TWI484054B - 濺鍍靶及藉由旋轉軸鍛造製造彼等之方法 - Google Patents

濺鍍靶及藉由旋轉軸鍛造製造彼等之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI484054B
TWI484054B TW094114620A TW94114620A TWI484054B TW I484054 B TWI484054 B TW I484054B TW 094114620 A TW094114620 A TW 094114620A TW 94114620 A TW94114620 A TW 94114620A TW I484054 B TWI484054 B TW I484054B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target
metal sheet
texture
ingot
preform
Prior art date
Application number
TW094114620A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200607873A (en
Inventor
John P Matera
Robert B Ford
Charles E Wickersham
Original Assignee
Global Advanced Metals Usa Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Global Advanced Metals Usa Inc filed Critical Global Advanced Metals Usa Inc
Publication of TW200607873A publication Critical patent/TW200607873A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI484054B publication Critical patent/TWI484054B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C14/00—Alloys based on titanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C16/00—Alloys based on zirconium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
    • C22C27/02—Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
    • C22F1/18—High-melting or refractory metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Forging (AREA)
  • Heat Treatment Of Articles (AREA)

Description

濺鍍靶及藉由旋轉軸鍛造製造彼等之方法
本發明係關於用於濺鍍之濺鍍靶及元件。更特別地，本發明係關於形成濺鍍靶之方法以及由本發明方法產生之濺鍍靶。
有許多由金屬製造濺鍍靶之方式，其通常包括取得一粉末狀冶金產物或通常為鋼坯形狀之錠衍生產物，隨後加工該鋼坯成為多數為平面或圓形之所需濺鍍靶形狀。通常用於加工鋼坯成為所需形狀之方法為輾壓、錘碎、擠壓、鍛粗及類似方法之各種鍛造方法。通常，這些方法是耗工的，原因在於由於涉及的必要變形作用，故這些鍛造或銑削為勞力密集的且耗費大量的時間，因而需耗費大量的時間加工材料。此外，藉使用這些形式之鍛造或銑削步驟，形成之濺鍍靶通常要求大量機械加工以得到所需之緊密公差及良好之表面加工。另外，平面靶之圓形通常不正確且有大變異(如相對於靶直徑變化10至15%之變異)。
如此，工業界對克服這些缺點並提供低成本方法以形成濺鍍靶以及提供減少形成靶所需時間之方法有需求。
本發明之特徵為提供以低成本及較小勞力密集之操作製造濺鍍靶之方法。
本發明之進一步特徵為提供在形成方法中需要較少時間之製造濺鍍靶方法。
本發明之額外特徵為提供在晶粒大小及/或晶體取向上較一致之濺鍍靶之方法。
本發明之額外特徵為提供在靶之直徑上較小變化之濺鍍靶。
此外，本發明之另一特徵為提供在形成後需要較少機械加工之濺鍍靶。
本發明之進一步特徵為提供具有過渡主要紋理或受控制之紋理梯度之濺鍍靶。
本發明之額外特徵及優點將部分在下面之敘述中陳述，且部分由敘述將變得明顯，或可由本發明之實施學得。本發明之目標及其他優點將由敘述及附帶的申請專利範圍中特別指出之元素及組合了解並得到。
為了完成這些及其他優點且根據本發明之目的，當在此之具體化及廣泛之描述時，本發明係關於形成濺鍍靶之方法。本方法包括旋轉軸鍛造錠衍生預型體成為濺鍍靶形狀及大小。旋轉軸鍛造較佳地在緊密之模中完成。
本發明尚關於具有圍繞濺鍍靶中心之連續徑向圓周圖案之晶粒大小圖案之濺鍍靶。
此外，本發明係關於具有圍繞濺鍍靶中心之連續徑向圓周圖案之晶體結構圖案之濺鍍靶。
本發明亦關於濺鍍靶直徑變化不超過5%之濺鍍靶。
此外，本發明係關於具有過渡主要紋理或受控制之紋理梯度之濺鍍靶。
應了解前面的一般敘述及下面之詳細敘述只是例示的及解釋的，且打算以申請專利範圍提供本發明之進一步解釋。
合併且構成本申請書之圖式描述本發明之具體實施例並與此敘述一起解釋本發明之原理。
本發明係關於濺鍍靶及較佳地使用旋轉軸鍛造技術作為形成濺鍍靶之方法之一部分之製造濺鍍靶之方法。
更詳細地，在此方法中，濺鍍靶可藉旋轉軸鍛造錠衍生預型體或工作件成為所需濺鍍靶之形狀及大小形成。
為了本發明之目的，錠衍生預型體或工作件可為大小可減少一半(如變形)成為所需濺鍍靶形狀之任何錠衍生材料。如此，錠衍生預型體為通常具有比所需濺鍍靶較大之高及比濺鍍靶較小之直徑之材料。錠衍生預型體當其可成形或變形或加工成最終濺鍍靶尺寸所需之形狀時通常可為任何所需之高及/或直徑或其他尺寸形狀。為了本發明之目的，錠衍生預型體形狀上為柱狀的較佳且可為例如鋼坯、桿、圓柱、或其他相似形狀。錠衍生預型體可具有其他幾何形狀如矩形。然而，以此形式之預型體開始通常產生矩形並藉熟諳此藝者習知之鍛造技術形成圓柱形。舉例而言，可使用直徑約3吋至約14吋之鋼坯。通常，鋼坯高度不超過約鋼坯或其他預型體或其他工作件直徑之2倍且以1.8倍較佳。可使用較大之高/直徑比例。
根據例如頒予麥克魯克(Michaluk)等人之美國專利第6,348,113號中揭示之方法及技術(以引用的方式併入本文)可形成鋼坯或其他工作件。
至於錠衍生預型體，預型體可具有任何純度、任何晶粒大小、及/或任何紋理。錠衍生預型體之純度相關於主要存在之金屬大於95%較佳，而以相關於主要存在金屬之純度99%、99.5%、99.9%、99.95%、99.99%、99.995%、99.999%、或更高之純度更佳。至於金屬，只要其可濺鍍可使用任何金屬。可使用BCC形式或FCC形式金屬或其合金。實例包括但不限於耐火金屬、貴重金屬以及其他形式之金屬。特定實例包括但不限於鉭、鈮、鈦、鈷、銅、鋁、金、銀、鎳、鉑、鉿、鋯、鈀、釩、銥、鉬、鎢、鐵及其合金、及其類似物。
如所陳述的，錠衍生預型體可具有任何平均晶粒大小。平均晶粒大小之實例包括1,000微米或更小且以500微米或更小更佳。其他範圍包括但不限於250微米或更小、150微米或更小、100微米或更小、75微米或更小、50微米或更小、25微米或更小、10微米或更小、及由約1微米至約1,000微米之範圍之任何其他數值。至於紋理，在本發明中可使用任何晶體取向。實例包括但不限於主要紋理或混合紋理。例如，對立方金屬，紋理可為(111)紋理(或晶體取向)、(100)紋理、(110)紋理、或這些紋理之混合。相似地，對六方金屬如鈦，紋理可為(0002)紋理、(1012)紋理、(1010)紋理、或這些紋理之混合。紋理可遍及錠衍生預型體及/或在表面上。紋理為均勻的較佳，但是不是必須的。立方金屬紋理可沒有任何紋理帶亦較佳，但不是必須的。例如，錠衍生預型體可基本上沒有(100)紋理帶。
在本發明中，錠衍生預型體受旋轉軸鍛造。此旋轉軸鍛造亦稱為迴轉鍛造。旋轉軸鍛造結合封閉之模完成較佳。可使用任何旋轉軸鍛造機。實例包括但不限於可購自密西根奧本山(Auborn Hill)VSI自動化(VSI OFP－100)、德國多爾穆德(Dortmund)之華格納邦尼(Wagner Banning)(AGW－125或AGW－400)、瑞士施密德公司(Schmid Corporation)(型號T630或T200)之旋轉軸鍛造機。此外，旋轉軸鍛造機在美國專利第4,313,332、4,795,333及5,531,088號(在此皆以引用的方式整個併入本文)中進一步敘述。旋轉或軸鍛造之各種觀念亦在下面文獻中進一步敘述：許夫普利(Shivpuri,R.,J.)之「旋轉或迴轉鍛造法之過去發展與未來趨勢」Mater.Shaping Technol.6,(1)1988,第55－71頁；海納格(Honegger,H.R.)之「朝向迴轉鍛造推進」Am.Mach.126,(11)1982年11月，第142－144頁；法西尼(Faccini E.C.)之「重金屬EFP襯墊之迴轉鍛造」研討會會議紀錄；TMS.Warrendale；PA之之「耐火金屬及合金之高應變率行為」第111頁(1992)；史丹德林(Standing,P.M.)之「Metallurgical Aspectis of Rotary Metal Forming」；穆(Moon,J.R.)之「旋轉金屬加工法」1979,第157－170頁,IFS(會議)有限公司與諾丁漢大學(University of Nottingham)，1979年11月；「在主要鍛造中三維有限元素模型之最近發展及應用」J.Mater.Process.Technol.，卷113第1－3號2001/6月第40－45頁；賴扥(R.E.Little)及拜爾(R.Beyer)之「在旋轉鍛造鐓粗時負載－變形關係」「旋轉加工法」1979，第157－170頁，IFS(會議)有限公司與諾丁漢大學，1979年11月；庫伯(K.Kubo)及漢來(Y.Hirai)之「旋轉鍛造機鐓粗中圓柱鋼坯之變形特徵」「旋轉金屬加工法」1979,第157－170頁，IFS(會議)有限公司與諾丁漢大學，1979年11月；麥奇(J.R.Maicki)之「迴轉鍛造」冶金及金屬成形，1977年6月，第265－269頁，其中所有參考文獻以引用的方式整個併入本文。
至於旋轉軸鍛造之操作，旋轉軸鍛造施加之壓力或力之量可為約50噸至約700噸(或更高)，而以約200至630噸更佳。通常，錠衍生預型體在迴轉鍛造步驟中在約30 rpm至約120 rpm(或更高)之速度旋轉，而以約50 rpm至約80 rpm更佳。具有上滾筒(在鍛造操作時實際接觸錠衍生預型體之滾筒)之旋轉軸鍛造機在迴轉鍛造時在30 rpm至約300 rpm之速度下旋轉較佳而以約100 rpm至約240 rpm更佳。通常，在鍛造步驟時，錠衍生預型體之溫度在約－196至約1000℃之溫度，且以約20℃至約350℃更佳。
模對鋼坯之接觸面積及欲鍛造材料之降伏強度為決定製造濺鍍靶所需之旋轉鍛造機大小之因數。旋轉鍛造中接觸面積可使用方程式：A＝πR2 (0.48 h/(2 R tan(α))0 . 6 3 )，此處A為接觸面積，R為鋼坯半徑，h為入料/旋轉之深度且α為上模與鋼坯平面間之傾斜角度。旋轉鍛造壓縮以形成半徑R之濺鍍靶所需之力(F)由方程式F＝AYC得到，此處Y為金屬鋼坯材料之流動應力且C為限制因子。限制因子乘以材料之降伏強度可視為計入模內摩擦力之旋轉鍛造之有效降伏強度。
在旋轉軸鍛造步驟時，錠衍生預型體可在約幾十秒(如1分鐘或更短而以30秒或更短更佳)縮減成濺鍍靶所需形狀及大小，這使靶之形成時間大幅減少自不待言。
在旋轉軸鍛造步驟中，使用所需濺鍍靶之形狀及大小之封閉模較佳。實質上，此模讓錠衍生預型體變形成濺鍍靶之正確所需形狀及大小並產生最終產物相對濺鍍靶直徑變化中極低之變化。通常，使用本發明時靶直徑之變化為5%或更小。
此外，以旋轉鍛造形成符合濺鍍靶之侵蝕圖案之形狀之濺鍍靶為可行的。這保存材料並減少濺鍍靶之材料成本。
封閉模可由任何材料(如工具鋼或相似材料)製造。可使用潤滑劑(如二硫化鉬或相似或其他形式之鍛造潤滑劑)以減少鍛造時之摩擦力。
在本發明中，可退火或不退火旋轉軸鍛造之錠衍生預型體。退火錠衍生預型體較佳。對於鉭，錠衍生預型體在約900℃至約1200℃之溫度退火約60至約240分鐘之時間更佳，在真空或惰性氣氛中較佳。同樣可塗佈錠或金屬物件。可使用其他溫度及/或時間。可使用任何數目之退火。
以本發明鍛造之錠衍生預型體之大小典型上以濺鍍靶之所需最終大小為基礎。換言之，一旦知道濺鍍靶之大小，可容易地測定濺鍍靶中之金屬體積且之後決定起始錠衍生預型體之適當直徑及高，使起始錠衍生預型體具有實質上與最終濺鍍靶相同之體積。錠衍生預型體之高不超過錠衍生預型體直徑之約三倍大較佳。高接近錠衍生預型體直徑之1.8倍或為1.8倍更佳。通常，高不超過3倍，雖然這是可能的，然而部是較佳的。
濺鍍靶之最終形狀或大小可為任何大小，如傳統大小像6吋至18吋且高約0.125至約1吋。
可選擇的，在旋轉軸鍛造步驟之前，錠衍生預型體可受第一熱機械加工或變形步驟。在本發明中，錠衍生預型體受前熱機械加工較佳，其可為任何形式之加工法(以迴轉鍛造之外較佳)，如旋轉鍛造、錘鍛、鍛粗、輾壓、交叉輾壓、擠壓、及其類似者。實質上可使用任何熱機械加工材料之方法只要錠衍生預型體回到旋轉軸鍛造目的之圓柱形。如此，在一具體實施例中錠衍生預型體可輾壓成任何幾何形狀只要基本上回到本發明較佳具體實施例目的之圓柱形。錠衍生預型體之前熱機械加工或變形較佳地提供預型體中改良之晶粒大小及/或改良之紋理。此外，可完成前熱機械加工以得到具有受特別旋轉軸鍛造機之目的需要之大小及/或形狀之預型體。例如，直徑在例如約3吋至約14吋之範圍內之鋼坯可受第一熱機械加工(如鍛造)以減少直徑至少5%之最初起始直徑，以至少50%更佳，以至少100%更佳。若需要此變形及大小上之減少甚至可大於100%。預型體之加工可為冷或熱加工或兩者之組合。鋼坯可再次加工以回到原來之直徑。
為了本發明之目的，在旋轉軸鍛造步驟之前可有超過一次之前熱機械加工。在旋轉軸鍛造之前可完成任何數目之加工步驟以完成預型體之任何所需百分比變形或其他熱機械加工。
在本發明之另一具體實施例中，旋轉軸鍛造可階段進行。例如，若旋轉軸鍛造裝置沒有足夠噸數鍛造整個自由形式，在下模上可提供徑向位移使迴轉鍛造可以多步驟完成。例如，板內部可藉最高至機器之噸位限制之迴轉鍛造形成，其中內部之半徑小於零件之最終半徑。如此，若要形成13吋直徑之板，板之首8吋可由上及下模沿中心結合形成。之後，預型體之外部可由相同之方法藉由移動上板到未預先鍛造之預型體之部分鍛造。在另一選擇或組合中，預型體放置之下板可移動使其沿著上板排列鍛造先前未鍛造之區域。如此，藉此一方法，以前無法以單迴轉鍛造步驟鍛造之整體大預型體可由二或更多連續步驟之迴轉鍛造鍛造。如此，簡單移動模或上板或移動下板以均勻地鍛造整個預型體以達到所需之形狀及材料之最終厚度(如濺鍍靶之形式)。例如。為了形成13吋直徑之板，可首先以上及下模沿著中央鍛造板之首8吋。鋼坯或預型體之外部之後以形成接近最終厚度之內八吋直徑未成形。之後，下模以首先輾壓之半徑轉變，在此實例中，轉變率為4吋。之後，可進行第二迴轉鍛造輾壓以形成外直徑部分。此輾壓形成最終13吋直徑之外部。此二步驟方法減少迴轉鍛造所需之最大力。此多步驟方法可由任何數目之次數重複以形成較大直徑之板同時只使用使用迴轉鍛造壓機可出之力。此多步驟方法提供許多優點。在另一選擇中，可在外直徑部分起始徑向地向中心輾壓並向中心移動或可先在內直徑起始徑向地輾壓並以一或多個步驟向外移動。
在旋轉軸鍛造步驟後，任何數目之其他傳統步驟可在濺鍍靶上進行。例如，之後濺鍍靶可使用如上所述可選擇之退火步驟相似之退火參數退火任何次數。
濺鍍靶可視需要經任何進一步之熱機械加工(如輾壓步驟、平坦化步驟)，或其他熱機械加工(如拉絲、液壓成形、超塑性成形、旋轉或流動成形或熱機械加工之任何組合)。
濺鍍靶可視需要機械加工、研磨、精研、銑削或拋光以得到所需之規格。
一旦得到所需之濺鍍靶，之後濺鍍靶可固定在背襯板層或板上以完成靶組合。將濺鍍靶固定在背襯板上可藉任何貼合法(如擴散鍵結、摩擦硬焊、摩擦焊接、爆破結合、焊接、及其類似方法)完成。作為一種選擇，至少一中間層可位在濺鍍靶及背襯層之間且中間層可固定在濺鍍靶或背襯板上或在固定濺鍍靶組合前同時一起固定在二者上。背襯板可為任何傳統材料如銅、鋁、鈦、或其合金。
如所示，濺鍍靶之至少一個表面可機械加工成所需之性質或公差。
至於本發明得到之濺鍍靶，在一具體實施例中，濺鍍靶具有圍繞靶中心之連續徑向圓周圖案之晶粒大小圖案。如此，晶粒大小圖案相對圓形圍繞靶中心但亦向靶之外徑發射之事實為獨特的。實質上，晶粒大小圖案為具有周圍圖案之半徑圖案之摻混。在本發明具體實施例中具有晶粒大小之獨特摻混濺鍍靶提供相對均勻濺鍍為獨特之性質，特別是因為圓形圖案可較佳的符合濺鍍設備中磁鐵之圓形圖案。如此，濺鍍靶不只提供在基板上更均勻的薄膜，亦提供濺鍍靶均勻濺鍍或侵蝕，提供濺鍍靶更有效率及完整之使用。相似地，在相同之具體實施例或分離之具體實施例中，濺鍍靶可具有連續徑向圓周之晶體結構圖案。此晶體結構如上面所示可具有任何紋理。在紋理中此較佳的連續徑向圓周圖案提供較均勻之靶，其在較佳具體實施例中產生均勻之侵蝕以及在所需之基板上形成均勻之薄膜。
為了本發明之目的，由本發明方法產生之濺鍍靶隨起始錠衍生預型體可具有相同或不同紋理及/或晶粒大小。如此，關於晶粒大小及紋理及上面指明之關於預型體之純度，這些參數可同等地存在於最終濺鍍靶中。
在一項本發明之具體實施例中，濺鍍靶具有所需之金相結構。例如，靶之晶體紋理在整個靶厚度可為過渡主要紋理。例如，靶之一端(如靶之上側部分)可具有(110)主要紋理且靶之另一端(如靶之下側部分)可具有(111)主要紋理。在整個靶之厚度主要紋理之此一變動對濺鍍目的可極為有利。敘述此一具體實施例之有利貢獻之另一方式為靶在整個靶厚度具有紋理梯度，其中較強的紋理存在靶之某些位置。過渡之主要紋理或紋理梯度在濺鍍中非常有利以補償靶侵蝕時之濺鍍速率變化。本發明之方法產生在其他金屬加工法中未觀察到之獨特紋理。在至少一項本發明具體實施例中，本發明在整個靶厚度或可用於補償在濺鍍靶產生濺鍍侵蝕軌跡發生時在濺鍍速率上之自然變化之金屬物件產生接近線性紋理梯度。靶之濺鍍速率傾向在固定功率下隨濺鍍時間減少，因為隨著靶濺鍍靶之表面積增加。這增加之表面積造成每單位面積施加之效應減少，使有效濺鍍速率減少。此效應通常由隨著靶侵蝕逐漸增加施加在濺鍍靶之功率補償。在本發明中，藉由導入在濺鍍靶中受控制之紋理梯度或過渡主要紋理，濺鍍靶可由高濺鍍速率紋理(如(111))移動至較高濺鍍速率取向(如(110))以補償低有效功率密度。此紋理梯度之實例進一步顯示在包括圖6－8之實例中。
為了本發明之目的，過渡主要紋理可為任何移動之主要紋理。例如，並參照靶之整個厚度，濺鍍靶之一部份(如上部或下部)，更特別地，例如靶之上半和下半部分可為主要紋理(如超過50%之整體紋理或在所有紋理中存在紋理之最高%之紋理)如(111)、(100)、(110)、或二或更多這些紋理之混合。靶或金屬物件之其他部分為不同之主要紋理。如此，如一實例，靶之一部分具有主要(111)紋理且靶之其他部分具有主要(100)紋理。在另一具體實施例中，靶之一部分可具有主要(111)紋理且靶之其他部分可具有主要(110)紋理。在本發明之另一具體實施例中，靶之一部分可具有主要(100)紋理且靶之其他部分可具有主要(110)紋理。在本發明之另一具體實施例中，靶之一部分可具有主要(100)紋理且靶之其他部分可具有主要(111)紋理。實質上，可得到移動主要紋理之任何組合。含有「部分」之代表主要紋理可為靶或金屬物件之整體上/下厚度之10%至90%，而以整體厚度之25%至75%或35%至60%較佳。例如，在14 mm厚之靶中，由上面開始首5－6 mm之厚度可為約40%厚度之主要(111)，而其餘厚度可為主要(110)。此外，在本發明之另一具體實施例中，紋理可由主要紋理移動成混合紋理。例如，靶之一部分可具有主要(111)紋理且其他部分可具有混合(111)：(100)紋理或混合(110)：(100)紋理，及其類似物。最初暴露於濺鍍之紋理為比後來濺鍍具有較高濺鍍速率較佳之部分低濺鍍速率之紋理。另一實例，靶或金屬物件之紋理梯度可具有範圍由－1%/mm至－10%/mm或更高之(111)平面或(111)紋理。適當紋理梯度之其他實例可包括－2.5%/mm至－5.0%/mm之(111)平面或(111)紋理。此一負紋理梯度表示負號指示(111)紋理在靶之上厚度較佔優勢或為主要的且(111)紋理之優勢以線性或接近線性之方式隨透過靶之毫米深度測量之紋理減少。如此，－2.0%/mm將表示(111)紋理將平均約每毫米靶厚度減少2%，且如此若靶為14毫米厚，(111)紋理由表面上方之相同靶表面之極底部減少約24%。相似的，紋理梯度可存在相同靶之(110)紋理，其中由相同上表面起始之紋理梯度為1%/mm至10%/mm，表示紋理最初將低於靶上表面且在整個靶中將以線性或接近線性之方式逐漸增加直到靶之底部。(110)之其他紋理梯度可包括在整個靶或金屬物件之厚度約1%/mm至約7%/mm或約1%/mm至約5%/mm、或約1%/mm至約4%/mm。(100)紋理可存在相似之梯度。對其他晶體取向(如在FCC金屬中)，可得到各種紋理之取向的相似移動。本發明亦關於存在具有線性或接近線性紋理梯度之靶或金屬物件中之至少一種紋理，其中接近線性通常指紋理在整個靶厚度中在誤差之範圍內以固定之樣子(如在10%或25%之線性關係之內)增加或減少。
上面所述相關(111)之各種紋理梯度可同樣地應用到(100)或(110)。相似地，上面所述提供給(111)之紋理梯度同樣可應用到(110)或(100)。在一具體實施例中，可應用到上面實例所給予相關(111)及(100)之紋理梯度，(100)紋理梯度在整個靶厚度可為約0%/mm至約5%/mm，且其他範圍包括約0.5%/mm至約3%/mm，或約0.5%/mm至約2%/mm。紋理梯度越低通常指紋理在整個靶厚度實質上維持相同。在一項本發明之具體實施例中，(100)紋理梯度低(如反映(100)紋理通常在整個靶厚度為約相同之低於3%/mm)。此低紋理梯度同樣可應用到(111)或(110)，視靶中所需之紋理梯度而定。在一項本發明較佳具體實施例中，(111)紋理之紋理梯度為負紋理梯度且(110)紋理梯度為正紋理梯度且(100)紋理梯度接近0紋理梯度(如3%/mm或更少)。在本發明之另一具體實施例中，靶或金屬物件對一或更多的紋理可具有至少一個正紋理梯度及/或至少一個負紋理梯度、及/或0或接近0之紋理梯度。紋理梯度或過渡主要紋理之各種組合之任一種可與整個厚度變化非常低之晶粒大小(如整個靶厚度之平均晶粒大小變化不超過＋/－50微米且以變化不超過＋/－25微米較佳)存在。換言之，若平均晶粒大小在2 mm深度測量為約25微米，整個靶深度之平均晶粒大小將不超過75微米，而以平均晶粒大小不超過50微米較佳。此一在整個靶厚度一致之平均晶粒大小範圍以均勻之濺鍍速率及膜厚度形成之觀點亦為有利的。小晶粒大小變化之實例顯示在實例之圖9中。
此外，在一具體實施例中，濺鍍靶在5%或更少之直徑變化(如4%、3%、2%或1%或更少)內較佳。此變化上之控制關於濺鍍靶之均勻濺鍍及完全侵蝕為高度合宜的。
至於圖式，圖1陳述本發明方法之實例，其中起始鋼坯(顯示在圖1A中)受旋轉軸鍛造。上模以軸力應用到起始鋼坯以產生材料流動，以形成濺鍍靶之所需直徑(如圖1B及1C所示)。圖2A顯示在此具體實施例中受具有不同形式設計之上模成形之起始鋼坯。軸力應用到起始鋼坯以產生金屬之材料流動。起始鋼坯或工作件至少部分位在下模中以控制顯示在圖2C中之最終靶之最終組態。圖3顯示一具體實施例之流程圖，其中起始鋼坯受前鍛造步驟以減少直徑之後經第二段造步驟以增加直徑。之後，工作件或預型體受旋轉軸鍛造步驟以增加直徑至18.5吋。之後，實質上為所需濺鍍靶形狀之此工作件受真空退火且可貼在背襯板上，之後經包括最終機械加工之最終加工步驟。圖4顯示在1050℃退火後迴轉鍛造鉭板剖面之電子背向繞射(EBSD)圖。在此陳述中有平行靶平面之(111)平面之晶粒染色成藍色(圖中最暗顏色之區域)，平行靶平面之(110)平面之晶粒染色成綠色(圖中最亮顏色之區域)，且有平行靶平面之其(100)平面之晶粒染色成紅色(實質上只存在{111}極圖上之二點)。整個靶之紋理梯度很容易看到。圖5提供此材料之EBSD極圖。
本發明將以打算作為本發明例示之下面實例進一步變得明晰。
實例
表1整理用於旋轉鍛造濺鍍靶製造中使用之高純度鉭之試驗條件。試驗條件用於製造約11吋直徑之鉭板。對商業濺鍍靶，直徑13至18吋之鉭坯為可用的。這些大直徑板所需力之計算提供在表1下面。在表1中，樣品1A、1B、2A、及2B在迴轉鍛造之前在1050度C真空中維持2小時退火。實例1A及1B在退火之前擠壓，由11吋之錠擠成3.54吋之鋼坯且長5.9吋。實例3A及3B亦如1A中擠壓，但是不退火。實例2A及2B由11吋之錠迴轉鍛造成3.54吋之鋼坯且長5.9吋並如討論在迴轉鍛造後退火。實例4A及4B亦經迴轉鍛造但不退火。
分析由旋轉封閉模鍛造製造之鉭濺鍍靶之一之金相結構。表1中標示為樣品2B之材料之平均晶粒大小為36μm且在0.5吋厚板之上到底部10μm之內為均勻的。此板之結晶紋理平均約45%(111)、20%(110)及35%(100)。接近板底部之(111)結晶紋理接近80%並在接近板之上表面減少到接近20%。此紋理梯度可在濺鍍靶設計中補償在濺鍍靶連續侵蝕時發生濺鍍速率之正常減少而成為優點。將高濺鍍速率紋理置於朝向靶背表面之靶中可減少濺鍍速率之正常減少。
圖6提供在迴轉鍛造鉭板中見到之結晶紋理梯度。(111)平面之紋理梯度範圍在此數據表中為－3.8%/mm至－4.9%/mm。在圖左側中高%之(111)在鉭樣品鄰近下模側發生，在該處鉭鋼坯及膜不會相對移動。在圖左側上低%之(111)符合接觸旋轉模且經歷高剪力之樣品面。
圖7提供%(110)結晶紋理之相似系列之曲線。在此情況中，%(110)紋理由左至右側逐漸增加，與由鉭板中靜止下模接觸面移到上旋轉模接觸面一致。在此情況中，紋理梯度範圍由靜止模接觸表面至旋轉模接觸表面為1%/mm至4.1%/mm。
圖8提供迴轉鍛造鉭板之%(100)紋理元件之整個厚度紋理變化。%(100)紋理梯度範圍為3%/mm至0.7%/mm。在(100)元件中梯度傾向小於(111)及(100)元件中之梯度。
整個迴轉鍛造鉭板中晶粒大小變化提供在圖9中。晶粒大小只顯示迴轉鍛造鉭中整個厚度輕微之梯度。平均晶粒大小範圍為25至50μm，在靠近相對鉭鋼坯靜止之下模之材料中晶粒大小稍大。
表2提供在此申請書中敘述之四個鉭樣品測量紋理梯度及晶粒大小之整理。
申請人特別合併在此揭示中所有提及文獻之整個內容。此外，當以範圍、較佳範圍、或較佳之上限值及較佳之下現值之表提供量、濃度、或其他值或參數時，應了解由任一組任何範圍上限或較佳值及任何範圍下限或較佳值形成之所有範圍為特定揭示，不論範圍是否分開揭示。此處在此陳述之數字值範圍，除非另有指明，此範圍打算包括其端點、及所有整數與分數。不打算在定義範圍時將本發明範圍限制在特定陳述值中。
本發明其他具體實施例對熟諳此藝者由考慮本說明書及在此揭示之本發明實施變得顯而易見。打算將本說明書及實例只視為例示的，本發明的真正範圍及精神以後面之申請專利範圍及其相當物指明。
圖1(A)－(C)為以旋轉軸鍛造一般加工鋼坯成為濺鍍靶之側面分解圖。
圖2(A)－(C)為使用下模旋轉軸鍛造起始鋼坯之側面分解圖。
圖3為使用本發明具體實施例形成濺鍍靶之連續製程之側視流程圖。
圖4為顯示旋轉軸鍛造鉭濺鍍材料之晶粒結構及取向之EBSD剖面。
圖5為由旋轉軸鍛造鉭濺鍍靶材料之EBSD衍生極圖。
圖6－8為分別顯示整個樣品厚度%(111)、%(110)、及%(100)之紋理梯度之圖。
圖9為顯示整個樣品厚度之平均晶粒大小之圖。

Claims (50)

  1. 一種形成濺鍍靶之方法，其包括旋轉軸鍛造錠衍生預型體成為該濺鍍靶之形狀及大小，其中該旋轉軸鍛造具有在該旋轉軸鍛造步驟期間在30rpm至300rpm之速度下旋轉之上板。
  2. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體為貴重金屬或耐火金屬。
  3. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體為鉭預型體或其合金。
  4. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體為鈦預型體或其合金。
  5. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體為鈮預型體或其合金。
  6. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體為鈷、銅、鋁、金、或銀預型體、或其合金。
  7. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體包括鉭、鈮、鈦、其組合、或其合金。
  8. 如請求項1之方法，其尚包括在該旋轉軸鍛造前熱機械加工該錠衍生預型體。
  9. 如請求項1之方法，其尚包括在該旋轉軸鍛造前加工該預型體以減少該錠衍生預型體直徑。
  10. 如請求項9之方法，其中該直徑上之減少以鍛造、輾壓、或其組合完成。
  11. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體在該旋轉軸鍛造 前退火。
  12. 如請求項1之方法，其尚包括在該旋轉軸鍛造步驟前在約900℃至約1200℃之溫度下約60分鐘至約240分鐘之時間退火該錠衍生預型體。
  13. 如請求項1之方法，其中該旋轉軸鍛造以在約30rpm至約300rpm之速度下旋轉錠衍生預型體。
  14. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體為鋼坯、桿、或圓柱。
  15. 如請求項1之方法，其中該濺鍍靶之形狀及大小不是濺鍍靶之最終形狀及大小且其中該方法尚包括將該濺鍍靶進行進一步之熱機械加工以得到最終濺鍍靶之所需形狀及大小。
  16. 如請求項1之方法，其中該方法尚包括機械加工該濺鍍靶之至少一個表面。
  17. 如請求項1之方法，其尚包括固定該濺鍍靶至背襯板上。
  18. 如請求項17之方法，其尚包括固定至少一個中間層至該濺鍍靶或該背襯板，或同時固定到二者之後將該靶、板、及中間層固定在一起以形成靶組合。
  19. 如請求項1之方法，其尚包括輾壓、平坦化、銑削、研磨、精研、拋光或其組合該錠衍生預型體或該濺鍍靶或二者均有。
  20. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體形狀為柱狀及具有不超過直徑之3倍之高度。
  21. 如請求項9之方法，其中該錠衍生預型體直徑減少至少 5%。
  22. 如請求項1之方法，其中該錠衍生預型體直徑減少至少10%。
  23. 一種藉由如請求項1之方法所製備之濺鍍靶，其具有圍繞靶中心之連續徑向圓周圖案之晶粒大小圖案。
  24. 一種藉由如請求項1之方法所製備之濺鍍靶，其具有圍繞靶中心之連續徑向圓周圖案之晶體結構圖案。
  25. 如請求項24之濺鍍靶，其中該濺鍍靶尚包括圍繞靶中心之連續徑向圓周圖案之晶粒大小圖案。
  26. 如請求項1之方法，其中該旋轉軸鍛造在封閉模中進行。
  27. 如請求項26之方法，其中該封閉模為濺鍍靶之形狀。
  28. 如請求項1之方法，其中該濺鍍靶之平均晶粒大小為約20至約100μm。
  29. 如請求項28之方法，其中該濺鍍靶包括鋁、銅、鉭、鈮、鈦、鉑、金、鎳、鐵、釩、鉬、鎢、銀、鈀、銥、鋯、鉿或其合金、或其組合。
  30. 如請求項28之方法，其中該濺鍍靶為純度至少99.99%之鉭。
  31. 如請求項28之方法，其中該濺鍍靶為平均結晶結構為主要(111)之鉭。
  32. 如請求項28之方法，其中該濺鍍靶為平均結晶結構為主要(110)之鉭。
  33. 如請求項1之方法，其中該旋轉軸鍛造以錠衍生預型體之二或更多鍛造步驟進行。
  34. 一種在整個金屬板厚度具有受控制的紋理梯度之金屬板，其中該金屬板係藉由如請求項1之方法所製備。
  35. 如請求項34之金屬板，其中該金屬板為BCC金屬板。
  36. 如請求項35之金屬板，其中該BCC金屬板之%(111)紋理梯度為1%/mm或更大。
  37. 如請求項35之金屬板，其中該BCC金屬板之%(111)紋理梯度為3%/mm或更大。
  38. 如請求項35之金屬板，其中該BCC金屬板之%(111)紋理梯度為5%/mm或更大。
  39. 如請求項35之金屬板，其中該金屬板為鉭金屬板。
  40. 如請求項35之金屬板，其中該金屬板為鈮金屬。
  41. 一種在整個金屬板厚度具有過渡主要紋理之金屬板，其中該金屬板係藉由如請求項1之方法所製備。
  42. 一種金屬板，其中該金屬板在整個金屬板厚度中第一結晶取向具有正紋理梯度且第二結晶取向具有負紋理梯度，其中該金屬板係藉由如請求項1之方法所製備。
  43. 如請求項42之金屬板，其中該正紋理梯度為(111)紋理。
  44. 如請求項42之金屬板，其中在整個靶厚度中該負紋理梯度為(110)紋理。
  45. 如請求項42之金屬板，其中該正紋理梯度為(110)紋理。
  46. 如請求項42之金屬板，其中在整個靶厚度中該負紋理梯度為(111)紋理。
  47. 如請求項42之金屬板，其中在整個靶厚度中第三結晶取向之紋理梯度為3%/mm或更少。
  48. 如請求項42之金屬板，其在整個金屬板厚度中平均晶粒大小變化不超過75微米。
  49. 如請求項42之金屬板，其在整個金屬板厚度中平均晶粒大小變化不超過50微米。
  50. 如請求項42之金屬板，其在整個金屬板厚度中平均晶粒大小變化不超過25微米。
TW094114620A 2004-05-06 2005-05-06 濺鍍靶及藉由旋轉軸鍛造製造彼等之方法 TWI484054B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56859204P 2004-05-06 2004-05-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200607873A TW200607873A (en) 2006-03-01
TWI484054B true TWI484054B (zh) 2015-05-11

Family

ID=34971580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094114620A TWI484054B (zh) 2004-05-06 2005-05-06 濺鍍靶及藉由旋轉軸鍛造製造彼等之方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8252126B2 (zh)
EP (1) EP1751324B1 (zh)
JP (3) JP2007536431A (zh)
KR (2) KR101368057B1 (zh)
CN (2) CN1981067B (zh)
TW (1) TWI484054B (zh)
WO (1) WO2005108639A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI809013B (zh) * 2017-12-06 2023-07-21 日商田中貴金屬工業股份有限公司 金濺鍍靶材的製造方法及金膜的製造方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1654395B1 (en) * 2003-08-11 2010-07-14 Honeywell International Inc. Target/backing plate constructions, and methods of forming them
EP1876258A4 (en) * 2005-04-28 2008-08-13 Nippon Mining Co sputtering Target
US7837929B2 (en) 2005-10-20 2010-11-23 H.C. Starck Inc. Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets
KR101201577B1 (ko) 2007-08-06 2012-11-14 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 향상된 조직 균일성을 가진 내화 금속판
US8250895B2 (en) * 2007-08-06 2012-08-28 H.C. Starck Inc. Methods and apparatus for controlling texture of plates and sheets by tilt rolling
US9150957B2 (en) * 2008-11-03 2015-10-06 Tosoh Smd, Inc. Method of making a sputter target and sputter targets made thereby
CN102091733B (zh) * 2009-12-09 2013-02-13 宁波江丰电子材料有限公司 高纯度铜靶材的制作方法
CN102791905B (zh) * 2010-03-11 2015-04-01 株式会社东芝 溅射靶及其制造方法、以及半导体元件的制造方法
US8449818B2 (en) 2010-06-30 2013-05-28 H. C. Starck, Inc. Molybdenum containing targets
US8449817B2 (en) 2010-06-30 2013-05-28 H.C. Stark, Inc. Molybdenum-containing targets comprising three metal elements
US8968537B2 (en) * 2011-02-09 2015-03-03 Applied Materials, Inc. PVD sputtering target with a protected backing plate
KR20160021299A (ko) 2011-05-10 2016-02-24 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 멀티-블록 스퍼터링 타겟 및 이에 관한 제조방법 및 물품
KR20140054203A (ko) * 2011-11-30 2014-05-08 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
CN102513789B (zh) * 2011-12-21 2014-04-09 宁波江丰电子材料有限公司 钨靶材的制作方法
CN104204282B (zh) * 2012-03-21 2017-05-24 吉坤日矿日石金属株式会社 钽溅射靶及其制造方法以及使用该靶形成的半导体布线用阻挡膜
US9334565B2 (en) 2012-05-09 2016-05-10 H.C. Starck Inc. Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles
CN103028898A (zh) 2012-08-16 2013-04-10 宁夏东方钽业股份有限公司 一种高性能钽靶材的制备方法
CN103692151B (zh) * 2012-09-28 2016-02-24 宁波江丰电子材料股份有限公司 钛聚焦环的制造方法
CN102989856B (zh) * 2012-12-03 2014-12-10 西安超晶新能源材料有限公司 一种大型变壁厚纯钼坩埚的成型方法
US9994951B2 (en) * 2013-03-15 2018-06-12 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Photovoltaic sputtering targets fabricated from reclaimed materials
JP5856710B2 (ja) 2013-03-22 2016-02-10 Jx日鉱日石金属株式会社 タングステン焼結体スパッタリングターゲット
AT14157U1 (de) * 2013-12-20 2015-05-15 Plansee Se W-Ni-Sputtertarget
CN103738099B (zh) * 2013-12-26 2016-04-06 乌鲁木齐哈玛铜制工艺品有限公司 一种铜质工艺品的制作方法
US20160208377A1 (en) * 2014-03-27 2016-07-21 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Tantalum sputtering target and method for producing same
CN103898459B (zh) * 2014-04-16 2016-05-04 昆山海普电子材料有限公司 一种高纯钴靶材的制备方法
CA2952404C (en) * 2014-06-16 2019-09-24 Shinohara Press Service Co., Ltd. Method of manufacturing pure niobium plate end-group components for superconducting high-frequency accelerator cavity
US10655214B2 (en) 2015-04-10 2020-05-19 Tosoh Smd, Inc. Method of making a tantalum sputter target and sputter targets made thereby
CN107109634B (zh) * 2015-05-22 2020-08-28 捷客斯金属株式会社 钽溅射靶及其制造方法
CN107532287B (zh) 2015-05-22 2019-11-05 捷客斯金属株式会社 钽溅射靶及其制造方法
WO2017023603A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 Honeywell International Inc. Frictionless forged aluminum alloy sputtering target with improved properties
US10900102B2 (en) 2016-09-30 2021-01-26 Honeywell International Inc. High strength aluminum alloy backing plate and methods of making
CN106893990B (zh) * 2017-02-17 2019-02-01 南京东锐铂业有限公司 银溅射靶材组件的生产工艺
CN109154074B (zh) 2017-03-30 2020-11-24 Ｊｘ金属株式会社 钽溅射靶
US10760156B2 (en) 2017-10-13 2020-09-01 Honeywell International Inc. Copper manganese sputtering target
US11035036B2 (en) 2018-02-01 2021-06-15 Honeywell International Inc. Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure
WO2019186946A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 本田技研工業株式会社 鞍乗型電動車両
KR102429213B1 (ko) * 2018-05-21 2022-08-04 가부시키가이샤 아루박 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법
CN110814246B (zh) * 2019-11-22 2021-06-25 西安庄信新材料科技有限公司 一种钛板坯的锻造工艺
CN110886001B (zh) * 2019-12-06 2020-10-27 重庆文理学院 一种有效提高钛合金耐应力腐蚀性能的方法
CN111471940B (zh) * 2020-04-29 2021-09-10 钢铁研究总院 一种高强度不锈钢转子及其制备方法
CN117620599B (zh) * 2023-10-27 2024-05-14 光微半导体材料(宁波)有限公司 一种铜溅射靶材加工装置及加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030037847A1 (en) * 1998-11-25 2003-02-27 Michaluk Christopher A. High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573185A (en) * 1968-12-16 1971-03-30 Us Army Anodic sputtering
US4121438A (en) 1976-09-13 1978-10-24 Arthur D. Little, Inc. Coupling member for orbiting machinery
GB2041268B (en) 1979-02-01 1982-11-17 City University And Worshipful Rotary forging machine
JPS5942910A (ja) * 1982-09-03 1984-03-09 株式会社共同機械 焼結磁性体の製造方法
CH662983A5 (de) 1984-04-21 1987-11-13 Heinrich Schmid Maschinen Und Taumelpresse.
US4587096A (en) * 1985-05-23 1986-05-06 Inco Alloys International, Inc. Canless method for hot working gas atomized powders
JPS6277145A (ja) * 1985-09-30 1987-04-09 Kobe Steel Ltd 揺動鍛造装置
GB8603686D0 (en) 1986-02-14 1986-03-19 Standring P M Rotary forging
JPS62183937U (zh) * 1986-05-09 1987-11-21
JPH0211642U (zh) * 1988-07-05 1990-01-24
JP2657687B2 (ja) * 1988-12-27 1997-09-24 住友重機械工業株式会社 揺動鍛造機
JP2657686B2 (ja) * 1988-12-27 1997-09-24 住友重機械工業株式会社 揺動鍛造機
WO1990008113A1 (en) * 1989-01-17 1990-07-26 Allied-Signal Inc. Super tough monolithic silicon nitride
JPH02197345A (ja) * 1989-01-24 1990-08-03 Mitsubishi Nagasaki Kiko Kk 回転揺動鍛造機の回転揺動軸の回転ずれ防止装置
JPH0730193Y2 (ja) * 1989-02-09 1995-07-12 三菱長崎機工株式会社 回転揺動鍛造機の回転揺動軸の傾斜角度自動調整装置
US4851193A (en) * 1989-02-13 1989-07-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force High temperature aluminum-base alloy
US5171379A (en) * 1991-05-15 1992-12-15 Cabot Corporation Tantalum base alloys
JPH05271717A (ja) * 1992-03-24 1993-10-19 Kobe Steel Ltd 高靱性高耐摩耗性クラッド薄板の製造方法
JPH05285586A (ja) * 1992-04-07 1993-11-02 Daido Steel Co Ltd フランジ製品の成形方法
JP2652334B2 (ja) 1993-11-10 1997-09-10 株式会社レイズエンジニアリング 回転鍛造装置
WO1995016528A1 (en) 1993-12-17 1995-06-22 Wyman-Gordon Company Stepped, segmented, closed-die forging
US5590389A (en) * 1994-12-23 1996-12-31 Johnson Matthey Electronics, Inc. Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same
JPH09143594A (ja) * 1995-11-24 1997-06-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気接点材料
US6044685A (en) 1997-08-29 2000-04-04 Wyman Gordon Closed-die forging process and rotationally incremental forging press
US6348139B1 (en) * 1998-06-17 2002-02-19 Honeywell International Inc. Tantalum-comprising articles
JP2000144210A (ja) * 1998-11-10 2000-05-26 Kubota Corp 金属粉末の鍛造方法
GB9825632D0 (en) * 1998-11-23 1999-01-13 Novartis Ag Organic compounds
JP4517172B2 (ja) * 1999-01-29 2010-08-04 シーアールエス ホールディングス，インコーポレイテッド 硬質工具鋼およびそれによる粉末冶金鋼材
JP2000276116A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US6521173B2 (en) * 1999-08-19 2003-02-18 H.C. Starck, Inc. Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
JP4495325B2 (ja) * 1999-12-20 2010-07-07 株式会社アーレスティ エンジンブロックの製造方法
US6331233B1 (en) * 2000-02-02 2001-12-18 Honeywell International Inc. Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture
WO2001096620A2 (en) 2000-05-22 2001-12-20 Cabot Corporation High purity niobium and products containing the same, and methods of making the same
JP2002030376A (ja) * 2000-07-21 2002-01-31 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Ｎｉ金属粒子分散型のＡｇ−Ｎｉ系合金開閉接点素材及びそれを使用したリレー
US6462339B1 (en) * 2000-09-20 2002-10-08 Cabot Corporation Method for quantifying the texture homogeneity of a polycrystalline material
US6539765B2 (en) 2001-03-28 2003-04-01 Gary Gates Rotary forging and quenching apparatus and method
JP2003231936A (ja) * 2002-02-08 2003-08-19 Yamaha Motor Co Ltd エンジンのシリンダライナ
JP4883546B2 (ja) * 2002-09-20 2012-02-22 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲットの製造方法
JP2004125523A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 放射性物質貯蔵用構造強度材及びその製造方法、並びに押出成形用ビレット
WO2005071135A2 (en) * 2004-01-08 2005-08-04 Cabot Corporation Tantalum and other metals with (110) orientation
EP1876258A4 (en) * 2005-04-28 2008-08-13 Nippon Mining Co sputtering Target

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030037847A1 (en) * 1998-11-25 2003-02-27 Michaluk Christopher A. High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI809013B (zh) * 2017-12-06 2023-07-21 日商田中貴金屬工業股份有限公司 金濺鍍靶材的製造方法及金膜的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1981067A (zh) 2007-06-13
US20120297855A1 (en) 2012-11-29
KR101196528B1 (ko) 2012-11-01
KR101368057B1 (ko) 2014-02-26
CN1981067B (zh) 2013-05-08
CN103255381B (zh) 2016-08-10
US20050247386A1 (en) 2005-11-10
JP6023605B2 (ja) 2016-11-09
US8252126B2 (en) 2012-08-28
KR20120107019A (ko) 2012-09-27
JP2013151751A (ja) 2013-08-08
WO2005108639A1 (en) 2005-11-17
CN103255381A (zh) 2013-08-21
TW200607873A (en) 2006-03-01
KR20070011568A (ko) 2007-01-24
JP2007536431A (ja) 2007-12-13
US8500928B2 (en) 2013-08-06
EP1751324B1 (en) 2015-09-23
EP1751324A1 (en) 2007-02-14
JP2012180599A (ja) 2012-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI484054B (zh) 濺鍍靶及藉由旋轉軸鍛造製造彼等之方法
JP2007536431A5 (zh)
JP4880620B2 (ja) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
KR100528090B1 (ko) 미세한 균일 구조 및 조직을 가지는 금속 물품 및 그의 제조방법
JP2012012708A (ja) スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法
JP7145963B2 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2001094660A2 (en) Sputtering target
CN114032514A (zh) 一种镍钛合金靶坯及其制备方法
JPH08309584A (ja) 溶接材料の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees