JP2012177191A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スパッタリング装置1は、真空チャンバ2と、基板31を保持する基板ホルダ32と、真空チャンバ2内で基板31に対向可能な状態にターゲット11,12をそれぞれ支持するカソード機構21,22と、互いに材質の異なるターゲット11,12と基板31との間に個別に進退してターゲット11,12で発生した成膜粒子を遮蔽又は開放するシャッタ41,42とを備えている。これらシャッタ41,42の少なくとも1つ、例えばシャッタ42を、ターゲット11,12の材料とは異なるターゲット材料で形成してターゲット兼用シャッタとして構成した。
【選択図】図1
Description
本実施例1では、基本的な装置形態は、上述したDCマグネトロン方式、ターゲット11にTa、ターゲット12にSi、ターゲット兼用シャッタ42にAl、シャッタ41に真空チャンバ2と同材質のSUSを使用したスパッタリング装置を用いる。
本実施例2では、基本的な装置形態は、実施例1と同様である。
本実施例3においても、基本的な装置形態は、実施例1と同様である。
本実施例4においても、基本的な装置形態は、実施例1と同様である。
本実施例5において、基本的な装置形態は、ターゲット11がSi、ターゲット12がTaである点以外は、図9に示すように、実施例1と同様である。
本実施例6において、基本的な装置形態は、実施例5と同様である。
本実施例7において、基本的な装置形態は、実施例5と同様である。
本実施例8において、基本的な装置形態は、実施例5と同様である。
本実施例9において、基本的な装置形態は、実施例5と同様である。
本実施例10において、基本的な装置形態は、実施例5と同様である。
本実施例11においても、基本的な装置形態は、実施例1と同様である。図面は、図7を参照する。
Claims (12)
- 真空チャンバと、前記真空チャンバ内で成膜対象物を保持するホルダ部と、前記真空チャンバ内で前記成膜対象物に対向可能な状態にターゲットをそれぞれ支持する複数のカソード機構と、互いに材質の異なる複数の前記ターゲットと前記成膜対象物との間に個別に進退して前記ターゲットで発生した成膜粒子を遮蔽又は開放する複数のシャッタとを備え、スパッタリングによって前記成膜対象物に薄膜を成膜する成膜装置において、
前記複数のシャッタの少なくとも1つを、前記複数のターゲットの材料とは異なるターゲット材料で形成してターゲット兼用シャッタとして構成した、ことを特徴とする成膜装置。 - 前記ターゲット兼用シャッタは、前記複数のターゲットの内の対応する1つのターゲットと前記ホルダ部との間で、前記1つのターゲットで発生した成膜粒子を遮蔽又は開放する動作と、前記1つのターゲットに対して接離する動作とを実行可能に構成される、ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記ターゲット兼用シャッタを用いたスパッタリング時には、前記ターゲット兼用シャッタを前記1つのターゲット側に移動させて少なくとも一部を接触させることにより、前記1つのターゲットを介して前記ターゲット兼用シャッタに電圧を印加する、ことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
- 前記ターゲット兼用シャッタは、前記1つのターゲット側に向いた面に導電性の突起を有し、前記1つのターゲットに前記突起を介して接触することにより導通する、ことを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 前記突起の長さがデバイ長以下に設定される、ことを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。
- 前記ターゲット兼用シャッタは、前記1つのターゲット側に向いた面を前記1つのターゲットに直接接触させることにより導通する、ことを特徴とする請求項3記載の成膜装置。
- 前記ターゲット兼用シャッタは、前記1つのターゲットに対応する前記カソード機構に電圧を供給する電源から配線を介して直接に電圧を印加される、ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記ターゲット兼用シャッタは、スパッタリング開始前のプリスパッタ時にはその対応する前記1つのターゲットから離間する、ことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
- 前記ターゲット兼用シャッタと前記1つのターゲットとの間隔がデバイ長を超える寸法に設定される、ことを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 前記ターゲット兼用シャッタは、2材料以上で構成され、
前記複数のターゲットの材料と異なるターゲット材料を、前記成膜対象物側に配置した、ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記ターゲット兼用シャッタは、シャッタの傾きを変えるあおり動作を実行可能に構成される、ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 真空チャンバ内でホルダ部に保持された成膜対象物に対向可能な状態に複数のカソード機構でそれぞれ支持された互いに材質の異なる複数のターゲットを用い、前記成膜対象物と前記各ターゲットとの間に複数のシャッタを個別に進退させることで前記各ターゲットで発生した成膜粒子を遮蔽又は開放し、スパッタリングによって前記成膜対象物に薄膜を成膜する成膜方法において、
前記複数のシャッタの少なくとも1つを、前記複数のターゲットの材料とは異なるターゲット材料で構成してターゲット兼用シャッタとしてスパッタリングを行う、ことを特徴とする成膜方法。
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