WO2010038271A1 - スパッタリング装置および薄膜形成方法 - Google Patents

スパッタリング装置および薄膜形成方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2010038271A1
WO2010038271A1 PCT/JP2008/067736 JP2008067736W WO2010038271A1 WO 2010038271 A1 WO2010038271 A1 WO 2010038271A1 JP 2008067736 W JP2008067736 W JP 2008067736W WO 2010038271 A1 WO2010038271 A1 WO 2010038271A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
gas introduction
gap
introduction mechanism
sputtering apparatus
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/067736
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
俊伸 千葉
勝也 吉岡
Original Assignee
キヤノンアネルバ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by キヤノンアネルバ株式会社 filed Critical キヤノンアネルバ株式会社
Priority to PCT/JP2008/067736 priority Critical patent/WO2010038271A1/ja
Priority to CN2008800103176A priority patent/CN101778961B/zh
Priority to JP2010517625A priority patent/JP4599473B2/ja
Priority to US12/540,693 priority patent/US20100078313A1/en
Publication of WO2010038271A1 publication Critical patent/WO2010038271A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C23C14/0063—Reactive sputtering characterised by means for introducing or removing gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering apparatus and a thin film forming method, and more particularly to a sputtering apparatus and a thin film forming method that can obtain a uniform film quality and suppress generation of particles from a target.
  • a reactive gas such as oxygen or nitrogen is introduced together with an inert gas such as argon in order to perform sputtering in a vacuum chamber.
  • an inert gas such as argon
  • argon ions in the generated plasma collide with the target material, and target material particles are knocked out.
  • the target material particles react with the reactive gas and are generated by the reaction.
  • a film of a reactive substance is deposited on the substrate. If the concentration of the reactive gas is high, the surface of the target material reacts with the reactive gas to form a compound layer, which is sputtered to deposit a reactive material having a desired composition on the substrate.
  • the gas is introduced into the vacuum chamber from the vicinity of the wall of the vacuum chamber, and the gas concentration becomes uniform until plasma is generated in the vacuum chamber.
  • the reactive gas reacts with the sputtered atoms in the plasma and is consumed. Therefore, the reactive gas has a high concentration around the plasma and a low concentration in the central portion.
  • gas introduction is performed near the wall of the vacuum chamber. Therefore, even if the reactive gas is supplied one after another, the reactive gas is first consumed by the reaction outside the plasma, so that a concentration gradient of the reactive gas may occur between the outside and the inside of the plasma. As a result, there may be a problem that the quality of the film deposited on the substrate is different between the central portion and the outer peripheral portion of the substrate.
  • Patent Document 1 is an effective technique because the distribution of the reactive gas in the plasma can be made uniform, but the following problems to be improved remain.
  • the structure of the apparatus is increased during sputtering. Since the voltage is also applied to the insertion member, not only the target material but also the insertion member is sputtered, and the substrate may be contaminated.
  • the backing plate inevitably increases.
  • a backing plate also called a large backing plate
  • a backing plate that is made large by assembling a plurality of members (also called backing plate elements).
  • a method for attaching the enlarged backing plate to the apparatus the gap between the backing plate elements becomes a generation source of particles, and a transparent conductive film such as ITO causes nodules. That is, particles accumulate in the gaps between the backing plate elements, the accumulated particles accumulate, and nodules are formed in the gaps.
  • An object of the present invention is to provide a sputtering apparatus and a thin film forming method capable of solving the above problems, obtaining a uniform film quality even on a relatively large substrate, and suppressing generation of particles and nodules. There is.
  • a vacuum vessel a substrate holder disposed in the vacuum vessel, for holding a substrate, a plurality of substrates disposed to face the substrate holder and supporting a plurality of targets.
  • a gas introduction mechanism for introducing a gas into the vacuum vessel, wherein the plurality of backing plates are arranged with a first gap, and the gas introduction mechanism includes: Gas is introduced through the first gap.
  • a thin film forming method for forming a thin film on a substrate using the sputtering apparatus according to the first aspect, wherein the plurality of targets are spaced from the plurality of backing plates.
  • the second gap between each of the targets is smaller than the first gap between each of the backing plates, and the second gap is the first gap.
  • the gas distribution in the plasma is made uniform, and the target supporting member is suppressed from being sputtered, so that a uniform film quality can be formed on the substrate, and the substrate contamination Can be reduced.
  • FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a sputtering apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • the sputtering apparatus includes a vacuum vessel 9, a substrate holder 7 provided in the vacuum vessel 9 for holding the substrate, and a cathode mechanism disposed at a position facing the substrate.
  • the cathode mechanism has a backing plate 2 for supporting the target 1.
  • a target 1 is supported on the backing plate 2.
  • the sputtering apparatus also includes a first gas introduction mechanism that introduces gas from the gas supply pipe 11 ⁇ / b> A to the vacuum container 9, and a second gas introduction mechanism that introduces gas from the gas introduction pipe 11 ⁇ / b> B to the vacuum container 9. Is provided.
  • the first gas introduction mechanism is provided at a position separate from the backing plate 2 of the vacuum vessel 9.
  • the second gas introduction mechanism is a mechanism for supplying gas from the backing plate.
  • the backing plate 2 is attached to a partition plate 3 as a holding member via an insulating film 12.
  • the partition plate 3 is attached to a vacuum vessel 9 that forms a space in which sputtering is performed (hereinafter referred to as a film forming chamber) with a bolt member (not shown).
  • the partition plate 3 and the vacuum vessel 9 are vacuum-sealed by an O-ring 10.
  • a magnet (magnet) 8 is disposed on the atmosphere side of the partition plate 3.
  • the partition plate 3 and the vacuum vessel 9 are connected by the O-ring 10.
  • the present invention is not limited to this, and for example, the partition plate 3 and the partition plate 3 can be connected to each other using an adhesive, bolts, or nuts Any member or material may be used as long as it can be connected to the vacuum vessel 9.
  • FIG. 2 is a front view showing a state in which the target 1 is attached to the backing plate 2.
  • the target 1 is composed of three target members (sub-targets) of targets 1a, 1b, and 1c arranged at a predetermined interval.
  • an aggregate of the targets 1a, 1b, and 1c is referred to as a target 1.
  • the backing plate 2 is composed of three backing plates (sub-backing plates), which are backing plates 2a, 2b, and 2c, arranged at a predetermined interval.
  • an assembly of the backing plates 2a, 2b, and 2c is referred to as a backing plate 2.
  • the targets 1a to 1c may be formed by dividing one target or may be separate targets.
  • the backing plates 2a to 2c may be formed by dividing one backing plate or may be separate backing plates. However, it is preferable to use a separate backing plate because it can easily cope with sputtering on a large substrate.
  • FIG. 4 is a front cross-sectional view showing a state in which the target 1 and the backing plate 2 are provided on the partition plate 3.
  • a backing plate 2 and a target 1 are attached to the partition plate 3 via an insulating plate 12.
  • the partition plate 3 is provided with a gas introduction groove 5.
  • the gas introduction groove 5 is formed as a groove on the insulating plate 3 side of the partition plate 3.
  • a part of the gas introduction groove 5 is connected to a gas supply pipe 11 ⁇ / b> B for introducing gas into the vacuum vessel 9.
  • FIG. 5 is a front view showing the partition plate 3 provided with the gas introduction groove 5.
  • the partition plate 3 is a separate member from the vacuum vessel 9 and is connected to the vacuum vessel 9 using an O-ring 10 or the like as a connecting means.
  • the vacuum vessel 9 may be integrated. That is, a predetermined wall of the vacuum vessel 9 may function as the partition plate 3.
  • a connection mechanism between the gas introduction groove 5 and the gas introduction pipe 11B may be formed on a predetermined wall of the vacuum vessel 9.
  • FIG. 3 is a front view showing a state in which the insulating plate 12 is attached to the partition plate 3.
  • the insulating plate 12 is provided with a plurality of holes (through holes) 13.
  • the hole 13 of the insulating plate 12 is provided at a position communicating with the gas introduction groove 5 (broken line) on the back side of the insulating plate. That is, the hole 13 is positioned so as to allow the gas supplied to the gas introduction groove 5 to pass therethrough.
  • the gas is introduced through the gas introduction groove 5 and the hole 13 from the gas introduction pipe 11B side to the film forming chamber side separately from the gas introduction pipe 11A arranged near the wall of the vacuum vessel 5. Is supplied. That is, gas is supplied from the hole 13 formed at a predetermined position of the cathode mechanism in the region where plasma is generated. A gas concentration gradient such as a reactive gas can be reduced by the gas supplied from the hole 13 to the film formation chamber. Therefore, as shown in FIG. 3, the arrangement of the plurality of holes 13 along the longitudinal direction of the gas introduction groove 5 can supply the gas uniformly in the region where the plasma is generated, thereby making the concentration gradient more uniform. This is preferable.
  • the gas can be supplied into the generated plasma, so that the concentration gradient of the gas can be reduced accordingly.
  • the above-described effect can be achieved by forming at least one hole 13 so that the gas introduction groove 5 and the film forming chamber communicate with each other.
  • the backing plates 2a to 2c constituting the backing plate 2 are arranged on the insulating plate 12 with a gap. At this time, the backing plates 2a to 2c are arranged so as not to block all the holes 13 formed in the insulating plate 2. That is, the backing plates 2a to 2c are positioned so that the gap 15 between each of the backing plates 2a to 2c and at least a part of the hole 13 overlap. Further, since the gas passing through the gap 15 needs to be introduced into the film forming chamber, the gap 14 between each of the targets 1 a to 1 c overlaps at least a part of the gap 15. By forming the gap 14 and the gap 15 in this way, the gas introduced from the gas introduction groove 5 can be supplied to the film forming chamber.
  • each of the targets 1a to 1c constituting the target 1 is disposed on the backing plate 2 so as to form a gap that becomes the gas ejection port 4.
  • the target 1 is provided on the backing plate 2 so that the gap 14 between the targets is smaller than the gap 15 between the backing plates.
  • the gap 14 between the targets is preferably 0.2 mm or more and 1.0 m or less. By setting this interval to 1.0 mm or less, it is possible to suppress spatter particles from flowing around the gap. Moreover, it can suppress that the ejection of the gas from the hole 13 stagnate in the gas flow rate of a normal use range by setting it as 0.2 mm or more.
  • the backing plate 2 is divided into three in the longitudinal direction, and is an assembly of backing plates 2a, 2b, 2c (sub backing plates), and the targets are targets 1a, 1b, 1c (sub Target).
  • the number and size of the sub backing plate and the sub target may be arbitrarily changed.
  • the hole serving as the gas supply port is provided in the insulating plate, but the plate is not limited to the insulating plate.
  • the gas introduction mechanism 5 is connected to the atmosphere-side gas introduction pipe 11 ⁇ / b> B through a gas introduction groove provided in the partition plate 3. Accordingly, even when a gas introduction path is provided between the target 1 and the magnet 8 so as to supply gas into the generated plasma, the distance between the target 1 and the magnet 8 can be shortened. The magnetic field intensity on one surface can be increased.
  • the magnet 8 can swing in parallel and laterally with respect to the target 1.
  • the targets 1a to 1c are arranged on the backing plates 2a to 2c arranged at a predetermined interval. That is, the gap between each of the targets 1a-1c is smaller than the gap between each of the backing plates 2a-2c, and the gap between each of the targets 1a-1c is between each of the backing plates 2a-2c.
  • the targets 1a to 1c are arranged on the backing plates 2a to 2c so as to overlap at least part of the gap.
  • the mixed gas is introduced through the first gas introduction mechanism introduced directly into the vacuum vessel, the gas introduction groove 5 inside the partition plate 3 and the gap included in the backing plate 2 and the target 1 from the gas outlet 4. And the second gas introduction mechanism introduced into the vacuum vessel 9 at the same time.
  • an inert gas such as argon and a reactive gas such as nitrogen or oxygen from the gas introduction pipes 11A and 11B in advance
  • MFC mass flow controller
  • reactive sputtering is performed by applying power to the target 1 with a DC power source or the like, and film formation is performed on the substrate 6 facing the target 1. Note that power is supplied from the DC power source to the target 1 through the partition plate 3 through a power supply path that penetrates the insulating plate.
  • the vacuum vessel is provided with the first gas introduction mechanism and the second gas introduction mechanism, and the mixed gas containing the inert gas and the reactive gas is supplied from each of them. It is not essential to introduce the mixed gas from both the gas introduction mechanism and the second gas introduction mechanism.
  • the essence of the present invention is to make the concentration gradient of the reactive gas uniform in the region where the plasma is generated. In the present invention, if the reactive gas is supplied from the second gas introduction mechanism, the concentration gradient of the reactive gas can be reduced.
  • the inert gas for sputtering the target may be introduced from the first gas introduction mechanism. That is, at least the reactive gas may be supplied from the second gas introduction mechanism, and at least the inert gas may be supplied from the first gas introduction mechanism.
  • the plurality of backing plates 2a to 2c and the targets 1a to 1c are arranged with gaps, and the gas introduction grooves 5 connected to the gas introduction pipe 11B along the longitudinal direction of the gaps.
  • the gaps 14 and 15 are formed so that the gas supplied from the gas introduction groove 5 can pass therethrough. Therefore, since the reactive gas can be supplied from the region in the target to the region between the cathode mechanism and the substrate 6, the concentration gradient of the reactive gas can be reduced in the generated plasma region. Therefore, the film quality formed on the substrate can be made uniform.
  • the gap between the backing plates functions as a part of the gas introduction path. Therefore, accumulation of particles in the gap is suppressed, and generation of nodules and particles can be reduced.
  • a plurality of backing plates and a plurality of targets are used, and a part of the gas introduction path is formed using a gap when these are arranged. Therefore, the gas can be supplied to the region between the cathode mechanism and the substrate without performing the process of making a hole in the target or the backing plate or the process of providing the insertion member as in Patent Document 1. Therefore, reactive sputtering can be performed with reduced costs. Further, it is not necessary to use the above processing, and the gas introduction path can be formed by arranging the backing plate and the target as described above. Therefore, the existing backing plate and target can be used without being processed, and the substrate and the target can be easily enlarged.
  • the second gas introduction mechanism is a mechanism for supplying gas so that the concentration gradient of the reactive gas is reduced in the region between the cathode mechanism and the substrate 6 where the plasma is generated. Therefore, even if the first gas introduction mechanism including the gas introduction pipe 11A is not provided, the inert gas and the reactive gas are supplied to the region where the plasma is generated, and the concentration gradient of the reactive gas is made uniform. be able to.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本発明は、比較的に大型の基板においても均一性の良い膜質を得ることが可能であり、パーティクルやノジュールの発生を抑えるスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供する。本発明のスパッタリング装置は、真空容器（９）と、基板（６）を保持する基板ホルダー（７）と、基板（６）に対向する位置に配置されたカソード機構と、真空容器（９）内にガスを導入する第２のガス導入機構とを備える。上記カソード機構は、隙間を持って配置された複数のターゲット（１ａ）～（１ｃ）と、隙間を持って配置された複数のバッキングプレート（２ａ）～（２ｃ）とを有する。ターゲットの各々の間の隙間（１４）は、バッキングプレートの各々の間の隙間（１５）より小さい。また、隙間（１４）は隙間（１５）の少なくとも一部と重なる。第２のガス導入機構は、隙間（１５）、隙間（１４）を通してガスを導入する。

Description

スパッタリング装置および薄膜形成方法
　本発明はスパッタリング装置および薄膜形成方法に関するものであり、均一性の良い膜質が得られ、かつターゲットからのパーティクルの発生を抑えるスパッタリング装置および薄膜形成方法に関する。
　スパッタリング装置における反応性スパッタリングでは、真空室内にスパッタリングを行わせるためにアルゴンなどの不活性ガスと併せて、酸素や窒素などの反応性ガスが導入される。このような反応性スパッタリングでは、生成されたプラズマ中のアルゴンイオンがターゲット材に衝突することによってターゲット材粒子がたたき出され、そのターゲット材粒子が上記反応性ガスと反応し、該反応により生成される反応物質による膜が基板に堆積することになる。また反応性ガスの濃度が高いと、ターゲット材表面が反応性ガスと反応し化合物層が形成され、これらがスパッタされることにより基板上に所望の組成の反応物質が堆積する。
　従来のスパッタリング装置の場合、真空室へのガスの導入は真空室の壁近傍から行われ、真空室内ではプラズマが発生するまでガス濃度は均一となる。しかし、一度プラズマが発生すると反応性ガスはプラズマ内でスパッタ原子と反応して消費されてしまうため、反応性ガスはプラズマの周囲では濃度が高く、その中央部では濃度が低くなる。そして、上述したようにガス導入は真空室の壁近傍で行われる。よって、反応性ガスが次々と供給されても、プラズマの外側でまずは反応性ガスが反応により消費されるので、プラズマの外側と内側とにおいて反応性ガスの濃度勾配が生じてしまうことがある。その結果、基板に堆積される膜の質が基板中央部と外周部で異なるという問題が生じることがある。
　そこで上記問題を解決するため、従来ではいくつかの提案がなされている。
　特許文献１に係るスパッタリング装置によれば、従来のガス導入口（真空室の壁近傍に設けられたガス導入口）に加えて、ターゲット材に設けられた複数の小穴、もしくは分割したターゲットの分割面に介在する介挿部材に設けられた複数の小穴からもガスを導入するスパッタリング装置が開示されている。
特開平５－３２０８９１号公報
　しかしながら、特許文献１に示されている方法は、プラズマ中の反応性ガスの分布を均一にできるので有効な技術であるが、以下のような改善すべき課題が残っている。まず、特許文献１に開示された一形態であるターゲット材自体に小穴を開けてガスを導入する方法では、消耗品であるターゲット材を加工する必要があり、ランニングコストが増大してしまう。さらに、バッキングプレートにも小穴を開ける必要があり、小穴の開いたターゲット材をボンディングする際にかなりの精度が要求される。以上のような問題は、基板及びターゲットの大型化によりさらに深刻な問題となる。
　次に、特許文献１に開示された他の形態である分割したターゲットの分割面に介在する介挿部材に設けられた複数の小穴からガスを導入する方法では、スパッタする際に装置の構成上、介挿部材にも電圧が印加されるため、ターゲット材だけでなく介挿部材もスパッタされてしまい、基板が汚染されるおそれがある。
　さらに、平行平板型のスパッタリング装置において基板及びターゲットの大型化が進むと、バッキングプレートも必然的に大きくなる。しかし、製造方法や運用上の問題で大型のバッキングプレートを一体物で造るのは難しく、複数の部材（バッキングプレート要素とも呼ぶ）を集合させて大型化を図ったバッキングプレート（大型化バッキングプレートとも呼ぶ）を形成し、該大型化バッキングプレートを装置に取り付ける方法などが採られている。しかしながら、バッキングプレート要素間の隙間がパーティクルの発生源になり、ITOなどの透明導電膜ではノジュールの発生要因になる。すなわち、各バッキングプレート要素間の隙間にパーティクルが溜まり、その溜まったパーティクルが堆積して上記隙間にノジュールが形成される。該ノジュールの生成が進行すると、薄膜の形成速度の低下およびアーク放電の発生頻度の増加等の問題が発生する。そして、該ノジュールの除去作業を行うために装置を停止することになり、生産効率を低下させてしまう。さらに、該ノジュールにより新たなパーティクルが生成されることがあり、該新たなパーティクルが基板上に成膜された膜に付着するなどして膜質の品位を落とす要因となる恐れがある。
　本発明の目的は、以上の問題を解決し、比較的に大型の基板においても均一性の良い膜質を得ることが可能であり、パーティクルやノジュールの発生を抑えるスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供することにある。
　本発明の第１の態様は、真空容器と、前記真空容器内に配置され、基板を保持するための基板ホルダーと、前記基板ホルダーと対向して配置され、複数のターゲットを支持するための複数のバッキングプレートと、前記真空容器内にガスを導入するガス導入機構とを備えたスパッタリング装置であって、前記複数のバッキングプレートは、第１の隙間を持って配置され、前記ガス導入機構は、前記第１の隙間を通してガスを導入することを特徴とする。
　また、本発明の第２の態様は、上記第１の態様に記載のスパッタリング装置を用いて、基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記複数のターゲットを前記複数のバッキングプレートに隙間を持って配置する工程であって、前記ターゲットの各々の間の第２の隙間が、前記バッキングプレートの各々の間の第１の隙間より小さく、かつ前記第２の隙間が前記第１の隙間の少なくとも一部と重なるように前記複数のターゲットを前記複数のバッキングプレートに配置する工程を有することを特徴とする。
　本発明により、プラズマ内のガスの分布が均一化されるとともに、ターゲットを支持する部材がスパッタされることが抑制されるので、基板上に均一性の良い膜質を形成することができ、基板汚染を低減することができる。
　また、基板及びターゲットの大型化のために用いられる複数のバッキングプレートの各々の間の隙間からガスを導入することで、その隙間にパーティクルが溜まりにくくなり、パーティクル及びノジュールの発生を抑えることができる。
本発明一実施形態にかかるスパッタリング装置を示す側面断面図である。 本発明の一実施形態にかかる分割されたバッキングプレート及びターゲットの正面図である。 本発明の一実施形態にかかる絶縁板が設けられた隔壁板の正面図である。 本発明の一実施形態にかかる隔壁板の正面断面図である。 本発明の一実施形態にかかる隔壁板を示す正面図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。　
　（第１の実施形態）　
　以下に、図１ないし図５を用いて、本発明の一実施形態にかかるスパッタリング装置を説明する。
　図１は本発明の第一の実施形態に係わるスパッタリング装置の概略構成を示す側面断面図である。
　このスパッタリング装置は、真空容器９と、真空容器９内に設けられた、基板を保持するための基板ホルダー７と、該基板と対向する位置に配置されたカソード機構とを備えている。このカソード機構は、ターゲット１を支持するためのバッキングプレート２を有する。このバッキングプレート２にはターゲット１が支持される。
　また、スパッタリング装置には、ガス供給管１１Ａから真空容器９へとガスを導入する第１のガス導入機構と、ガス導入管１１Ｂから真空容器９へとガスを導入する第２のガス導入機構とが設けられている。上記第１のガス導入機構は、真空容器９の、バッキングプレート２とは別個の位置に設けられている。また、第２のガス導入機構は、バッキングプレートからガスを供給するための機構である。
　バッキングプレート２は絶縁膜１２を介して、保持部材としての隔壁板３に取り付けられている。隔壁板３はスパッタリングが行われる空間（以下成膜室という）を形成する真空容器９に不図示のボルト部材で取り付けられている。隔壁板３と真空容器９とは、Ｏリング１０によって真空シールされている。隔壁板３の大気側には、マグネット（磁石）８が配置されている。
　なお、本実施形態では、隔壁板３と真空容器９とをＯリング１０によって接続しているが、これに限らず、例えば、接着剤やボルト、ナットを用いて接続する等、隔壁板３と真空容器９とを接続可能であればいずれの部材、材料を用いても良い。
　図２は、バッキングプレート２にターゲット１が取り付けられた状態を示す正面図である。　
　図２に示すように、ターゲット１は、所定の間隔で配置された、ターゲット１a,１b,１cの３つのターゲット部材（サブターゲット）からなるものである。本明細書では、ターゲット１ａ、１ｂ、１ｃの集合体をターゲット１と呼ぶことにする。また、バッキングプレート２は、所定の間隔で配置された、バッキングプレート２ａ、２ｂ、２ｃの３つのバッキングプレート（サブバッキングプレート）からなるものである。本明細書ではバッキングプレート２ａ、２ｂ、２ｃの集合体をバッキングプレート２と呼ぶことにする。ターゲット１ａ～１ｃは、１つのターゲットを分割して形成しても良いし、別個のターゲットであっても良い。同様に、バッキングプレート２ａ～２ｃも１つのバッキングプレートを分割して形成しても良いし、別個のバッキングプレートであっても良い。ただし、別個のバッキングプレートを用いると、大型の基板へのスパッタリングにも容易に対応できるので好ましい。
　図４は、隔壁板３にターゲット１およびバッキングプレート２が設けられた状態を示す正面断面図である。隔壁板３には絶縁板１２を介して、バッキングプレート２およびターゲット１が取り付けられている。隔壁板３にはガス導入溝５が設けられている。ガス導入溝５は隔壁板３の絶縁板３側に溝として形成されている。ガス導入溝５の一部は、ガスを真空容器９に導入するためのガス供給管１１Ｂと接続している。
　図５は、ガス導入溝５が設けられた隔壁板３を示す正面図である。
　なお、本実施形態では、隔壁板３を真空容器９と別個の部材とし、接続手段としてのＯリング１０等を用いて真空容器９に接続しているが、これに限らず、隔壁板３と真空容器９とを一体化しても良い。すなわち、真空容器９の所定の壁を隔壁板３として機能させても良い。この場合は、真空容器９の所定の壁において、ガス導入溝５およびガス導入管１１Ｂとの接続機構を形成すれば良い。
　図３は、隔壁板３に絶縁板１２が取り付けられた状態を示す正面図である。絶縁板１２には複数の穴（貫通孔）１３が設けられている。絶縁板１２の穴１３は、絶縁板裏側のガス導入溝５（破線）と連通する位置に設けられている。すなわち、ガス導入溝５に供給されたガスを通過させるように穴１３は位置決めされている。
　なお、本実施形態では、真空容器５の壁近傍に配置されたガス導入管１１Ａとは別個に、ガス導入管１１Ｂ側から成膜室側へとガス導入溝５、および穴１３を介してガスが供給される。すなわち、プラズマが発生する領域内のカソード機構の所定の位置に形成された穴１３からガスが供給されることになる。この穴１３から成膜室へと供給されたガスによって、反応性ガスといったガスの濃度勾配を小さくすることができる。従って、図３に示すように、ガス導入溝５の長手方向に沿って複数の穴１３を配置することは、プラズマが発生する領域内に均一にガスを供給でき、より上記濃度勾配の均一化を図れるので好ましい。しかしながら、形成される穴１３が１つであっても、発生するプラズマ内にガスを供給することができるので、その分上記ガスの濃度勾配を小さくすることができる。このように、本実施形態では、ガス導入溝５と成膜室とを連通するように、少なくとも１つの穴１３を形成することにより、上記効果を達成することができる。
　バッキングプレート２を構成する各々のバッキングプレート２ａ～２ｃは絶縁板１２上に隙間を形成して配置されている。このとき、各々のバッキングプレート２ａ～２ｃは絶縁板２に形成された穴１３をすべて塞がないように配置される。すなわち、バッキングプレート２ａ～２ｃの各々の間の隙間１５と、穴１３の少なくとも１部が重なるように、バッキングプレート２ａ～２ｃは位置決めされている。また、隙間１５を通過するガスは成膜室内へと導入される必要があるので、ターゲット１ａ～１ｃの各々の間の隙間１４は、隙間１５の少なくとも一部と重なっている。このように隙間１４と隙間１５とを形成することにより、ガス導入溝５から導入されたガスを成膜室へと供給することができる。
　また、ターゲット１を構成する各々のターゲット１ａ～１ｃはバッキングプレート２上に、ガス噴出口４となる隙間を形成して配置されている。ターゲット間の隙間14が、バッキングプレート間の隙間15より小さくなるように、ターゲット１がバッキングプレート２上に設けられる。このように、隙間１４を隙間１５よりも小さくすることにより、ターゲット１ａ～１ｃをプラズマのマスクとして機能させることができ、バッキングプレート２ａ～２ｃをプラズマに曝すことを防ぐことができる。よって、バッキングプレートのスパッタを防ぐことができ、基板汚染を低減することができる。
　ターゲット間の隙間1４は、0.2ｍｍ以上1.0m以下であることが好ましい。この間隔を1.0ｍｍ以下にすることで、隙間からスパッタ粒子が回りこむことを抑制することができる。また、0.２mm以上とすることで通常使用範囲のガス流量において、穴１３からのガスの噴出が滞ることを抑制することができる。
　なお、図２に示すように本実施形態ではバッキングプレート２を縦方向に３分割としたバッキングプレート２a、２b、２c（サブバッキングプレート）の集合体とし、ターゲットをターゲット１a,1b,1c（サブターゲット）の集合体とした。しかしながら、サブバッキングプレート及びサブターゲットの数及び大きさは任意に変えても良い。
　また、上記実施形態では、ガス供給口となる穴を絶縁板に設けたが、絶縁板に限らず板状体を用いても良い。
　ガス導入機構５は、隔壁板３に設けられたガス導入溝を経て大気側のガス導入管１１Ｂに接続される。従って、生成されるプラズマ内にガスを供給するようにターゲット１とマグネット８との間にガス導入路を設ける場合であっても、ターゲット１とマグネット８との距離を短くすることができ、ターゲット１表面での磁場強度を強くすることができる。ここで、マグネット８はターゲット１の利用効率を高めるために、ターゲット１に対して平行かつ横方向に揺動できるようになっていることが好ましい。
　上記構成の反応性スパッタリング装置における薄膜の形成は以下のような手順で行われる。まず、所定の間隔で配置されたバッキングプレート２ａ～２ｃに、図２、４に示すように、ターゲット１ａ～１ｃを配置する。すなわち、ターゲット１ａ～１ｃの各々の間の隙間が、バッキングプレート２ａ～２ｃの各々の間の隙間より小さく、かつターゲット１ａ～１ｃの各々の間の隙間がバッキングプレート２ａ～２ｃの各々の間の隙間の少なくとも一部と重なるようにターゲット１ａ～１ｃをバッキングプレート２ａ～２ｃに配置する。
　次いで、ガス導入管１１Ａ、Ｂから、アルゴンなどの不活性ガスと窒素や酸素などの反応性ガスとを予めMFC（マスフローコントローラ）などで所定の圧力になるようそれぞれ流量制御した後、混合ガスとして供給する。上記混合ガスの導入は、真空容器に直接導入される第１のガス導入機構と、隔壁板３内部のガス導入溝５を通りガス噴出口４からバッキングプレート２及びターゲット１に含まれる隙間を介して真空容器９に導入される第２のガス導入機構とから同時に行われる。
　次に、DC電源などでターゲット１に電力を印加して反応性スパッタリングを行い、ターゲット１に対向した基板６上に成膜を行う。なお、ＤＣ電源からターゲット１へは、隔壁板３を経由して、絶縁板を突き抜ける電力供給路により電力を供給する。
　なお、上述の実施形態では、真空容器に第１のガス導入機構と第２のガス導入機構とを設け、それぞれから不活性ガスおよび反応性ガスを含む混合ガスを供給しているが、第１のガス導入機構および第２のガス導入機構の双方から混合ガスを導入することが本質でなない。本発明の本質は、プラズマが発生する領域内において反応性ガスの濃度勾配を均一にすることである。本発明では、第２のガス導入機構から反応性ガスを供給すれば、反応性ガスの濃度勾配を低減することができる。また、第２のガス導入機構からは少なくとも反応性ガスが供給されるので、第１のガス導入機構からは、ターゲットのスパッタのための不活性ガスのみを導入するようにしても良い。すなわち、第２のガス導入機構からは、少なくとも反応性ガスを供給し、第１のガス導入機構からは少なくとも不活性ガスを供給すれば良いのである。
　上述のように本実施形態では、複数のバッキングプレート２ａ～２ｃおよびターゲット１ａ～１ｃを、隙間を設けて配置し、それら隙間の長手方向に沿ってガス導入管１１Ｂに接続されたガス導入溝５を形成し、ガス導入溝５から供給されるガスを通過させるように隙間１４、１５を形成している。従って、ターゲット内の領域からカソード機構と基板６との間の領域へと反応性ガスを供給することができるので、発生するプラズマ領域において反応性ガスの濃度勾配を低減することができる。従って、基板に成膜される膜質の均一化を図ることができる。
　また、従来では、基板やターゲットの大型化を行う場合、複数のバッキングプレートを配置しており、そのバッキングプレート間の隙間においてパーティクルが溜まってしまい、パーティクルの発生源となることがあった。しかしながら、本実施形態では、バッキングプレート間の隙間をガス導入路の一部として機能させている。よって、上記隙間にパーティクルが溜まることが抑制され、ノジュールやパーティクルの発生を低減することができる。
　さらに、本実施形態では、複数のバッキングプレートおよび複数のターゲットを用い、それらを配置した際の隙間を利用してガス導入路の一部を形成している。よって、特許文献１のようにターゲットやバッキングプレートに穴を開ける加工や介挿部材を設ける加工を行わなくても、カソード機構と基板との間の領域にガスを供給することができる。よって、コストを抑えた反応性スパッタリングを行うことができる。また、上記加工を用いる必要が無くバッキングプレートやターゲットを上述のように配置することにより、ガス導入路を形成することができる。よって、既存のバッキングプレートやターゲットを加工することなく用いることができ、基板やターゲットの大型化を容易に行うことができる。
　（第２の実施形態）
　第１の実施形態では、第１のガス導入機構および第２のガス導入機構の双方を有する形態について説明した。本実施形態では、第１のガス導入機構を設けない形態について説明する。
　第２のガス導入機構から、不活性ガスおよび反応性ガスを含む混合ガスを導入する場合、真空容器９内のカソード機構および基板６との間には、不活性ガスおよび反応性ガスの双方が導入されることになる。さらに、第２のガス導入機構は、プラズマが発生する領域である、カソード機構と基板６との間の領域において反応性ガスの濃度勾配が低減するようにガスを供給する機構である。よって、ガス導入管１１Ａを含む第１のガス導入機構を設けなくても、プラズマが発生する領域には不活性ガスと反応性ガスが供給され、かつ反応性ガスの濃度勾配の均一化を図ることができる。
　このように、本実施形態では、第２のガス導入機構から混合ガスを供給する場合は、第１のガス導入機構を真空容器９に設けなくても、第１の実施形態と同様の効果を実現することができる。
　以上、添付図面を参照して本願の好ましい実施形態、実施例を説明したが、本発明はかかる実施形態、実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲のおいて種々の形態に変更可能である。

Claims (13)

  1. 　真空容器と、
    　前記真空容器内に配置され、基板を保持するための基板ホルダーと、
    　前記基板ホルダーと対向して配置され、複数のターゲットを支持するための複数のバッキングプレートと、
    　前記真空容器内にガスを導入するガス導入機構とを備えたスパッタリング装置であって、
    　前記複数のバッキングプレートは、第１の隙間を持って配置され、
    　前記ガス導入機構は、前記第１の隙間を通してガスを導入することを特徴とするスパッタリング装置。
  2. 　第２の隙間を持って配置され、前記複数のバッキングプレートに配置された複数のターゲットをさらに備え、
    　前記ターゲットの各々の間の第２の隙間が、前記バッキングプレートの各々の間の第１の隙間より小さく、かつ前記第２の隙間が前記第１の隙間の少なくとも一部と重なるように前記複数のターゲットは前記複数のバッキングプレートに配置され、
    　前記ガス導入機構は、前記第１の隙間および第２の隙間を通してガスを導入することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
  3. 　前記バッキングプレートの、前記ターゲットを支持する面と対向する面に配置され、少なくとも１つの貫通孔を有する絶縁板と、
    　前記絶縁板の、前記バッキングプレートが配置された面と対向する面に配置され、溝が形成された保持部材とをさらに備え、
    　前記溝が形成された面上に前記絶縁板が配置されており、
    　前記ガス導入機構は、前記溝、貫通孔、および前記第１の隙間をこの順番で経由して前記ガスを導入することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
  4. 　前記第２の隙間は、0.2ｍｍ～1.0ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項２に記載のスパッタリング装置。
  5. 　前記ガス導入機構により前記真空容器に導入させるガスは、不活性ガスおよび反応性ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
  6. 　前記ガス導入機構とは別個のガス導入機構であって、前記バッキングプレートとは別個の位置からガスを導入するためのガス導入機構をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
  7. 　前記ガス導入機構からは少なくとも不活性ガスが導入され、前記別個のガス導入機構からは少なくとも反応性ガスが導入されることを特徴とする請求項６に記載のスパッタリング装置。
  8. 　前記ガス導入機構および前記別個のガス導入機構から、前記不活性ガスおよび前記反応性ガスを含む混合ガスが導入されることを特徴とする請求項７に記載のスパッタリング装置。
  9. 　請求項１に記載のスパッタリング装置を用いて、基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
    　前記複数のターゲットを前記複数のバッキングプレートに隙間を持って配置する工程であって、前記ターゲットの各々の間の第２の隙間が、前記バッキングプレートの各々の間の第１の隙間より小さく、かつ前記第２の隙間が前記第１の隙間の少なくとも一部と重なるように前記複数のターゲットを前記複数のバッキングプレートに配置する工程を有することを特徴とする薄膜形成方法。
  10. 　前記導入されるガスは不活性ガスおよび反応性ガスを含む混合ガスであることを特徴とする請求項９に記載の薄膜形成方法。
  11. 　前記スパッタリング装置は、前記ガス導入機構とは別個のガス導入機構であって、前記カソード機構とは別個の位置からガスを導入するためのガス導入機構をさらに備え、
    　前記ガス導入機構からは少なくとも不活性ガスを導入し、前記別個のガス導入機構からは少なくとも反応性ガスを導入することを特徴とする請求項９に記載の薄膜形成方法。
  12. 　前記ガス導入機構および前記別個のガス導入機構から、前記不活性ガスおよび前記反応性ガスを含む混合ガスを導入することを特徴とする請求項１１に記載の薄膜形成方法。
  13. 　前記ガス導入機構と前記別個のガス導入機構とから同時に、前記混合ガスを導入することを特徴とする請求項１２に記載の薄膜形成方法。
PCT/JP2008/067736 2008-09-30 2008-09-30 スパッタリング装置および薄膜形成方法 WO2010038271A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2008/067736 WO2010038271A1 (ja) 2008-09-30 2008-09-30 スパッタリング装置および薄膜形成方法
CN2008800103176A CN101778961B (zh) 2008-09-30 2008-09-30 溅射设备和薄膜形成方法
JP2010517625A JP4599473B2 (ja) 2008-09-30 2008-09-30 スパッタリング装置および薄膜形成方法
US12/540,693 US20100078313A1 (en) 2008-09-30 2009-08-13 Sputtering apparatus and method of thin film formation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2008/067736 WO2010038271A1 (ja) 2008-09-30 2008-09-30 スパッタリング装置および薄膜形成方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US12/540,693 Continuation US20100078313A1 (en) 2008-09-30 2009-08-13 Sputtering apparatus and method of thin film formation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010038271A1 true WO2010038271A1 (ja) 2010-04-08

Family

ID=42056225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/067736 WO2010038271A1 (ja) 2008-09-30 2008-09-30 スパッタリング装置および薄膜形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100078313A1 (ja)
JP (1) JP4599473B2 (ja)
CN (1) CN101778961B (ja)
WO (1) WO2010038271A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017014562A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 株式会社コベルコ科研 スパッタリングターゲット組立体

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201124548A (en) * 2010-01-11 2011-07-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Sputtering device
JP2012177191A (ja) 2011-02-03 2012-09-13 Canon Inc 成膜装置及び成膜方法
CN105671500B (zh) * 2011-04-26 2018-10-12 株式会社爱发科 阴极单元
KR20120130518A (ko) * 2011-05-23 2012-12-03 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링용 분할 타겟 장치 및 그것을 이용한 스퍼터링 방법
KR20140036765A (ko) 2012-09-18 2014-03-26 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치
EP2811508B1 (en) * 2013-06-07 2019-04-24 Soleras Advanced Coatings bvba Gas configuration for magnetron deposition systems
DE102013216303A1 (de) * 2013-08-16 2015-02-19 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Sputtertarget, Vorrichtung zum Befestigen eines Sputtertargets, Verfahren zum Erkennen des Lösens eines Sputtermaterials sowie Herstellungsverfahren
TWI811691B (zh) * 2021-05-28 2023-08-11 天虹科技股份有限公司 磁場分布調整裝置、可調整磁場分布的沉積設備及其沉積方法
CN114134468A (zh) * 2021-12-03 2022-03-04 海珀(滁州)材料科技有限公司 一种真空溅镀时防止尖端放电产生的加工工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05230640A (ja) * 1992-02-25 1993-09-07 Fujitsu Ltd スパッタ装置
JPH05320891A (ja) * 1992-05-25 1993-12-07 Nec Corp スパッタリング装置
JP2007051308A (ja) * 2005-08-15 2007-03-01 Ulvac Japan Ltd ターゲット組立体及びこのターゲット組立体を備えたスパッタリング装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6679977B2 (en) * 1997-12-17 2004-01-20 Unakis Trading Ag Method of producing flat panels
US8137519B2 (en) * 2008-03-13 2012-03-20 Canon Anelva Corporation Sputtering cathode, sputtering apparatus provided with sputtering cathode, film-forming method, and method for manufacturing electronic device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05230640A (ja) * 1992-02-25 1993-09-07 Fujitsu Ltd スパッタ装置
JPH05320891A (ja) * 1992-05-25 1993-12-07 Nec Corp スパッタリング装置
JP2007051308A (ja) * 2005-08-15 2007-03-01 Ulvac Japan Ltd ターゲット組立体及びこのターゲット組立体を備えたスパッタリング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017014562A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 株式会社コベルコ科研 スパッタリングターゲット組立体

Also Published As

Publication number Publication date
CN101778961A (zh) 2010-07-14
JP4599473B2 (ja) 2010-12-15
US20100078313A1 (en) 2010-04-01
JPWO2010038271A1 (ja) 2012-02-23
CN101778961B (zh) 2012-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4599473B2 (ja) スパッタリング装置および薄膜形成方法
KR950005350B1 (ko) 반응성스퍼터링장치
JP2006083408A (ja) 真空成膜装置
TWI433949B (zh) Sputtering device and sputtering method
KR20130041105A (ko) 스퍼터 성막 장치 및 방착부재
JP2002088471A (ja) スパッタ装置
JP5527894B2 (ja) スパッタ装置
CN102428209A (zh) 成膜方法以及成膜装置
CN102245798A (zh) 溅镀装置及溅镀方法
JPH0641733A (ja) 反応性スパッタリング装置
JP2017133065A (ja) 成膜方法
JP2004190082A (ja) Ｐｖｄ・ｃｖｄ両用成膜装置及び当該装置を用いた成膜方法
JPH10152772A (ja) スパッタリング方法及び装置
KR101226478B1 (ko) 스퍼터링 마스크 및 이를 이용한 스퍼터링 장치
JPH11350123A (ja) 薄膜製造装置および液晶表示基板の製造方法
KR101105842B1 (ko) 환상형 타겟 마그네트론 스퍼터링 장치
EP2811508B1 (en) Gas configuration for magnetron deposition systems
TWI839638B (zh) 磁控管濺鍍裝置用之陰極單元及磁控管濺鍍裝置
JP2011074480A (ja) スパッタリング装置
JP2001220668A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法、並びにそれを用いて製作された薄膜デバイス
JP2006283132A (ja) 表面処理装置
JPH11189868A (ja) スパッタリング装置及び方法
WO2012140798A1 (ja) ターゲット及びターゲットの製造方法
JPH06212413A (ja) 反応性スパッタリング装置
WO2019176343A1 (ja) 成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200880010317.6

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010517625

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08877135

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08877135

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1