JPWO2015037315A1 - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
Description
11 本体
12 開閉部
13 ワーク載置部
19 接地部
21 電極部
22 ターゲット材料
23 スパッタ電極
31 開閉弁
32 流量調整弁
33 不活性ガスの供給部
34 開閉弁
35 流量調整弁
36 原料ガスの供給源
37 ターボ分子ポンプ
38 補助ポンプ
39 開閉弁
41 直流電源
45 高周波電源
46 マッチングボックス
48 開閉弁
49 開閉弁
51 シャッター
81 開閉弁
82 流量調整弁
83 ドライエアの供給部
W ワーク
11 本体
12 開閉部
13 ワーク載置部
19 接地部
21 電極部
22 ターゲット材料
23 スパッタ電極
31 開閉弁
32 流量調整弁
33 不活性ガスの供給部
34 開閉弁
35 流量調整弁
36 原料ガスの供給源
37 ターボ分子ポンプ
38 補助ポンプ
39 開閉弁
41 直流電源
45 高周波電源
46 マッチングボックス
48 開閉弁
49 開閉弁
51 シャッター
81 開閉弁
82 流量調整弁
83 ドライエアの供給部
W ワーク
Claims (8)
- 樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜装置であって、
ワークを収納するチャンバーと、
前記チャンバー内を0.1パスカル以上1.0パスカル未満の圧力に減圧する減圧手段と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
ターゲット材料を備え、前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極と、
前記ターゲット材料の表面積に対して、1平方センチ当たり25ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電源と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置において、
前記チャンバー内に露点が摂氏0度以下の気体を供給する気体供給部をさらに備える成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置において、
前記減圧手段は、最大排気速度が1秒当たり300リットル以上のターボ分子ポンプを有する成膜装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の成膜装置において、
前記チャンバー内に配設されたCVD電極と、
前記CVD電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記スパッタ電極と当接することにより前記ターゲット材料を覆う当接位置と、前記スパッタ電極から離隔する退避位置との間を移動可能なシャッターと、
をさらに備える成膜装置。 - 樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜方法であって、
射出成型された樹脂製のワークを、射出成形機よりチャンバー内に搬入する搬入工程と、
前記チャンバー内を0.1パスカル以上1.0パスカル未満の圧力に減圧する減圧工程と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極に対し、前記ターゲット材料の表面積に対して、1平方センチ当たり25ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、
前記チャンバー内を大気圧までベントするベント工程と、
成膜完了後のワークを前記チャンバー内から搬出する搬出工程と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 請求項5に記載の成膜方法において、
前記ベント工程においては、前記チャンバー内に露点が摂氏0度以下の気体を供給する成膜方法。 - 請求項5に記載の成膜方法において、
前記減圧工程においては、1秒当たり300リットル以上の排気速度で前記チャンバー内から排気を行う成膜方法。 - 請求項5から請求項7のいずれかに記載の成膜方法において、
前記直流電圧印加工程の後で前記ベント工程の前に、
前記ターゲット材料をシャッターにより覆うシャッター配置工程と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、
前記チャンバー内に配設されたCVD電極に高周波電圧を印加する高周波印加工程と、
をさらに備える成膜方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013187429 | 2013-09-10 | ||
JP2013187429 | 2013-09-10 | ||
PCT/JP2014/068183 WO2015037315A1 (ja) | 2013-09-10 | 2014-07-08 | 成膜装置および成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015037315A1 true JPWO2015037315A1 (ja) | 2017-03-02 |
JP6202098B2 JP6202098B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=52665438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015536469A Active JP6202098B2 (ja) | 2013-09-10 | 2014-07-08 | 成膜装置および成膜方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6202098B2 (ja) |
CN (1) | CN105555995B (ja) |
TW (1) | TWI560300B (ja) |
WO (1) | WO2015037315A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6477221B2 (ja) * | 2015-05-12 | 2019-03-06 | 株式会社島津製作所 | 成膜方法 |
JP6555078B2 (ja) * | 2015-10-29 | 2019-08-07 | 株式会社島津製作所 | 成膜方法 |
JP7094154B2 (ja) * | 2018-06-13 | 2022-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
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-
2014
- 2014-07-08 CN CN201480043229.1A patent/CN105555995B/zh active Active
- 2014-07-08 JP JP2015536469A patent/JP6202098B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015037315A1 (ja) | 2015-03-19 |
CN105555995B (zh) | 2017-11-07 |
CN105555995A (zh) | 2016-05-04 |
TW201510263A (zh) | 2015-03-16 |
TWI560300B (en) | 2016-12-01 |
JP6202098B2 (ja) | 2017-09-27 |
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