JP2003113467A5 - - Google Patents
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Description
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記基板ホルダを回転させながら基板を処理する多元素薄膜の形成方法であって、前記ターゲットは複数あり、互いに組成又は組成比の異なる化合物或いは混合物からなり、前記基板ホルダと前記スパッタリング電極に印加する電力を各ターゲットごとに独立に調整し、前記基板ホルダは、前記基板を前記複数のターゲットの各ターゲットに対向する位置に順次搬送するようにして回転することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記基板ホルダを回転させながら基板を処理する多元素薄膜の形成方法であって、前記ターゲットは複数あり、互いに組成又は組成比の異なる化合物或いは混合物からなり、前記基板ホルダと前記スパッタリング電極に印加する電力を各ターゲットごとに独立に調整し、前記基板ホルダは、前記基板を前記複数のターゲットの各ターゲットに対向する位置に順次搬送するようにして回転することを特徴とする。
また、別の発明は、真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記基板ホルダを回転させ基板を前記ターゲットに対向する位置を通過させながら処理する多元素薄膜の形成方法であって、前記ターゲットは互いに元素又は元素組成の異なる複数のピースで構成され、前記ターゲットの表面の複数のピースの露出面積割り合いをシャッタ機構で調整することを特徴とする。
図１において、真空排気系１が接続された真空チャンバ２の内壁にはターゲット３を設置したスパッタリング電極４ａ〜４ｄが絶縁材５を介して配設され、マッチング回路６ａ〜６ｄ（高周波スパッタリングの場合）を介して、スパッタリング用電源７ａ〜７ｄが接続される。このスパッタリング電極４ａ〜４ｄは、図１（ｂ）に示すように、複数の基板８を載置する基板ホルダ９の側周面と対向して、複数（図の例では４基）配置されている。また、各スパッタリング電極４ａ〜４ｄにはそれぞれにスパッタリング用電源７ａ〜７ｄが接続されるため、各電極４ａ〜４ｄごとに独立したスパッタ電力制御が可能となる。具体的には、スパッタリング電極４ａにはマッチング回路６ａを介してスパッタリング用電源７ａが接続され、スパッタリング電極４ｂにはマッチング回路６ｂを介してスパッタリング用電源７ｂが接続され、スパッタリング電極４ｃにはマッチング回路６ｃを介してスパッタリング用電源７ｃが接続され、スパッタリング電極４ｄにはマッチング回路６ｄを介してスパッタリング用電源７ｄが接続される。
Claims (9)
- 真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記基板ホルダを回転させながら基板を処理する多元素薄膜の形成方法であって、
前記ターゲットは複数あり、互いに組成又は組成比の異なる化合物或いは混合物からなり、前記基板ホルダと前記スパッタリング電極に印加する電力を各ターゲットごとに独立に調整し、前記基板ホルダは、前記基板を前記複数のターゲットの各ターゲットに対向する位置に順次搬送するようにして回転することを特徴とする多元素薄膜の形成方法。 - 基板ホルダに設置される基板は複数あることを特徴とする請求項１に記載の多元素薄膜の形成方法。
- 複数のターゲットのうち、少なくとも１つのターゲットを基板に成膜する膜組成比と同一にし、残りのターゲットを組成又は組成比を変化させたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の多元素薄膜の形成方法。
- 複数のスパッタリング電極に印加する電力を時間の経過とともに独立に調整することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多元素薄膜の形成方法。
- 真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気し、真空チャンバ内を所定の圧力に保持しながら、基板を載置する基板ホルダと、ターゲットが配置されるスパッタリング電極の双方に電力を印加するとともに、前記基板ホルダを回転させ基板を前記ターゲットに対向する位置を通過させながら処理する多元素薄膜の形成方法であって、
前記ターゲットは互いに元素又は元素組成の異なる複数のピースで構成され、前記ターゲットの表面の複数のピースの露出面積割り合いをシャッタ機構で調整することを特徴とする多元素薄膜の形成方法。 - 前記シャッタ機構の停止位置を時間の経過とともに調整することを特徴とする請求項５記載の多元素薄膜の形成方法。
- 側周面上に基板を設置するとともに、中心軸を中心に回転する筒形の基板ホルダと、基板ホルダの側周面に対向する位置に配置されると共に、電力を独立に調整する複数のスパッタリング電極とを備える多元素薄膜の形成装置であって、複数のスパッタリング電極には２種類以上の元素を組成分とする化合物あるいは混合物からなるターゲットが設置され、この複数ターゲットは互いに組成又は組成比の異なるものであることを特徴とする多元素薄膜の形成装置。
- 側周面上に基板を設置するとともに、中心軸を中心に回転する筒形の基板ホルダと、基板ホルダの側周面に対向する位置に配されると共に、互いに元素または元素組成の異なる複数のピースからなるターゲットを設置したスパッタリング電極と、前記基板ホルダと前記スパッタリング電極との間に配したシャッタ機構とを備え、このシャッタ機構が前記複合ターゲットの各ピースの露出面積割り合いを任意に設置しうるように構成されたことを特徴とする多元素薄膜の形成装置。
- 前記ターゲットにおいて、前記ピースの分割方向が前記基板ホルダの中心軸に平行である請求項８記載の多元素薄膜の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309901A JP2003113467A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 多元素薄膜の形成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001309901A JP2003113467A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 多元素薄膜の形成方法および装置 |
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| JP2003113467A JP2003113467A (ja) | 2003-04-18 |
| JP2003113467A5 true JP2003113467A5 (ja) | 2005-05-19 |
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ID=19128973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2001309901A Withdrawn JP2003113467A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 多元素薄膜の形成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2003113467A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012177191A (ja) | 2011-02-03 | 2012-09-13 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
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2001
- 2001-10-05 JP JP2001309901A patent/JP2003113467A/ja not_active Withdrawn
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