JP2015215972A - イオンビーム処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来に比してより簡易に引出し電極からのパーティクルの発生を抑制することができ、引出し電極のメンテナンスサイクルの長期化が可能なイオンビーム処理装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るイオンビーム処理装置1は、イオンビームBを生成するイオンビーム生成部10であって、イオンビームBをイオンビーム生成部10から引き出す引出し電極部14を有する当該イオンビーム生成部10と、イオンビーム生成部10から供給されるイオンビームBを磁性材料Wに衝突させることによって、イオンミリングを行う処理室20と、引出し電極部14の処理室20側に、引出し電極部14に沿って移動可能に設けられた磁場発生手段42とを備える。【選択図】図1
Description
本発明は、イオンビームを用いて磁性材料のミリング又はスパッタリングを行うイオンビーム処理装置に関するものである。
従来、イオンビームを用いてミリング又はスパッタリングを行うイオンビーム処理装置として、イオンミリング装置、イオンビームスパッタリング装置等が知られている。
例えば、イオンビームスパッタリング装置は、イオンビームをターゲットに衝突させることによって、ターゲットからはじき出されたスパッタ粒子を被加工物に堆積させる。このイオンビームスパッタリング装置では、ターゲットとして磁性材料を用いる場合、イオン源(イオンビーム生成部)における引出し電極にもスパッタ粒子が付着してしまう。
また、例えば、イオンミリング装置は、イオンビームを被加工物に衝突させることによって被加工物の加工を行う。このイオンミリング装置でも、被加工物が磁性材料の場合、加工によって生じるスパッタ粒子がイオン源(イオンビーム生成部)における引出し電極に付着してしまう。
スパッタ粒子がイオン源の引出し電極に付着し堆積し続けると、堆積膜が剥離することによってパーティクルが発生し、このパーティクルが被加工物に付着してしまうので、真空チャンバ(処理室)内のパーティクルが多くなった場合、引出し電極のメンテナンスが必要となる。引出し電極のメンテナンスは、真空チャンバ内を大気に晒す必要があり、装置の稼働率を低下させてしまう。
また、特許文献1によれば、イオン源の引出し電極に皮膜が形成され続けて厚くなると、引出し電極表面から皮膜の一部が剥がれてパーティクルとなり、このパーティクルによって、引出し電極を構成する複数の電極間で絶縁破壊が頻発するようになる。引出し電極を構成する複数の電極間で絶縁破壊が頻発するに至るときには、真空排気されていた装置を大気に開放し、引出し電極に付着した皮膜を除去するための清掃を行う必要があり、装置の稼働率を低下させてしまう。
この点に関し、特許文献1には、引出し電極に対して処理室側の空間にプラズマを生成させ、このプラズマの電位よりも負の電位を引出し電極に印加して、上記プラズマ中のイオンを引出し電極に衝突させることによって、引出し電極の表面に付着した被膜をスパッタによって除去する引出し電極のクリーニング方法が記載されている。このように、イオンビーム処理動作の合間に、プラズマを利用して引出し電極のクリーニングを適宜実施することにより、処理室を大気に開放することなく、引出し電極に付着した皮膜を除去し、パーティクルの発生を抑制し、引出し電極の電極間の絶縁破壊を防止することができる。これにより、大気開放による装置の稼働率低下を抑制することが可能になる。
本発明は、従来に比してより簡易に引出し電極部からのパーティクルの発生を抑制することができ、引出し電極部のメンテナンスサイクルの長期化が可能なイオンビーム処理装置を提供することを課題とする。
本発明のイオンビーム処理装置は、イオンビームを生成するイオンビーム生成部であって、イオンビームをイオンビーム生成部から引き出す引出し電極部を有する当該イオンビーム生成部と、イオンビーム生成部から供給されるイオンビームを磁性材料に衝突させることによって、イオンミリング、又は、イオンビームスパッタリングを行う処理室と、引出し電極部の処理室側に、引出し電極部に沿って移動可能に設けられた磁場発生手段とを備える。
このイオンビーム処理装置によれば、引出し電極部の処理室側に、引出し電極部に沿って移動可能な磁場発生手段が設けられているので、引出し電極部に堆積した膜(磁性材料)が剥離することによってパーティクルが発生する前に、剥がれかけている片を磁場発生手段でトラップすることができ、パーティクルが飛散することを抑制することができる。したがって、従来に比してより簡易に引出し電極部からのパーティクルの発生を抑制することができ、パーティクルが被加工物に付着することを抑制することができ、引出し電極部のメンテナンスサイクルの長期化が可能となる。
また、このイオンビーム処理装置によれば、引出し電極部を構成する複数の電極間に発生するパーティクルも磁場発生手段でトラップすることができ、パーティクルが被加工物に付着することを抑制することができる。
上記した磁場発生手段は、永久磁石であってもよいし、電磁石であってもよい。電磁石では、引出し電極部のクリーニング時には、電流供給を受けることによって磁性を発生し、一方プロセス時には、電流供給を受けないことによって磁性を発生させないようにすることができる。したがって、電磁石は、永久磁石と比較して、プロセス時に、イオンビーム及びプロセスエリアへの影響を低減することができ、プロセス(イオンミリング、又は、イオンビームスパッタリング)への影響を低減することができる。永久磁石の場合は、プロセスエリアから離せばよい。
また、電磁石は、電流供給を受けないことによって磁性を発生させないようにすることができるので、永久磁石と比較して、電磁石に付着したパーティクルを容易に取り除くことができる。
また、電磁石は、電流供給を受けないことによって磁性を発生させないようにすることができるので、永久磁石と比較して、電磁石に付着したパーティクルを容易に取り除くことができる。
また、上記したイオンビーム処理装置は、処理室内のパーティクルの発生量を検出する検出部と、検出部によって検出されたパーティクルの発生量が所定値以上である場合に、磁場発生手段を引出し電極部の表面全体にわたって往復走査させる制御部とを更に備える形態であってもよい。
本発明によれば、従来に比してより簡易に引出し電極部からのパーティクルの発生を抑制することができ、引出し電極部のメンテナンスサイクルの長期化が可能となる。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図1は、本発明の一実施形態に係るイオンビーム処理装置としてイオンミリング装置の概略構成を示す図である。図1に示すイオンミリング装置1は、イオンビーム生成部10と、イオンミリング処理室20とを備える。
イオンビーム生成部10は、イオンビームBを生成し、処理室20へ供給するイオン源である。イオンビーム生成部10は、不活性ガスのプラズマであるソースプラズマAを生成するソースプラズマ生成部12と、ソースプラズマ生成部12内のソースプラズマA中のイオンをイオンビームBとして引き出す引出し電極部14とを有する。
ソースプラズマ生成部12は、ガス供給部30から供給される不活性ガスを電離させることによってソースプラズマAを生成する。不活性ガス、換言すれば、希ガスの例は、アルゴン(Ar)、クリプトン(Xe)、及び、キセノン(Xe)などを含む。不活性ガスの電離方法の例は、高周波放電を利用した方法、マイクロ波放電を利用した方法、直流放電を利用した方法等を含む。不活性ガスの電離方法は、ソースプラズマAを不活性ガスから生成できれば、特に限定されない。
引出し電極部14は、ソースプラズマ生成部12側から順に配置された加速電極14A、減速電極14B及び接地電極14Cを有する。加速電極14A、減速電極14B及び接地電極14Cは、ソースプラズマ生成部12と処理室20との間において、絶縁体16によって支持されている。加速電極14A、減速電極14B及び接地電極14Cは、例えば、導電板からなり、イオンビームBを引き出すために面全体にわたり多数の孔を有する。加速電極14Aには、加速電圧(正電圧)が印加され、減速電極14Bには、減速電圧(負電圧)が印加される。また、接地電極14Cは、接地されている。このイオンビーム生成部10の下流側には、処理室20が配置されている。
処理室20は、イオンビーム生成部10から供給されるイオンビームBを被加工基板(被加工物)Wに衝突させることによって、イオンミリングを行う処理室である。一実施形態において、被加工基板Wは、ハードディスク用の磁気ヘッド等を製造するための基板であり、コバルト、鉄コバルト、テルビウム鉄コバルト等の磁性材料からなる。処理室20は、例えば排気部32によって低圧状態とされる真空チャンバである。処理室20は、接地されている。
処理室20内には、被加工基板Wが載置される基板ホルダー22が設けられている。基板ホルダー22は導電性を有し、処理室20の接地電位と同電位もしくは絶縁されている。基板ホルダー22には、基板ホルダー22にバイアス電圧を印加するバイアス電圧源34が電気的に接続されていてもよい。
また、イオンビーム生成部10と処理室20との間には、引出し電極部14のためのクリーニング機構40が設けられている。引出し電極部のクリーニング機構40は、電磁石(磁場発生手段)42と、電流源44と、パーティクルモニタ(検出部)46と、制御部48とからなる。
電磁石42は、引出し電極部14における接地電極14Cの処理室20側に設けられている。電磁石42は、制御部48によって、接地電極14Cの表面に沿って移動可能となっている。電磁石42は、接地電極14Cの表面に接触して移動してもよいし、離間して移動してもよい。引出し電極部のクリーニング時、電磁石42は、例えば、接地電極14Cの表面全体にわたって往復走査される。一方、プロセス(ミリング)時、電磁石42は、イオンビームBを妨げない位置、かつ、プロセスに影響を与えない位置、例えば接地電極14Cの周縁部14Dに移動される。
電磁石42は、電流源44から電流を供給される。電流源44は、引出し電極部のクリーニング時、電磁石42に電流を供給し、電磁石42に磁性を発生させる。一方、プロセス時、電流源44は、電磁石42がプロセスエリアに影響を与えないように、すなわち電磁石42がプロセスに影響を与えないように、電磁石42に電流を供給せず、電磁石42に磁性を発生させない。
パーティクルモニタ46は、処理室20内に設けられている。パーティクルモニタ46は、処理室20内、特にプロセスエリアにおけるパーティクルの発生量を検出し、制御部48へ通知する。
制御部48は、検出したパーティクルの発生量が所定値以上となる場合に、引出し電極のクリーニングを行うように電磁石42を制御する。一実施形態では、図1及び図2に示すように、制御部48は、モータ48Aと、モータ48Aの回転運動を直線運動に変換すると共に、直線運動エネルギーを電磁石42に伝達するように電磁石42の一端をスライド可能に支持するボールネジ48Bと、電磁石42の他端をスライド可能に支持するガイド48Cと、ボールネジ48B及びガイド48Cを支持すると共に処理室20の気密を保持する機構48Dとを含む。なお、ボールネジ48B及びガイド48Cは、パーティクルの付着を防止するために、カバー等によって覆われていてもよい。
ここで、引出し電極部のクリーニング機構を備えない従来のイオンミリング装置では、被加工物が磁性材料の場合、加工によって生じるスパッタ粒子がイオン源(イオンビーム生成部)における引出し電極に付着し堆積するが、引出し電極部に堆積した膜(磁性材料)が剥離することによってパーティクルが発生する。処理室内のパーティクルが多くなった場合、引出し電極部のメンテナンスが必要となる。引出し電極部のメンテナンスは、処理室内を大気に晒す必要があり、装置の稼働率を低下させ、プロセスコストを増大させる。
しかしながら、本実施形態のイオンミリング装置(イオンビーム処理装置)1によれば、引出し電極部14における接地電極14Cの処理室20側に、接地電極14Cの表面に沿って移動可能な電磁石(磁場発生手段)42が設けられているので、接地電極14Cの表面に堆積した膜(磁性材料)が剥離することによってパーティクルが発生する前に、剥がれかけている片を電磁石42でトラップすることができ、パーティクルが飛散することを抑制することができる。したがって、引出し電極部14からのパーティクルの発生を抑制することができ、パーティクルが被加工基板(被加工物)Wに付着することを抑制することができ、引出し電極部14のメンテナンスサイクルの長期化が可能となる。その結果、引出し電極部14のメンテナンスに起因する装置の稼働率の低下、及び、プロセスコストの増大を抑制することができる。
なお、本実施形態のイオンミリング装置1によれば、プラズマを用いたスパッタによる引出し電極部のクリーニング機構を備える従来の装置に比して、より簡易に引出し電極部からのパーティクルの発生を抑制することができる。
また、本実施形態のイオンミリング装置1によれば、引出し電極部14における電極14A,14B,14C間それぞれに発生するパーティクルも、各電極の孔を介して電磁石42でトラップし取り除くことができ、パーティクルが被加工基板(被加工物)Wに付着することを抑制することができる。また、電極間放電を低減することができる。
また、本実施形態のイオンミリング装置1によれば、電磁石(磁場発生手段)42を用いて引出し電極部14のクリーニングを行うので、引出し電極部のクリーニング時には、電流供給を受けることによって磁性を発生し、一方プロセス時には、電流供給を受けないことによって磁性を発生させないようにすることができる。したがって、電磁石42は、後述する永久磁石と比較して、プロセス時に、イオンビーム及びプロセスエリアへの影響を低減することができ、プロセス(イオンミリング)への影響を低減することができる。
また、電磁石42は、電流供給を受けないことによって磁性を発生させないようにすることができるので、永久磁石と比較して、電磁石に付着したパーティクルを容易に取り除くことができる。
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、本実施形態では、磁場発生手段として電磁石を例示したが、本発明では、永久磁石等のあらゆる磁場発生手段が適用可能である。永久磁石の場合、プロセル時には、イオンビーム及びプロセスエリアへの影響を低減するために、すなわちプロセスへの影響を低減するために、イオンビーム生成部10に対して十分な距離をとる必要がある。また、永久磁石の場合、磁石に付着したパーティクルは、磁石ごと交換すればよい。
また、本実施形態では、パーティクルモニタを用いて検出した処理室内のパーティクルの発生量に基づいて引出し電極のクリーニングを行う形態を例示したが、パーティクルモニタを用いず、定期的に引出し電極のクリーニングを行ってもよい。
また、本実施形態では、イオンミリング装置1を例示したが、本発明の特徴(引出し電極部のクリーニング機構40)は、図3に示すイオンビームスパッタリング装置2にも適用可能である。イオンビームスパッタリング装置2では、処理室20において、イオンビーム生成部10から供給されるイオンビームBを磁性材料からなるターゲットTに衝突させ、ターゲットTからのスパッタ粒子Cを被加工基板(被加工物)Wに堆積させる。なお、被加工基板Wは導電性の基板ホルダー22に載置され、基板ホルダー22にはバイアス電圧源34によってバイアス電圧が印加される。同様に、ターゲットTは導電性のターゲットホルダー23に載置され、ターゲットホルダー23にはバイアス電圧源35によってバイアス電圧が印加される。
1…イオンミリング装置(イオンビーム処理装置)、2…イオンビームスパッタリング装置(イオンビーム処理装置)、10…イオンビーム生成部、12…ソースプラズマ生成部、14…引出し電極部、14A…加速電極、14B…減速電極、14C…接地電極、14D…周縁部、16…絶縁体、20…処理室、22…基板ホルダー、23…ターゲットホルダー、30…ガス供給部、32…排気部、34,35…バイアス電圧源、40…クリーニング機構、42…電磁石(磁場発生手段)、44…電流源、46…パーティクルモニタ(検出部)、48…制御部、48A…モータ、48B…ボールネジ、48C…ガイド、48D…支持/気密保持機構、A…ソースプラズマ、B…イオンビーム、C…スパッタ粒子、T…ターゲット(磁性材料)、W…被加工基板(被加工物、磁性材料)。
Claims (3)
- イオンビームを生成するイオンビーム生成部であって、前記イオンビームをイオンビーム生成部から引き出す引出し電極部を有する当該イオンビーム生成部と、
前記イオンビーム生成部から供給される前記イオンビームを磁性材料に衝突させることによって、イオンミリング、又は、イオンビームスパッタリングを行う処理室と、
前記引出し電極部の前記処理室側に、前記引出し電極部に沿って移動可能に設けられた磁場発生手段と、
を備える、イオンビーム処理装置。 - 前記磁場発生手段は、永久磁石、又は、電磁石である、請求項1に記載のイオンビーム処理装置。
- 前記処理室内のパーティクルの発生量を検出する検出部と、
前記検出部によって検出されたパーティクルの発生量が所定値以上である場合に、前記磁場発生手段を前記引出し電極部の表面全体にわたって往復走査させる制御部と、
を更に備える、請求項1又は2に記載のイオンビーム処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014096838A JP2015215972A (ja) | 2014-05-08 | 2014-05-08 | イオンビーム処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2015215972A true JP2015215972A (ja) | 2015-12-03 |
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JP2014096838A Pending JP2015215972A (ja) | 2014-05-08 | 2014-05-08 | イオンビーム処理装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022525105A (ja) * | 2019-03-13 | 2022-05-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | バイアスされた抽出プレートを備えたイオン源 |
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2014
- 2014-05-08 JP JP2014096838A patent/JP2015215972A/ja active Pending
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