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US14/348,722 US9350929B2 (en) 2011-10-21 2012-10-10 Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system
US15/078,984 US9509933B2 (en) 2011-10-21 2016-03-23 Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system
US15/264,272 US9654708B2 (en) 2011-10-21 2016-09-13 Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system
US15/414,019 US10027912B2 (en) 2011-10-21 2017-01-24 Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system having via holes between substrates
US15/414,028 US9736409B2 (en) 2011-10-21 2017-01-24 Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system
US15/630,608 US9838626B2 (en) 2011-10-21 2017-06-22 Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system
US15/800,744 US10554912B2 (en) 2011-10-21 2017-11-01 Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5980080B2 (ja) * 2012-10-02 2016-08-31 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、光電変換装置の検査方法および撮像システムの製造方法
WO2015111371A1 (ja) * 2014-01-22 2015-07-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置及び撮像装置
TWI648986B (zh) * 2014-04-15 2019-01-21 日商新力股份有限公司 攝像元件、電子機器
US10044954B2 (en) 2014-07-25 2018-08-07 Sony Corporation Solid-state imaging device, AD converter, and electronic apparatus
WO2016027677A1 (ja) * 2014-08-18 2016-02-25 株式会社 日立メディコ アナログ－デジタル変換システム、ｘ線ｃｔ装置および医用画像撮影装置
TWI669964B (zh) * 2015-04-06 2019-08-21 日商新力股份有限公司 Solid-state imaging device, electronic device, and AD conversion device
JP6492991B2 (ja) 2015-06-08 2019-04-03 株式会社リコー 固体撮像装置
US9881949B2 (en) * 2015-06-17 2018-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Sensing device, image sensing system and method thereof
WO2017057291A1 (ja) * 2015-10-01 2017-04-06 オリンパス株式会社 撮像素子、内視鏡、及び内視鏡システム
US9588240B1 (en) * 2015-10-27 2017-03-07 General Electric Company Digital readout architecture for four side buttable digital X-ray detector
TW201725900A (zh) * 2016-01-06 2017-07-16 原相科技股份有限公司 影像感測器及使用其的影像擷取裝置
US9986185B2 (en) * 2016-03-09 2018-05-29 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus
TWI754696B (zh) * 2016-12-14 2022-02-11 日商索尼半導體解決方案公司 固體攝像元件及電子機器
US9825645B1 (en) * 2016-12-22 2017-11-21 Infineon Technologies Ag Self-oscillating dual-slope integrating quantizer for sigma delta modulators
US9967505B1 (en) * 2017-04-13 2018-05-08 Omnivision Technologies, Inc. Comparators for double ramp analog to digital converter
US10431608B2 (en) * 2017-04-13 2019-10-01 Omnivision Technologies, Inc. Dual conversion gain high dynamic range readout for comparator of double ramp analog to digital converter
US10181858B1 (en) * 2017-11-30 2019-01-15 National Instruments Corporation Auto-zero algorithm for reducing measurement noise in analog-to-digital systems over a wide range of sampling rates
WO2019130963A1 (ja) * 2017-12-26 2019-07-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、コンパレータ、及び、電子機器
US10530380B2 (en) * 2018-04-27 2020-01-07 Raytheon Company Massively parallel three dimensional per pixel single slope analog to digital converter
JP2021184510A (ja) * 2018-08-31 2021-12-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
CN109151349B (zh) * 2018-09-10 2020-06-05 中国科学院高能物理研究所 全信息读出的像素单元电路及全信息读出方法
JP2020068369A (ja) * 2018-10-18 2020-04-30 キヤノン株式会社 半導体装置、半導体メモリ、光電変換装置、移動体、光電変換装置の製造方法、および半導体メモリの製造方法
JP7365775B2 (ja) * 2019-02-21 2023-10-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子
US10924701B2 (en) * 2019-07-18 2021-02-16 Omnivision Technologies, Inc. Column amplifier reset circuit with comparator
CN112399104B (zh) * 2019-08-14 2023-06-16 天津大学青岛海洋技术研究院 一种全局曝光低噪声高速三维传感器锁相像素及读出方式
JP7603379B2 (ja) * 2020-03-30 2024-12-20 ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
US11240454B2 (en) * 2020-04-29 2022-02-01 Omnivision Technologies, Inc. Hybrid CMOS image sensor with event driven sensing
US11595030B2 (en) * 2020-05-05 2023-02-28 Omnivision Technologies, Inc. Ramp generator providing high resolution fine gain including fractional divider with delta-sigma modulator
JP7277429B2 (ja) * 2020-12-24 2023-05-19 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム、移動体、半導体基板
JP7532274B2 (ja) 2021-01-29 2024-08-13 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022119632A (ja) * 2021-02-04 2022-08-17 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システムおよび移動体
CN115171607B (zh) 2022-09-06 2023-01-31 惠科股份有限公司 像素电路、显示面板及显示装置
CN117294968B (zh) * 2023-08-01 2024-05-07 脉冲视觉(北京)科技有限公司 信号处理电路和电子设备
JP2025045862A (ja) * 2023-09-20 2025-04-02 株式会社東芝 固体撮像装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4792849A (en) * 1987-08-04 1988-12-20 Telaction Corporation Digital interactive communication system
US6456326B2 (en) * 1994-01-28 2002-09-24 California Institute Of Technology Single chip camera device having double sampling operation
JP2001339643A (ja) * 2000-05-30 2001-12-07 Nec Corp 固体撮像装置用黒レベル発生回路及び固体撮像装置
WO2004007287A2 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Integrated inertial stellar attitude sensor
JP2006020171A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Fujitsu Ltd 差動型コンパレータ、アナログ・デジタル変換装置、撮像装置
JP4816457B2 (ja) * 2004-09-02 2011-11-16 ソニー株式会社 撮像装置及び撮像結果の出力方法
CN100576557C (zh) * 2004-11-26 2009-12-30 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TW201101476A (en) 2005-06-02 2011-01-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same
CN101228631A (zh) * 2005-06-02 2008-07-23 索尼株式会社 半导体图像传感器模块及其制造方法
JP4858388B2 (ja) * 2007-09-28 2012-01-18 ソニー株式会社 固体撮像装置、駆動制御方法、および撮像装置
TWI399088B (zh) * 2007-10-12 2013-06-11 Sony Corp 資料處理器，固態成像裝置，成像裝置，及電子設備
JP5372382B2 (ja) * 2008-01-09 2013-12-18 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置
JP5223343B2 (ja) 2008-01-10 2013-06-26 株式会社ニコン 固体撮像素子
JP2009212162A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Fujifilm Corp 放射線検出器
JP5173503B2 (ja) * 2008-03-14 2013-04-03 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5269456B2 (ja) * 2008-03-26 2013-08-21 株式会社東芝 イメージセンサおよびその駆動方法
JP5407264B2 (ja) 2008-10-09 2014-02-05 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
TWI618412B (zh) * 2008-12-16 2018-03-11 邰祐南 雜訊消除影像感測器
JP5029624B2 (ja) 2009-01-15 2012-09-19 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US8625012B2 (en) * 2009-02-05 2014-01-07 The Hong Kong University Of Science And Technology Apparatus and method for improving dynamic range and linearity of CMOS image sensor
JP5985136B2 (ja) * 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
EP2234387B8 (en) * 2009-03-24 2012-05-23 Sony Corporation Solid-state imaging device, driving method of solid-state imaging device, and electronic apparatus
JP4941490B2 (ja) * 2009-03-24 2012-05-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP5083272B2 (ja) * 2009-05-07 2012-11-28 ソニー株式会社 半導体モジュール
JP5558801B2 (ja) 2009-12-18 2014-07-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5685898B2 (ja) * 2010-01-08 2015-03-18 ソニー株式会社 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム
JP5853351B2 (ja) * 2010-03-25 2016-02-09 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器
JP5696513B2 (ja) * 2011-02-08 2015-04-08 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5791571B2 (ja) * 2011-08-02 2015-10-07 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
CN103268045B (zh) * 2012-09-24 2016-08-10 厦门天马微电子有限公司 Tft阵列基板及其制作方法、液晶显示设备
JP6217458B2 (ja) * 2014-03-03 2017-10-25 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
EP3101812B1 (en) * 2015-06-05 2022-10-26 Cmosis Bvba In-pixel differential transconductance amplifier for adc and image sensor architecture
KR102500813B1 (ko) * 2015-09-24 2023-02-17 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US10334196B2 (en) * 2016-01-25 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

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