JP2000017431A

JP2000017431A - ＭｇＯ膜形成方法およびパネル

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Publication number: JP2000017431A
Application number: JP10181213A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Daito; 東良一大; Yoji Iwamoto; 本要司岩
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1998-06-26
Filing date: 1998-06-26
Publication date: 2000-01-18
Anticipated expiration: 2018-06-26
Also published as: JP3958869B2

Abstract

(57)【要約】【課題】真空成膜装置を用いてＭｇＯの薄膜を形成す
る際プラズマ放電を連続して安定させ、ガラス基板に安
定したＭｇＯの薄膜の形成を行なうこと。【解決手段】真空成膜装置１０のプラズマガン１１に
より真空チャンバ１２内に向けてプラズマビーム２２を
生成する。このプラズマガン１１の出口部に向けて短管
部１２Ａが突出し、この短管部１２Ａを包囲するように
収束コイル１８が設けられている。プラズマビーム２２
によりるつぼ１９内のＭｇＯ２０が蒸発し、蒸発したＭ
ｇＯ２０により基板１３上にＭｇＯの薄膜が形成され
る。プラズマガン１１の出口部にこのプラズマビーム２
２の周囲を取囲む電子帰還電極２が設けられ、プラズマ
ビーム２２から生じる反射電子流３は電子帰還電極３に
帰還する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＭｇＯからなる薄
膜を基板上に形成するＭｇＯ膜形成方法およびパネルに
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来よりＰＤＰパネルとしてガラス基板
にＭｇＯ膜を形成したものが知られている。この場合、
ガラス基板にＭｇＯ膜を形成するため、基板が配置され
た真空チャンバと、プラズマビームを生成しこのプラズ
マビームを真空チャンバ内に送るプラズマガンと、プラ
ズマガンから生成されたプラズマビームを収束させる収
束コイルとを備えた真空成膜装置が用いられている。

【０００３】このような真空成膜装置において、プラズ
マガンから生成されたプラズマビームは真空チャンバ内
に送られ、真空チャンバ内に設置されたるつぼ内の成膜
材料（ＭｇＯ）に照射する。プラズマビームが照射した
成膜材料は蒸発した後、基板上に蒸着してＭｇＯの薄膜
を形成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで従来の真空成
膜装置により薄膜を形成する場合、成膜材料がるつぼの
表面、または真空チャンバの内面等に付着し、特に、る
つぼの表面が電気的に絶縁された状態となり、真空チャ
ンバ内で通電不能となる。この結果、電極各部がチャー
ジアップする現象が時間経過とともに進行する。このた
め、プラズマビームに対する連続的な安定制御ができな
くなり、成膜の安定性が損なわれるという問題が生じ
る。なお、このような現象が生じた場合、プラズマビー
ムから生じた反射電子流は通電不能となった部分に入射
しようとするが反射され、イオンとの結合により電気的
に中和されるか、最終的に電気的帰還が可能な場所に到
達するまで電子の反射は繰り返されることとなる。

【０００５】また、真空チャンバ内には、プラズマビー
ムを制御するための磁場が存在しており、反射電子の動
きはこの磁場により制約を受ける。したがって、プラズ
マガンを使用して成膜材料からなる薄膜を連続的、かつ
安定して形成するためには、磁場分布状態が最適で、か
つ成膜材料が付着しにくい位置に適正に反射電子流を戻
す電子帰還電極を設ける必要がある。

【０００６】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、プラズマビームが成膜材料に照射されて生
成した真空チャンバ内の反射電子流を適正に電子帰還電
極に戻すことにより、真空チャンバ内でプラズマビーム
を安定して形成し、これによって基板上にＭｇＯの薄膜
を安定して形成することができるＭｇＯ膜形成方法およ
びＭｇＯ膜が形成されたパネルを提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、内部にＭｇＯ
を収納したるつぼと基板が配置されるとともに、接地さ
れた真空チャンバと、真空チャンバに向けてプラズマビ
ームを生成する圧力勾配型プラズマガンと、プラズマガ
ンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道およ
び／あるいは形状を制御させてるつぼ内のＭｇＯに照射
させ、このＭｇＯを基板に蒸着させる永久磁石および収
束コイルを用いる制御手段と、真空チャンバ内のうちプ
ラズマガン側にプラズマビーム外周を取囲んで設けら
れ、ＭｇＯに照射されたプラズマビームが生じる反射電
子流が帰還する電子帰還電極とを備えた真空成膜装置を
用いたＭｇＯ膜形成方法において、るつぼ内にＭｇＯを
収納する工程と、プラズマガンを作動させて、プラズマ
ビームを生成し、このプラズマビームをるつぼ内のＭｇ
Ｏに照射する工程と、ビームがＭｇＯに照射した際生じ
る反射電子流を帰還電極に戻すとともに、るつぼから蒸
発するＭｇＯをイオン化して基板に蒸着させてＭｇＯ膜
を形成する工程と、を備えたことを特徴とするＭｇＯ膜
形成方法、および基板と、基板上に蒸着されＭｇＯ膜と
からなり、上記記載のＭｇＯ膜形成によって形成された
パネルである。

【０００８】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
説明する。図１、図２および図１３は本発明の一実施の
形態を示す図である。

【０００９】まず図２により、本発明によるＭｇＯ膜形
成方法を行なう真空成膜装置１０が組込まれたシステム
全体の概略について説明する。まずテーブル５１上に設
けられた基板１３がロードロック室５２内に搬送され、
このロードロック室５２内で加熱装置５２ａにより加熱
されるようになっている。この場合、ロードロック室５
２は、真空ポンプ５３により吸引される。

【００１０】ロードロック室５２内の基板１３は、次に
真空成膜装置１０の上方部分５４に搬送され、この真空
成膜装置１０の上方部分５４内において、搬送される基
板１３の下面に薄膜が形成されるようになっている。な
お、基板１３の搬送速度は搬送速度計５４ａによって測
定される。また真空成膜装置１０は真空チャンバ１２
と、プラズマガン１１とを備えている。さらに真空チャ
ンバ１２には真空ポンプ５４によって吸引され、さらに
真空チャンバ１２には質量分析計５５が接続されてい
る。

【００１１】次に図１により真空成膜装置１０について
詳述する。真空成膜装置１０は、上述のように真空ポン
プ５４により吸引されるとともに接地された真空チャン
バ１２と、真空チャンバ１２に短管部１２Ａを介して取
付けられるとともに、プラズマビーム２２を生成し、こ
のプラズマビーム２２を真空チャンバ１２内に供給する
プラズマガン１１とを備えている。また真空チャンバ１
０の上方部分５４には、ロードロック室５２から搬送さ
れた基板１３が配設されている。この場合、基板１３
は、例えばソーダライムガラス（ＡＳ１４００×１００
０×２．８ｔ旭硝子（株））のようなガラス材からな
り、ＰＤＰパネル６５（図１３参照）を作製するために
用いられる。

【００１２】図１に示すようにプラズマガン１１は、放
電電源１４のマイナス側に接続された環状の陰極１５
と、放電電源１４のプラス側に抵抗を介して接続された
環状の第１中間電極１６および第２中間電極１７とを有
し、陰極１５側から放電ガス（Ａｒ）が供給され、この
放電ガスをプラズマ状態にして第２中間電極１７から真
空チャンバ１２内に向けて流出させるようになってい
る。

【００１３】また、真空チャンバ１２と第２中間電極１
７との間の短管部１２Ａの外側には、この短管部１２Ａ
を包囲するように収束コイル１８が設けられている。こ
の収束コイル１８はプラズマビーム２２を磁場により軌
道および／あるいは形状を制御するものであり、このよ
うな制御としてはプラズマビーム２２の収束、平らな形
状にすること、およびるつぼ内に引っ込む等の制御が考
えられる。また真空チャンバ１２内の下部には、放電電
源１４のプラス側に接続された導電性材料からなるるつ
ぼ１９が配置されており、このるつぼ１９上に薄膜の材
料となる成膜材料（ＭｇＯ）２０が収納されている。さ
らに、るつぼ１９の内部にはるつぼ用磁石２１が設けら
れている。また、るつぼ１９は真空チャンバ１２および
アース６０に対して電気的に浮遊状態となっている。

【００１４】また図に示すように、短管部１２Ａ内にプ
ラズマガン１１の出口部から絶縁管１が突設され、この
絶縁管１はプラズマビーム２２の周囲を取囲み、プラズ
マガン１１から電気的に浮遊状態となっている。また真
空チャンバ１２に連結された短管部１２Ａ内に、絶縁管
１の外周側を取巻くとともに、放電電源１４のプラス側
に接続され、プラズマガン１１の出口部よりも高い電位
状態となる電子帰還電極２が設けられている。なお、前
記絶縁管１としては、たとえば、セラミック製短管が採
用される。

【００１５】さらにまた、真空チャンバ１２の内面に
は、真空チャンバ１２から電気的に浮遊状態となる防着
板４０が設けられている。この防着板４０はＳＵＳ板か
らなり、後述するプラズマビーム２が成膜材料（Ｍｇ
Ｏ）２０に照射した場合に生じる反射電子流３が真空チ
ャンバ１２へ帰還して接地されることを防止するもので
ある。なお、防着板４０を設ける代わりに、真空チャン
バ１２内面に反射電子流が真空チャンバ１２へ帰還する
ことを防止するための絶縁コーティング膜（図示せず）
を設けてもよい。

【００１６】また真空チャンバ１２内には、基板１３近
傍に基板１３上に形成される薄膜の形成速度を測定する
成膜速度計４１が設けられ、また成膜速度計４１の下方
には真空チャンバ１２内の真空度および成膜真空度を各
々測定する真空計４２が設けられている。さらに、真空
チャンバ１２内のるつぼ１９近傍には、酸素供給管４３
が設けられている。

【００１７】さらに放電電源１４には、プラズマガン１
１の電流値および電圧値を各々測定するプラズマガン電
流計４５およびプラズマガン電圧計４６が接続され、ま
た電子帰還電極２には電子帰還電極電流を測定する電子
帰還電極電流計４７が接続されている。さらにまた真空
チャンバ１２とアース６０との間には、真空チャンバ１
２からの接地電流を測定する接地電流計４８が設けられ
ている。

【００１８】なお、上述したプラズマガン電流計４５、
プラズマガン電圧計４６、電子帰還電極電流計４７、接
地電流計４８、成膜速度計４１、真空計４２および搬送
速度計５４ａからの測定値は、測定値収集ユニット４４
内に収集され、この測定値収集ユニット４４において、
上述した測定値を一括して収納し、成膜工程を適切に管
理することができるようになっている。

【００１９】次にこのような構成からなる真空成膜装置
１０を用いたＭｇＯ膜形成方法について説明する。

【００２０】まず予め、るつぼ１９内にＭｇＯのペレッ
トからなる成膜材料２０が収納される。次に放電電源１
４によってプラズマガン１１が作動して、プラズマガン
１１の第２中間電極１７から成膜材料２０に向けてプラ
ズマビーム２２が形成され、プラズマビーム２２が成膜
材料（ＭｇＯ）２０に照射される。この場合、るつぼ１
９内の成膜材料２０が蒸発し、蒸発した成膜材料２０は
イオン化して基板１３の下面に蒸着し、基板１３の下面
にＭｇＯの薄膜６６（図１３）が形成される。この間、
プラズマビーム２２に対して、収束コイル１８はプラズ
マビーム２２の横断面を収縮させる作用を行ない、また
るつぼ用磁石２１はプラズマビーム２２の焦点合わせお
よびプラズマビーム２２を曲げさせる作用を行なう。ま
た、プラズマビーム２２がるつぼ１９内の成膜材料２０
に照射され、成膜材料２０が蒸発する際、同時に酸素供
給管４３から蒸発する成膜材料（ＭｇＯ）２０に対して
酸素を供給し、蒸発するＭｇＯの酸素濃度を高める。

【００２１】一般に図１３に示すように、基板１３とな
るＰＤＰパネル用のガラス板には、予めＡｇ層からなる
導電層６１が形成され、このＡｇ層６１を囲んでＩＴＯ
層６２および誘電層（ＰＢＯ₂層）６３が形成されてい
る。この場合、ＰＤＰパネル用のガラス板１３に酸素リ
ッチのＭｇＯ膜６６を形成することにより、ガラス板１
３に予め形成されたＡｇ層６６がＭｇＯ膜６６側へ拡散
することを防止することができ、Ａｇ層６１の拡散によ
り生じる黄変を防止することができる。このようにして
基板１３上にＭｇＯ膜６６を形成することにより、ＰＤ
Ｐパネル６５を作製することができる。

【００２２】ところでプラズマビーム２２がるつぼ１９
内の成膜材料２０に照射されると、るつぼ１９は真空チ
ャンバ１２およびアース６０に対して電気的に浮遊状態
となっているために、プラズマビーム２２が成膜材料２
０から反射して反射電子流３が生じる。この場合、真空
チャンバ１２内面には真空チャンバ１２から電気的に浮
遊する防着板４０が設けられているので、防着板４０に
より反射電子流３の真空チャンバ１２側への帰還が妨げ
られる。このため大部分の反射電子流３をプラズマビー
ム２２の外側を通して電子帰還電極２側へ確実に帰還さ
せることができる。

【００２３】次に反射電子流３の流れについてさらに詳
述する。図１１に示すように、電子帰還電極２はるつぼ
１９から離れた位置に設けられているため、るつぼ１９
上から蒸発した成膜材料２０が電子帰還電極２に付着し
にくくなっている。また、プラズマガン１１から出たプ
ラズマビーム２２と電子帰還電極２との間に両者を遮る
絶縁管１が設けられているので、このプラズマビーム２
２が電子帰還電極２に入射して、陰極１５と電子帰還電
極２との間で異常放電が発生するのを防止するようにな
っている。このため、反射電子流３はプラズマビーム２
２の外側の、プラズマビーム２２とは分離した経路に沿
って電子帰還電極２まで延びて形成され、プラズマビー
ム２２が連続的かつ安定して持続される。この持続時間
は絶縁管１および電子帰還電極２を設けない場合に比し
て倍以上となり、飛躍的に向上することが確認されてい
る。また、絶縁管１を設けて、異常放電の発生を防止し
て、プラズマビーム２２の電子帰還電極２への流れ込み
による電力ロスを減少させるようにした結果、プラズマ
ガン１１から照射するプラズマビーム２２が同一の場
合、約２０％だけ成膜速度（材料蒸発量）が向上した。
さらに、電子帰還電極２を収束コイル１８に近い位置に
設けることにより装置全体が、小型化される。

【００２４】なお、るつぼ１９は真空チャンバ１２およ
びアース６０に対して電気的に浮遊状態となっている
が、蒸発材料が絶縁性のもの、例えば、ＭｇＯを用いた
場合は、成膜過程においてるつぼ自体が絶縁性となるた
め、真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気的
に浮遊状態にしておかなくても結果として電気的に浮遊
状態となり得る。

【００２５】次に図３および図４により、真空成膜装置
１０の他の変形例について説明する。図３および図４に
おいて、図１および図２に示す装置と同一の部分につい
ては、同一符号を付して詳細な説明を省略する。

【００２６】図３および図４に示すように、真空チャン
バ１２には一対のプラズマガン１１が連結され、各プラ
ズマガン１１から発生するプラズマビーム２２の横断面
を収縮させるため、各プラズマビーム２２に対して同極
性同志（Ｎ極同志、或いはＳ極同志）のシート状磁石
４，４が電子帰還電極２の前方に設けられている。

【００２７】このようにシート状磁石４，４を設けるこ
とにより、成膜材料２０に入射するプラズマビーム２２
をシート状にし、成膜材料２０に対する広巾の蒸発源を
形成することができる。このため広巾基板１３に対して
適切に薄膜を形成することができる。

【００２８】図５〜図１１は、真空成膜装置１０の他の
変形例を示すプラズマガン１１および真空チャンバ１２
の短管部１２Ａの図である。図５〜図１１において、図
１および図２に示す第１の実施の形態と同一部分には同
一符号を付して詳細な説明を省略する。

【００２９】図５および図６に示す実施の形態は、電子
帰還電極２にその表面に付着する成膜材料２０を払拭し
て、除去する旋回式ワイパ５を設け、電子帰還電極２の
表面を反射電子帰還のために良好な状態を長期間保てる
ようにしたものである。

【００３０】図７に示す実施の形態は、電子帰還電極２
のプラズマガン１１とは反対の側の面６を凹凸形状に形
成して、反射電子帰還のための表面積を増大させたもの
である。

【００３１】図８に示す実施の形態は、真空チャンバ１
２の短管部１２Ａの真空チャンバ１２内側開口部に、バ
ッフルプレート７を設けたものである。このバッフルプ
レート７は例えば格子状に、多数の貫通部７ａを全面に
わたって万遍なく散在させ、かつ、中央部にプラズマビ
ーム２２の通過口７ｂを設けたものであり、電子帰還電
極２の表面に達するガス状態の成膜材料２０の量を減少
させるようにしたものである。なお、このバッフルプレ
ート７は、前述したワイパ５とともに、或いは凹凸の面
６を有する真空成膜装置１０にも適用できる。

【００３２】これら図５〜図８に示す構成により、より
一層、プラズマビームを連続安定して形成することがで
きるようになる。

【００３３】なお、真空成膜装置１０は、電子帰還電極
２あるいは絶縁管１の配設位置と断面形状について、前
述した各実施形態に示すものに限定するものではない。
これら電子帰還電極２あるいは絶縁管１の配置位置につ
いては、プラズマビーム２２を取り巻くとともに、短管
部１２Ａ内であればよく、例えば、図９に示すように、
電子帰還電極２および絶縁管１を短管部１２Ａ内の真空
チャンバ１２内側に片寄らせて配置してもよい。また断
面形状についても、この図９に示す例では、電子帰還電
極２の断面形状を矩形とし、絶縁管１をプラズマガン１
１側にフランジを有する筒体形状とするのが好ましい。

【００３４】このような構成により、さらに一層反射電
子を効率よく捕捉できるようになる。

【００３５】図１０は、電子帰還電極２内に電子帰還電
流水冷用ジャケット２３を形成し、この電子帰還電流水
冷用ジャケット２３の入口部に冷却水流入管２４を接続
するとともに、その出口部に冷却水流出管２５を接続し
て、電子帰還電極２を水冷構造としたものである。

【００３６】また、図１１は、図８に示すバッフルプレ
ート７内に水冷用ジャケット２６を形成し、この水冷用
ジャケット２６の入口部に冷却水流入管２７を接続する
とともに、その出口部に冷却水流出管２８を接続して、
バッフルプレート７を水冷構造としたものである。

【００３７】図１０および図１１において、電子帰還電
極２およびバッフルプレート７のそれぞれの温度上昇を
抑制することができ、投入可能放電電力を増大させ、成
膜速度を向上させ得るようになっている。

【００３８】なお、前述した各実施形態において、絶縁
管１はプラズマガン１１に対して電気的に浮遊状態に保
たれていれば、その材料は、導電性物質か否かは問わな
い。

【００３９】次に図１２により真空成膜装置の他の変形
例について説明する。図１２に示す実施の形態は、電子
帰還電極２の構成が異なるのみであり、他は図１および
図２に示す実施の形態と同一である。

【００４０】図１２に示すように、電子帰還電極２は内
部にコイル（又は永久磁石）２ａを有し、プラズマガン
１１から発生するプラズマビーム２２を電子帰還電極２
２に接触させることなく通過させるようになっている。
また電子帰還電極２は、内部にヒータ２ｂを有し、電子
帰還電極２の表面に付着する成膜材料２０を加熱除去す
るようになっている。なお、電子帰還電極２が反射電子
流３の帰還によって加熱され、一定温度が保持される場
合はヒータ２ｂを設ける必要はない。さらにまた、図１
２に示すように電子帰還電極２のコイル（または永久磁
石）２ａの外側には、コイル（または永久磁石）２ａを
保護するため、コイルまたは永久磁石水冷用ジャケット
２ｃおよび真空断熱層２ｄが設けられている。成膜材料
２０の加熱除去中は、図１０に示す電子帰還電極水冷用
ジャケット２３用の水は抜いておく。

【００４１】次に図１２において、電子帰還電極２の表
面に付着する成膜材料２０を加熱除去する作用について
消去する。電子基環電極２が加熱されると、表面に付着
する成膜材料２０が蒸発して除去される。但し電子帰還
電極２は一般に無酸素銅からなっているが、成膜材料２
０がＭｇＯの場合、融点が１３００℃以上となるため、
無酸素銅を用いることはできず、この場合は電子帰還電
極２として高融点金属のＭｏ又はＷが用いられる。

【００４２】又、付着した成膜材料２０が蒸発するまで
電子帰還電極２を加熱する場合、電子帰還電極２内のコ
イル（又は永久磁石）２ａが損傷または性能が低下する
が、上述のようにコイル（又は永久磁石）２ａの外側に
コイルまたは永久磁石水冷用ジャケット２ｃおよび真空
断熱層２ｄを設けることにより、コイル（又は永久磁
石）２ａの損傷および性能低下を防止することができ
る。

【００４３】

【実施例】第１の実施例次に本発明の実施例について説明する。第１の実施例は
図３および図４に示す実施の形態に対応するものであ
り、真空チャンバ１２に一対のプラズマガン（Ｒガン、
Ｌガン）１１が設けられている。

【００４４】本実施例において運転条件を次のようにし
た。

【００４５】

【表１】プラズマガンのパワーアップ時間５５０ｓｅｃ基板搬送速度１２５ｍｍ／ｍｉｎるつぼの移動速度１ｍｍ／２１ｓｅｃ基板加熱温度３００℃ 酸素供給量Ｌガン、Ｒガン共に１２ｓｃｃｍ。

【００４６】この結果、基板１３に蒸着速度２３オング
ストローム／ｓｅｃでＭｇＯ膜６６が形成され、膜厚は
５０００オングストロームとなった。第２の実施例次に第２の実施例について述べる。第２の実施例も図３
および図４に示す実施の形態に対応するものである。

【００４７】第２の実施例は真空チャンバ１２に一対の
プラズマガン（Ｒガン、Ｌガン）１１を設け、るつぼ１
９を真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気的
に浮遊状態としたものである。また、成膜プロセスにお
ける放電電圧、放電電流、電子帰還電流、接地電流、基
板搬送速度および成膜真空度の時間変化を各々図１４お
よび図１５に示す。

【００４８】ここで図１４はＰＤＰ用基板１３（２５イ
ンチ）にＭｇＯ膜を形成した時の実験結果を示し、図１
５はガラス基板１３（６０インチ）にＭｇＯ膜を形成し
た時の実験結果を示す。

【００４９】図１４および図１５に示すように、るつぼ
１９は真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気
的に浮遊状態となっているので、接地電源はほとんどな
く、安定した電子帰還電流を得ることができる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、プラズマ
ビームをＭｇＯに照射することにより生成した真空チャ
ンバ内の反射電子流を確実に電子帰還電極に戻すことが
できる。このため、真空チャンバ内においてプラズマビ
ームを安定して形成することができ、これによって基板
上にＭｇＯの薄膜を安定して形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるＭｇＯ膜形成方法を行なう真空成
膜装置を示す図。

【図２】真空成膜装置が組込まれたシステム全体を示す
図。

【図３】真空成膜装置の変形例を示す図である。

【図４】図３に示す真空成膜装置におけるシート状磁石
の前後のプラズマビームの状態を示す図である。

【図５】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガ
ン、および真空チャンバの短管部の図である。

【図６】図５に示す電子帰還電極を前方側から見た図で
ある。

【図７】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガ
ン、および真空チャンバの短管部の図である。

【図８】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガ
ン、および真空チャンバの短管部を示す図である。

【図９】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガ
ン、および真空チャンバの短管部の図である。

【図１０】真空成膜装置の電子帰還電極を示す図であ
る。

【図１１】真空成膜装置のバッフルプレートを示す図で
ある。

【図１２】真空成膜装置の他の変形例を示す図である。

【図１３】本発明によるＰＤＰパネルを示す図である。

【図１４】本発明の具体的実施例を示す図

【図１５】本発明の具体的実施例を示す図

【符号の説明】

１絶縁管２電子帰還電極２ａコイル又は永久磁石２ｂヒータ２ｃコイル又は永久磁石用水冷用ジャケット２ｄ真空断熱層３反射電子流４シート状磁石１１プラズマガン１２真空チャンバ１２Ａ短管部１３基板１４放電電源１５陰極１６第１中間電極１７第２中間電極１８収束コイル１９るつぼ２０成膜材料２１るつぼ用磁石２２プラズマビーム２３電子帰還電極水冷用ジャケット４０防着板４１成膜速度計４２真空計４３酸素供給管４４測定値収集ユニット４５プラズマガン電流計４６プラズマガン電圧計４７電子帰還電極電流計４８接地電流計６５ＰＤＰパネル６６ＭｇＯ膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部にＭｇＯを収納したるつぼと基板が配
置されるとともに、接地された真空チャンバと、真空チ
ャンバ内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型
プラズマガンと、プラズマガンにより生成したプラズマ
ビームを磁場により軌道および／あるいは形状を制御さ
せてるつぼ内のＭｇＯに照射させ、このＭｇＯを基板に
蒸着させる永久磁石および収束コイルを用いる制御手段
と、真空チャンバ内のうちプラズマガン側にプラズマビ
ーム外周を取囲んで設けられ、ＭｇＯに照射されたプラ
ズマビームが生じる反射電子流が帰還する電子帰還電極
とを備えた真空成膜装置を用いたＭｇＯ膜形成方法にお
いて、るつぼ内にＭｇＯを収納する工程と、プラズマガンを作動させて、プラズマビームを生成し、
このプラズマビームをるつぼ内のＭｇＯに照射する工程
と、ビームがＭｇＯに照射した際生じる反射電子流を帰還電
極に戻すとともに、るつぼから蒸発するＭｇＯをイオン
化して基板に蒸着させてＭｇＯ膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とするＭｇＯ膜形成方法。
【請求項２】るつぼ内から蒸発するＭｇＯを基板に蒸着
させる際、蒸発するＭｇＯに対して酸素を供給すること
を特徴とする請求項１記載のＭｇＯ膜形成方法。
【請求項３】真空チャンバ内のるつぼは真空チャンバお
よびアースに対して電気的に浮遊状態となっていること
を特徴とする請求項１記載のＭｇＯ膜形成方法。
【請求項４】基板と、基板上に蒸着されたＭｇＯ膜とからなり、請求項１記載のＭｇＯ膜形成方法によって形成されたパ
ネル。
【請求項５】基板はガラス基板からなることを特徴とす
る請求項３記載のパネル。
【請求項６】パネルはＰＤＰパネルであることを特徴と
する請求項３記載のパネル。