CN102628160A - 成膜装置和成膜方法 - Google Patents

成膜装置和成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102628160A
CN102628160A CN2012100236123A CN201210023612A CN102628160A CN 102628160 A CN102628160 A CN 102628160A CN 2012100236123 A CN2012100236123 A CN 2012100236123A CN 201210023612 A CN201210023612 A CN 201210023612A CN 102628160 A CN102628160 A CN 102628160A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
baffle plate
film
film forming
sputter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100236123A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102628160B (zh
Inventor
松本诚谦
桑原世治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN102628160A publication Critical patent/CN102628160A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102628160B publication Critical patent/CN102628160B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3428—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target using liquid targets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H01J37/3429—Plural materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了成膜装置和成膜方法。提供了能够防止通过溅射形成多种材料的薄膜时的装置机构的复杂化以简化装置机构并防止装置成本的升高的成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空室；用于保持基板的基板保持器；用于分别支撑靶使得靶可在真空室内与基板相对的阴极机构；以及可各自地在由不同的材料制成的靶和基板之间前后移动以阻挡或通过从靶产生的成膜粒子的挡板。挡板中的至少一个由与用于靶的材料不同的靶材料形成，使得挡板中的至少一个被配置为还用作靶的挡板。

Description

成膜装置和成膜方法
技术领域
本发明涉及用于通过溅射形成薄膜的成膜装置和成膜方法。
背景技术
一般地，在半导体器件、显示设备、照明设备、成像设备以及其它的电子和光学部件的制造过程中，薄膜形成技术是必不可少的。作为形成薄膜的方法，溅射方法是公知的。使用溅射的薄膜形成技术具有如下这样的优点，即可以在低温形成薄膜，可以形成具有大面积的薄膜并且容易执行成膜参数的电气控制。
通过溅射装置执行溅射方法。根据这种溅射方法，加速的离子被照射到靶上，使得从靶射出靶粒子，并且，靶粒子以薄膜形状沉积于硅晶片或玻璃基板上。
使用溅射的薄膜形成技术与蒸镀方法或化学气相沉积(CVD)相比在性能方面具有大量的优越的方面，但是，装置机构会变得复杂。例如，参照作为示意图的图9描述具有多个(例如，三个)靶的常规的溅射装置71。
如图9所示，常规的溅射装置71具有真空室72。一端接地的用作阳极的基板保持器32位于真空室72的上部部分中，并且，基板31被基板保持器32可去除地保持。要在用作基板31的透镜上形成的膜是一般光学部件的抗反射膜，其是由例如Ta2O5、SiO2和Al2O3制成的多层膜。
阴极机构21、22和23位于真空室72的中心部分中，并且，能够通过供电开关3、4和10施加高电压的DC高电压电源(以下，称为“DC电源”)51与阴极机构21、22和23连接。DC电源51的负电极与供电开关3、4和10侧连接，并且，DC电源51的正电极接地。阴极机构21、22和23被并列放置，并且，靶11、12和13分别被可去除地安装到阴极机构21、22和23的上部。靶11由Ta形成，靶12由Si形成，并且，靶13由Al形成。
在真空室72的上部部分中，由SUS不锈钢制成的挡板(shutter)41、44和43被分别布置于靶11、12和13和基板31之间。挡板41与位于真空室72外部的驱动设备5连接，并被配置为在靶11之上确保预定空间的情况下前后移动。挡板44与位于真空室72外部的驱动设备6连接，并被配置为在靶12之上确保预定空间的情况下前后移动。挡板43与位于真空室72外部的驱动设备9连接，并被配置为在靶13之上确保预定空间的情况下前后移动。如图9所示，在靶12上产生等离子体721。
在常规的溅射装置71中，对于Ta靶11、Si靶12和Al靶13分别需要阴极机构21、22和23，这使得机构复杂化并且还增加了装置成本(参见日本专利申请特开No.H07-331432和No.2003-113467)。
顺便说一句，即使关于要在同一成像设备中使用的光学部件，在诸如性能比成本优先的半导体曝光设备的工业产品中，装置成本的增加也是可接受的，而在光学部件被用于面向一般消费者的照相机或广播设备中的情况下，成本是最优先的。并且，在光学部件中的薄膜形成中，例如，在制造抗反射膜的情况下，必须使用能够溅射多种(两少两种类型的)材料的装置。
但是，为了溅射多种材料，需要根据材料的数量在溅射装置中布置靶和在伴随靶的阴极的周边的机构。作为结果，装置成本根据机构的数量而增加，并且，装置根据机构的体积而扩大，这会增加装置成本。
发明内容
因此，本发明的目的是提供能够防止通过溅射等形成多种材料的薄膜时的装置机构的复杂化以简化装置机构并防止装置成本升高的成膜装置和成膜方法。
本发明提供了一种用于通过溅射在成膜对象上形成薄膜的成膜装置，包括：真空室；保持器部分，用于在真空室中保持成膜对象；多个阴极机构，用于分别支撑靶使得靶在真空室中与成膜对象相对；和多个挡板，能够各自地在由相互不同的材料制成的多个靶和成膜对象之间前后移动，以阻挡或通过从靶产生的成膜粒子，其中，多个挡板中的至少一个由与用于多个靶的材料不同的靶材料形成，使得多个挡板中的至少一个被配置为还用作靶的挡板。
根据本发明，原本伴随使用溅射等的成膜装置的挡板还被用作靶，因此不存在单独地制备复杂的阴极机构以使装置大型化的危险。这可防止装置机构的复杂化以简化装置机构并防止装置成本增加。
从参照附图的示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的溅射装置的示意图。
图2是示出根据本发明的第二实施例的靶可动的溅射装置的示意图。
图3是示出根据本发明的第三实施例的靶被固定并且斜向指向的溅射装置的示意图。
图4是示出图1～3的公共操作的流程图。
图5是示出根据本发明的例子1的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图6是示出根据本发明的例子2的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图7是示出根据本发明的例子3的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图8是示出根据本发明的例子4的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图9是示出常规的溅射装置的示意图。
图10是示出根据本发明的例子5的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图11是示出根据本发明的例子6的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图12是示出根据本发明的例子7的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图13是示出根据本发明的例子8的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图14是示出根据本发明的例子9的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
图15是示出根据本发明的例子10的使用图1的配置的溅射装置的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图描述本发明的实施例。首先，参照图1，描述根据本发明的能够执行溅射方法(成膜方法)的溅射装置1的总体配置和功能。用作成膜装置的溅射装置1的所有控制系统与用作控制部的计算机(未示出)连接，使得计算机可一并控制该控制系统。用于执行溅射方法的程序被安装到控制部。
本实施例的溅射装置(成膜装置)1通过溅射在基板(成膜对象)31上形成薄膜，并且，如图1所示，包括真空室2和用于将基板31保持在真空室中的基板保持器(保持器部分)32。并且，溅射装置1包括在真空室2内用于分别支撑靶11和12以使得靶11和12与基板31相对的多个(在本实施例中为两个)阴极机构21和22。
并且，溅射装置1包括可在由不同材料制成的多个(在本实施例中为两个)靶11和12与基板31之间各自地前后移动以阻挡从靶11和12产生的成膜粒子或使成膜粒子通过的多个(在本实施例中为两个)挡板41和42。多个挡板41和42中的至少一个(在本实施例中为挡板42)由与要被阻挡的靶11和12的材料不同的靶材料制成，使得多个挡板41和42中的该至少一个被配置为还用作靶的挡板。
诸如氩(Ar)的惰性气体在真空室2通过减压泵(未示出)被排气以被保持为预定的真空度的状态下被引入到真空室2中。在真空室2的上部部分中，布置一端接地的用作阳极的基板保持器(保持器部分)32，并且，通过基板保持器32可去除地保持用作成膜对象的基板31。在本实施例中，使用透镜作为基板31。在用作基板31的透镜上要形成的膜是一般光学部件的抗反射膜，其是由例如Ta2O5、SiO2和Al2O3制成的多层膜。
阴极机构21和22位于真空室2的中心部分中，并且，能够通过要由控制部打开或关闭的供电开关3和4施加高电压的DC电源51与阴极机构21和22连接。DC电源51的负电极与供电开关3和4侧连接，并且，DC电源51的正电极接地。阴极机构21和22被并列放置，并且，Ta靶11和Si靶12被可去除地安装到阴极机构21和22的上部。
在真空室2的上部部分中，挡板41和42被布置为被定位于靶11和12与基板31之间。挡板41与位于真空室2外部的驱动设备5连接，并被配置为在Ta靶11之上确保预定空间的情况下前后移动(出现和消失)。还用作靶的挡板42与位于真空室2外部的驱动设备6连接，并被配置为在Si靶12之上确保预定空间的情况下前后移动(出现和消失)。用于挡板41和42的驱动设备5和6分别不仅包含对于阻挡的打开/关闭机构，而且包含用于沿挡板表面的法线方向(图1中的垂直方向)移动挡板41和42的机构。
驱动设备6包含上述的机构，由此，还用作靶的挡板42具有阻挡从靶11和12中的一个相应的靶12产生的成膜粒子或使成膜粒子通过的功能，以及在靶12和基板保持器32之间与靶12接触或分离的功能。在溅射装置1中，在使用还用作靶的挡板42溅射时，通过操作驱动设备6以向靶12侧移动挡板42由此使挡板42的至少一部分与靶12接触，通过靶12向挡板42施加电压。
在开始溅射之前用于清洁靶11的表面的预溅射时，驱动设备5在图1中向上移动挡板41，使得挡板41与靶11分离。并且，在开始溅射之前用于清洁靶12的表面的预溅射时，驱动设备6向上移动还用作靶的挡板42，使得挡板42与靶12分离。
因此，挡板41和42可分别通过驱动设备5和6而被打开和关闭，以在基板31与靶11和12之间阻挡粒子，并且可沿挡板表面的法线方向(图1中的垂直方向)移动。并且，也可在挡板41和42与基板31之间设置用于控制膜厚分布的掩模。
在基板31的表面上形成由Ta2O5、SiO2和Al2O3制成的多层膜的情况下，在许多情况下，关于光学膜的设计，Al2O3的膜厚可比Ta2O5和SiO2的膜厚小。
考虑到上述的事实，更优选地采用由在成膜期间的成膜材料的损耗度小的Al制成的靶作为还用作靶的挡板。当然，作为还用作靶的挡板，也可采用由Al以外的材料制成的靶。
因此，在本实施例中，通过使用由作为成膜材料的Al制成的还用作靶的挡板42，省去了图9所示的常规的溅射装置中的Al靶13和用于Al靶13的挡板43。因此，设置数量比在常规的例子中所需要的三个阴极机构21、22和23少的两个阴极机构21和22，并且，设置数量比在常规的例子中所需要的三个靶11、12和13少的两个靶11和12。即，还用作靶的挡板42和靶12共用阴极机构22，结果是，溅射装置1的配置可大大简化。
如上所述，在本实施例中对于用于阻挡Ta的挡板41使用作为与真空室2的材料相同的材料的SUS不锈钢，但是，例如，在四种类型的成膜材料的情况下，可以使用Nb。并且，在成膜材料的数量大的情况下，还用作靶的挡板42可具有诸如二层结构的多级结构。当使用还用作靶的挡板42的多级结构时，与常规的溅射装置相比，存在更大的简化装置的优点。
并且，在溅射挡板花费长的时间段的情况下，诸如水冷护套的冷却机构可被安装在挡板上，以防止挡板由于加热而变形或溶解。
安装冷却机构导致装置配置的复杂化，由此，还用作靶的挡板42可由至少两种材料形成。此时，挡板的基板侧的材料与用于靶11和12的材料不同。例如，通过用至少两张胶合板形成还用作靶的挡板42以增加强度，可以防止挡板42变形，或者，通过用坩埚形成还用作靶的挡板42并且在坩埚中放置与靶11和12的材料不同的材料，可以防止挡板42熔融。
并且，作为上述的由至少两种材料形成的还用作靶的挡板42的靶侧的材料，当使用与紧接下方的靶相同的材料时，可以防止靶被污染。作为替代方案，作为靶侧的材料，当使用诸如W、Mo、Ta、C、Ti、Zr或Fe的具有高熔点和低线性膨胀系数的导电材料以及该材料的合金或化合物时，也可防止靶被污染。
另一方面，当溅射由至少两种材料形成的还用作靶的挡板42的靶侧的材料时，杂质可能与挡板混合。因此，靶侧的材料也可被与用于靶的材料不同的材料覆盖，这使得靶侧的材料不可见。
作为基板31，例如，使用具有200mm的直径和100mm的厚度的玻璃基板。基板31被机构(未示出)保持，以在成膜时可围绕其轴自转。并且，可以使用多个基板31，只要总尺寸处于上述的范围内即可，并且，在这种情况下，基板31公转而不是围绕它们的轴自转。
在本实施例中，对于阴极机构21和22使用利用永磁体的DC磁控管系统，但是，例如，也可使用RF(高频率)放电或常规的系统。
作为靶，例如，安装分别具有8英寸的直径的Ta靶11和Si靶12，并且，各材料被切换使得在基板31上形成膜。用于靶的材料也可被交换。这些材料不限于上述的那些。例如，在制造光学部件的情况下，可以使用诸如Mg、La、Nb、Mo、Ni、Ce、Hf、Ti、Y、W、Ca、Zr或Gd的金属以及它们的氧化物或氟化物。
在具有上述的配置的溅射装置1中，当基于控制部的控制打开或关闭供电开关3和4时，出现以下情况。即，在安装到与DC电源51连接的阴极机构21和22的靶11和12上产生等离子体721，并且，通过在真空室2中的被基板保持器32保持的基板31上溅射，开始形成薄膜。
然后，等离子体中的离子撞击被保持为负的靶12，以从Si靶12发射出原子，并且，溅射的原子粘附于基板31以在其上面形成膜。并且，当基板31移动到Ta靶11侧并且挡板41被打开时，等离子体中的离子撞击被保持为负的靶11，以从Ta靶11发射出原子，并且，溅射的原子粘附于基板31以在其上面形成膜。
例如，当由Al制成的还用作靶的挡板42被溅射以在基板31上形成膜时，通过控制部操作驱动设备6，并且，还用作靶的挡板42向下移动以接近靶12并与靶12接触。当还用作靶的挡板42如上面描述的那样被溅射时，并且，当如后面描述的那样执行预溅射时，还用作靶的挡板42被关闭。但是，当通过使用靶12执行溅射时，还用作靶的挡板42被打开。在紧接着靶11和12的交换或真空存放之后，可能在靶11和12的表面上形成诸如氧化物层的污染层。因此，当原样开始溅射时，污染层也与靶11和12一起被溅射，并且，要在基板31上形成的膜可能包含杂质。为了防止这种不便，执行上述的预溅射。
参照图4的流程图描述在形成Al2O3、Ta2O5和SiO2膜的情况下的成膜处理，包括挡板的打开/关闭和垂直移动的操作。
在成膜时，例如，作为溅射气体的50sccm的Ar气体和作为反应气体的20sccm的O2气体被引入真空室2。向靶11和12施加的电功率通过DC电源51被设为例如1kW。并且，如果需要的话，可以叠加100kHz的量级的高频波以使放电稳定化。通过控制部随时间控制膜厚。可根据材料和希望的膜质量改变例如气体和电功率的处理条件。
与使用被设定于阴极机构21和22的靶11和12的情况相比，根据材料，通过要在被设为与靶12相同的电势的同时被溅射的还用作靶的挡板42形成的膜的成膜速率可减小到约10％～60％。其原因在于由于与安装在阴极上的永磁体分离的挡板42，因此成膜系统变得更接近常规的系统。但是，例如，在光学部件中形成的光学薄膜的情况下，如果膜是需要多种材料的多层膜，那么，也可通过对于可能薄的材料利用还用作靶的挡板42形成膜来使成膜速率的降低的影响最小化。
如图4所示，在通过使用由Al制成的还用作靶的挡板42在基板31上形成Al2O3膜的情况下，挡板41通过驱动设备5的操作在被关闭的同时向上移动。然后，还用作靶的挡板42通过驱动设备6的操作在被关闭的同时向下移动。
然后，在执行靶11的预溅射的情况下，挡板41通过驱动设备5的操作在被关闭的同时向上移动，并且，还用作靶的挡板42通过驱动设备6的操作在被关闭的同时向上移动。在随后通过使用靶11在基板31上形成Ta2O5膜的情况下，挡板41通过驱动设备5的操作被打开，并且，还用作靶的挡板42通过驱动设备6的操作在被关闭的同时向上移动。
并且，在执行由Al制成的还用作靶的挡板42的预溅射的情况下，挡板41通过驱动设备5的操作在被关闭的同时向上移动，并且，还用作靶的挡板42通过驱动设备6的操作在被关闭的同时向上移动。在通过使用由Al制成的还用作靶的挡板42在基板31上形成SiO2膜的情况下，挡板41通过驱动设备5的操作在被关闭的同时向上移动，并且，还用作靶的挡板42通过驱动设备6的操作被打开。
注意，在本实施例中，基板31与靶11和12之间的位置关系也可以如下方式被设定，即基板31在图中水平移动以位于靶11和12或由Al制成的还用作靶的挡板42的正面。
以下，参照图2和图3描述通过修改图1所示的本实施例的配置所获得的变型例。
图2所示的变型例1被配置为使得靶11和12旋转。即，分别安装靶11和12的阴极机构21和22在背面沿垂直方向相互面对的情况下相互耦接，并且通过驱动设备7关于基板31旋转以各自地与基板31相对。在这种情况下，阴极机构21、靶11、挡板41和驱动设备5以及阴极机构22、靶12、还用作靶的挡板42和驱动设备6分别被配置为通过驱动设备7一体化旋转。DC电源51分别通过供电开关3和4与阴极机构21和22连接。
并且，在图3所示的变型例2中，靶11和12分别被放置为向基板31倾斜，使得基板31和靶11和12不能移动。即，分别安装靶11和12的阴极机构21和22被布置为向上部中央的基板31倾斜，并且，挡板41和由Al制成的还用作靶的挡板42分别通过驱动设备5和6操作。DC电源51分别通过供电开关3和4与阴极机构21和22连接。
即使在上述的变型例1和2中，也可以以与图1所示的实施例的溅射装置1相同的方式执行溅射和预溅射，并且，可以表现与图1所示的实施例相似的效果。
根据上述的实施例和变型例1和2，通过将原本伴随溅射装置的挡板42用作还用作靶的挡板42，不存在单独地制备复杂的阴极机构以使装置大型化的危险。这可防止装置机构的复杂化以简化机构并防止装置成本的增加。
以下，参照图5～8描述使用根据本发明的溅射装置1的例子。在图5～8中，与图1～3所示的部分共同的部分由与图1～3相同的附图标记表示，并且，省略它们的描述。
(例子1)
在例子1中，使用如下这样的溅射装置，其中基本装置形式是上述的DC磁控管系统，使用Ta作为靶11，使用Si作为靶12，使用Al作为还用作靶的挡板42，并且使用作为与真空室2相同的材料的SUS不锈钢以形成挡板41。
如下面那样，由Al制成的还用作靶的挡板42被溅射以在基板31上形成膜。如图5所示，还用作靶的挡板42在被关闭的同时向下移动，使得还用作靶的挡板42和靶12之间的距离小于等于德拜(Debye)长度。
这里，在溅射中通常使用的辉光放电条件下，德拜长度为约0.1mm～5mm，但是它依赖于成膜的处理条件。通过将还用作靶的挡板42和靶12之间的距离设为小于等于德拜长度，不在还用作靶的挡板42和靶12之间产生等离子体721。因此，允许还用作靶的挡板42的Al仅到达基板31而不污染靶12的Si。
在例子1中，还用作靶的挡板42在面向靶12侧的表面上具有导电性突起61，并且通过经突起61与靶12接触而进入导通状态。突起61的长度被设为小于等于德拜长度。即，还用作靶的挡板42的靶12侧的表面具有与表面垂直地突起的突起61。沿垂直方向的突起61的长度小于等于德拜长度，并且与还用作靶的挡板42和靶12之间的距离相同。在还用作靶的挡板42的溅射时，突起61与靶12接触，由此，还用作靶的挡板42和靶12被设为相同的电势。
因此，还向还用作靶的挡板42施加与靶12相同的电压，并且，在还用作靶的挡板42的基板侧产生等离子体722。因此，在基板31上形成Al2O3膜。此时，使用还用作靶的挡板42的溅射变得接近常规系统中的状态，并因此降低成膜速率。但是，Al2O3膜具有为多层膜的整个膜厚的10％或更小的厚度，由此对于整个成膜处理的影响小。
(例子2)
例子2的基本装置形式与例子1相同。
如下面那样，由Al制成的还用作靶的挡板42被溅射以在基板31上形成膜。如图6所示，还用作靶的挡板42在被关闭的同时向下移动，使得还用作靶的挡板42和靶12之间的距离小于等于德拜长度。
这里，在溅射中通常使用的辉光放电条件下，德拜长度为约0.1mm～5mm，但是它依赖于成膜的处理条件。通过将还用作靶的挡板42和靶12之间的距离设为小于等于德拜长度，不在还用作靶的挡板42和靶12之间产生等离子体721。因此，允许还用作靶的挡板42的Al仅到达基板31而不污染靶12的Si。
在本例子中，从向与靶12对应的阴极机构22供给电压的DC电源51通过导线52向还用作靶的挡板42直接施加电压。即，用于靶12的DC电源51通过导线52与还用作靶的挡板42连接，并且，向还用作靶的挡板42施加来自DC电源51的电压。除了该配置以外，还可分离地设置与DC电源51不同的电源，使得可从该电源向还用作靶的挡板42施加电压。
在本例子中，直接向还用作靶的挡板42施加电压，并且，在还用作靶的挡板42的基板31侧产生等离子体722，由此在基板31上形成Al2O3膜。此时，使用还用作靶的挡板42的溅射变得接近常规系统中的状态，因此，成膜速率降低。但是，Al2O3膜具有为多层膜的整个膜厚的10％或更小的厚度，由此对于整个成膜处理的影响小。
(例子3)
例子3的基本装置形式与例子1相同。
在例子3中，通过使面向靶12侧的表面与靶12直接接触，还用作靶的挡板42进入导通状态。如以下那样，由Al制成的还用作靶的挡板42被溅射以在基板31上形成膜。如图7所示，还用作靶的挡板42在被关闭的同时与靶12直接接触，由此，挡板42和靶12被设为相同的电势。在这种情况下，挡板42和靶12两者在整个表面上相互接触，并且在它们之间不存在空间，由此，不在还用作靶的挡板42和靶12之间产生等离子体721。因此，允许还用作靶的挡板42的Al仅到达基板31而不污染靶12的Si。
因此，还通过Si靶12向还用作靶的挡板42施加电压，并且，在还用作靶的挡板42的基板31侧产生等离子体722。因此，在基板31上形成Al2O3膜。此时，使用还用作靶的挡板42的溅射变得接近常规系统中的状态，并因此降低成膜速率。但是，Al2O3膜具有为多层膜的整个膜厚的10％或更小的厚度，由此对于整个成膜处理的影响小。
(例子4)
例子4的基本装置形式与例子1相同。
在例子4中，在溅射开始之前的预溅射时，还用作靶的挡板42与一个相应的靶12分开。然后，还用作靶的挡板42与靶12之间的距离被设为超过德拜长度的尺寸。即，用于在开始溅射之前清洁靶12的表面的预溅射被执行如下。如图8所示，还用作靶的挡板42在被关闭的同时向上移动，使得还用作靶的挡板42与靶12之间的距离被设为超过德拜长度的尺寸。
这里，在溅射中通常还使用的辉光放电条件下，德拜长度为约0.1mm～5mm，但是它依赖于成膜的处理条件。通过将还用作靶的挡板42与靶12之间的距离设为超过德拜长度的值，在还用作靶的挡板42和靶12之间产生等离子体721，由此可以执行靶12的Si的预溅射。因此，还用作靶的挡板42用作来自靶12的成膜粒子的阻挡体，并且，靶12的表面可以被清洁。
(例子5)
在例子5中，如图10所示，除了对于靶11使用Si并且对于靶12使用Ta以外，基本装置形式与例子1相同。例子5涉及还用作靶的挡板42自身的配置。作为实际的实施例，在上述的全部例子1～4中展现了效果。在还用作靶的挡板42与靶12直接接触并且还用作靶的挡板42可能污染靶11和12的例子3的形式的情况下，展现了最大的效果。
还用作靶的挡板42由至少两种材料形成。此时，还用作靶的挡板42的基板31侧的材料421与靶11和12的材料不同。
还用作靶的挡板42由至少两个层叠板形成以防止因热而变形。在这种情况下，还用作靶的挡板42的靶12侧的材料422由具有高熔点和低线性膨胀系数的导电材料形成，使得防止材料422由于热而熔融或变形。优选地，材料422与用于靶12的材料相同。在本例子中使用Ta。
材料421和422化学地相互接合，并且，例如，使用诸如In的用于接合的第三材料423。
因此，由于还用作靶的挡板42由至少两个层叠板形成并且材料422具有低的线性膨胀系数，因此，可以防止还用作靶的挡板42由于热而变形。并且，通过由Ta形成材料422，还可防止当材料422与靶12直接接触时靶12被污染。
(例子6)
例子6的基本装置形式与例子5相同。
还用作靶的挡板42由至少两种材料形成。此时，如图11所示，还用作靶的挡板42的基板31侧的材料421与用于靶11和12的材料不同。
还用作靶的挡板42由至少两个层叠板形成以防止由于热而变形。在这种情况下，还用作靶的挡板42的靶12侧的材料422由具有高熔点和低线性膨胀系数的导电材料形成，使得防止材料422由于热而熔融或变形。优选地，材料422与用于靶12的材料相同。在本例子中使用Ta。
材料421和422机械地相互接合，并且，例如，对于接合使用螺栓424。
因此，由于还用作靶的挡板42由至少两个层叠板形成并且材料422具有低的线性膨胀系数，因此，可以防止还用作靶的挡板42由于热而变形。并且，通过由Ta形成材料422，还可防止当材料422与靶12直接接触时靶12被污染。
(例子7)
例子7的基本装置形式与例子5相同。
还用作靶的挡板42由至少两种材料形成。此时，如图12所示，还用作靶的挡板42的基板31侧的材料421与用于靶11和12的材料不同。
为了防止在还用作靶的挡板42熔融的情况下挡板功能丧失，还用作靶的挡板42形成为坩埚形式，并且，在坩埚中放置与靶11和12的材料不同的材料421。要成为坩埚的材料422由具有高熔点和低线性膨胀系数的导电材料形成，使得材料422不由于热而熔融或变形。优选地材料422与用于靶12的材料相同。在本例子中使用Ta。并且，通过在例子5和6中描述的方法使要成为坩埚的材料422与材料421接合，可以防止材料421由于热而变形。
坩埚的端部被设为比材料421的高度高，由此，即使在材料421熔融时，也防止材料421溢出坩埚到达周边。
因此，通过将还用作靶的挡板42形成为坩埚形式，还用作靶的挡板42可在即使因加热熔融时也不丧失挡板功能的情况下被使用。并且，通过由Ta形成材料422，还可防止当材料422与靶12直接接触时靶12被污染。
(例子8)
例子8的基本装置形式与例子5相同。
还用作靶的挡板42由至少两种材料形成。此时，如图13所示，还用作靶的挡板42的基板31侧的材料421与用于靶11和12的材料不同。
为了防止在还用作靶的挡板42熔融的情况下挡板功能丧失，还用作靶的挡板42形成为坩埚形式，并且，在坩埚中放置与靶11和12不同的材料421。要成为坩埚的材料422由具有高熔点和低线性膨胀系数的导电材料形成，使得材料422不由于热而熔融或变形。优选地材料422与用于靶12的材料相同。在本例子中使用Ta。并且，通过在例子5和6中描述的方法使要成为坩埚的材料422与材料421接合，可以防止材料421由于热而变形。
坩埚的端部的边缘终止于尖端，因此，可以防止材料421在熔融时溢出材料422到达周边，可以防止从边缘表面溅射材料422，并且，可以减少在成膜时材料422对于还用作靶的挡板42的杂质污染。
因此，通过将还用作靶的挡板42形成为坩埚形式，还用作靶的挡板42可在即使当由于热而熔融时也不丧失挡板功能的情况下被使用。并且，通过由Ta形成材料422，还可防止当材料422与靶12直接接触时靶12被污染。
(例子9)
例子9的基本装置形式与例子5相同。
还用作靶的挡板42由至少两种材料形成。此时，如图14所示，还用作靶的挡板42的基板31侧的材料421与用于靶11和12的材料不同。
作为还用作靶的挡板42的基板31侧的材料421，放置与靶11和12不同的材料，并且，挡板的材料421被溅射，由此形成膜。但是，应当注意，如在例子8中描述的那样，材料422的边缘表面4221和侧表面4222被溅射。
因此，在还用作靶的挡板42的溅射表面上，材料421的面积被设为大于等于材料422的面积。这可防止通过溅射从侧表面4222产生的粒子到达基板31。可以与例子5和6同时使用该手段。并且，当如图14所示的那样与例子7的坩埚形式挡板同时使用该手段时，虽然只能防止热变形，但是，可以省去来自边缘表面4221的溅射。
因此，可以防止热变形以及在靶12与挡板42直接接触的情况下的靶12的污染，并且，可以减少通过材料421以外的材料成膜时的杂质污染。
(例子10)
例子10的基本装置形式与例子5相同。
还用作靶的挡板42由至少两种材料形成。此时，如图15所示，还用作靶的挡板42的基板31侧的材料421与用于靶11和12的材料不同。
作为还用作靶的挡板42的基板31侧的材料421，布置与靶11和12不同的材料，并且，挡板的材料421被溅射，由此形成膜。但是，应当注意，如在例子8中描述的那样，材料422的边缘表面4221和侧表面4222被溅射。
因此，在还用作靶的挡板42中的除材料421以外的部分中，诸如边缘表面4221的基板31侧的表面和侧表面4222被材料421覆盖。与例子5、6、7、8和9同时使用该手段。图15示出与例子7的组合。
因此，可以防止还用作靶的挡板42热变形或者即使在由于热而熔融时也可防止其丧失挡板功能，并且，可以减少在靶12和挡板42直接接触的情况下的靶12的污染以及通过材料421以外的材料成膜时的杂质污染。
如上所述，根据使用溅射装置1的溅射方法(成膜方法)，使用由不同的材料制成的靶11和12，这些靶11和12分别被阴极机构21和22支撑，以能够在真空室2中与被基板保持器32保持的基板31相对。然后，允许挡板41和42各自地在基板31与各靶11和12之间前后移动，由此，从各靶11和12产生的成膜粒子被阻挡或者通过以通过溅射在基板31上形成薄膜。在该成膜方法中，挡板41和42中的至少一个(例如，挡板42)由与用于靶11和12的材料不同的靶材料形成，并且，通过使用挡板42作为还用作靶的挡板执行溅射。
因此，通过将原本伴随溅射装置的挡板用作还用作靶的挡板42，不存在单独地制备复杂的阴极机构以使装置大型化的危险。这可防止装置机构复杂化以简化机构并防止装置成本的增加。
(例子11)
例子11的基本装置形式与例子1相同。
在例子11中，通过使挡板42的面向靶12侧的表面与靶12直接接触，还用作靶的挡板42导通。如以下那样，由Al制成的还用作靶的挡板42被溅射以在基板31上形成膜。如图7所示，还用作靶的挡板42在被关闭的同时与靶12直接接触，以将挡板42和靶12设为相同的电势。
在这种情况下，挡板42和靶12在整个表面上相互接触。但是，实际上，例如，会出现挡板42的损耗和热变形以及由损耗导致的靶12的形状变化。因此，即使挡板42通过升降机构下降，挡板42也不能在没有任何间隙的情况下在整个表面上与靶12接触。如果在挡板42和靶12之间存在间隙，则放电电压根据间隙的宽度而改变，并且，成膜速度变得不恒定。鉴于此，挡板42具有用于阻挡的打开/关闭机构和用于分离的升降机构，此外，驱动设备6具有能够调整挡板42的倾角的倾斜和偏移机构。倾斜和偏移机构根据挡板的变形和靶12的形状变化来改变挡板42的倾斜，由此使得挡板42和靶12能够在没有任何间隙的情况下在整个表面上相互接触。
在这种情况下，挡板42和靶12在没有任何间隙的情况下在整个表面上相互接触，由此不在还用作靶的挡板42和靶12之间产生等离子体721。因此，允许还用作靶的挡板42的Al仅到达基板31而不污染靶12的Si。
因此，还通过Si靶12向还用作靶的挡板42施加电压，并且，在还用作靶的挡板42的基板31侧产生等离子722。因此，在基板31上形成Al2O3膜。此时，使用还用作靶的挡板42的溅射变得接近常规系统中的状态，并因此降低成膜速率。但是，Al2O3膜具有为多层膜的整个膜厚的10％或更小的厚度，由此对于整个成膜处理的影响小。
(附图标记列表)
1成膜装置(溅射装置)，
2真空室
5、6驱动设备，
11、12靶，
21、22阴极机构，
31成膜对象(基板)，
32保持器部分(基板保持器)，
41挡板，
42挡板(还用作靶的挡板)，
51DC电源(电源)，
52导线，
61导电性突起，
421挡板的基板侧的材料，
422挡板的靶侧的材料，
423用于挡板的第三材料，
424螺栓，
4221由挡板的基板侧的材料以外的材料形成的边缘表面
4222由挡板的基板侧的材料以外的材料形成的侧表面
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这样的变型方式、等同的结构和功能。

Claims (12)

1.一种用于通过溅射在成膜对象上形成薄膜的成膜装置，包括：
真空室；
保持器部分，用于在真空室中保持成膜对象；
多个阴极机构，用于分别支撑靶使得靶在真空室中与成膜对象相对；和
多个挡板，能够各自地在由相互不同的材料制成的多个靶和成膜对象之间前后移动，以阻挡或通过从靶产生的成膜粒子，
其中，多个挡板中的至少一个由与用于多个靶的材料不同的靶材料形成，使得多个挡板中的所述至少一个被配置为还用作靶的挡板。
2.根据权利要求1的成膜装置，其中，所述还用作靶的挡板被配置为在多个靶中的一个相应靶和保持器部分之间执行阻挡或通过从所述一个相应靶产生的成膜粒子的操作以及与所述一个相应靶接触或分离的操作。
3.根据权利要求2的成膜装置，其中，在通过使用所述还用作靶的挡板溅射时，所述还用作靶的挡板移动到所述一个相应靶侧，使得所述还用作靶的挡板的至少一部分与所述一个相应靶接触，以由此通过所述一个相应靶向所述还用作靶的挡板施加电压。
4.根据权利要求3的成膜装置，其中，所述还用作靶的挡板在面向所述一个相应靶侧的表面上包含导电性突起，并且，通过经所述导电性突起与所述一个相应靶接触而导通。
5.根据权利要求4的成膜装置，其中，所述导电性突起的长度被设为德拜长度或更小。
6.根据权利要求3的成膜装置，其中，通过使面向所述一个相应靶侧的表面与所述一个相应靶直接接触，所述还用作靶的挡板导通。
7.根据权利要求1的成膜装置，还包括向多个阴极机构中的与所述一个相应靶对应的一个阴极机构供给电压的电源，该电源通过导线直接向所述还用作靶的挡板施加电压。
8.根据权利要求2的成膜装置，其中，在开始溅射之前的预溅射时，所述还用作靶的挡板与所述一个相应靶分离。
9.根据权利要求8的成膜装置，其中，所述还用作靶的挡板和所述一个相应靶之间的距离被设为超过德拜长度的尺寸。
10.根据权利要求1的成膜装置，其中，所述还用作靶的挡板由至少两种材料形成，并且，所述与用于多个靶的材料不同的靶材料被布置于成膜对象侧。
11.根据权利要求1的成膜装置，其中，所述还用作靶的挡板被配置为执行改变所述还用作靶的挡板的倾斜的倾斜和偏移操作。
12.一种通过溅射在成膜对象上形成薄膜的成膜方法，包括：
使用由相互不同的材料制成的多个靶，多个靶分别被多个阴极机构支撑，使得多个靶在真空室中与被保持器部分保持的成膜对象相对；以及
允许多个挡板各自地在成膜对象和多个靶中的每一个之间前后移动，以阻挡或通过从多个靶中的所述每一个产生的成膜粒子，
其中，在多个挡板中的至少一个由与用于多个靶的材料不同的靶材料形成使得多个挡板中的所述至少一个被配置为还用作靶的挡板的状态下，执行溅射。
CN201210023612.3A 2011-02-03 2012-02-03 成膜装置和成膜方法 Expired - Fee Related CN102628160B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011021465 2011-02-03
JP2011-021465 2011-02-03
JP2012013169A JP2012177191A (ja) 2011-02-03 2012-01-25 成膜装置及び成膜方法
JP2012-013169 2012-01-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102628160A true CN102628160A (zh) 2012-08-08
CN102628160B CN102628160B (zh) 2015-04-08

Family

ID=45654830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210023612.3A Expired - Fee Related CN102628160B (zh) 2011-02-03 2012-02-03 成膜装置和成膜方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9127353B2 (zh)
EP (1) EP2484800B1 (zh)
JP (1) JP2012177191A (zh)
CN (1) CN102628160B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105555995A (zh) * 2013-09-10 2016-05-04 株式会社岛津制作所 成膜装置以及成膜方法
CN115323332A (zh) * 2022-02-22 2022-11-11 南京大学 一种适用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5871055B2 (ja) * 2012-03-16 2016-03-01 株式会社島津製作所 成膜装置
JP6164770B2 (ja) * 2013-05-09 2017-07-19 須賀　唯知 基板表面処理方法及び装置
HK1215127A2 (zh) * 2015-06-17 2016-08-12 Master Dynamic Ltd 製品塗層的設備、儀器和工藝
JP2022166690A (ja) * 2021-04-21 2022-11-02 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3537973A (en) * 1967-09-15 1970-11-03 Varian Associates Sequential sputtering with movable targets
US20090120501A1 (en) * 2004-02-17 2009-05-14 George Engle Formation of photoconductive and photovoltaic films
JP2010106290A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Showa Denko Kk 成膜装置および成膜方法、磁気記録媒体、磁気記録再生装置
CN101778961A (zh) * 2008-09-30 2010-07-14 佳能安内华股份公司 溅射设备和薄膜形成方法
US20100243438A1 (en) * 2008-11-28 2010-09-30 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62263964A (ja) * 1986-05-09 1987-11-16 Ube Ind Ltd スパツタリングタ−ゲツト及びスパツタリング法
JPS63143261A (ja) * 1986-12-06 1988-06-15 Sumitomo Light Metal Ind Ltd スパツタリングによる多層膜の形成法
US5489446A (en) 1987-02-16 1996-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming silicon oxide film
JPH02141570A (ja) * 1988-11-24 1990-05-30 Sumitomo Electric Ind Ltd スパッタリング装置
ATE136159T1 (de) 1989-09-26 1996-04-15 Canon Kk Verfahren zum herstellen einer abgeschiedenen schicht, und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
JPH0582444A (ja) * 1991-09-18 1993-04-02 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPH0790569A (ja) * 1993-09-20 1995-04-04 Canon Inc スパッタリング装置
JPH07331432A (ja) 1994-06-09 1995-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置
JPH11200042A (ja) * 1998-01-14 1999-07-27 Nikon Corp 成膜装置及び成膜方法
US6051113A (en) * 1998-04-27 2000-04-18 Cvc Products, Inc. Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure using target indexing
JP2003113467A (ja) 2001-10-05 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多元素薄膜の形成方法および装置
JP4562764B2 (ja) * 2007-12-27 2010-10-13 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3537973A (en) * 1967-09-15 1970-11-03 Varian Associates Sequential sputtering with movable targets
US20090120501A1 (en) * 2004-02-17 2009-05-14 George Engle Formation of photoconductive and photovoltaic films
CN101778961A (zh) * 2008-09-30 2010-07-14 佳能安内华股份公司 溅射设备和薄膜形成方法
JP2010106290A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Showa Denko Kk 成膜装置および成膜方法、磁気記録媒体、磁気記録再生装置
US20100243438A1 (en) * 2008-11-28 2010-09-30 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105555995A (zh) * 2013-09-10 2016-05-04 株式会社岛津制作所 成膜装置以及成膜方法
CN105555995B (zh) * 2013-09-10 2017-11-07 株式会社岛津制作所 成膜装置以及成膜方法
CN115323332A (zh) * 2022-02-22 2022-11-11 南京大学 一种适用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120199471A1 (en) 2012-08-09
US9127353B2 (en) 2015-09-08
EP2484800B1 (en) 2014-04-30
EP2484800A1 (en) 2012-08-08
JP2012177191A (ja) 2012-09-13
CN102628160B (zh) 2015-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102628160A (zh) 成膜装置和成膜方法
CN101422088B (zh) 用于减少等离子体处理系统中的副产品沉积的方法和装置
US20100243438A1 (en) Sputtering apparatus
US8294115B2 (en) Linear electron source, evaporator using linear electron source, and applications of electron sources
KR20120131230A (ko) 전자 디바이스의 제조 방법 및 스퍼터링 방법
US20130098757A1 (en) Sputtering deposition apparatus and adhesion preventing member
EP3031946B1 (en) Film deposition device
US20090161719A1 (en) Linear electron source, evaporator using linear electron source, and applications of electron sources
JP2007031817A (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
US7928411B2 (en) Linear electron source, evaporator using linear electron source, and applications of electron sources
US11920237B2 (en) Providing multifunctional shutter disk above the workpiece in the multifunctional chamber during degassing or pre-cleaning of the workpiece, and storing the multifunctional shutter disc during deposition process in the same multifunctional chamber
US20080127887A1 (en) Vertically mounted rotary cathodes in sputtering system on elevated rails
TWI362427B (en) Cooled dark space shield for multi-cathode design
CN111556905A (zh) 溅射方法及溅射装置
US8080813B2 (en) Ion implanter, internal structure of ion implanter and method of forming a coating layer in the ion implanter
JP2007131930A (ja) 反応性マグネトロンスパッタリング装置
JP2000017431A (ja) ＭｇＯ膜形成方法およびパネル
JPH0273963A (ja) 低温基体への薄膜形成方法
JP2002368070A (ja) 成膜方法
JPH02148722A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH01123064A (ja) スパッタ装置
WO2014137552A1 (en) Physical vapor deposition system

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150408

Termination date: 20220203