JP7365775B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
1.第1の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給する例)
2.第2の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、入力側にクランプトランジスタを設ける例)
3.第3の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、電流源トランジスタのゲート電圧を自己設定する例)
4.第4の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を、カスコード接続された出力トランジスタに供給する例)
5.第5の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、出力側にオートゼロスイッチを設ける例)
6.第6の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、後段に論理ゲートを追加する例)
7.第7の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、2段のクランプトランジスタを設ける例)
8.第8の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、電流源を追加した例)
9.第9の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、N型のクランプトランジスタを設ける例)
10.第10の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、バッファを設ける例)
11.第11の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、出力側にクランプトランジスタを設ける例)
12.第12の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、クランプスイッチを設ける例)
13.第13の実施の形態(ドレイン-ソース間電圧を出力トランジスタに供給し、抵抗素子を設ける例)
14.移動体への応用例
[撮像装置の構成例]
図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置100の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置100は、画像データを撮像するための装置であり、光学部110、固体撮像素子200およびDSP(Digital Signal Processing)回路120を備える。さらに撮像装置100は、表示部130、操作部140、バス150、フレームメモリ160、記憶部170および電源部180を備える。撮像装置100としては、スマートフォンに搭載されるカメラや、車載カメラなどが想定される。
図2は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の一構成例を示すブロック図である。この固体撮像素子200は、垂直走査回路210、タイミング制御部220、DAC(Digital to Analog Converter)230、画素アレイ部240、カラム信号処理部260および水平走査回路270を備える。
図3は、本技術の第1の実施の形態における画素回路250の一構成例を示す回路図である。この画素回路250は、光電変換素子251、転送トランジスタ252、リセットトランジスタ253、浮遊拡散層254、増幅トランジスタ255および選択トランジスタ256を備える。また、画素アレイ部240において、垂直方向に沿って垂直信号線VSLが列ごとに配線されている。
図4は、本技術の第1の実施の形態におけるカラム信号処理部260の一構成例を示すブロック図である。このカラム信号処理部260には、比較器300、カウンタ261およびラッチ262が列ごとに配置される。列数がN(Nは、整数)である場合には、比較器300、カウンタ261およびラッチ262は、N個ずつ配置される。
図5は、本技術の第1の実施の形態における比較器300の一構成例を示す回路図である。この比較器300は、キャパシタ311および314と、入力トランジスタ312と、オートゼロスイッチ313と、出力トランジスタ315と、入力側電流源320と、出力側電流源330とを備える。
Id=(1/2)・μCOX(W/L)・
(VGS-Vth)2(1+λVds) ・・・式1
上式において、μは、電位移動度であり、単位は、例えば、平方メートル毎ボルト秒(m2/V・s)である。COXは、MOSキャパシタの単位面積当たりの容量であり、単位は、例えば、ファラッド毎メートル(F/m)である。Wは、ゲート幅であり、単位は、例えば、メートル(m)である。Lは、ゲート長であり、単位は、例えば、メートル(m)である。Vthは、閾値電圧であり、単位は、例えば、ボルト(V)である。λは、所定の係数である。また、ドレイン-ソース間電圧Vdsの単位は、例えば、ボルト(V)であり、ドレイン電流Idの単位は、例えば、アンペア(A)である。
Vds1=VVSLp-Vdp ・・・式2
Vds1=VVSLd-Vdd ・・・式3
VVSLp-VVSLd=Vdp-Vdd ・・・式4
なお、pMOSトランジスタをオートゼロ時に線形領域となるように動作点を定めた場合、式1は違う形となるが、式4は同様に成り立つ。
図11は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、画像データを撮像するための所定のアプリケーションが実行されたときに開始される。
上述の第1の実施の形態では、入力トランジスタ312のドレインに入力側電流源320を接続していた。しかし、この構成では、入力電圧VVSLが大きく下がり、そのドレイン電圧Vdが低下し、入力側電流源320を構成するトランジスタが非導通状態になってドレインの電流Id1の供給が停止するおそれがある。この第1の実施の形態の変形例の比較器300は、入力側クランプトランジスタの追加により、電流Id1の供給停止を防止する点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態の変形例では、入力側クランプトランジスタ341を電源端子と垂直信号線VSLとの間に挿入してドレイン電圧Vdの低下を抑制していた。しかし、この構成では、入力側クランプトランジスタ341に電流が流れているときに、その分だけ、垂直信号線VSLに流れる電流が減少し、垂直信号線VSLのセトリングタイムが長くなるおそれがある。この第2の実施の形態の比較器300は、入力側クランプトランジスタを入力トランジスタ312のソースとドレインとの間に挿入した点において第1の実施の形態の変形例と異なる。
上述の第2の実施の形態では、出力側電流源330の出力のみを出力トランジスタ315のドレインに接続していた。しかし、この構成では、比較結果COMPの電圧が、回路を構成する各素子の特性のばらつきに起因して安定しないことがある。この第3の実施の形態の比較器300は、オートゼロ期間に、入力側の電流Id1に基づいて、出力トランジスタ315のゲート電圧を設定する点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第3の実施の形態では、出力側の電流源トランジスタ333のゲート電圧を、オートゼロ期間中に自己設定していた。しかし、この構成では、入力トランジスタ312と出力トランジスタ315とのドレイン電圧が揃っていないと、入力側の電流Id1と出力側の電流Id2との電流比が想定値から、ずれてしまうおそれがある。この第4の実施の形態の比較器300は、トランジスタをカスコード接続することにより、電流比のずれを小さくした点において第3の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、入力側電流源320および出力側電流源330を設けていたが、これらの電流源がバイアス電圧により個別に電流Id1およびId2を生成する場合、それらの電流の値がばらつくおそれがある。この第5の実施の形態の固体撮像素子200は、出力側へのオートゼロスイッチの追加により、電流のばらつきを抑制した点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、出力トランジスタ315のドレイン電圧を、そのまま比較結果COMPとして出力していたが、その後段にインバータなどの論理ゲートをさらに追加することもできる。この第6の実施の形態の比較器300は、論理ゲートを追加した点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、入力側クランプトランジスタを1段のみ配置していたが、この構成では、入力トランジスタ312の出力振幅が不足するおそれがある。この第7の実施の形態の比較器300は、入力側クランプトランジスタを2段にした点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、入力側電流源320および出力側電流源330により電流Id1およびId2を供給していた。しかし、この構成では、これらの電流量が過剰となるおそれがある。この第8の実施の形態の比較器300は、電流源を追加して、電流Id1およびId2の電流量を抑制する点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、入力側クランプトランジスタとして、pMOSトランジスタを用いていたが、nMOSトランジスタを用いることもできる。この第9の実施の形態の比較器300は、入力側クランプトランジスタとして、nMOSトランジスタを用いる点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第9の実施の形態では、入力側クランプトランジスタ354のゲートとドレインとを短絡していた。しかし、この構成では、入力側クランプトランジスタ354が制限する下限電圧が、垂直信号線VSLの電圧を基準にして決定される。このため、電流Id1の供給停止を抑制するための下限電圧のマージンを多くする必要があり、その分、ダイナミックレンジが減少するおそれがある。また、入力トランジスタ312の出力振幅が小さいため、ノイズが大きくなりやすい。この第9の実施の形態の変形例の比較器300は、バイアス電圧により、ドレイン電圧Vdの下限を制限する点において第9の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、比較器300内の入力トランジスタ312をキャパシタ311を介してDAC230と接続していた。しかし、この構成では、ある列の比較器300からDAC230へのキックバックが、参照信号を伝送する信号線を介して、その列に隣接する列に干渉するおそれがある。この第10の実施の形態の比較器300は、DAC230との間にバッファを追加した点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、入力側クランプトランジスタ342により入力トランジスタ312のドレイン電圧Vdの下限を制限していた。しかし、出力トランジスタ315のドレイン電圧の低下により、出力側電流源330を構成するトランジスタが非導通状態になり、電流Id2の供給が停止するおそれがある。この第11の実施の形態の比較器300は、出力側クランプトランジスタを追加して、出力トランジスタ315のドレイン電圧の下限を制限する点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第11の実施の形態では、出力側クランプトランジスタとして、pMOSトランジスタを用いていたが、nMOSトランジスタを用いることもできる。この第11の実施の形態の変形例の比較器300は、出力側クランプトランジスタとして、nMOSトランジスタを用いる点において第11の実施の形態と異なる。
上述の第1の実施の形態では、入力トランジスタ312のドレインに入力側電流源320を接続していた。しかし、この構成では、入力トランジスタ312が非導通状態であるときに、そのドレイン電圧Vdが低下し、入力側電流源320を構成するトランジスタが非導通状態になってドレイン電流Id1の供給が停止するおそれがある。この第1の実施の形態の変形例の比較器300は、クランプスイッチの追加により、ドレイン電流Id1の供給停止を防止する点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、入力側クランプトランジスタ342を入力トランジスタ312のソースとドレインとの間に挿入して、ドレイン電圧Vdの下限を制限していた。しかし、入力側クランプトランジスタ342のみでは、下限電圧の調整が困難になることがある。この第13の実施の形態の比較器300は、抵抗素子により、下限電圧を調整する点において第2の実施の形態と異なる。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)ソースに入力された入力電圧とゲートに入力された所定の参照電圧とが略一致する場合には前記入力電圧に応じたドレイン電圧をドレインから出力する入力トランジスタと、
ソースに入力された前記入力電圧とゲートに入力された前記ドレイン電圧との間の差が所定の閾値電圧を超えるか否かを示す信号を前記入力電圧と前記参照電圧との比較結果として出力する出力トランジスタと
を具備する固体撮像素子。
(2)前記入力トランジスタの前記ドレインに接続された入力側電流源と、
前記ドレイン電圧の下限を制限する入力側クランプトランジスタと
をさらに具備する前記(1)記載の固体撮像素子。
(3)前記入力側クランプトランジスタは、前記入力トランジスタの前記ソースと電源端子との間に挿入される
前記(2)記載の固体撮像素子。
(4)前記入力側クランプトランジスタは、前記入力トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間に挿入される
前記(2)記載の固体撮像素子。
(5)前記入力側クランプトランジスタは、P型トランジスタである
前記(2)から(4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)前記入力側クランプトランジスタは、N型トランジスタであり、
前記入力側クランプトランジスタのゲートおよびドレインは短絡される
前記(2)から(4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)前記入力側クランプトランジスタは、N型トランジスタであり、
前記入力側クランプトランジスタのゲートにバイアス電圧が印加される
前記(2)から(4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)前記入力側クランプトランジスタは、前記入力トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間において直列に接続された複数のトランジスタを含む
前記(2)記載の固体撮像素子。
(9)抵抗素子をさらに具備し、
前記入力側クランプトランジスタおよび前記抵抗素子は、前記入力トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間において直列に接続される
前記(2)から(8)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(10)前記出力トランジスタの前記ドレインに接続された出力側電流源と、
前記出力トランジスタのドレイン電圧の下限を制限する出力側クランプトランジスタと
をさらに具備する前記(1)から(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)前記出力側クランプトランジスタは、P型トランジスタである
前記(10)記載の固体撮像素子。
(12)前記出力側クランプトランジスタは、N型トランジスタである
前記(10)記載の固体撮像素子。
(13)前記入力トランジスタの前記ゲートに所定の接続ノードを介して前記参照電圧を供給する参照電圧供給部と、
所定の制御信号に従って前記接続ノードに所定の下限電圧を供給するクランプスイッチと
をさらに具備する前記(1)記載の固体撮像素子。
(14)前記出力トランジスタの前記ゲートおよび前記ドレインの間の経路を開閉する初期化スイッチをさらに具備する
前記(1)から(13)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(15)前記出力トランジスタの前記ドレインに接続された出力側電流源をさらに具備し、
前記出力側電流源は、
前記出力トランジスタの前記ドレインと所定の基準端子との間に挿入された電流源トランジスタと、
前記電流源トランジスタのゲートに接続されたキャパシタと、
前記電流源トランジスタのゲートおよびドレインの間の経路を開閉する第1のオートゼロスイッチと
を備える前記(1)から(14)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(16)前記入力トランジスタの前記ドレインにカスコード接続された入力側カスコード接続トランジスタと、
前記出力トランジスタの前記ドレインにカスコード接続された出力側カスコード接続トランジスタと
をさらに具備する前記(15)記載の固体撮像素子。
(17)前記入力トランジスタの前記ドレインと前記出力トランジスタの前記ゲートとの間に挿入されたキャパシタと、
前記出力トランジスタのゲートとドレインとの間の経路を短絡する第2のオートゼロスイッチと
を備える前記(1)記載の固体撮像素子。
(18)所定の論理演算を行う論理ゲートをさらに具備し、
前記出力トランジスタは、前記論理ゲートを介して前記比較結果を出力する
前記(1)から(17)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(19)前記入力トランジスタの前記ソースに所定の垂直信号線を介して前記入力電圧を入力する画素回路と、
前記垂直信号線に接続された画素側電流源と
をさらに具備する前記(1)から(18)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(20)前記参照電圧を供給する参照電圧供給部と、
前記入力トランジスタの前記ゲートと前記参照電圧供給部との間に挿入されたバッファと
をさらに具備する前記(1)から(19)のいずれかに記載の固体撮像素子。
110 光学部
120 DSP回路
130 表示部
140 操作部
150 バス
160 フレームメモリ
170 記憶部
180 電源部
200 固体撮像素子
210 垂直走査回路
220 タイミング制御部
230 DAC
240 画素アレイ部
250 画素回路
251 光電変換素子
252 転送トランジスタ
253 リセットトランジスタ
254 浮遊拡散層
255 増幅トランジスタ
256 選択トランジスタ
260 カラム信号処理部
261 カウンタ
262 ラッチ
270 水平走査回路
300 比較器
311、314、322、332、348 キャパシタ
312 入力トランジスタ
313、331、349 オートゼロスイッチ
315 出力トランジスタ
320 入力側電流源
321、333 電流源トランジスタ
330 出力側電流源
334 サンプルホールドスイッチ
341、342、352、354 入力側クランプトランジスタ
343 初期化スイッチ
344、346 カスコード制御スイッチ
345 入力側カスコード接続トランジスタ
347 出力側カスコード接続トランジスタ
350 NOR(否定論理和)ゲート
351 インバータ
353 画素側電流源
355 バッファ
356、357 出力側クランプトランジスタ
358 クランプスイッチ
359 抵抗素子
12031 撮像部
Claims (20)
- ソースに入力された入力電圧とゲートに入力された所定の参照電圧とが完全一致する場合または前記入力電圧および前記参照電圧の差分が所定の許容値以内である場合には前記入力電圧に応じたドレイン電圧をドレインから出力する入力トランジスタと、
ソースに入力された前記入力電圧とゲートに入力された前記ドレイン電圧との間の差が所定の閾値電圧を超えるか否かを示す信号を前記入力電圧と前記参照電圧との比較結果として出力する出力トランジスタと
を具備し、
前記入力トランジスタのソースは、前記出力トランジスタのソースに接続される
固体撮像素子。 - 前記入力トランジスタの前記ドレインに接続された入力側電流源と、
前記ドレイン電圧の下限を制限する入力側クランプトランジスタと
をさらに具備する請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記入力側クランプトランジスタは、前記入力トランジスタの前記ソースと電源端子との間に挿入される
請求項2記載の固体撮像素子。 - 前記入力側クランプトランジスタは、前記入力トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間に挿入される
請求項2記載の固体撮像素子。 - 前記入力側クランプトランジスタは、P型トランジスタである
請求項2記載の固体撮像素子。 - 前記入力側クランプトランジスタは、N型トランジスタであり、
前記入力側クランプトランジスタのゲートおよびドレインは短絡される
請求項2記載の固体撮像素子。 - 前記入力側クランプトランジスタは、N型トランジスタであり、
前記入力側クランプトランジスタのゲートにバイアス電圧が印加される
請求項2記載の固体撮像素子。 - 前記入力側クランプトランジスタは、前記入力トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間において直列に接続された複数のトランジスタを含む
請求項2記載の固体撮像素子。 - 抵抗素子をさらに具備し、
前記入力側クランプトランジスタおよび前記抵抗素子は、前記入力トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間において直列に接続される
請求項2記載の固体撮像素子。 - 前記出力トランジスタの前記ドレインに接続された出力側電流源と、
前記出力トランジスタのドレイン電圧の下限を制限する出力側クランプトランジスタと
をさらに具備する請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記出力側クランプトランジスタは、P型トランジスタである
請求項10記載の固体撮像素子。 - 前記出力側クランプトランジスタは、N型トランジスタである
請求項10記載の固体撮像素子。 - 前記入力トランジスタの前記ゲートに所定の接続ノードを介して前記参照電圧を供給する参照電圧供給部と、
所定の制御信号に従って前記接続ノードに所定の下限電圧を供給するクランプスイッチと
をさらに具備する請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記出力トランジスタの前記ゲートおよび前記ドレインの間の経路を開閉する初期化スイッチをさらに具備する
請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記出力トランジスタの前記ドレインに接続された出力側電流源をさらに具備し、
前記出力側電流源は、
前記出力トランジスタの前記ドレインと所定の基準端子との間に挿入された電流源トランジスタと、
前記電流源トランジスタのゲートに接続されたキャパシタと、
前記電流源トランジスタのゲートおよびドレインの間の経路を開閉する第1のオートゼロスイッチと
を備える請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記入力トランジスタの前記ドレインにカスコード接続された入力側カスコード接続トランジスタと、
前記出力トランジスタの前記ドレインにカスコード接続された出力側カスコード接続トランジスタと
をさらに具備する請求項15記載の固体撮像素子。 - 前記入力トランジスタの前記ドレインと前記出力トランジスタの前記ゲートとの間に挿入されたキャパシタと、
前記出力トランジスタのゲートとドレインとの間の経路を短絡する第2のオートゼロスイッチと
を備える請求項1記載の固体撮像素子。 - 所定の論理演算を行う論理ゲートをさらに具備し、
前記出力トランジスタは、前記論理ゲートを介して前記比較結果を出力する
請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記入力トランジスタの前記ソースに所定の垂直信号線を介して前記入力電圧を入力する画素回路と、
前記垂直信号線に接続された画素側電流源と
をさらに具備する請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記参照電圧を供給する参照電圧供給部と、
前記入力トランジスタの前記ゲートと前記参照電圧供給部との間に挿入されたバッファと
をさらに具備する請求項1記載の固体撮像素子。
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