ATE136159T1 - Verfahren zum herstellen einer abgeschiedenen schicht, und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer abgeschiedenen schicht, und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung

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ATE136159T1
ATE136159T1 AT90310501T AT90310501T ATE136159T1 AT E136159 T1 ATE136159 T1 AT E136159T1 AT 90310501 T AT90310501 T AT 90310501T AT 90310501 T AT90310501 T AT 90310501T AT E136159 T1 ATE136159 T1 AT E136159T1
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AT
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producing
forming
semiconductor device
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deposited film
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AT90310501T
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Shigeyuki C O Canon Matsumoto
Osamu C O Canon Kabushik Ikeda
Kazuaki C O Canon Kabushi Ohmi
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Canon Kk
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    • H10P14/432—
    • H10W20/057—

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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2721023B2 (ja) * 1989-09-26 1998-03-04 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
EP0448223B1 (de) 1990-02-19 1996-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Verfahren zum Herstellen von abgeschiedener Metallschicht, die Aluminium als Hauptkomponente enthält, mit Anwendung von Alkylaluminiumhydrid
JPH06196419A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Canon Inc 化学気相堆積装置及びそれによる半導体装置の製造方法
US5552339A (en) * 1994-08-29 1996-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Furnace amorphous-SI cap layer to prevent tungsten volcano effect
JPH08186081A (ja) 1994-12-29 1996-07-16 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US6348419B1 (en) * 1999-08-18 2002-02-19 Infineon Technologies Ag Modification of the wet characteristics of deposited layers and in-line control
KR100451515B1 (ko) * 2002-06-28 2004-10-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 캐패시터 제조방법
JP2012177191A (ja) 2011-02-03 2012-09-13 Canon Inc 成膜装置及び成膜方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3816491A (en) * 1973-02-02 1974-06-11 Du Pont Hexamethyltungsten
US4349408A (en) * 1981-03-26 1982-09-14 Rca Corporation Method of depositing a refractory metal on a semiconductor substrate
US4617087A (en) * 1985-09-27 1986-10-14 International Business Machines Corporation Method for differential selective deposition of metal for fabricating metal contacts in integrated semiconductor circuits
DE3772659D1 (de) * 1986-06-28 1991-10-10 Ulvac Corp Verfahren und vorrichtung zum beschichten unter anwendung einer cvd-beschichtungstechnik.

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