JP2012177191A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012177191A5
JP2012177191A5 JP2012013169A JP2012013169A JP2012177191A5 JP 2012177191 A5 JP2012177191 A5 JP 2012177191A5 JP 2012013169 A JP2012013169 A JP 2012013169A JP 2012013169 A JP2012013169 A JP 2012013169A JP 2012177191 A5 JP2012177191 A5 JP 2012177191A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
film
film forming
forming apparatus
shutter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012013169A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2012177191A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012013169A priority Critical patent/JP2012177191A/ja
Priority claimed from JP2012013169A external-priority patent/JP2012177191A/ja
Priority to US13/359,802 priority patent/US9127353B2/en
Priority to EP12000675.4A priority patent/EP2484800B1/en
Priority to CN201210023612.3A priority patent/CN102628160B/zh
Publication of JP2012177191A publication Critical patent/JP2012177191A/ja
Publication of JP2012177191A5 publication Critical patent/JP2012177191A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2012013169A 2011-02-03 2012-01-25 成膜装置及び成膜方法 Pending JP2012177191A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012013169A JP2012177191A (ja) 2011-02-03 2012-01-25 成膜装置及び成膜方法
US13/359,802 US9127353B2 (en) 2011-02-03 2012-01-27 Film-Forming apparatus and Film-Forming method
EP12000675.4A EP2484800B1 (en) 2011-02-03 2012-02-01 Film-forming apparatus and film-forming method
CN201210023612.3A CN102628160B (zh) 2011-02-03 2012-02-03 成膜装置和成膜方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011021465 2011-02-03
JP2011021465 2011-02-03
JP2012013169A JP2012177191A (ja) 2011-02-03 2012-01-25 成膜装置及び成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012177191A JP2012177191A (ja) 2012-09-13
JP2012177191A5 true JP2012177191A5 (enExample) 2015-03-05

Family

ID=45654830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012013169A Pending JP2012177191A (ja) 2011-02-03 2012-01-25 成膜装置及び成膜方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9127353B2 (enExample)
EP (1) EP2484800B1 (enExample)
JP (1) JP2012177191A (enExample)
CN (1) CN102628160B (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD689534S1 (en) * 2010-08-30 2013-09-10 Ulvac, Inc. Film-forming apparatus
JP5871055B2 (ja) * 2012-03-16 2016-03-01 株式会社島津製作所 成膜装置
JP6164770B2 (ja) * 2013-05-09 2017-07-19 須賀　唯知 基板表面処理方法及び装置
JP6202098B2 (ja) * 2013-09-10 2017-09-27 株式会社島津製作所 成膜装置および成膜方法
HK1215127A2 (zh) * 2015-06-17 2016-08-12 Master Dynamic Limited 制品涂层的设备、仪器和工艺
JP7572127B2 (ja) * 2021-04-21 2024-10-23 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
CN115323332A (zh) * 2022-02-22 2022-11-11 南京大学 一种适用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3537973A (en) * 1967-09-15 1970-11-03 Varian Associates Sequential sputtering with movable targets
JPS62263964A (ja) * 1986-05-09 1987-11-16 Ube Ind Ltd スパツタリングタ−ゲツト及びスパツタリング法
JPS63143261A (ja) * 1986-12-06 1988-06-15 Sumitomo Light Metal Ind Ltd スパツタリングによる多層膜の形成法
US5489446A (en) 1987-02-16 1996-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming silicon oxide film
JPH02141570A (ja) * 1988-11-24 1990-05-30 Sumitomo Electric Ind Ltd スパッタリング装置
ATE136159T1 (de) 1989-09-26 1996-04-15 Canon Kk Verfahren zum herstellen einer abgeschiedenen schicht, und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
JPH0582444A (ja) * 1991-09-18 1993-04-02 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPH0790569A (ja) * 1993-09-20 1995-04-04 Canon Inc スパッタリング装置
JPH07331432A (ja) 1994-06-09 1995-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置
JPH11200042A (ja) * 1998-01-14 1999-07-27 Nikon Corp 成膜装置及び成膜方法
US6051113A (en) * 1998-04-27 2000-04-18 Cvc Products, Inc. Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure using target indexing
JP2003113467A (ja) 2001-10-05 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多元素薄膜の形成方法および装置
US8133364B2 (en) 2004-02-17 2012-03-13 Advanced Integration, Inc. Formation of photoconductive and photovoltaic films
JP4562764B2 (ja) * 2007-12-27 2010-10-13 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置
JP4599473B2 (ja) 2008-09-30 2010-12-15 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置および薄膜形成方法
JP2010106290A (ja) 2008-10-28 2010-05-13 Showa Denko Kk 成膜装置および成膜方法、磁気記録媒体、磁気記録再生装置
JP4537479B2 (ja) 2008-11-28 2010-09-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012177191A5 (enExample)
KR102663848B1 (ko) 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치
CN110582590A (zh) 用于在电介质溅射期间减少工件中的缺陷的等离子体腔室靶材
JP2015531025A5 (ja) プラズマ処理装置及びスパッタリングシステム
US9752229B2 (en) Film deposition device
JP2015067856A5 (enExample)
RU2015137774A (ru) Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки
KR20170133566A (ko) 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 방법
JP5731085B2 (ja) 成膜装置
JP2013057108A (ja) 多元スパッタリング装置
JP2013189707A5 (ja) 成膜装置
Zhao et al. Effect of pulsed off-times on the reactive HiPIMS preparation of zirconia thin films
TWI632246B (zh) 用於反應性再濺射介電材料的ｐｖｄ腔室中之腔室糊貼方法
CN106367724A (zh) 溅射装置
JP6946410B2 (ja) スパッタ堆積源、スパッタ堆積装置及びスパッタ堆積源を操作する方法
WO2015051277A3 (en) Method and apparatus to produce high density overcoats
JP5568519B2 (ja) 成膜装置
JP6513514B2 (ja) 温度測定方法
KR20170117279A (ko) 마그네트론 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
JP7312006B2 (ja) 成膜方法
JP2010084211A (ja) スパッタリング方法
JP2014231633A (ja) 基板ホルダ
JP2009133009A5 (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP2013258053A (ja) イオン化率計測方法および装置
JP2015215972A (ja) イオンビーム処理装置