JP2013239228A - メモリ装置、メモリシステム及びその動作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の実施形態によるメモリ装置の動作方法は、(a)第1メモリセルをアクセスする度に、第1メモリセルに隣接した第2メモリセルのディスターブ量をカウントして、第2メモリセルに対するディスターブカウント値をアップデートする段階と、(b)第2メモリセルのディスターブカウント値を、既定のスレッショルド値及び最大ディスターブカウント値と比較した結果によってリフレッシュ動作スケジュールを調整する段階と、(c)調整されたスケジュールによって、第2メモリセルをリフレッシュした場合、第2メモリセルのディスターブカウント値及び最大ディスターブカウント値をリセットする段階と、を含む。
【選択図】図2
Description
11 ノーマルセルアレイ
20 ディスターブカウントセルアレイ
31 ローマルチプレクサ
32 ローバッファ
33 ローデコーダ
40 バンクコントロールロジック
51 カラムバッファ
52 カラムデコーダ
61 センスアンプ
70 入出力コントロールユニット
100 メモリ装置
200 コントロールロジック
210 アドレスコマンドデコーダ
220 ディスターブカウントユニット
221 カウント値アップデート部
222 カウント値比較部
223 最大ディスターブカウント値保存部
224 カウント有効フラグユニット
250 リフレッシュユニット
251 隣接アドレス計算部
252 次の非正規リフレッシュアドレス及び非正規リフレッシュフラグ保存部
253 リフレッシュコントローラ
254 周期的内部リフレッシュ命令生成部
Claims (30)
- 第1メモリセルと前記第1メモリセルに隣接した第2メモリセルとを含む複数のメモリセルを含むメモリ装置の動作方法において、
前記第1メモリセルをアクセスする度に、前記第2メモリセルのディスターブ量をカウントする段階と、
前記カウントに基づいて、前記第2メモリセルに対するディスターブカウント値をアップデートする段階と、
前記第2メモリセルのディスターブカウント値、既定のスレッショルド値及び最大ディスターブカウント値に基づいてリフレッシュスケジュールを調整する段階と、
前記調整されたスケジュールによって、前記第2メモリセルをリフレッシュした場合、前記第2メモリセルのディスターブカウント値及び前記最大ディスターブカウント値をリセットする段階と、
を含むメモリ装置の動作方法。 - 前記ディスターブ量は、
前記第1メモリセルに対する累積アクセスタイム(Access time)を単位時間で割った値である請求項1に記載のメモリ装置の動作方法。 - 前記アップデートする段階は、
前記第1メモリセルがアクセスされる度に、以前にアクセスタイムに保存されたディスターブカウント値に、前記第1メモリセルの現在アクセスタイムの間に周期的にカウントされる値を加える段階を含む請求項1に記載のメモリ装置の動作方法。 - 前記リフレッシュスケジュールを調整する段階は、
前記第2メモリセルのディスターブカウント値が、前記スレッショルド値以上であり、前記最大ディスターブカウント値を超過する場合、前記スケジュール内の前記第2メモリセルに対するリフレッシュ動作順序を繰り上げる段階と、
前記最大ディスターブカウント値を前記第2メモリセルのディスターブカウント値にアップデートする段階と、
を含む請求項1に記載のメモリ装置の動作方法。 - 前記第2メモリセルのディスターブカウント値及び前記最大ディスターブカウント値をリセットする段階は、
前記メモリ装置が、パワーアップ(Power Up)された後、非正規リフレッシュフラグを活性化して、スケジュールによってリフレッシュ動作を行うように制御する段階と、
前記メモリ装置が、テストモードである場合、前記非正規リフレッシュフラグを非活性化して、リフレッシュ動作を停止させる段階と、
を含む請求項1に記載のメモリ装置の動作方法。 - 前記第2メモリセルをリフレッシュする場合、前記非正規リフレッシュフラグは、リセットされる請求項5に記載のメモリ装置の動作方法。
- 前記動作方法は、
前記メモリ装置が、パワーアップされて初期化される場合、前記メモリ装置の前記ディスターブカウント値を初期化する段階をさらに含む請求項1に記載のメモリ装置の動作方法。 - 第1メモリセルと前記第1メモリセルに隣接した第2メモリセルとを含む複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、
前記第1メモリセルにアクセスする時、前記第2メモリセルに対する現在ディスターブカウント値をリードし、前記現在ディスターブカウント値を、既定のスレッショルド値及び最大ディスターブカウント値と比較し、前記第1メモリセルの現在アクセスタイムの間に、前記第2メモリセルのディスターブ量をカウントし、前記カウントに基づいて、前記ディスターブカウント値をアップデートするコントロールロジックと、
前記第2メモリセルのワードラインアドレスを計算し、前記ディスターブカウント値の比較結果によって、前記第2メモリセルに対する現在リフレッシュスケジュールを調整して、前記第2メモリセルのリフレッシュ動作を行い、パワーアップ信号に基づいてリフレッシュ動作遂行の初期化有無を制御するリフレッシュユニットと、
を含むメモリ装置。 - 前記メモリセルアレイは、
データを保存する複数のデータメモリセルを含むノーマルセルアレイと、
前記ディスターブカウント値を保存する複数のディスターブカウントセルを含むディスターブカウントセルアレイと、を含み、
前記複数のデータメモリセルは、前記第1及び第2メモリセルを含み、
少なくとも1つの前記ディスターブカウントセルは、前記第1メモリセルと同一ワードラインに属した請求項8に記載のメモリ装置。 - 前記コントロールロジックは、
ホストからクロック信号、アクティブ命令及びアドレスを受信して、前記クロック信号に基づいて、前記命令に相応する制御信号にデコーディングし、前記アドレスを前記第1メモリセルにアクセスするためのローアドレスとカラムアドレスとにデコーディングするアドレスコマンドデコーダと、
リードされた前記現在ディスターブカウント値を、前記スレッショルド値及び最大ディスターブカウント値と比較するカウント値比較部と、
前記第1メモリセルがアクセスされる度に、以前にアクセスタイムに保存されたディスターブカウント値に、前記第1メモリセルの現在アクセスタイムの間に周期的にカウントされる値を加えて、アップデートするカウント値アップデート部と、
前記メモリ装置の初期化時点から現在動作時点までの前記第2メモリセルに対する前記ディスターブカウント値のうち、最大ディスターブカウント値を保存し、前記アップデートされたディスターブカウント値が、現在最大ディスターブカウント値よりも大きければ、前記アップデートされたディスターブカウント値を最大ディスターブカウント値にアップデートする最大ディスターブカウント値保存部と、
を含む請求項8に記載のメモリ装置。 - 前記リフレッシュユニットは、
前記コントロールロジックから受信した前記第1メモリセルに対するアドレスに基づいて、前記第2メモリセルに対するアドレスを計算する隣接アドレス計算部と、
前記第2メモリセルに対する前記現在ディスターブカウント値が、前記スレッショルド値以上であり、前記最大ディスターブカウント値を超過すれば、前記第2メモリセルの前記アドレスを次の非正規リフレッシュアドレスに保存し、前記第2メモリセルに対する非正規リフレッシュ動作を実行するかどうか表わす非正規リフレッシュフラグ(Refresh Flag)を保存する次の非正規リフレッシュアドレス及び非正規リフレッシュフラグ保存部と、
前記非正規リフレッシュフラグによって、前記第2メモリセルの非正規リフレッシュ動作を優先的に行うように、前記現在リフレッシュスケジュールを調整するリフレッシュコントローラと、
を含む請求項8に記載のメモリ装置。 - 前記リフレッシュユニットは、
前記パワーアップ信号に基づいて、前記メモリセルアレイ全体をいずれもリフレッシュし、前記ディスターブカウント値を初期化するように制御する内部リフレッシュ信号を出力する周期的内部リフレッシュコマンド生成部をさらに含み、
前記コントロールロジックは、
前記内部リフレッシュ信号によってカウント有効フラグを活性化して、前記カウント値アップデート部、前記カウント値比較部、及び前記最大ディスターブカウント値保存部をリセットするカウント有効フラグユニットを含む請求項10に記載のメモリ装置。 - 前記カウント値アップデート部は、
前記第2メモリセルに対する非正規リフレッシュ動作遂行後、前記第2メモリセルに対するディスターブカウント値をリセットする請求項10に記載のメモリ装置。 - 前記リフレッシュコントローラは、
前記第2メモリセルに対する前記現在ディスターブカウント値が、前記スレッショルド値以上であり、前記最大ディスターブカウント値を超過すれば、前記第2メモリセルに対する非正規リフレッシュ動作順序を前記現在リフレッシュスケジュールの間に挿入して優先処理する請求項11に記載のメモリ装置。 - 前記リフレッシュコントローラは、
前記第2メモリセルに対する前記現在ディスターブカウント値が、前記スレッショルド値以上であり、前記最大ディスターブカウント値を超過すれば、前記第2メモリセルに対する非正規リフレッシュ動作順序を前記現在リフレッシュスケジュールと並行処理されるようにスケジューリングする請求項11に記載のメモリ装置。 - 前記カウント有効フラグユニットは、
前記メモリ装置が、テストモードである場合、前記第2メモリセルに対する非正規リフレッシュ動作を行わないように、前記カウント有効フラグを非活性化する請求項12に記載のメモリ装置。 - 前記第2メモリセルに対する現在ディスターブカウント値を前記ディスターブカウントセルからリード(Read)し、前記アップデートされたディスターブカウント値を前記ディスターブカウントセルにライト(Write)するカウントライトリードブロックをさらに含む請求項9に記載のメモリ装置。
- 少なくとも1つの第1メモリセルと前記少なくとも1つの第1メモリセルに隣接した第2メモリセルとを含む複数のメモリセルを含むメモリシステムの動作方法において、
前記少なくとも1つの第1メモリセルにアクセス(Access)する間に、前記第2メモリセルのディスターブ量(Disturb Value)をカウントする段階と、
前記カウントに基づいて、前記第2メモリセルのディスターブカウント値をアップデート(update)する段階と、
前記アップデートされたディスターブ量、最大ディスターブカウント値及び既定のスレッショルド値に基づいて、前記第2メモリセルに対するリフレッシュ(Refresh)動作の順序を変更する段階と、
前記順序によって、前記第2メモリセルに対するリフレッシュ動作が行われれば、前記第2メモリセルのディスターブカウント値をリセット(Reset)する段階と、を含み、
前記ディスターブ量は、前記第1メモリセルに対する累積アクセスタイムの間にカウンターを周期的に増加させた値であるメモリシステムの動作方法。 - 前記リフレッシュ動作の順序を変更する段階は、
前記第2メモリセルのディスターブ量が、前記スレッショルド値と同一または大きく、前記最大ディスターブカウント値よりも大きな場合、前記第2メモリセルのリフレッシュ動作を優先順位にスケジューリングする段階と、
前記第2メモリセルのディスターブ量を新たな最大ディスターブカウント値にアップデートする段階と、
前記第2メモリセルに対するリフレッシュ動作を行うか否かを表わす非正規リフレッシュフラグをアップデートする段階と、
を含む請求項18に記載のメモリシステムの動作方法。 - 前記非正規リフレッシュフラグが活性化された場合、前記動作方法は、
前記第2メモリセルに対するリフレッシュ動作を行う段階と、
前記第2メモリセルの最大ディスターブカウント値及び前記第2メモリセルのディスターブ量をリセットした後、前記非正規リフレッシュフラグをリセットする段階と、
をさらに含む請求項19に記載のメモリシステムの動作方法。 - 前記動作方法は、
前記メモリシステムをパワーアップした場合、前記メモリシステムのあらゆるワードラインをイネーブルして、あらゆる前記ディスターブカウント値をリセットする段階をさらに含む請求項18に記載のメモリシステムの動作方法。 - 少なくとも1つの対象メモリセルと残りのメモリセルとを含む複数のメモリセルを含むメモリ装置の動作方法において、
(a)前記少なくとも1つの対象メモリセルにアクセスする間に、前記残りのメモリセルのそれぞれに対するディスターブカウント値をカウントする段階と、
(b)前記各ディスターブカウント値に基づいて、前記残りのメモリセルのそれぞれに対するリフレッシュ動作の順序を変更する段階と、
(c)前記順序によって、前記リフレッシュ動作が行われれば、前記リフレッシュ動作が行われたメモリセルの前記ディスターブカウント値をリセットする段階と、
を含むメモリ装置の動作方法。 - 前記(a)段階は、
前記対象メモリセルへのアクセスタイムをカウントした値を前記残りのメモリセルへの以前のリフレッシュ動作以後に累積して、前記ディスターブカウント値とする請求項22に記載のメモリ装置の動作方法。 - 前記(b)段階は、
前記ディスターブ量のうち、何れか1つが既定のスレッショルド値と同一または同じであり、最大ディスターブカウント値よりも大きな場合、前記ディスターブ量に相応するメモリセルに対するリフレッシュ動作順位を優先にスケジューリングする段階と、
前記ディスターブ量を新たな最大ディスターブカウント値にアップデートする段階と、
前記メモリセルに対する非正規リフレッシュフラグをアップデートする段階と、
を含む請求項22に記載のメモリ装置の動作方法。 - 前記(c)段階は、
前記順位によって、前記非正規リフレッシュフラグが活性化されれば、前記メモリセルに対する前記リフレッシュ動作を行う段階と、
前記最大ディスターブカウント値及び前記メモリセルのディスターブ量をリセットした後、前記メモリセルに対する前記非正規リフレッシュフラグを非活性化する段階と、
を含む請求項24に記載のメモリ装置の動作方法。 - 複数のメモリセルを含むメモリ装置の動作方法において、
1つ以上のメモリセルのワードラインに隣接したメモリセルの一時的ディスターブ(disturb)量を算出する段階であって、前記一時的ディスターブ量は、前記1つ以上のメモリセルのアクセスによる前記メモリセルのディスターブ量を表わす段階と、
前記1つ以上のメモリセルがアクセスされる度に、前記一時的ディスターブ量をディスターブ量に加えて、前記ディスターブ量をアップデートする段階と、
前記ディスターブ量が、臨界値を超過すれば、前記メモリセルをリフレッシュが必要なセルに表示する段階と、
を含むメモリ装置の動作方法。 - 前記一時的ディスターブ量は、前記1つ以上のメモリセルの累積アクセス時間を単位時間で割った値である請求項26に記載のメモリ装置の動作方法。
- 前記メモリセルをリフレッシュが必要なセルに表示する段階は、
前記ディスターブ量が、最大ディスターブ量を超過すれば、前記メモリセルをリフレッシュが必要なセルに表示する段階と、
前記最大ディスターブ量を前記ディスターブ量にアップデートする段階と、
を含む請求項27に記載のメモリ装置の動作方法。 - 前記メモリセルをリフレッシュが必要なセルに表示する段階は、
前記メモリセルが表示されれば、前記メモリセルに対するリフレッシュ動作を行う段階と、
前記メモリセルに対するリフレッシュ動作を行った後、前記ディスターブ量をリセットする段階と、
前記最大ディスターブ量が、前記ディスターブ量にアップデートされれば、前記メモリセルに対するリフレッシュ動作を行った後、前記最大ディスターブ量をリセットする段階と、
を含む請求項28に記載のメモリ装置の動作方法。 - 前記メモリセルが表示されれば、正規リフレッシュ動作を行う前に、前記メモリセルに対する前記リフレッシュ動作を行うように、前記複数のメモリセルに対してリフレッシュスケジュールを調節する段階をさらに含む請求項29に記載のメモリ装置の動作方法。
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