覆铜介电板进行热压贴合，最终得到埋入式电容。

通过上述步骤S5和步骤S6，将第一铜箔21和第二铜箔22单面的介电层相对贴合，依靠介电层之间相互的粘合力将两个铜箔贴合在一起，所得到的埋入式电容的中间为介电层薄膜，两边覆以外层电极，介电层薄膜厚度为8～14μm，外层电极厚度为15或35μm。而热压使得作为介电层的介电薄膜贴合效果更佳。

在步骤S1中，掺杂取代的方法有Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法。

作为一种优选项，在步骤S1中，通过Mg掺杂的固相反应法掺杂改性BaTiO₃粉体，详述如下：

(1)称量Ba(OH)₂·8H₂O粉体，溶于乙二醇甲醚中，按照化学计量比Ba/Ti＝1.06～1.03称量[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti，溶于甲醇中；

(2)按照化学计量比Mg/Ti为0.03～0.06称量Mg(OH)₂粉体，将所述Ba(OH)₂·8H₂O与[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti溶液混合、搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述Mg(OH)₂粉体；充分搅拌后形成凝胶；

(3)将所述凝胶陈化6h后，再置于烘箱中80℃干燥，得到干燥的凝胶，然后将所述凝胶于700℃下煅烧2h，得到Mg掺杂的BaTiO₃粉体，经过球磨后，得到粒径约为0.01～2.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。

作为另一种优选项，在步骤S1中，通过Mg掺杂的水热反应法掺杂改性BaTiO₃粉体，详述如下：

(1)称量TiCl₄液体，按照1g的TiCl₄液体对应8～9mL水的比例缓慢地滴加于冰水中，形成TiCl₄溶液；按照1g的TiCl₄液体对应3.15gBaCl₂的比例称量BaCl₂，并溶于水中，形成BaCl₂溶液；

(2)按照1g的TiCl₄液体对应0.015gMgCl₂的比例称量MgCl₂粉体；将所述BaCl₂溶液与所述TiCl₄溶液混合搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述MgCl₂粉体；充分搅拌后，按照1g的TiCl₄液体对应20mLNaOH溶液比例加入2mol/L的NaOH溶液，再次充分搅拌后置于高压不锈钢反应釜中，填充比为60％；在230℃的水热条件下保温14h后，将沉淀物过滤洗涤，去除Cl离子，获得过滤物；

(3)将所述过滤物在90℃下干燥24h，然后球磨，得到粒径约为1.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。

作为另一种优选项，在步骤S1中，通过Cu和Ce掺杂的固相反应法掺杂改性BaTiO₃粉体，详述如下：

(1)按照质量比0.41/1的比例称量TiO₂和BaCO₃粉体，混合后湿法球磨4h，然后在1050℃保温2h，获得混合粉体；

(2)按照1g的BaCO₃粉体对应0.05g的CeO₂粉体和0.01g的CuO粉体比例分别称量CeO₂粉体和CuO粉体，与所述混合粉体混合，然后继续湿磨6h，得到粒径约为1.0μm的Ce和Cu掺杂的BaTiO₃粉体。

在步骤S2中，掺杂改性的BaTiO₃粉体的表面修饰的方法如下：

(1)将经过步骤S1处理得到的掺杂改性的BaTiO₃粉体，按照1g所述BaTiO₃粉体对应10mL乙醇的比例与乙醇混合，在30～60℃下超声搅拌30min，得到掺杂改性BaTiO₃悬浊液；

(2)将所述掺杂改性BaTiO₃悬浊液在40～60℃温度下搅拌，同时加入质量分数1～2％的硅烷偶联剂；继续搅拌2-3h后，取出悬浊液，使用抽滤或离心的方法固液分离，洗涤以及干燥后，得到表面修饰后的掺杂改性BaTiO₃粉体。

在步骤S3中，所述混合和搅拌的方法为：按照掺杂改性BaTiO₃粉体体积分数为15～70％、聚酰亚胺体积分数为30～85％的比例，将经所述步骤S2处理后的所述掺杂改性BaTiO₃粉体与所述聚酰亚胺共混，在30～60℃下高速超声搅拌10～30min，即最终获得的埋入式电容的介电层薄膜中，聚合物所占的体积分数为30～85％，掺杂改性BaTiO₃的体积分数为15～70％，既保证了介电层的力学性能，又提高了介电层的介电性能。

特别的，在步骤S3中，所述聚酰亚胺预先使用丙酮或二甲基甲酰胺(DMF)溶解；所述聚酰亚胺使用环氧基团或其他粘性基团进行改性，以提高其与铜箔的剥离强度。

在步骤S4中，所述铜箔为压延铜箔或电解铜箔；所述预固化处理的条件为在90-170℃的烘箱中保持3～30min，保证介电薄膜牢固覆在所述铜箔单面上。

另外，在步骤S3中，所述聚酰亚胺可用环氧树脂、聚偏氟乙稀、聚氨酯的一种或多种组合进行替代，同样可以达到相同效果，进一步扩大了聚合物的选材面。

实施例1

在本实施例中，使用Mg掺杂的固相反应法掺杂改性BaTiO₃粉体，该埋入式电容的制备方法大致包括以下步骤：

S1、使用Mg掺杂的固相反应法掺杂改性BaTiO₃粉体

(1)称量10g的Ba(OH)₂·8H₂O粉体，溶于适量的乙二醇甲醚中；称量10.17g的[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti，溶于适量甲醇；

(2)称量0.05g的Mg(OH)₂粉体，先将上一步获得的Ba(OH)₂·8H₂O溶液与[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti溶液混合搅拌，搅拌过程中，加入称量好的Mg(OH)₂粉体，充分搅拌后形成凝胶；

(3)将上一步得到的凝胶陈化6h后，再置于烘箱中80℃干燥，得到干燥的凝胶；然后将凝胶置于700℃条件下煅烧2h，得到Mg掺杂的BaTiO₃粉体；经过球磨，得到粒径约为1.0μm的Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体。

S2、Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体的表面修饰

(1)将步骤S1处理得到的Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体，与75mL乙醇的比例混合后，在30～60℃下超声搅拌30min，得到Mg掺杂的BaTiO₃悬浊液；

(2)在40～60℃温度下，搅拌Mg掺杂的BaTiO₃悬浊液，同时加入0.08g的硅烷偶联剂；继续搅拌2-3h后，取出悬浊液，使用抽滤或离心的方法固液分离、洗涤、干燥后，得到表面修饰好的Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体。

S3、将12g热塑型聚酰亚胺溶于丙酮，50℃下搅拌，同时将步骤S2中修饰过的Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体混入其中，继续50℃下高速搅拌20min，形成混合浆料。

S4、将步骤S3中获得的混合浆料涂覆在铜箔单面上，然后置于130℃的烘箱中8min进行预固化处理，使得铜箔的单面覆上介电薄膜。

S5、将两片预固化处理后的铜箔的覆有介电薄膜的一面相对贴合，即将二者的介电层相对，依靠介电层之间相互的粘合力将两片铜箔贴合在一起。

S6、将相对贴合的两片铜箔在200℃温度、3.0MPa的压力下热压3个小时，最终得到埋入式电容。

实施例2

本实施例与实施例1的最大区别在于，其使用Mg掺杂的水热反应法掺杂改性BaTiO₃粉体，该埋入式电容的制备方法的详细步骤如下：

S1、使用Mg掺杂的水热反应法掺杂改性BaTiO₃粉体

(1)称量10g的TiCl₄，缓慢地滴于86mL的冰水中；称量31.48g的BaCl₂，溶于适量水中；

(2)称量0.15g的MgCl₂粉体，先将上一步获得的BaCl₂溶液与TiCl₄溶液混合搅拌，搅拌过程中，加入称量好的MgCl₂粉体；再加入200mL的2mol/L的NaOH溶液，充分搅拌后置于高压不锈钢反应釜中，填充比为60％；在230℃的水热条件下保温14h后，将沉淀物过滤洗涤，去除Cl离子，提取过滤物；

(3)上一步获得的过滤物在90℃下干燥24h，然后球磨，得到粒径约为1.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。

S2、Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体的表面修饰

(1)将步骤S1处理得到的Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体，与120mL的乙醇混合后，在30～60℃下超声搅拌30min，得到Mg掺杂的BaTiO₃悬浊液；

(2)在40～60℃温度下，搅拌Mg掺杂的BaTiO₃悬浊液，同时加入0.12g的硅烷偶联剂；继续搅拌2-3h后，取出悬浊液，使用抽滤或离心的方法固液分离、洗涤、干燥后，得到表面修饰好的Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体。

S3、将15g热塑型聚酰亚胺溶于丙酮，50℃下搅拌，同时将步骤2中修饰过Mg掺杂改性的BaTiO₃粉体混入其中，继续50℃下高速搅拌20min，形成混合浆料。

本实施例其余步骤S4-S6与实施例1相同。

实施例3

本实施例与实施例2的最大区别在于，其使用Cu和Ce掺杂的固相反应法掺杂改性BaTiO₃粉体，该埋入式电容的制备方法的详细步骤如下：

S1、使用Cu和Ce掺杂的固相反应法掺杂改性BaTiO₃粉体

(1)称量10g的BaCO₃粉体和4.05g的TiO₂，混合后湿法球磨4h，所得粉体在1050℃保温2h；

(2)称量0.5g的CeO₂粉体和0.1g的CuO，与上一步所得粉体混合，然后继续湿磨6h，得到粒径约为1.0μm的Ce和Cu掺杂改性的BaTiO₃粉体。

本实施例其余步骤S2-S6与实施例2相同。

应该理解，以上实施例所述具体实施方式仅是为了对权利要求书进行清楚、完整的说明，但并不意味着对权利要求书保护范围的限定，凡是基于本发明的发明构思，在本发明基础上进行的与本发明无实质性差别的变形及改造，均属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，包括以下步骤实现：

S1、使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂取代BaTiO₃粉体的晶体结构中部分Ti原子的位点，以实现对所述BaTiO₃粉体的掺杂改性；

S2、表面修饰经步骤S1处理后的所述BaTiO₃粉体；

S3、将经步骤S2处理后的所述BaTiO₃粉体与聚合物进行混合和搅拌，形成混合浆料，所述聚合物为聚酰亚胺；

S4、将所述混合浆料涂覆在铜箔单面上，然后进行预固化处理，使得所述铜箔单面覆上介电薄膜；

S5、将两个经步骤S4处理后的所述铜箔的覆有介电薄膜的一面相对贴合，获得双面覆铜介电板；

S6、将所述双面覆铜介电板进行热压贴合，最终得到埋入式电容。

2.如权利要求1所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述掺杂取代的方法有Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法。

3.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述Mg掺杂的固相反应法如下：

称量Ba(OH)₂·8H₂O粉体，溶于乙二醇甲醚中，按照化学计量比Ba/Ti＝1.06～1.03称量[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti，溶于甲醇中；

按照化学计量比Mg/Ti为0.03～0.06称量Mg(OH)₂粉体，将所述Ba(OH)₂·8H₂O与[CH₃(CH₂)₃O]₄Ti溶液混合、搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述Mg(OH)₂粉体；充分搅拌后形成凝胶；

将所述凝胶陈化6h后，再置于烘箱中80℃干燥，得到干燥的凝胶，然后将所述凝胶于700℃下煅烧2h，得到Mg掺杂的BaTiO₃粉体，经过球磨后，得到粒径约为0.01～2.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。

4.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述Mg掺杂的水热反应法如下：

称量TiCl₄液体，按照1g的TiCl₄液体对应8～9mL水的比例缓慢地滴加于冰水中，形成TiCl₄溶液；按照1g的TiCl₄液体对应3.15gBaCl₂的比例称量BaCl₂，并溶于水中，形成BaCl₂溶液；

按照1g的TiCl₄液体对应0.015gMgCl₂的比例称量MgCl₂粉体；将所述BaCl₂溶液与所述TiCl₄溶液混合搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述MgCl₂粉体；充分搅拌后，按照1g的TiCl₄液体对应20mLNaOH溶液比例加入2mol/L的NaOH溶液，再次充分搅拌后置于高压不锈钢反应釜中，填充比为60％；在230℃的水热条件下保温14h后，将沉淀物过滤洗涤，去除Cl离子，获得过滤物；

将所述过滤物在90℃下干燥24h，然后球磨，得到粒径约为1.0μm的Mg掺杂的BaTiO₃粉体。

5.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述Cu和Ce掺杂的固相反应法如下：

按照质量比0.41/1的比例称量TiO₂和BaCO₃粉体，混合后湿法球磨4h，然后在1050℃保温2h，获得混合粉体；

按照1g的BaCO₃粉体对应0.05g的CeO₂粉体和0.01g的CuO粉体比例分别称量CeO₂粉体和CuO粉体，将所述CeO₂粉体、所述CuO粉体与所述混合粉体混合，然后继续湿磨6h，得到粒径约为1.0μm的Ce和Cu掺杂的BaTiO₃粉体。

6.如权利要求1-5任一项所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述表面修饰的方法为：

将经过所述步骤S1处理得到的所述BaTiO₃粉体，按照1g所述BaTiO₃粉体对应10mL乙醇的比例与乙醇混合，在30～60℃下超声搅拌30min，得到掺杂改性BaTiO₃悬浊液；

将所述掺杂改性BaTiO₃悬浊液在40～60℃温度下搅拌，同时加入质量分数1～2％的硅烷偶联剂；继续搅拌2-3h后，取出悬浊液，使用抽滤或离心的方法固液分离，洗涤以及干燥后，得到表面修饰后的掺杂改性BaTiO₃粉体。

7.如权利要求1-6任一项所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述混合和搅拌的方法为：按照掺杂改性BaTiO₃粉体体积分数为15～70％、聚酰亚胺体积分数为30～85％的比例，将经所述步骤S2处理后的所述掺杂改性BaTiO₃粉体与所述聚酰亚胺共混，在30～60℃下高速超声搅拌10～30min。

8.如权利要求7所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述聚酰亚胺预先使用丙酮或二甲基甲酰胺(DMF)溶解，所述聚酰亚胺使用环氧基团或其他粘性基团进行改性。

9.如权利要求1-8任一项所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，所述铜箔为压延铜箔或电解铜箔；所述预固化处理的条件为在90-170℃的烘箱中保持3～30min。

10.如权利要求7所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述聚酰亚胺用环氧树脂、聚偏氟乙稀、聚氨酯的一种或多种组合替代。