JPH02141570A - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

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Publication number
JPH02141570A
JPH02141570A JP29475288A JP29475288A JPH02141570A JP H02141570 A JPH02141570 A JP H02141570A JP 29475288 A JP29475288 A JP 29475288A JP 29475288 A JP29475288 A JP 29475288A JP H02141570 A JPH02141570 A JP H02141570A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
shutter
holding means
sputtering
work
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29475288A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Yamada
享 山田
Junichi Tsuchimoto
淳一 土本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP29475288A priority Critical patent/JPH02141570A/ja
Publication of JPH02141570A publication Critical patent/JPH02141570A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、スパッタリング装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体素子の製造の際、半導体基板上に金属膜あるいは
SiO2等の絶縁膜を形成する方法として、スパッタリ
ング法が知られており、このスパッタリング法を実施す
る装置として、第3図に示したものが従来より知られて
いる。
図示した従来のスパッタリング装置においては、真空チ
ャンバー1内にArガスを導入し、半導体基板2とスパ
ッタ材からなるターゲット3との間に電圧源5を用いて
電界を発生させ、Arガスをイオン化してターゲット3
に衝突させ、このとき、ターゲット3から飛び出すスパ
ッタ粒子を半導体基板2上に付着させ、半導体基板2上
にターゲット3の材質と同材質のスパッタ材よりなる薄
膜を形成できるようになっている。
そして、良質の薄膜を得るため、いわゆるブリスパッタ
が行なわれる。ブリスパッタは、スパッタリング装置の
始動から、Arガスのターゲット3への衝突量が安定し
、ターゲット3がらスパッタ粒子が飛び出す量が安定す
るまで、すなわち、スパッタ状態が安定するまでの間、
半導体基板2とターゲット3との間にシャッタ6を介在
させ、ターゲット3から飛び出して半導体基板2へ向が
うスパッタ粒子をシャッタ6に付着させることによって
、その間はスパッタ粒子を半導体基板2に付着させない
ようにして行われる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、従来のスパッタリング装置においては、シャ
ッタ6がターゲット3の材質と異なる材質(通常はステ
ンレス)から形成されているため、ブリスパッタ中にシ
ャッタ6に付着するスパッタ粒子同士が結合しである程
度の厚さを有する膜に成長すると、この膜内に内部応力
が作用するようになり、この応力によって、該膜は、シ
ャッタ6からフレーク4として剥れ落ち、ターゲット3
上に降り積もって放電が不安定となり、スパッタ状態が
不安定化する。この為、良質の薄膜を半導体基板2上に
得ることが出来ない。
また、第3図に示したスパッタリング装置の構造とは逆
に、半導体基板を下方に、ターゲットを上方に配設する
構造とした場合には、シャッタから剥れたフレーク状の
膜が、シャッタを移動させる際などに、半導体基板上に
落下し、そこにイ・1着する。この為、この場合にも、
半導体基板上に良質の薄膜を得ることが出来ない。
そこで、本発明は、上述の事情に鑑み、シャッタからフ
レーク状の膜が剥れ落ちるのを抑制して、半導体基板等
のワーク上に良質な膜を形成することの出来るスパッタ
リング装置を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
上述の目的を達成するため、本発明によるスパッタリン
グ装置においては、シャッタのスパッタ粒子が付着して
膜が形成される部分、すなわち、シャッタのターゲット
に対向する部分をターゲットと同質のスパッタ材から形
成したことを特徴としている。
〔作用〕
この様に、シャッタのターゲットに対向する部分をター
ゲットと同質のスパッタ材から形成しておくことによっ
て、ブリスパッタ時にシャッタの表面に形成される膜に
作用する内部応力が緩和され、該膜のシャッタからの剥
離が抑制される。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について第1図及び第2図を参照
しつつ、説明する。第1図は、本発明によるスパッタリ
ング装置を模式的に示した縦断面図であり、第2図は、
後述するように、ターゲットとシャッタとの中間の高さ
から見た本発明によるスパッタリング装置の部分斜視図
である。
第1図に示したように、本発明によるスパッタリング装
置においては、真空チャンバー1内上方に半導体基板2
等のワークをその下部にて保持するワーク保持手段7が
配設されている。ワーク保持手段7による半導体基板2
の保持は、図示しない把持機構あるいはバキューム吸着
によってなされる。ワーク保持手段7は電圧源3の陽極
側に接続されている。従って、ワーク保持手段7及びこ
れに保持された半導体基板2はプラスに帯電するように
なっている。また、真空チャンバー1内下方には、スパ
ッタ材からなるターゲット3をその上部にて保持するタ
ーゲット保持手段8が配設されている。ターゲット保持
手段8は、ターゲット3を半導体基板2に対して離間さ
せ、がっ、半導体基板2と相対向させて保持する。ター
ゲット保持手段8によるターゲット3の保持は、ワーク
保持手段7の場合と同様に、図示しない把持機構あるい
はバキューム吸着によってなされる。ターゲット保持手
段8は、図示したように、電圧源5の陰極側に接続され
ているので、これが保持するターゲット3と共にマイナ
スに帯電する。
ワーク保持手段7に保持された半導体基板2とターゲッ
ト保持手段8に保持されたターゲット3との相互間には
、第2図にも示したように、シャッタ6が設けられてい
る。シャッタ6は、スパッタ状態が安定するまでの間、
ターゲット3がら飛び出したスパッタ粒子が半導体基板
2に付着するのを防止する目的で配設される。従って、
シャッタ6は、スパッタ状態が安定したところで半導体
基板2とターゲット3との間から退避させることが出来
るように設けられている。
ところで、本発明によるスパッタリング装置においては
、シャッタ6は、少な(ともターゲット3に対向する部
分(図ではシャッタ6の下部)が、ターゲット3と同様
のスパッタ材から形成されている。なお、シャツタ6全
体をスパッタ材から形成しても良いし、逆に、シャッタ
6をスパッタ材と異なる材料から形成し、これのターゲ
ット3に対向する而(図ではシャッタ6の下面)に、ス
パッタ材による被覆を予め施しておいても良い。このス
パッタ材による被覆は、例えば、メツキ等の手法によっ
てなされる。
上述の如くに構成された本発明によるスパッタリング装
置においては、ブリスパッタ中にシャッタ6に付着する
スパッタ粒子が互いに結合してシャッタ6上に膜が形成
されても、この膜が形成されるシャッタ6の部分は、ス
パッタ粒子と同質のスパッタ材によって形成されている
ので、この膜に作用する内部応力は緩和され、作用しな
くなるか、或いは、作用したとしてもこの膜をシャッタ
6からフレーク状に剥離させるほどに大きな応力とはな
らない。従って、ブリスパッタ中にシャッタ6にスパッ
タ粒子が付着して形成される膜の剥離が抑えられる。
上述した実施例においては、半導体基板2等のワークを
真空チャンバー1内上方に、ターゲット3を真空チャン
バー1内下方に配設することとしているが、この逆に、
ワークを下方にターゲット3を上方に配設することも可
能である。この場合には、シャッタ6のスパッタ材から
形成される部分は、ターゲット3側の上部となる。
更に、上記実施例では、陽極と陰極を対向させたいわゆ
るダイオード型のスパッタリング装置に本発明を適用し
、た例を示したが、本発明はこれに限らず、対向した陽
極と陰極の間にグリッドに相当する電極を介在させた多
極構造のスパッタリング装置、成るいは、マグネトロン
スパッタリング装置にも適用可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によるスパッタリング装置
においては、ワークとターゲットとの間に退避自在に配
設されたシャッタは、少なくともスパッタ粒子が付着し
て膜が形成される部分、すなわち、シャッタのターゲッ
トに対向する部分がターゲットと同質のスパッタ材から
形成されているので、ブリスパッタ時にスパッタ材によ
ってシャッタの表面に形成される膜に作用する内部応力
が緩和される。従って、シャッタからフレーク状の膜が
剥れ落ちるのが抑制され、半導体基板等のワーク上に良
質な膜を形成することが出来るようになる。
した縦断面図である。
1・・・真空チャンバー 2・・・半導体基板、3・・
・ターゲット、4・・・フレーク、5・・・電圧源、6
・・・シャッタ、7・・・ワーク保持手段、8・・・タ
ーゲット保持手段。
特許出願人  住友電気工業株式会社 代理人弁理士   長谷用  芳  樹
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるスパッタリング装置を模式的に
示した縦断面図、第2図は、本発明によるスパッタリン
グ装置の1部を示した斜視図、第3図は、従来のスパッ
タリング装置を模式的に示実施例 第1図 実施例 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 表面に薄膜が形成されるワークを保持するワーク保持手
    段と、 前記薄膜を形成するスパッタ材からなるターゲットを、
    前記ワーク保持手段に保持されたワークから離間させて
    、かつ、このワークに相対向するように保持するターゲ
    ット保持手段と、 前記ワーク保持手段及びターゲット保持手段の相互間に
    退避自在に配設されたシャッタとを備えたスパッタリン
    グ装置であって、 前記シャッタは、少なくとも前記ターゲット保持手段に
    保持されたターゲットに対向する部分が、前記スパッタ
    材からなることを特徴とするスパッタリング装置。
JP29475288A 1988-11-24 1988-11-24 スパッタリング装置 Pending JPH02141570A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29475288A JPH02141570A (ja) 1988-11-24 1988-11-24 スパッタリング装置

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JP29475288A JPH02141570A (ja) 1988-11-24 1988-11-24 スパッタリング装置

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Publication Number Publication Date
JPH02141570A true JPH02141570A (ja) 1990-05-30

Family

ID=17811846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29475288A Pending JPH02141570A (ja) 1988-11-24 1988-11-24 スパッタリング装置

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JP (1) JPH02141570A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012177191A (ja) * 2011-02-03 2012-09-13 Canon Inc 成膜装置及び成膜方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012177191A (ja) * 2011-02-03 2012-09-13 Canon Inc 成膜装置及び成膜方法

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