JP2003113467A - 多元素薄膜の形成方法および装置 - Google Patents
多元素薄膜の形成方法および装置Info
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多元素薄膜に要求される所望の膜組成の薄膜
を基板面上に正確かつ能率良く製造しうる多元素薄膜の
形成方法および装置を提供する。 【解決手段】 真空チャンバ２内にガスを供給しつつ排
気し、真空チャンバ２内を所定の圧力に保持しながら、
基板８を載置する基板ホルダ９と、ターゲット３が配置
されるスパッタリング電極４ａ〜４ｄの双方に電力を印
加するとともに、前記基板ホルダ９を回転させながら基
板８を処理する多元素薄膜の形成方法であって、前記タ
ーゲット３は複数あり、互いに組成又は組成比の異なる
化合物或いは混合物からなり、前記基板ホルダ９と前記
スパッタリング電極４ａ〜４ｄに印加する電力を各ター
ゲット３ごとに独立に調整する。
を基板面上に正確かつ能率良く製造しうる多元素薄膜の
形成方法および装置を提供する。 【解決手段】 真空チャンバ２内にガスを供給しつつ排
気し、真空チャンバ２内を所定の圧力に保持しながら、
基板８を載置する基板ホルダ９と、ターゲット３が配置
されるスパッタリング電極４ａ〜４ｄの双方に電力を印
加するとともに、前記基板ホルダ９を回転させながら基
板８を処理する多元素薄膜の形成方法であって、前記タ
ーゲット３は複数あり、互いに組成又は組成比の異なる
化合物或いは混合物からなり、前記基板ホルダ９と前記
スパッタリング電極４ａ〜４ｄに印加する電力を各ター
ゲット３ごとに独立に調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜電子デバイス
分野で使用される光学薄膜や磁性薄膜、誘電体膜、絶縁
膜、導電性膜等を製造する多元素薄膜の形成方法および
装置に関するものである。
分野で使用される光学薄膜や磁性薄膜、誘電体膜、絶縁
膜、導電性膜等を製造する多元素薄膜の形成方法および
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】デジタル技術、ＩＴ技術の急速な発展に
伴い、それらを支える基幹パーツである電子デバイスに
おいては益々、高性能化や小型化、低価格化が加速され
る一方である。
伴い、それらを支える基幹パーツである電子デバイスに
おいては益々、高性能化や小型化、低価格化が加速され
る一方である。
【０００３】これら電子デバイスの製造には真空技術を
応用した薄膜加工技術が不可欠であり、日夜、活発な開
発競争が行なわれている。
応用した薄膜加工技術が不可欠であり、日夜、活発な開
発競争が行なわれている。
【０００４】なかでも、デバイスの特性を左右する機能
薄膜の開発は、その材料の選定から実験、実証を経て、
如何に量産規模で安定したモノづくりができるかが重要
である。
薄膜の開発は、その材料の選定から実験、実証を経て、
如何に量産規模で安定したモノづくりができるかが重要
である。
【０００５】一方、これら機能薄膜の作成方法として
は、真空技術を用いた蒸着法やスパッタリング法が主流
であり、なかでもスパッタリング法は、形成される薄膜
の原材料であるターゲットの組成を調整することで、比
較的容易に所望の組成を有する薄膜が、広範囲にわたっ
て得られるため、現在最も一般的に用いられている薄膜
形成技術である。
は、真空技術を用いた蒸着法やスパッタリング法が主流
であり、なかでもスパッタリング法は、形成される薄膜
の原材料であるターゲットの組成を調整することで、比
較的容易に所望の組成を有する薄膜が、広範囲にわたっ
て得られるため、現在最も一般的に用いられている薄膜
形成技術である。
【０００６】以下、従来の一般的なスパッタリング装置
を用いた薄膜の形成方法について、図７を参照して説明
する。
を用いた薄膜の形成方法について、図７を参照して説明
する。
【０００７】図７は一般的なスパッタリング装置の正面
断面図である。図７において、真空排気システム１０１
が接続された真空チャンバ１０２の内壁にはスパッタリ
ングターゲット１０３を有するスパッタリング電極１０
４が、絶縁材１０５を介して配設され、マッチング回路
１０６（高周波スパッタリングの場合）を介して、スパ
ッタリング用電源１０７が接続される。
断面図である。図７において、真空排気システム１０１
が接続された真空チャンバ１０２の内壁にはスパッタリ
ングターゲット１０３を有するスパッタリング電極１０
４が、絶縁材１０５を介して配設され、マッチング回路
１０６（高周波スパッタリングの場合）を介して、スパ
ッタリング用電源１０７が接続される。
【０００８】真空チャンバ１０２内には薄膜を形成する
基板１０８を設置する基板ホルダ１０９が配設され、必
要に応じては回転できるように、モータ等の回転機構１
１６が接続される。
基板１０８を設置する基板ホルダ１０９が配設され、必
要に応じては回転できるように、モータ等の回転機構１
１６が接続される。
【０００９】また、スパッタリング電極１０４に設置さ
れたターゲット１０３と基板ホルダ１０９に設置された
基板１０８との間には、放電安定待ち時間やターゲット
クリーニングのための放電（プリスパッタ）中に、基板
１０８にスパッタ粒子が到達することを防ぐためのシャ
ッタ１１７が配設され、薄膜形成時には開くことができ
るようにモータ等の駆動機構（図示せず）が接続され
る。
れたターゲット１０３と基板ホルダ１０９に設置された
基板１０８との間には、放電安定待ち時間やターゲット
クリーニングのための放電（プリスパッタ）中に、基板
１０８にスパッタ粒子が到達することを防ぐためのシャ
ッタ１１７が配設され、薄膜形成時には開くことができ
るようにモータ等の駆動機構（図示せず）が接続され
る。
【００１０】更に、通常はＡｒガスが封入されるスパッ
タリングガス用ボンベ１１０と、Ｏ 2やＮ2ガスが封入さ
れ反応性スパッタリングの必要に応じて用いられる反応
ガス用ボンベ１１２がそれぞれ独立した流量調整器１１
１と１１３を介して真空チャンバ１０２に接続されてお
り、また圧力調整バルブ１１４が真空チャンバ１０２と
真空排気システム１０１との間に接続される。
タリングガス用ボンベ１１０と、Ｏ 2やＮ2ガスが封入さ
れ反応性スパッタリングの必要に応じて用いられる反応
ガス用ボンベ１１２がそれぞれ独立した流量調整器１１
１と１１３を介して真空チャンバ１０２に接続されてお
り、また圧力調整バルブ１１４が真空チャンバ１０２と
真空排気システム１０１との間に接続される。
【００１１】以上のように構成されたスパッタリング装
置について、その動作原理を説明する。
置について、その動作原理を説明する。
【００１２】薄膜の形成を行うには、真空チャンバ１０
２を真空ポンプ等を有した排気システム１０１にて１０
-5Ｐａ程度の高真空まで排気し、スパッタリングガス用
ボンベ１１０と必要に応じて反応ガス用ボンベ１１２を
それぞれのガス流量調整器１１１および１１３を通じて
Ａｒガス、Ｏ2ガス、Ｎ2ガスを導入し、圧力調整バルブ
１１４を調整して真空チャンバ１０２内を０．１〜１Ｐ
ａ程度の圧力に保つ。
２を真空ポンプ等を有した排気システム１０１にて１０
-5Ｐａ程度の高真空まで排気し、スパッタリングガス用
ボンベ１１０と必要に応じて反応ガス用ボンベ１１２を
それぞれのガス流量調整器１１１および１１３を通じて
Ａｒガス、Ｏ2ガス、Ｎ2ガスを導入し、圧力調整バルブ
１１４を調整して真空チャンバ１０２内を０．１〜１Ｐ
ａ程度の圧力に保つ。
【００１３】この時、複合材ターゲット等によるスパッ
タリングで、基板ホルダ１０９を回転させる必要がある
時は回転機構１１６により回転をスタートさせる。
タリングで、基板ホルダ１０９を回転させる必要がある
時は回転機構１１６により回転をスタートさせる。
【００１４】次に、ターゲット１０３を取付けたスパッ
タリング電極１０４に、直流あるいは交流のスパッタリ
ング電源１０７により負の電圧を印加することで放電が
起こり、真空チャンバ１０２にプラズマが発生すること
で、ターゲット１０３がスパッタされる。
タリング電極１０４に、直流あるいは交流のスパッタリ
ング電源１０７により負の電圧を印加することで放電が
起こり、真空チャンバ１０２にプラズマが発生すること
で、ターゲット１０３がスパッタされる。
【００１５】ここで、放電が安定し、ターゲット表面の
汚染が充分クリーニングされたことを確認した後、基板
ホルダ１０９とターゲット１０３の間に配設されたシャ
ッタ１１７をシャッタ開閉機構（図示せず）により開く
ことで、ターゲット１０３から飛び出したスパッタ粒子
が、基板ホルダ１０９に設置した基板１０８上に堆積さ
れ、薄膜が形成される。
汚染が充分クリーニングされたことを確認した後、基板
ホルダ１０９とターゲット１０３の間に配設されたシャ
ッタ１１７をシャッタ開閉機構（図示せず）により開く
ことで、ターゲット１０３から飛び出したスパッタ粒子
が、基板ホルダ１０９に設置した基板１０８上に堆積さ
れ、薄膜が形成される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、冒頭で述べた
ように、近年の電子デバイスの進歩に伴う薄膜化の流れ
は、とどまるところを知らず、機能薄膜においてもその
特性向上の目的から、薄膜の多元素化が急速に進んでい
る。
ように、近年の電子デバイスの進歩に伴う薄膜化の流れ
は、とどまるところを知らず、機能薄膜においてもその
特性向上の目的から、薄膜の多元素化が急速に進んでい
る。
【００１７】さらに、デバイスの基本特性を満足させる
材料開発に加え、そのデバイスの信頼性や耐久性向上の
目的として、薄膜材料自体の耐食性や耐湿性等の改善が
求められている。この対策には、基本特性を有する機能
薄膜に、さらに数％程度の添加材料が有効であり、結果
として４〜５元素から成る材料が当たり前となってきて
いる。しかも、これらの添加材料は多すぎると、機能薄
膜が持つ本来の特性を悪化させる原因となるため、その
バラツキを１％程度あるいはそれ以下に制御しなければ
ならない。
材料開発に加え、そのデバイスの信頼性や耐久性向上の
目的として、薄膜材料自体の耐食性や耐湿性等の改善が
求められている。この対策には、基本特性を有する機能
薄膜に、さらに数％程度の添加材料が有効であり、結果
として４〜５元素から成る材料が当たり前となってきて
いる。しかも、これらの添加材料は多すぎると、機能薄
膜が持つ本来の特性を悪化させる原因となるため、その
バラツキを１％程度あるいはそれ以下に制御しなければ
ならない。
【００１８】これらの具体的一例としては、磁気ヘッド
等に使用されるＦｅ系窒化膜のひとつであるＦｅ−Ｔａ
−Ｎ軟磁性膜へのＺｎ添加が上げられる。
等に使用されるＦｅ系窒化膜のひとつであるＦｅ−Ｔａ
−Ｎ軟磁性膜へのＺｎ添加が上げられる。
【００１９】磁気記録の分野においては、高密度記録実
現に不可欠な高飽和磁束密度を有する軟磁性膜の必要性
から、Ｆｅを主成分とした軟磁性膜が主流となる反面、
Ｆｅを使用することによるデバイスへの信頼性の問題が
クローズアップされてきている。
現に不可欠な高飽和磁束密度を有する軟磁性膜の必要性
から、Ｆｅを主成分とした軟磁性膜が主流となる反面、
Ｆｅを使用することによるデバイスへの信頼性の問題が
クローズアップされてきている。
【００２０】そこで、Ｆｅ系磁性膜の信頼性を向上させ
るため、さらに第４、第５の元素を数％加えたＦｅ系磁
性膜が開発されている。Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性膜にＺｎを
数％加えたＦｅ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｎ磁性膜もそのひとつ
で、磁性膜の耐食性、信頼性の向上に効果があることが
確認されている。
るため、さらに第４、第５の元素を数％加えたＦｅ系磁
性膜が開発されている。Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ磁性膜にＺｎを
数％加えたＦｅ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｎ磁性膜もそのひとつ
で、磁性膜の耐食性、信頼性の向上に効果があることが
確認されている。
【００２１】しかし、これら４〜５元素以上の多元素薄
膜を１％程度以下の組成バラツキに抑制しながら安定
に、かつ量産レベルで形成するには従来例の方法では不
可能である。
膜を１％程度以下の組成バラツキに抑制しながら安定
に、かつ量産レベルで形成するには従来例の方法では不
可能である。
【００２２】仮にスパッタリングターゲットの使用初期
レベルでは組成制御が可能であったとしても、ターゲッ
トの経時変化に伴うスパッタ速度やスパッタ粒子の飛来
方向の変化が膜組成のバラツキを誘発する原因となる。
レベルでは組成制御が可能であったとしても、ターゲッ
トの経時変化に伴うスパッタ速度やスパッタ粒子の飛来
方向の変化が膜組成のバラツキを誘発する原因となる。
【００２３】また、現実問題として、作成する多元素薄
膜と使用するターゲットの組成比は必ずしも１対１に対
応せず通常、薄膜形成を行うと組成ずれを起こすため、
所望の組成比を有する薄膜を得るためには予備検討とし
て、数種類の組成比を有するターゲットを準備するか、
あるいは組成比の決まったターゲットと変化させたい元
素のチップを準備してターゲット上に配置するチップの
大きさや量を変化させる等、試行錯誤の実験を多数回行
なう必要があり、コストと時間に大きなロスが生じる。
膜と使用するターゲットの組成比は必ずしも１対１に対
応せず通常、薄膜形成を行うと組成ずれを起こすため、
所望の組成比を有する薄膜を得るためには予備検討とし
て、数種類の組成比を有するターゲットを準備するか、
あるいは組成比の決まったターゲットと変化させたい元
素のチップを準備してターゲット上に配置するチップの
大きさや量を変化させる等、試行錯誤の実験を多数回行
なう必要があり、コストと時間に大きなロスが生じる。
【００２４】したがって本発明の目的は上記の問題点を
解決し、多元素薄膜に要求される所望の膜組成を能率よ
く製造する多元素薄膜の形成方法および装置を提供する
ものである。
解決し、多元素薄膜に要求される所望の膜組成を能率よ
く製造する多元素薄膜の形成方法および装置を提供する
ものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気
し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板
を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパ
ッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記
基板ホルダを回転させながら基板を処理する多元素薄膜
の形成方法であって、前記ターゲットは複数あり、互い
に組成又は組成比の異なる化合物或いは混合物からな
り、前記基板ホルダと前記スパッタリング電極に印加す
る電力を独立に調整することを特徴とする。
成するため、真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気
し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板
を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパ
ッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記
基板ホルダを回転させながら基板を処理する多元素薄膜
の形成方法であって、前記ターゲットは複数あり、互い
に組成又は組成比の異なる化合物或いは混合物からな
り、前記基板ホルダと前記スパッタリング電極に印加す
る電力を独立に調整することを特徴とする。
【００２６】本発明によれば、互いに組成又は組成比の
異なる化合物或いは混合物からなるターゲットに対して
印加する電力を各ターゲットごとに調整することによ
り、所望の膜組成を有する多元素薄膜を能率良く形成で
きる。
異なる化合物或いは混合物からなるターゲットに対して
印加する電力を各ターゲットごとに調整することによ
り、所望の膜組成を有する多元素薄膜を能率良く形成で
きる。
【００２７】また、別の発明は、真空チャンバ内にガス
を供給しつつ排気し、真空チャンバ内を所定の圧力に保
持しながら、基板を載置する基板ホルダと、ターゲット
が配置されるスパッタリング電極の双方に電力を印加す
るとともに、前記基板ホルダを回転させながら基板を処
理する多元素薄膜の形成方法であって、前記ターゲット
は互いに元素又は元素組成の異なる複数のピースで構成
され、前記ターゲットの表面をシャッタ機構で調整する
ことを特徴とする。
を供給しつつ排気し、真空チャンバ内を所定の圧力に保
持しながら、基板を載置する基板ホルダと、ターゲット
が配置されるスパッタリング電極の双方に電力を印加す
るとともに、前記基板ホルダを回転させながら基板を処
理する多元素薄膜の形成方法であって、前記ターゲット
は互いに元素又は元素組成の異なる複数のピースで構成
され、前記ターゲットの表面をシャッタ機構で調整する
ことを特徴とする。
【００２８】本発明によれば、シャッタの開度等を調整
することで、ターゲットの各ピースの露出面積割り合い
を増減させることとなり、これにより所望の膜組成を有
する多元素薄膜を能率良く製造できる。
することで、ターゲットの各ピースの露出面積割り合い
を増減させることとなり、これにより所望の膜組成を有
する多元素薄膜を能率良く製造できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態１、
２を図１〜６および表１、２に基づいて詳細に説明す
る。 （実施の形態１）以下、本発明の実施の形態１につい
て、図面を参照して説明する。
２を図１〜６および表１、２に基づいて詳細に説明す
る。 （実施の形態１）以下、本発明の実施の形態１につい
て、図面を参照して説明する。
【００３０】まず、本実施の形態におけるスパッタリン
グ装置について、図１を参照して説明する。
グ装置について、図１を参照して説明する。
【００３１】図１の（ａ）はスパッタリング装置の正面
断面図、（ｂ）はその平面断面図である。
断面図、（ｂ）はその平面断面図である。
【００３２】図１において、真空排気系１が接続された
真空チャンバ２の内壁にはターゲット３を設置したスパ
ッタリング電極４ａ〜４ｄが絶縁材５を介して配設さ
れ、マッチング回路６ａ〜６ｄ（高周波スパッタリング
の場合）を介して、スパッタリング用電源７ａ〜７ｄが
接続される。このスパッタリング電極４ａ〜４ｄは、図
１（ｂ）に示すように、複数の基板８載置する基板ホル
ダ９の側周面と対向して、複数（図の例では４基）配置
されている。また、各スパッタリング電極４ａ〜４ｄに
はそれぞれにスパッタリング用電源７ａ〜７ｄが接続さ
れるため、各電極４ａ〜４ｄごとに独立したスパッタ電
力制御が可能となる。具体的には、スパッタリング電極
４ａにはマッチング回路６ａを介してスパッタリング用
電源７ａが接続され、スパッタリング電極４ｂにはマッ
チング回路６ｂを介してスパッタリング用電源７ｂが接
続され、スパッタリング電極４ｃにはマッチング回路６
ｃを介してスパッタリング用電源７ｃが接続され、スパ
ッタリング電極４ｄにはマッチング回路６ｄを介してス
パッタリング用電源７ｄが接続される。
真空チャンバ２の内壁にはターゲット３を設置したスパ
ッタリング電極４ａ〜４ｄが絶縁材５を介して配設さ
れ、マッチング回路６ａ〜６ｄ（高周波スパッタリング
の場合）を介して、スパッタリング用電源７ａ〜７ｄが
接続される。このスパッタリング電極４ａ〜４ｄは、図
１（ｂ）に示すように、複数の基板８載置する基板ホル
ダ９の側周面と対向して、複数（図の例では４基）配置
されている。また、各スパッタリング電極４ａ〜４ｄに
はそれぞれにスパッタリング用電源７ａ〜７ｄが接続さ
れるため、各電極４ａ〜４ｄごとに独立したスパッタ電
力制御が可能となる。具体的には、スパッタリング電極
４ａにはマッチング回路６ａを介してスパッタリング用
電源７ａが接続され、スパッタリング電極４ｂにはマッ
チング回路６ｂを介してスパッタリング用電源７ｂが接
続され、スパッタリング電極４ｃにはマッチング回路６
ｃを介してスパッタリング用電源７ｃが接続され、スパ
ッタリング電極４ｄにはマッチング回路６ｄを介してス
パッタリング用電源７ｄが接続される。
【００３３】真空チャンバ２内には側周面上に複数の基
板８を設置できる円筒形の基板ホルダ９が配設され、基
板ホルダ９は、対抗するターゲット３の表面に対する垂
線のうち、その中心線の交点を中心に回転、すなわち基
板ホルダ９の中心軸１５を中心に自転できるように、モ
ータ等の回転機構１６が接続される。なお、ターゲット
３としては後述する化合物或いは混合物からなり、各ス
パッタリング電極４ａ〜４ｄに配置される各ターゲット
３は互いに組成又は組成比の異なるものが用いられる。
板８を設置できる円筒形の基板ホルダ９が配設され、基
板ホルダ９は、対抗するターゲット３の表面に対する垂
線のうち、その中心線の交点を中心に回転、すなわち基
板ホルダ９の中心軸１５を中心に自転できるように、モ
ータ等の回転機構１６が接続される。なお、ターゲット
３としては後述する化合物或いは混合物からなり、各ス
パッタリング電極４ａ〜４ｄに配置される各ターゲット
３は互いに組成又は組成比の異なるものが用いられる。
【００３４】また、Ａｒガスが封入されるスパッタリン
グガス用ボンベ１０の導入系１１に加え、必要に応じて
Ｏ2やＮ2ガスが封入される反応ガス用ボンベ１２および
該導入系１３が接続される。
グガス用ボンベ１０の導入系１１に加え、必要に応じて
Ｏ2やＮ2ガスが封入される反応ガス用ボンベ１２および
該導入系１３が接続される。
【００３５】さらに、スパッタリング電極４ａ〜４ｄに
設置されたターゲット３と基板ホルダ９に設置された基
板８との間には、放電安定待ち時間やターゲットクリー
ニングのための放電（プリスパッタ）中に、基板にスパ
ッタ粒子が到達することを防ぐためのシャッタ機構１７
が配設され、薄膜形成時には開くことができるようにモ
ータ等の駆動機構（図示せず）が接続されている。
設置されたターゲット３と基板ホルダ９に設置された基
板８との間には、放電安定待ち時間やターゲットクリー
ニングのための放電（プリスパッタ）中に、基板にスパ
ッタ粒子が到達することを防ぐためのシャッタ機構１７
が配設され、薄膜形成時には開くことができるようにモ
ータ等の駆動機構（図示せず）が接続されている。
【００３６】以上の装置でスパッタリングを行なうに
は、まず真空チャンバ２内を真空ポンプ等の真空排気系
１により１０-5Ｐａ程度の高真空まで排気し、スパッタ
リングガス用ボンベ１０からのＡｒ等のスパッタリング
ガスをガス流量調整器１１を調整して真空チャンバ２内
に導入し、圧力調整バルブ１４を調整して真空チャンバ
２内の圧力を０．１〜１Ｐａ程度に保つ。なお、製造す
る薄膜がスパッタリングガスとの化合物の場合には、ス
パッタリングガスと同時に反応ガス用ボンベ１２からの
反応性スパッタリングガスを導入し、前記スパッタリン
グガスと同様にガス流量調整器１３により、両ガスの割
合を調整する。
は、まず真空チャンバ２内を真空ポンプ等の真空排気系
１により１０-5Ｐａ程度の高真空まで排気し、スパッタ
リングガス用ボンベ１０からのＡｒ等のスパッタリング
ガスをガス流量調整器１１を調整して真空チャンバ２内
に導入し、圧力調整バルブ１４を調整して真空チャンバ
２内の圧力を０．１〜１Ｐａ程度に保つ。なお、製造す
る薄膜がスパッタリングガスとの化合物の場合には、ス
パッタリングガスと同時に反応ガス用ボンベ１２からの
反応性スパッタリングガスを導入し、前記スパッタリン
グガスと同様にガス流量調整器１３により、両ガスの割
合を調整する。
【００３７】ここで、基板８を取付けた基板ホルダ９を
自転させると共に、ターゲット３を取付けたスパッタリ
ング電極４ａ〜４ｄに直流あるいは交流のスパッタリン
グ用電源７により負の電圧を印加することでプラズマが
発生し、ターゲット３がスパッタされる。
自転させると共に、ターゲット３を取付けたスパッタリ
ング電極４ａ〜４ｄに直流あるいは交流のスパッタリン
グ用電源７により負の電圧を印加することでプラズマが
発生し、ターゲット３がスパッタされる。
【００３８】ここで、放電が安定し、ターゲット３の表
面の汚染が充分クリーニングされたことを確認した後、
基板ホルダ９とターゲット３の間に配設されたシャッタ
１７をシャッタ開閉機構（図示せず）により開くこと
で、ターゲット３から飛び出したスパッタ粒子が、基板
ホルダ９に設置した基板８上に堆積され、薄膜が形成さ
れる。
面の汚染が充分クリーニングされたことを確認した後、
基板ホルダ９とターゲット３の間に配設されたシャッタ
１７をシャッタ開閉機構（図示せず）により開くこと
で、ターゲット３から飛び出したスパッタ粒子が、基板
ホルダ９に設置した基板８上に堆積され、薄膜が形成さ
れる。
【００３９】次に具体例として、以上のようなスパッタ
リング装置を用いて、４元素（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄと称
す。）からなる多元素薄膜「７０％Ａ−２０％Ｂ−８％
Ｃ−２％Ｄ」の製造方法について図２および表１を参照
して説明する。尚、この多元素薄膜は元素Ａを主成分と
し、添加材元素Ｂ、Ｃ、Ｄよりなり、特に元素Ｄの組成
比制御が重要と仮定する。
リング装置を用いて、４元素（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄと称
す。）からなる多元素薄膜「７０％Ａ−２０％Ｂ−８％
Ｃ−２％Ｄ」の製造方法について図２および表１を参照
して説明する。尚、この多元素薄膜は元素Ａを主成分と
し、添加材元素Ｂ、Ｃ、Ｄよりなり、特に元素Ｄの組成
比制御が重要と仮定する。
【００４０】図２は本実施の形態のスパッタリング装置
の概略平面図である。
の概略平面図である。
【００４１】スパッタリング電極を４基（電極〜電極
）使用する場合、ターゲット３には、成膜する膜組成
比と同じものを１枚、組成および組成比を変化させたも
のを３枚使用する。各ターゲットの詳細組成比を表１に
示す。なおターゲット３としては、２種以上の元素を組
成分とする化合物あるいは混合物からなるターゲットを
用いている。
）使用する場合、ターゲット３には、成膜する膜組成
比と同じものを１枚、組成および組成比を変化させたも
のを３枚使用する。各ターゲットの詳細組成比を表１に
示す。なおターゲット３としては、２種以上の元素を組
成分とする化合物あるいは混合物からなるターゲットを
用いている。
【００４２】
【表１】
以上のターゲットを図２のように、各スパッタリング電
極４ａ〜４ｄに配設し、前述の手順にてスパッタリング
を行い、７０％Ａ−２０％Ｂ−８％Ｃ−２％Ｄ膜を作成
する。
極４ａ〜４ｄに配設し、前述の手順にてスパッタリング
を行い、７０％Ａ−２０％Ｂ−８％Ｃ−２％Ｄ膜を作成
する。
【００４３】スパッタリング装置による薄膜形成におい
ては、各スパッタリング電極４ａ〜４ｄとも一様のスパ
ッタ電力を印加することが一般的ではあるが、本実施の
形態において、もし、作成した４元素薄膜（Ａ−Ｂ−Ｃ
−Ｄ膜）に組成ずれが発生した場合には、以下に述べる
スパッタリング電力の設定変更という簡単な対策による
組成制御で最適組成比を有する多元素薄膜を実現でき
る。
ては、各スパッタリング電極４ａ〜４ｄとも一様のスパ
ッタ電力を印加することが一般的ではあるが、本実施の
形態において、もし、作成した４元素薄膜（Ａ−Ｂ−Ｃ
−Ｄ膜）に組成ずれが発生した場合には、以下に述べる
スパッタリング電力の設定変更という簡単な対策による
組成制御で最適組成比を有する多元素薄膜を実現でき
る。
【００４４】まず、所望の多元素薄膜の組成比が「７０
％Ａ−２０％Ｂ−８％Ｃ−２％Ｄ」であるのに対し、作
成した多元素薄膜が「Ｄ＜２％」の場合には、スパッタ
リング電極４ｃ（電極）に印加するスパッタ電力を増
加させればよい。
％Ａ−２０％Ｂ−８％Ｃ−２％Ｄ」であるのに対し、作
成した多元素薄膜が「Ｄ＜２％」の場合には、スパッタ
リング電極４ｃ（電極）に印加するスパッタ電力を増
加させればよい。
【００４５】これによりスパッタリング電極４ａ（電極
）〜スパッタリング電極４ｄ（電極）に設置したタ
ーゲットの内元素Ｄを一番多く含有しているスパッタリ
ング電極４ｃ（電極）のターゲット「７０％Ａ−１５
％Ｂ−５％Ｃ−１０％Ｄ」から放出されるスパッタ粒子
を、他の電極、、より放出されるものに比べ、大
量にすることができ、最適組成比を有する多元素薄膜を
作成できる。
）〜スパッタリング電極４ｄ（電極）に設置したタ
ーゲットの内元素Ｄを一番多く含有しているスパッタリ
ング電極４ｃ（電極）のターゲット「７０％Ａ−１５
％Ｂ−５％Ｃ−１０％Ｄ」から放出されるスパッタ粒子
を、他の電極、、より放出されるものに比べ、大
量にすることができ、最適組成比を有する多元素薄膜を
作成できる。
【００４６】逆にＤ＞２％の場合には、スパッタリング
電極４ｃ（電極）に印加するスパッタ電力を減少させ
ればよい。
電極４ｃ（電極）に印加するスパッタ電力を減少させ
ればよい。
【００４７】また、ＣやＤの組成ずれに対しては、スパ
ッタリング電極４ｂ（電極）、スパッタリング電極４
ｄ（電極）に印加するスパッタ電力の増減で膜組成比
の最適化が可能となる。
ッタリング電極４ｂ（電極）、スパッタリング電極４
ｄ（電極）に印加するスパッタ電力の増減で膜組成比
の最適化が可能となる。
【００４８】さらには、ターゲットの経時変化による組
成ずれに対しても、スパッタロット間において前述と同
様のスパッタ電力の制御を行なうことで膜組成の最適化
が可能となる。
成ずれに対しても、スパッタロット間において前述と同
様のスパッタ電力の制御を行なうことで膜組成の最適化
が可能となる。
【００４９】加えて、１ロットのスパッタ中に、前述の
スパッタ電力制御を時間の経過に伴い変化させるように
して行なうことで、膜深さ方向に組成の傾斜を持った多
元素薄膜の作成も可能となる。
スパッタ電力制御を時間の経過に伴い変化させるように
して行なうことで、膜深さ方向に組成の傾斜を持った多
元素薄膜の作成も可能となる。
【００５０】以上のように膜組成比の異なるターゲット
を配設し、このターゲットに印加するスパッタ電力を調
整することで所望の膜組成比による基板への成膜が可能
となる。 （実施の形態２）以下、本発明の実施の形態２につい
て、図面を参照して説明する。
を配設し、このターゲットに印加するスパッタ電力を調
整することで所望の膜組成比による基板への成膜が可能
となる。 （実施の形態２）以下、本発明の実施の形態２につい
て、図面を参照して説明する。
【００５１】本実施の形態の特徴は、実施の形態１の説
明で用いた図１において、ターゲット３と基板８の間に
配設されたシャッタ１７が、前記ターゲット３を完全に
覆う位置から完全に露出する位置までの任意の位置に停
止できるように駆動系を制御するところにある。
明で用いた図１において、ターゲット３と基板８の間に
配設されたシャッタ１７が、前記ターゲット３を完全に
覆う位置から完全に露出する位置までの任意の位置に停
止できるように駆動系を制御するところにある。
【００５２】図３に本実施の形態のターゲット２１およ
び基板８とシャッタ駆動機構（図示せず）によるシャッ
タ１７の停止位置との関係を示す。同図（ａ）は完全に
シャッタ１７が閉じてターゲット２１が覆われた状態、
同図（ｂ）は完全にシャッタ１７が開いてターゲット２
１が露出した状態、同図（ｃ）はその中間の位置に駆動
系を制御して停止させた状態であり、シャッタ１７を任
意の位置に停止させることができる。前記ターゲット２
１は、元素または元素組成の異なる複数のピースをバッ
キングプレートに貼り合わせてなる複合ターゲット（タ
ーゲット）を用いる。
び基板８とシャッタ駆動機構（図示せず）によるシャッ
タ１７の停止位置との関係を示す。同図（ａ）は完全に
シャッタ１７が閉じてターゲット２１が覆われた状態、
同図（ｂ）は完全にシャッタ１７が開いてターゲット２
１が露出した状態、同図（ｃ）はその中間の位置に駆動
系を制御して停止させた状態であり、シャッタ１７を任
意の位置に停止させることができる。前記ターゲット２
１は、元素または元素組成の異なる複数のピースをバッ
キングプレートに貼り合わせてなる複合ターゲット（タ
ーゲット）を用いる。
【００５３】本実施の形態においては、図４に示すよう
な元素αのピース２１αと元素βのピース２１βを、１
枚のバッキングプレート２０に、貼り合わせてなる複合
ターゲットであって、前記ピースの分割方向が図１の基
板ホルダ９の中心軸１５に平行であるように作成したタ
ーゲット２１を使用している。本実施の形態では、１基
または複数基のスパッタリング電極４で多元素薄膜を作
成することができる。
な元素αのピース２１αと元素βのピース２１βを、１
枚のバッキングプレート２０に、貼り合わせてなる複合
ターゲットであって、前記ピースの分割方向が図１の基
板ホルダ９の中心軸１５に平行であるように作成したタ
ーゲット２１を使用している。本実施の形態では、１基
または複数基のスパッタリング電極４で多元素薄膜を作
成することができる。
【００５４】図４の元素αと元素βを貼り合わせたター
ゲット２１を用いてスパッタリングを行なうとき、図５
の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、シャッタ１７
の制御機構により元素βの露出面積割り合いを調整する
ことで、元素αと元素βの組成比を制御しながら薄膜作
成を行なうことが可能となる。
ゲット２１を用いてスパッタリングを行なうとき、図５
の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、シャッタ１７
の制御機構により元素βの露出面積割り合いを調整する
ことで、元素αと元素βの組成比を制御しながら薄膜作
成を行なうことが可能となる。
【００５５】次に具体例として、以上のようなシャッタ
１７を有し、かつ、何らかの要因でスパッタリング電極
が１基しか搭載できない（例えば、他のユニットが配設
されている、あるいは、他元素材料との多層膜化が必
要、等）スパッタリング装置を用いて、３元素からなる
多元素薄膜「７５％Ｅ−２０％Ｆ−５％Ｇ」の製造方法
について図６および表２を参照して説明する。尚、多元
素薄膜は元素Ｅを主成分とし、添加材元素Ｆ、Ｇよりな
り、特に元素Ｇの組成比制御が重要であるとする。
１７を有し、かつ、何らかの要因でスパッタリング電極
が１基しか搭載できない（例えば、他のユニットが配設
されている、あるいは、他元素材料との多層膜化が必
要、等）スパッタリング装置を用いて、３元素からなる
多元素薄膜「７５％Ｅ−２０％Ｆ−５％Ｇ」の製造方法
について図６および表２を参照して説明する。尚、多元
素薄膜は元素Ｅを主成分とし、添加材元素Ｆ、Ｇよりな
り、特に元素Ｇの組成比制御が重要であるとする。
【００５６】図６は本実施の形態の、スパッタリング装
置の概略平面図である。
置の概略平面図である。
【００５７】スパッタリング電極４を１基使用する場
合、ターゲット２１には、元素Ｅと元素Ｆの化合物ある
いは混合物からなるピース２１αと元素Ｇのピース２１
βを図４と同様、一枚のバッキングプレート２０に、ス
パッタリング装置の中心軸に平行に分割して貼り合わせ
たものを使用する。本ターゲット２１の詳細組成比を表
２に示す。
合、ターゲット２１には、元素Ｅと元素Ｆの化合物ある
いは混合物からなるピース２１αと元素Ｇのピース２１
βを図４と同様、一枚のバッキングプレート２０に、ス
パッタリング装置の中心軸に平行に分割して貼り合わせ
たものを使用する。本ターゲット２１の詳細組成比を表
２に示す。
【００５８】
【表２】
以上の複合ターゲット２１をスパッタリング電極４に設
置してスパッタリングを行い、７５％Ｅ−２０％Ｆ−５
％Ｇ膜を作成するが、基本的なスパッタリングの手順と
しては、実施の形態１と何ら変わるところが無いのでそ
の説明は省略する。
置してスパッタリングを行い、７５％Ｅ−２０％Ｆ−５
％Ｇ膜を作成するが、基本的なスパッタリングの手順と
しては、実施の形態１と何ら変わるところが無いのでそ
の説明は省略する。
【００５９】通常、スパッタリング装置による薄膜形成
においては、完全にシャッタ１７が開いてターゲット２
１が露出した状態で薄膜形成を行うことが一般的であ
る。しかし、本実施の形態においてはシャッタ１７が所
定の位置で停止することで、元素Ｇのピース２１βが、
シャッタ１７に一部覆われた状態でスパッタリングを行
い、もし、作成した３元素薄膜（Ｅ−Ｆ−Ｇ膜）に組成
ずれが発生した場合には、以下に述べるシャッタ１７の
停止位置の設定変更という簡単な対策による駆動系制御
で最適組成比を有する多元素薄膜を実現できる。
においては、完全にシャッタ１７が開いてターゲット２
１が露出した状態で薄膜形成を行うことが一般的であ
る。しかし、本実施の形態においてはシャッタ１７が所
定の位置で停止することで、元素Ｇのピース２１βが、
シャッタ１７に一部覆われた状態でスパッタリングを行
い、もし、作成した３元素薄膜（Ｅ−Ｆ−Ｇ膜）に組成
ずれが発生した場合には、以下に述べるシャッタ１７の
停止位置の設定変更という簡単な対策による駆動系制御
で最適組成比を有する多元素薄膜を実現できる。
【００６０】まず、所望の多元素薄膜の組成比が「７５
％Ｅ−２０％Ｆ−５％Ｇ」であるのに対し、作成した多
元素薄膜が「Ｇ＜５％」の場合には、シャッタの開度を
大きくし、元素Ｇのピース２１βの露出面積割り合いを
増加させればよい。
％Ｅ−２０％Ｆ−５％Ｇ」であるのに対し、作成した多
元素薄膜が「Ｇ＜５％」の場合には、シャッタの開度を
大きくし、元素Ｇのピース２１βの露出面積割り合いを
増加させればよい。
【００６１】逆に「Ｇ＞５％」の場合には開度を小さく
し、元素Ｇのピース２１βの露出面積割り合いを減少さ
せればよい。
し、元素Ｇのピース２１βの露出面積割り合いを減少さ
せればよい。
【００６２】さらには、ターゲットの経時変化による組
成ずれに対しても、スパッタロット間において前述と同
様のシャッタ停止位置の制御を行なうことで膜組成の最
適化が可能となる。
成ずれに対しても、スパッタロット間において前述と同
様のシャッタ停止位置の制御を行なうことで膜組成の最
適化が可能となる。
【００６３】加えて、１ロットのスパッタ中に、シャッ
タ停止位置の時間的変化の制御を行なうことで、膜深さ
方向に組成の傾斜を持った多元素薄膜の作成も可能とな
る。
タ停止位置の時間的変化の制御を行なうことで、膜深さ
方向に組成の傾斜を持った多元素薄膜の作成も可能とな
る。
【００６４】なお、実施の形態１、２において、スパッ
タリング電極４の数をそれぞれ４基および１基とした
が、何基であっても構わない。また、多元素薄膜の元素
数を４種または３種にしたが、２種以上であれば何の元
素であっても構わない。
タリング電極４の数をそれぞれ４基および１基とした
が、何基であっても構わない。また、多元素薄膜の元素
数を４種または３種にしたが、２種以上であれば何の元
素であっても構わない。
【００６５】以上のように、ターゲットと基板の間に配
設されたシャッタ開度を調整することで所望の膜組成比
による基板への成膜が可能となる。
設されたシャッタ開度を調整することで所望の膜組成比
による基板への成膜が可能となる。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、多元素薄膜に要求され
る所望の膜組成をもった薄膜を基板上に正確にかつ能率
良く形成することができる。
る所望の膜組成をもった薄膜を基板上に正確にかつ能率
良く形成することができる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるスパッタリング
装置を示し、（ａ）はその正面断面図であり、（ｂ）は
その平面断面図である。
装置を示し、（ａ）はその正面断面図であり、（ｂ）は
その平面断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるスパッタリング
装置の概略平面図である。
装置の概略平面図である。
【図３】本発明の実施の形態２におけるターゲットおよ
び基板とシャッタ機構によるシャッタ停止位置との関係
を示し、（ａ）はその閉状態であり、（ｂ）はその開状
態であり、（ｃ）はシャッタが任意の位置に停止した状
態を示した図である。
び基板とシャッタ機構によるシャッタ停止位置との関係
を示し、（ａ）はその閉状態であり、（ｂ）はその開状
態であり、（ｃ）はシャッタが任意の位置に停止した状
態を示した図である。
【図４】本発明の実施の形態２に使用するターゲットの
斜視図である。
斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態２における多元素薄膜の組
成比制御方法の手順を示す説明図である。
成比制御方法の手順を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２におけるスパッタリング
装置の概略平面図である。
装置の概略平面図である。
【図７】従来の一般的なスパッタリング装置の正面断面
図である。
図である。
２ 真空チャンバ
３ ターゲット
４、４ａ〜４ｄ スパッタリング電極
８ 基板
９ 基板ホルダ
１７ シャッタ
２１ 複合ターゲット（ターゲット）
２１α ピース
２１β ピース
フロントページの続き
(72)発明者 村岡 俊作
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 4K029 BA26 BA58 BC06 BD04 BD11
CA05 CA06 DA12 DC15 DC16
DC33 EA09 JA02
5D112 AA05 FA04 FB21
5E049 AA01 AA09 BA12 GC02
Claims (11)
- 【請求項１】 真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気
し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板
を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパ
ッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記
基板ホルダを回転させながら基板を処理する多元素薄膜
の形成方法であって、 前記ターゲットは複数あり、互いに組成又は組成比の異
なる化合物或いは混合物からなり、前記基板ホルダと前
記スパッタリング電極に印加する電力を各ターゲットご
とに独立に調整することを特徴とする多元素薄膜の形成
方法。 - 【請求項２】 基板ホルダは、対抗するターゲットの表
面に対する垂線のうち、その中心線の交点を中心に回転
することを特徴とする請求項１記載の多元素薄膜の形成
方法。 - 【請求項３】 基板ホルダに設置される基板は複数ある
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の多元素薄膜の
形成方法。 - 【請求項４】 複数のターゲットのうち、少なくとも１
つのターゲットを基板に成膜する膜組成比と同一にし、
残りのターゲットを組成又は組成比を変化させたもので
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
多元素薄膜の形成方法。 - 【請求項５】 複数のスパッタリング電極に印加する電
力を時間の経過とともに独立に調整することを特徴とす
る請求項１〜４のいずれかに記載の多元素薄膜の形成方
法。 - 【請求項６】 真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気
し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板
を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパ
ッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記
基板ホルダを回転させながら基板を処理する多元素薄膜
の形成方法であって、 前記ターゲットは互いに元素又は元素組成の異なる複数
のピースで構成され、前記ターゲットの表面をシャッタ
機構で調整することを特徴とする多元素薄膜の形成方
法。 - 【請求項７】 基板ホルダは、対抗するターゲットの表
面に対する垂線のうち、その中心線の交点を中心に回転
することを特徴とする請求項６記載の多元素薄膜の形成
方法。 - 【請求項８】 前記シャッタ機構の停止位置を時間の経
過とともに調整することを特徴とする請求項６又は７記
載の多元素薄膜の形成方法。 - 【請求項９】 側周面上に基板を設置するとともに、中
心軸を中心に回転する筒形の基板ホルダと、基板ホルダ
の側周面に対向する位置に配置されると共に、電力を独
立に調整する複数のスパッタリング電極とを備える多元
素薄膜の形成装置であって、複数のスパッタリング電極
には２種類以上の元素を組成分とする化合物あるいは混
合物からなるターゲットが設置され、この複数ターゲッ
トは互いに組成又は組成比の異なるものであることを特
徴とする多元素薄膜の形成装置。 - 【請求項１０】 側周面上に基板を設置するとともに、
中心軸を中心に回転する筒形の基板ホルダと、基板ホル
ダの側周面に対向する位置に配されると共に、互いに元
素または元素組成の異なる複数のピースからなるターゲ
ットを設置したスパッタリング電極と、前記基板ホルダ
と前記スパッタリング電極との間に配したシャッタ機構
とを備え、このシャッタ機構が前記複合ターゲットの各
ピースの露出面積割り合いを任意に設置しうるように構
成されたことを特徴とする多元素薄膜の形成装置。 - 【請求項１１】 前記ターゲットにおいて、前記ピース
の分割方向が前記基板ホルダの中心軸に平行である請求
項１０記載の多元素薄膜の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309901A JP2003113467A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 多元素薄膜の形成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309901A JP2003113467A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 多元素薄膜の形成方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003113467A true JP2003113467A (ja) | 2003-04-18 |
| JP2003113467A5 JP2003113467A5 (ja) | 2005-05-19 |
Family
ID=19128973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001309901A Withdrawn JP2003113467A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 多元素薄膜の形成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003113467A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2484800A1 (en) | 2011-02-03 | 2012-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Film-forming apparatus and film-forming method |
-
2001
- 2001-10-05 JP JP2001309901A patent/JP2003113467A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2484800A1 (en) | 2011-02-03 | 2012-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Film-forming apparatus and film-forming method |
| US9127353B2 (en) | 2011-02-03 | 2015-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Film-Forming apparatus and Film-Forming method |
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