JP2013197357A - 窒化物半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化ガリウム基板上に、ドナー型不純物及び前記ドナー型不純物を補償する、アクセプタ型不純物を含有する窒化ガリウム層を備え、前記窒化ガリウム層は、前記アクセプタ型不純物としての炭素を含有し、前記炭素の濃度が2×1016cm−3以上1×1018cm−3以下の窒化物半導体デバイスである。
【選択図】図1
Description
波用途として携帯基地局用の能動デバイスなどに用いられている。また近年ではメガヘルツ帯以下で動作する電力変換素子への応用が期待されている。
晶成長されて形成される。結晶成長に用いられる基板としてはサファイア基板、炭化シリコン(SiC)基板、シリコン(Si)基板などの異種基板が用いられる。
いられるFeの原料としてのフェロセンは原料配管内壁に付着しやすく使用しにくいという問題がある。
(ND−NA)≒x−a×y…(1)(ただし、aは0.3〜0.5)
上記関係式(1)においてaが0.3〜0.5であることから、結晶中のCの一部だけがドナー型不純物を補償するアクセプタ(補償アクセプタ)として作用することが分かった。つまり、混入するドナー型不純物を補償する場合、C濃度をドナー型不純物の濃度の少なくとも2.0〜3.3倍の濃度とする必要があることが分かった。
図1に、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体デバイスを示す。図1ではHEMT構造の場合を示しているが、本発明はこれに限定されず、MOS構造のFET(電界効果トランジスタ)などとすることもできる。
次に、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体デバイスの製造方法について説明する。バッファ層などの半導体層を成長する成膜装置としては、MOVPE(有機金属気相成長)装置を用いる。
化ガリウム層12を結晶成長する工程では、ガリウム原料として、アクセプタ型不純物の炭素を含有するトリエチルガリウム又はトリメチルガリウムの少なくともいずれかと、窒素原料としてアンモニアと、を用いており、大気圧環境下においてガリウム原料に対する窒素原料の供給比を1000以上3500以下として結晶成長する。
ことが示されている。すなわち、炭素の濃度を約2×1016cm−3以上約3×1017cm−3以下の範囲で制御することが可能となり、窒化ガリウム層中に不可避的に含有されることになるドナー型不純物を補償できる炭素濃度とすることができる。なお、TMGのプロットとTEGのプロットを比較したとき、C濃度の増加における傾向の相違は、両者の熱力学的振る舞いの相違であると考えられ、我々は実験的にこの差異を確認した。
次に、本発明の他の実施形態に係る窒化物半導体デバイスの製造方法について、上記実施形態と異なる点を説明する。本実施形態では、結晶成長する工程において、ガリウム原料に対する窒素原料の供給比を500以上3000以下の範囲内にある1点で供給比を固定した場合、窒化ガリウム層の結晶成長の際の圧力を10kPa以上大気圧未満の範囲内で変化させ、減圧環境下で結晶成長する点が上記実施形態と異なる。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
半絶縁型の窒化ガリウム基板11上に高抵抗の窒化ガリウム層12(GaNバッファ層12)を成長した。ガリウム原料としてトリエチルガリウム(TEG)を、窒素原料としてアンモニア(NH3)をそれぞれ使用した。結晶成長の条件としては、圧力を大気圧、TEGに対するNH3の供給比を約2000、基板温度を1180℃とした。なお、本実施例では、結晶成長のときに窒化ガリウム層にはドナー不純物を意図的に添加しなかった。
析(SIMS)により測定した。不純物としては、アクセプタ型不純物であるC、ドナー型不純物であるSi及びOを対象とした。GaNバッファ層中のC濃度は約6×1016cm−3、Si濃度は検出下限の5×1015cm−3以下(1×1015cm−3〜3×1015cm−3)、O濃度は検出下限の1×1016cm−3以下であった。
デバイス構造としては、図5に示すように、GaN基板11上に、GaNバッファ層12(厚さ500nm)、GaNチャネル層13(厚さ500nm)、Al0.2Ga0.8N障壁層14(厚さ20nm)を順次積層して、Al0.2Ga0.8N障壁層14にソース電極15、ドレイン電極16、及びゲート電極17を形成することで、HEMT構造の窒化物半導体デバイス1を製造した。
製造された窒化物半導体デバイス1の三端子特性を測定したところ、図6に示すような相関関係が得られた。図6において、横軸はドレイン電圧(Vd[V])を、縦軸はドレイン電流(Id[A/mm])をそれぞれ示している。図6には、ゲート電圧(Vg)を0V、−0.5V、−1.0V、−1.5V、−2.0V、−2.5V、−3.0V、−3.5V、−4.0Vと変えたときに得られるドレイン電圧とドレイン電流との相関関係を示す特性曲線が示されている。図6によれば、ゲート電圧が大きくなるほど、ドレイン電流が小さくなることが示されている。そして、ゲート電圧が−4.0Vのときにドレイン電流が流れなくなることが確認され、ピンチオフすることが示されている。これにより、GaNバッファ層12において、基板11側への電気伝導が抑制されたことが確認された。
実施例1ではドナー成分を意図的に添加しなかったが、装置の状態によってはドナー成分の濃度が向上し、GaNバッファ層の抵抗が低下する可能性がある。そこで、実施例2では、GaNバッファ層12に濃度1×1016cm−3のSiを意図的に添加しドナー成分の濃度を比較的高くして、実施例1と同様の検討を行った。
また、GaNバッファ層12中のC濃度は約6×1016cm−3、Si濃度は1×1016cm−3、O濃度は検出下限の1×1016cm−3以下であった。
実施例3では、実施例1の条件において、ガリウム原料であるTEGと窒素原料であるNH3との供給比を膜厚方向に約1000〜3500の範囲で変化させることで、膜厚方向での補償比が変化したGaNバッファ層12を形成した。
また、GaNバッファ層12中のC濃度は膜厚方向に約2×1016cm−3から3×1017cm−3の範囲で勾配を有していた。Si濃度は5×1015cm−3〜1×1016cm−3、O濃度は1×1016cm−3以下であった。
(HEMT)等の下地のバッファ層として十分高い抵抗を有していることが分かった。また、実施例1と同様にHEMT構造の窒化物半導体デバイスを製造し、その三端子特性を測定したところ、ピンチオフ特性を確認することができた。これによりバッファ層12を介した電気伝導が抑制されたことが確認された。
半絶縁型の窒化ガリウム基板上に高抵抗のGaNバッファ層を成長した。ガリウム原料としてトリメチルガリウム(TMG)を、窒素原料としてアンモニア(NH3)をそれぞれ使用した。結晶成長の条件としては、圧力を50kPa、TMGに対するNH3の供給比を約2200、基板温度を1060℃とした。なお、本実施例では、結晶成長のときに窒化ガリウム層にはドナー不純物を意図的に添加しなかった。
また、GaNバッファ層12中のC濃度は約5×1017cm−3、Si濃度は5×1015cm−3〜8×1015cm−3、O濃度は1×1016cm−3以下であった。
11 窒化ガリウム基板
12 バッファ層(窒化ガリウム層)
13 チャネル層
14 障壁層
15 ソース電極
16 ドレイン電極
17 ゲート電極
Claims (5)
- 窒化ガリウム基板上に、ドナー型不純物及び前記ドナー型不純物を補償するアクセプタ型不純物を含有する窒化ガリウム層を備え、
前記窒化ガリウム層は、前記アクセプタ型不純物としての炭素を含有し、前記炭素の濃度が2×1016cm−3以上1×1018cm−3以下である
ことを特徴とする窒化物半導体デバイス。 - 請求項1に記載の窒化物半導体デバイスにおいて、
前記窒化ガリウム層における前記炭素の濃度が前記ドナー型不純物を補償する濃度域を含むように厚さ方向に変化する
ことを特徴とする窒化物半導体デバイス。 - 窒化ガリウム基板上にガリウム原料及び窒素原料を供給して、ドナー型不純物及び前記ドナー型不純物を補償するアクセプタ型不純物を含有する窒化ガリウム層を結晶成長する工程を備え、
前記窒化ガリウム層を結晶成長する工程は、前記ガリウム原料として、前記アクセプタ型不純物の炭素を含有するトリエチルガリウム又はトリメチルガリウムの少なくともいずれかと、前記窒素原料としてアンモニアと、を用いており、大気圧環境下において前記ガリウム原料に対する前記窒素原料の供給比を1000以上3500以下として結晶成長する
ことを特徴とする窒化物半導体デバイスの製造方法。 - 窒化ガリウム基板上にガリウム原料及び窒素原料を供給して、ドナー型不純物及び前記ドナー型不純物を補償するアクセプタ型不純物を含有する窒化ガリウム層を結晶成長する工程を備え、
前記窒化ガリウム層を結晶成長する工程は、前記ガリウム原料として、前記アクセプタ型不純物の炭素を含有するトリエチルガリウム又はトリメチルガリウムの少なくともいずれかと、前記窒素原料としてアンモニアと、を用いており、前記ガリウム原料に対する前記窒素原料の供給比が500以上3000以下において、前記窒化ガリウム層の結晶成長の際の圧力を10kPa以上大気圧未満として減圧環境下で結晶成長する
ことを特徴とする窒化物半導体デバイスの製造方法。 - 請求項3又は4に記載の窒化物半導体デバイスの製造方法において、
前記窒化ガリウム層を結晶成長する工程の途中で前記供給比又は前記圧力を変化させ て、前記窒化ガリウム層における前記炭素の濃度を、前記ドナー型不純物を補償する濃度域を含むように厚さ方向に変化させる
ことを特徴とする窒化物半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012063614A JP2013197357A (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | 窒化物半導体デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012063614A JP2013197357A (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | 窒化物半導体デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013197357A true JP2013197357A (ja) | 2013-09-30 |
Family
ID=49395934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012063614A Pending JP2013197357A (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | 窒化物半導体デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2013197357A (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140328 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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