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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005019493A2 (en) * 2003-08-11 2005-03-03 Honeywell International Inc. Target/backing plate constructions, and methods of forming them
CN101171362B (zh) * 2005-04-28 2010-06-09 日矿金属株式会社 溅射靶
US7837929B2 (en) 2005-10-20 2010-11-23 H.C. Starck Inc. Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets
US8250895B2 (en) * 2007-08-06 2012-08-28 H.C. Starck Inc. Methods and apparatus for controlling texture of plates and sheets by tilt rolling
JP5389802B2 (ja) 2007-08-06 2014-01-15 エイチ．シー． スターク インコーポレイテッド 組織の均一性が改善された高融点金属プレート
US9150957B2 (en) * 2008-11-03 2015-10-06 Tosoh Smd, Inc. Method of making a sputter target and sputter targets made thereby
CN102091733B (zh) * 2009-12-09 2013-02-13 宁波江丰电子材料有限公司 高纯度铜靶材的制作方法
WO2011111373A1 (ja) * 2010-03-11 2011-09-15 株式会社 東芝 スパッタリングターゲットとその製造方法、および半導体素子の製造方法
US8449818B2 (en) 2010-06-30 2013-05-28 H. C. Starck, Inc. Molybdenum containing targets
US8449817B2 (en) 2010-06-30 2013-05-28 H.C. Stark, Inc. Molybdenum-containing targets comprising three metal elements
US8968537B2 (en) * 2011-02-09 2015-03-03 Applied Materials, Inc. PVD sputtering target with a protected backing plate
JP5808066B2 (ja) 2011-05-10 2015-11-10 エイチ．シー．スターク インク． 複合ターゲット
US20140242401A1 (en) * 2011-11-30 2014-08-28 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Tantalum Sputtering Target and Method for Manufacturing Same
CN102513789B (zh) * 2011-12-21 2014-04-09 宁波江丰电子材料有限公司 钨靶材的制作方法
KR101690394B1 (ko) * 2012-03-21 2016-12-27 제이엑스금속주식회사 탄탈 스퍼터링 타깃의 제조 방법
US9334565B2 (en) 2012-05-09 2016-05-10 H.C. Starck Inc. Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles
CN103028898A (zh) 2012-08-16 2013-04-10 宁夏东方钽业股份有限公司 一种高性能钽靶材的制备方法
CN103692151B (zh) * 2012-09-28 2016-02-24 宁波江丰电子材料股份有限公司 钛聚焦环的制造方法
CN102989856B (zh) * 2012-12-03 2014-12-10 西安超晶新能源材料有限公司 一种大型变壁厚纯钼坩埚的成型方法
US9994951B2 (en) * 2013-03-15 2018-06-12 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Photovoltaic sputtering targets fabricated from reclaimed materials
CN105102670B (zh) 2013-03-22 2017-06-23 吉坤日矿日石金属株式会社 钨烧结体溅射靶及其制造方法
AT14157U1 (de) * 2013-12-20 2015-05-15 Plansee Se W-Ni-Sputtertarget
CN103738099B (zh) * 2013-12-26 2016-04-06 乌鲁木齐哈玛铜制工艺品有限公司 一种铜质工艺品的制作方法
KR20160027122A (ko) * 2014-03-27 2016-03-09 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
CN103898459B (zh) * 2014-04-16 2016-05-04 昆山海普电子材料有限公司 一种高纯钴靶材的制备方法
EP3167972B1 (en) * 2014-06-16 2018-09-26 Shinohara Press Service Co., Ltd. Method for manufacturing pure niobium end group components for superconducting high-frequency acceleration cavity
CN107466328A (zh) 2015-04-10 2017-12-12 东曹Smd有限公司 钽溅射靶的制造方法和由其制成的溅射靶
EP3211118B1 (en) * 2015-05-22 2020-09-09 JX Nippon Mining & Metals Corporation Tantalum sputtering target, and production method therefor
KR102074047B1 (ko) 2015-05-22 2020-02-05 제이엑스금속주식회사 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
JP7021069B2 (ja) * 2015-08-03 2022-02-16 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 向上した特性を有する無摩擦鍛造アルミニウム合金スパッタリングターゲット
JP7077225B2 (ja) 2016-06-02 2022-05-30 田中貴金属工業株式会社 金スパッタリングターゲット
US10900102B2 (en) 2016-09-30 2021-01-26 Honeywell International Inc. High strength aluminum alloy backing plate and methods of making
CN106893990B (zh) * 2017-02-17 2019-02-01 南京东锐铂业有限公司 银溅射靶材组件的生产工艺
KR102190707B1 (ko) 2017-03-30 2020-12-14 제이엑스금속주식회사 탄탈륨 스퍼터링 타겟
US10760156B2 (en) 2017-10-13 2020-09-01 Honeywell International Inc. Copper manganese sputtering target
WO2019111945A1 (ja) * 2017-12-06 2019-06-13 田中貴金属工業株式会社 金スパッタリングターゲットの製造方法及び金膜の製造方法
US11035036B2 (en) 2018-02-01 2021-06-15 Honeywell International Inc. Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure
CN111886179B (zh) * 2018-03-29 2022-04-29 本田技研工业株式会社 跨骑型电动车辆
KR102429213B1 (ko) * 2018-05-21 2022-08-04 가부시키가이샤 아루박 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법
CN110814246B (zh) * 2019-11-22 2021-06-25 西安庄信新材料科技有限公司 一种钛板坯的锻造工艺
CN110886001B (zh) * 2019-12-06 2020-10-27 重庆文理学院 一种有效提高钛合金耐应力腐蚀性能的方法
CN111471940B (zh) * 2020-04-29 2021-09-10 钢铁研究总院 一种高强度不锈钢转子及其制备方法
WO2023224084A1 (ja) * 2022-05-19 2023-11-23 東ソー株式会社 金属スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに、金属材料及びその製造方法
CN117620599B (zh) * 2023-10-27 2024-05-14 光微半导体材料(宁波)有限公司 一种铜溅射靶材加工装置及加工方法
US20250179624A1 (en) 2023-12-05 2025-06-05 Tosoh Smd, Inc. Tantalum sputtering target with improved performance and predictability and method of manufacturing
TW202540463A (zh) * 2023-12-05 2025-10-16 美商塔沙Ｓｍｄ公司 具有改善的性能及可預測性之鉭濺射靶及其製造方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573185A (en) * 1968-12-16 1971-03-30 Us Army Anodic sputtering
US4121438A (en) * 1976-09-13 1978-10-24 Arthur D. Little, Inc. Coupling member for orbiting machinery
GB2041268B (en) * 1979-02-01 1982-11-17 City University And Worshipful Rotary forging machine
JPS5942910A (ja) * 1982-09-03 1984-03-09 株式会社共同機械 焼結磁性体の製造方法
CH662983A5 (de) * 1984-04-21 1987-11-13 Heinrich Schmid Maschinen Und Taumelpresse.
US4587096A (en) * 1985-05-23 1986-05-06 Inco Alloys International, Inc. Canless method for hot working gas atomized powders
JPS6277145A (ja) * 1985-09-30 1987-04-09 Kobe Steel Ltd 揺動鍛造装置
GB8603686D0 (en) * 1986-02-14 1986-03-19 Standring P M Rotary forging
JPS62183937U (enExample) * 1986-05-09 1987-11-21
JPH0211642U (enExample) * 1988-07-05 1990-01-24
JP2657686B2 (ja) * 1988-12-27 1997-09-24 住友重機械工業株式会社 揺動鍛造機
JP2657687B2 (ja) * 1988-12-27 1997-09-24 住友重機械工業株式会社 揺動鍛造機
WO1990008113A1 (en) * 1989-01-17 1990-07-26 Allied-Signal Inc. Super tough monolithic silicon nitride
JPH02197345A (ja) * 1989-01-24 1990-08-03 Mitsubishi Nagasaki Kiko Kk 回転揺動鍛造機の回転揺動軸の回転ずれ防止装置
JPH0730193Y2 (ja) * 1989-02-09 1995-07-12 三菱長崎機工株式会社 回転揺動鍛造機の回転揺動軸の傾斜角度自動調整装置
US4851193A (en) * 1989-02-13 1989-07-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force High temperature aluminum-base alloy
US5171379A (en) * 1991-05-15 1992-12-15 Cabot Corporation Tantalum base alloys
JPH05271717A (ja) * 1992-03-24 1993-10-19 Kobe Steel Ltd 高靱性高耐摩耗性クラッド薄板の製造方法
JPH05285586A (ja) * 1992-04-07 1993-11-02 Daido Steel Co Ltd フランジ製品の成形方法
JP2652334B2 (ja) * 1993-11-10 1997-09-10 株式会社レイズエンジニアリング 回転鍛造装置
DE69422424T2 (de) * 1993-12-17 2000-08-03 Wyman-Gordon Co., North Grafton Gestufter, segmentierter schmieden mit geschlossenem gesenk
US5590389A (en) * 1994-12-23 1996-12-31 Johnson Matthey Electronics, Inc. Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same
JPH09143594A (ja) * 1995-11-24 1997-06-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気接点材料
US6044685A (en) * 1997-08-29 2000-04-04 Wyman Gordon Closed-die forging process and rotationally incremental forging press
US6348139B1 (en) * 1998-06-17 2002-02-19 Honeywell International Inc. Tantalum-comprising articles
JP2000144210A (ja) * 1998-11-10 2000-05-26 Kubota Corp 金属粉末の鍛造方法
GB9825632D0 (en) * 1998-11-23 1999-01-13 Novartis Ag Organic compounds
US6348113B1 (en) * 1998-11-25 2002-02-19 Cabot Corporation High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same
BR0008908A (pt) * 1999-01-29 2001-11-27 Crs Holdings Inc Aço-ferramenta de metalurgica de pó de altadureza e artigo feito deste
JP2000276116A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US6521173B2 (en) * 1999-08-19 2003-02-18 H.C. Starck, Inc. Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
JP4495325B2 (ja) * 1999-12-20 2010-07-07 株式会社アーレスティ エンジンブロックの製造方法
US6331233B1 (en) * 2000-02-02 2001-12-18 Honeywell International Inc. Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture
WO2001096620A2 (en) 2000-05-22 2001-12-20 Cabot Corporation High purity niobium and products containing the same, and methods of making the same
JP2002030376A (ja) * 2000-07-21 2002-01-31 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Ｎｉ金属粒子分散型のＡｇ−Ｎｉ系合金開閉接点素材及びそれを使用したリレー
US6462339B1 (en) * 2000-09-20 2002-10-08 Cabot Corporation Method for quantifying the texture homogeneity of a polycrystalline material
US6539765B2 (en) * 2001-03-28 2003-04-01 Gary Gates Rotary forging and quenching apparatus and method
JP2003231936A (ja) * 2002-02-08 2003-08-19 Yamaha Motor Co Ltd エンジンのシリンダライナ
JP4883546B2 (ja) * 2002-09-20 2012-02-22 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲットの製造方法
JP2004125523A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 放射性物質貯蔵用構造強度材及びその製造方法、並びに押出成形用ビレット
US20050155677A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-21 Wickersham Charles E.Jr. Tantalum and other metals with (110) orientation
CN101171362B (zh) * 2005-04-28 2010-06-09 日矿金属株式会社 溅射靶

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