JP2012160697A - シリコン基板の製造方法、シリコン基板、太陽電池用シリコン基板、太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池 - Google Patents
シリコン基板の製造方法、シリコン基板、太陽電池用シリコン基板、太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012160697A JP2012160697A JP2011157230A JP2011157230A JP2012160697A JP 2012160697 A JP2012160697 A JP 2012160697A JP 2011157230 A JP2011157230 A JP 2011157230A JP 2011157230 A JP2011157230 A JP 2011157230A JP 2012160697 A JP2012160697 A JP 2012160697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- boron nitride
- diffusing agent
- solar cell
- diffusion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 141
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 136
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 134
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 121
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 211
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 160
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 159
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 159
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 13
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 10
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 178
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 82
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 32
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- -1 2- (2- Butoxyethoxy) ethyl Chemical group 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 7
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 7
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 5
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 3
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRWFGVWFFZKLTI-IUCAKERBSA-N (-)-α-pinene Chemical compound CC1=CC[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1C2 GRWFGVWFFZKLTI-IUCAKERBSA-N 0.000 description 2
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCCCC UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEBUJFMRSBAMES-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-{[3,5-dihydroxy-2-(hydroxymethyl)-6-phosphanyloxan-4-yl]oxy}-3,5-dihydroxy-6-({[3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxy}methyl)oxan-4-yl)oxy]-3,5-dihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-4-yl phosphinite Chemical class OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC1C(O)C(OC2C(C(OP)C(O)C(CO)O2)O)C(O)C(OC2C(C(CO)OC(P)C2O)O)O1 FEBUJFMRSBAMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Natural products CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000416162 Astragalus gummifer Species 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 2
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001615 Tragacanth Chemical class 0.000 description 2
- FUECIDVNGAUMGJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)=O.CCCCOCCOCCO FUECIDVNGAUMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N beta-myrcene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C=C UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULDHMXUKGWMISQ-UHFFFAOYSA-N carvone Chemical compound CC(=C)C1CC=C(C)C(=O)C1 ULDHMXUKGWMISQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N isobutyl acetate Chemical compound CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropyl acetate Chemical compound CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical compound CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010487 tragacanth Nutrition 0.000 description 2
- 239000000196 tragacanth Chemical class 0.000 description 2
- 229940116362 tragacanth Drugs 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N α-terpinene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)CC1 YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTARULDDTDQWMU-RKDXNWHRSA-N (+)-β-pinene Chemical compound C1[C@H]2C(C)(C)[C@@H]1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-IUCAKERBSA-N (-)-Nopinene Natural products C1[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-IUCAKERBSA-N 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N (4E,6E)-2,6-dimethylocta-2,4,6-triene Chemical compound C\C=C(/C)\C=C\C=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipropoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCCC PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-yl acetate Chemical compound COCC(C)OCC(C)OC(C)=O LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCCC QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 1-(2-propoxyethoxy)propane Chemical compound CCCOCCOCCC HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRRDISHSXWGFRF-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOC JRRDISHSXWGFRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOC HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBRRDORCFVPYMA-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]propane Chemical compound CCCOCCOCCOC MBRRDORCFVPYMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOGFHOWTVGAYFK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]propane Chemical compound CCCOCCOCCOCCC BOGFHOWTVGAYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSVVTQTKRGWGU-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCCC KTSVVTQTKRGWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHRSSDYDJRJIMN-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCCC OHRSSDYDJRJIMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOC SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCOCCCC MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVMKCHOJVQIXQN-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propoxy]propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCCC JVMKCHOJVQIXQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQEQLIIVVZJHCB-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCOC OQEQLIIVVZJHCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJPECKOHREIMQ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]hexane Chemical compound CCCCCCOCCOCCOCCOCCOC XUJPECKOHREIMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNXZHVUCNYMNOS-UHFFFAOYSA-N 1-butylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCN1CCCC1=O BNXZHVUCNYMNOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXFITNNCZLPZNX-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OC JXFITNNCZLPZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOCC KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORRRIJVZQZKAKQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC ORRRIJVZQZKAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFXVPXODAPMPMQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OC SFXVPXODAPMPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXAFMVDJGZBDEP-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propoxy]propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC FXAFMVDJGZBDEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAWUFGWWCWMUNU-UHFFFAOYSA-N 1-hexylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCCCN1CCCC1=O BAWUFGWWCWMUNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OC RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROSYHLFNMZTEKZ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OC ROSYHLFNMZTEKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutane Chemical compound CCCCOC CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 1-propoxy-2-(2-propoxypropoxy)propane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCCC JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 1-propylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCN1CCCC1=O DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1,4-dioxane Chemical compound CC1COC(C)CO1 AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTVLEKBQSDTQGO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)CO MTVLEKBQSDTQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHGDAJBKEFQCBH-UHFFFAOYSA-N 2-(2-heptan-2-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCC(C)OCCOCCO GHGDAJBKEFQCBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCGHAVKVTFDDJU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-heptan-2-yloxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(CCCCC)OC(C)COC(C)CO CCGHAVKVTFDDJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 2-Pentanol acetate Chemical compound CCCC(C)OC(C)=O GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNPUIIGTWSZCHE-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-heptan-2-yloxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(CCCCC)OC(C)COC(C)COC(C)CO NNPUIIGTWSZCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOCCOC(C)=O SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIXPMXHWOUQTBS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-pentan-2-yloxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(CCC)OC(C)COC(C)COC(C)CO YIXPMXHWOUQTBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXVMODFDROLTFD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCO MXVMODFDROLTFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHHZIUZGAHMEJB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-heptan-2-yloxypropoxy)propoxy]propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(CCCCC)OC(C)COC(C)COC(C)COC(C)CO SHHZIUZGAHMEJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDVPOIMGHIBHF-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-pentan-2-yloxypropoxy)propoxy]propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(CCC)OC(C)COC(C)COC(C)COC(C)CO HSDVPOIMGHIBHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYVKCQBOHJQWIO-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl propanoate Chemical compound CCOCCOC(=O)CC BYVKCQBOHJQWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-butanol Chemical compound CCC(CC)CO TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUIJQFIEOOGNKM-UHFFFAOYSA-N 2-heptan-2-yloxyethanol Chemical compound CCCCCC(C)OCCO IUIJQFIEOOGNKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAHNPAMCADTGIO-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCOC VAHNPAMCADTGIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pentanol Chemical compound CCCC(C)CO PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDWALOBQJFOMS-UHFFFAOYSA-N 3,6,9,12,15-pentaoxaheptadecane Chemical compound CCOCCOCCOCCOCCOCC HYDWALOBQJFOMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical class C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000005973 Carvone Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005682 EO-PO block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N Mayol Natural products CC1=C(O)C(=O)C=C2C(CCC3(C4CC(C(CC4(CCC33C)C)=O)C)C)(C)C3=CC=C21 WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000881 Modified starch Polymers 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-UHFFFAOYSA-N Pseudopinene Natural products C1C2C(C)(C)C1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002305 Schizophyllan Polymers 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVTZKFWZDBJAHE-UHFFFAOYSA-N [N].N Chemical compound [N].N CVTZKFWZDBJAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229940022663 acetate Drugs 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N alpha-Fenchene Natural products C1CC2C(=C)CC1C2(C)C XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N alpha-myrcene Natural products CC(=C)CCCC(=C)C=C VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVNCAPSFBDBCGF-UHFFFAOYSA-N alpha-pinene Natural products CC1=CCC23C1CC2C3(C)C MVNCAPSFBDBCGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229930006722 beta-pinene Natural products 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical compound [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N cis-alloocimene Natural products CC=C(C)C=CC=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- LCWMKIHBLJLORW-UHFFFAOYSA-N gamma-carene Natural products C1CC(=C)CC2C(C)(C)C21 LCWMKIHBLJLORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N hexan-2-yl acetate Chemical compound CCCCC(C)OC(C)=O RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N methoxypropane Chemical compound CCCOC VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxypropionate Chemical group COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 235000019426 modified starch Nutrition 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000007823 ocimene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002897 organic nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002077 partially stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)O GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- GRWFGVWFFZKLTI-UHFFFAOYSA-N rac-alpha-Pinene Natural products CC1=CCC2C(C)(C)C1C2 GRWFGVWFFZKLTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 235000010413 sodium alginate Nutrition 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N tetradecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(C)O BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJPBRODHZKDRCB-UHFFFAOYSA-N trans-alpha-ocimene Natural products CC(=C)CCC=C(C)C=C XJPBRODHZKDRCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N undecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCC(C)O XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N β-ocimene Natural products CC(C)=CCC=C(C)C=C IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2225—Diffusion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/228—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】単位面積あたりのホウ素原子拡散量が選択領域で多くなるよう、窒化ホウ素及び分散媒を含有する拡散剤を下記(1)〜(3)の少なくとも一つの方法によりシリコン基板上に塗布する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記シリコン基板を加熱する熱拡散処理工程と、を有するp型拡散層を有するシリコン基板の製造方法。(1)前記拡散剤として、窒化ホウ素の濃度が異なる少なくとも二種の拡散剤を用い、窒化ホウ素の濃度の高い前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。(2)前記選択領域では、前記拡散剤の塗布を繰り返して重ね塗りを行う。(3)拡散能の高い窒化ホウ素を含有する前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。
【選択図】なし
Description
また、他の方法としては、ドーパント濃度が異なる複数の拡散剤をインクジェット法によりシリコン基板に塗り分け、ドーパントを拡散させるという方法である(例えば、特許文献2参照)。
すなわち、上記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
前記塗布工程の後、前記シリコン基板を加熱する熱拡散処理工程と、
を有する、p型拡散層を有するシリコン基板の製造方法。
(1)前記拡散剤として、窒化ホウ素の濃度が異なる少なくとも二種の拡散剤を用い、窒化ホウ素の濃度の高い拡散剤を前記選択領域に塗布する。
(2)前記選択領域では、前記拡散剤を重ね塗りする。
(3)拡散能の高い窒化ホウ素を含有する拡散剤を前記選択領域に塗布する。
選択領域上に設けられた電極と、
を有する太陽電池素子。
(2)前記選択領域では、拡散剤を重ね塗りする。
(3)拡散能の高い窒化ホウ素を含有する拡散剤を前記選択領域に塗布する。
また、窒化ホウ素を用いることで、シリコン基板の単位面積あたりのホウ素原子拡散量が異なる領域(p+拡散層、p++拡散層、p+++拡散層など)を形成することができる。これは窒化ホウ素が固相拡散によってシリコン基板内へホウ素拡散することに起因すると考えられる。固相拡散においては、シリコン基板上の窒化ホウ素の塗布量、例えば塗布厚さが多くなるほど、窒化ホウ素粒子から揮発したホウ素を含む気体を閉じ込めることができ、ホウ素を含む気体とシリコン基板との接触確率が高くなり、結果としてシリコン基板内のホウ素原子拡散量が高くなると考えられる。逆に、窒化ホウ素の塗布量が少ないと、窒化ホウ素粒子から揮発したホウ素を含む気体はシリコン基板から離れる方向へ拡散しやすくなり、シリコン基板内へ拡散しにくくなると考えることができる。
以下では、本発明に用いる拡散剤について説明する。本発明に用いる拡散剤は、窒化ホウ素と、分散媒とを含有し、更に塗布性などを考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有して構成される。
本発明に係る拡散剤は、窒化ホウ素を含む。拡散剤が窒化ホウ素を含んでいるかどうかは、粉末X線回折などによって窒化ホウ素に由来するピークの有無を調べることで、判別することができる。
窒化ホウ素粒子の酸素含有率は、市販の酸素・窒素分析装置を用い、不活性ガス融解・赤外線吸収法により行うことができる。酸素・窒素分析装置としては例えば、LECO社製の酸素・窒素分析装置や、堀場製作所製の固体中高精度酸素・窒素分析装置を挙げることができる。
また前記酸化物は、窒化ホウ素粒子の酸素含有率が所定の範囲である限り、窒化ホウ素粒子の粒子表面に含まれていても、粒子内部に含まれていてもよい。中でもホウ素原子拡散性の観点から、窒化ホウ素粒子の少なくとも粒子表面に含まれていることが好ましい。
粒子表面のみを酸化処理することで、窒化ホウ素由来の化学的安定性と、酸化物(好ましくは、酸化ホウ素)由来の拡散能力とをより高いレベルで両立することができる。
熱処理温度としては、900℃以上であることが好ましく、900℃〜1150℃であることがより好ましく、950℃〜1050℃であることが更に好ましい。熱処理温度が900℃以上であると、窒化ホウ素粒子の粒子表面の酸化が効率的に進行し、酸化処理の効果が得られやすくなる。また1150℃以下であると、窒化ホウ素粒子の粒子表面の酸化速度が速くなりすぎることを抑制でき、処理時間の制御が容易になる。
また粉砕処理時の分散媒と拡散剤の分散媒が異なる場合には、粉砕処理後に乾燥し、再度別の分散媒に分散して使用する。機械的粉砕処理をすることで、結晶性の高い窒化ホウ素であっても拡散能力が向上する傾向にある。
分散処理における処理条件は、特に制限されず、用いる粉砕装置や分散媒等に応じて適宜選択することができる。
拡散剤中の窒化ホウ素の含有比率が5質量%以上であると、十分なホウ素拡散能力が得られ、基板の低抵抗化が容易になる傾向にあり、60質量%以下であると拡散剤を均一に塗布することが容易になる傾向にある。
その他のホウ素化合物の含有量は特に制限されず、例えば、窒化ホウ素に対して100質量%以下とすることができ、30質量%以下であることが好ましい。
その他のホウ素化合物は、窒化ホウ素の粒子の表面に含まれていてもよく、また窒化ホウ素粒子の内部に含まれていてもよい。
本発明にかかる拡散剤は、分散媒を含む。分散媒を含んで構成されていることで、より生産性よく所望の形状に均一性の高いp型拡散層を形成することができる。
分散媒とは、組成物中において上記ホウ素化合物を分散させる媒体である。具体的に分散媒は、少なくとも溶剤や水等の液状媒体を含み、必要に応じて有機バインダを含んで構成される。
拡散剤とした場合、基板への塗布性の観点から、α−テルピネオール、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルが好ましく、α−テルピネオール、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルが好ましい溶剤として挙げられる。
有機バインダとしては例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント又はトラガカント誘導体、デキストリン又はデキストリン誘導体、(メタ)アクリル酸樹脂、(メタ)アクリル酸エステル樹脂(例えば、アルキル(メタ)アクリレート樹脂、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート樹脂等)、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂及びこれらの共重合体などを挙げることができ、これらから適宜選択しうる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
本発明における分散媒は、α−テルピネオール、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル及び酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルから選ばれる溶剤を拡散剤中に10質量%〜95質量%含み、エチルセルロース、ポリビニルアセタール樹脂、(メタ)アクリル酸樹脂、ヒドロキシエチルセルロース、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル樹脂からなる群より選ばれる有機バインダを拡散剤中に0.5質量%〜10質量%含んで構成されることが好ましく、α−テルピネオール及びジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルから選ばれる溶剤を10質量%〜95質量%含み、エチルセルロース、ポリビニルアセタール樹脂、(メタ)アクリル酸樹脂からなる群から選ばれる有機バインダを拡散剤中に0.5質量%〜10質量%含んで構成されることがより好ましい。
mPa・s〜10000Pa・sとすることができ、1Pa・s〜1000Pa・sであることが好ましい。
前記拡散剤は、上記窒化ホウ素及び分散媒に加えてその他の成分として、ケイ素含有物質、酸化促進剤、増粘剤、湿潤剤、各種添加剤を含んでもよい。その他の成分としては例えば、界面活性剤、無機粉末、有機ホウ素化合物、有機アルミニウム化合物、ケイ素原子を含む樹脂、チキソ剤などが挙げられる。
次に、選択エミッタ構造のp型拡散層を有するシリコン基板及び太陽電池素子の製造方法について説明する。以下ではn型シリコン基板を用いた方法について記載するが、p型シリコン基板を用いた方法についても同様に適用できる。
詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を20質量%苛性ソーダで除去する。次いで1質量%苛性ソーダと10質量%イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する。太陽電池素子は、受光面(表面)側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。
前記550℃〜650℃での熱処理は、空気雰囲気下で行うことが、窒化ホウ素に付着している可能性のある有機物を効果的に除去できる点から好ましい。
エッチングによりガラス層等を除去した後、洗浄を行う。洗浄は流水洗浄、スクラビング、超音波洗浄のいずれかを組み合わせることが好ましい。
より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05〜1.0、反応室の圧力が13.3Pa(0.1Torr)〜266.6Pa(2Torr)、成膜時の温度が300℃〜550℃、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。
このような表面電極は、例えば、上述の電極用金属ペーストのスクリーン印刷、又は電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着などの手段により形成することができる。バスバー電極とフィンガー電極とからなる表面電極は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。
図1は、p型拡散層を製造する工程図の一例を例示するものである。図1の工程図では、前記(2)の方法によってp+拡散層、p++拡散層を形成する方法を説明する。但し、この工程図は本発明の製造方法を制限するものではない。
バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp+++型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明の方法では、特定の部位にp+++型拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。
本発明の太陽電池は、前記太陽電池素子の少なくとも1つを含み、太陽電池素子の電極上にタブ線が配置されて構成される。太陽電池はさらに必要に応じて、タブ線を介して複数の太陽電池素子が連結され、さらに封止材で封止されて構成されていてもよい。
前記タブ線及び封止材としては特に制限されず、当業界で通常用いられているものから適宜選択することができる。
(拡散剤1の調製)
エチルセルロース(有機バインダ、日進化成製エトセル)を6.0質量%含むテルピネオール(分散媒、日本テルペン化学)溶液を調製した。この溶液8gと、六方晶の窒化ホウ素(電気化学工業製、デンカボロンナイトライド[GP]、体積平均粒子径(50%D):12μm)2gを乳鉢で混合して、拡散剤(以下、単に「ペースト」ともいう)1を調製した。窒化ホウ素粒子の体積平均粒子径(50%D)はレーザー回折式粒度分布測定装置により測定した。
ペーストの粘度を東京計器製E型粘度計により測定したところ、25℃、0.5rpmにおける粘度が61Pa・s、5rpmにおける粘度が37Pa・sであった。
窒化ホウ素粒子の酸素含有率は、酸素・窒素分析装置(TC436:LECO社製)を用いて測定した。インパルス炉を5400Wに設定することで炉内の温度を1600℃とした。窒化ホウ素粉末0.1g〜0.2gを不活性ガス(ヘリウム)気流中で加熱し、酸素を赤外検出器にて測定した。得られたスペクトルを酸素含有率が分かっている基準物質(酸化イットリウム)と比較することで酸素含有率を算出した。
湿式粉砕装置としてビーズミル(アイメックス製NVM−2)を用いた。直径0.5mmのイットリア安定化ジルコニアビーズを用い、水媒体中にて窒化ホウ素(電気化学工業製、デンカボロンナイトライド[GP])を30分間、湿式粉砕処理した。得られた水分散スラリーを140℃にて蒸発乾固して、窒化ホウ素粒子を得た。得られた窒化ホウ素粒子の酸素含有率は1.22質量%であった。
この窒化ホウ素粒子を用いた以外は実施例1と同様にして、拡散剤2を調整した。
スライスしたn型シリコン基板(以下、「n型スライスシリコン基板」ともいう)表面上に、拡散剤1をスクリーン印刷によって全面に塗布し、150℃のホットプレート上で5分間乾燥させた(一度塗り)。次いで、拡散剤2を電極形成予定部位(幅5mm)のみにスクリーン印刷により塗布し、150℃のホットプレート上で5分間乾燥した(二度塗り)。
(外観観察)
p+拡散層及びp++拡散層が形成されたn型シリコン基板には反りが発生していなかった。
また、n型シリコン基板表面を光学顕微鏡で観察したところ、エッチングによって除去されない残渣は殆ど観察されなかった。また、n型シリコン基板表面を光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で観察したところ、一度塗りした部分と二度塗り下部分とでは、特に違いは観察されず、異物も観察されなかった。
p型拡散層が形成されたn型スライスシリコン基板の表面のシート抵抗を、三菱化学(株)製Loresta−EP MCP−T360型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。
一度塗りした部位(p+拡散層)の抵抗は75Ω/□であり、二度塗りした部位(p++拡散層、電極形成予定部位)は47Ω/□であった。なお、拡散剤を塗布しないn型シリコン基板のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であった。
p型拡散層が形成されたn型スライスシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外のピークは観察されなかった。
一度塗り及び二度塗りの両方に拡散剤2を用いた以外は実施例1と同様にして、p+拡散層及びp++拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。
得られたn型シリコン基板について、実施例1と同様にして評価した。このn型シリコン基板には反りが発生していなかった。また、n型シリコン基板表面において、エッチングによって除去されない残渣は殆ど観察されなかった。一度塗りした部分と二度塗り下部分とでは、特に違いは観察されず、異物も観察されなかった。
一度塗りした部位(p+拡散層)の抵抗は60Ω/□であり、二度塗りした部位(p++拡散層)の抵抗は46Ω/□であった。
n型スライスシリコン基板の代わりに、表面にテクスチャー構造を有するp型シリコン基板を用いた以外は実施例1と同様にして、p+拡散層及びp++拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。
一度塗りした部位(p+拡散層)の抵抗は80Ω/□であり、二度塗りした部位(p++拡散層)の抵抗は30Ω/□であった。なお、拡散剤を塗布しないp型シリコン基板のシート抵抗は900Ω/□であった。
n型スライスシリコン基板の代わりに、表面にテクスチャー構造を有するp型シリコン基板を用いた以外は実施例2と同様にして、p+拡散層及びp++拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。
得られたp型シリコン基板について、実施例1と同様にして評価した。このp型シリコン基板には反りが発生していなかった。また、p型シリコン基板表面において、エッチングによって除去されない残渣は殆ど観察されなかった。一度塗りした部分と二度塗り下部分とでは、特に違いは観察されず、異物も観察されなかった。
一度塗りした部位(p+拡散層)の抵抗は45Ω/□であり、二度塗りした部位(p++拡散層)の抵抗は26Ω/□であった。
(拡散剤3の調製)
エチルセルロースを6.0質量%含むテルピネオール溶液8gと、六方晶の窒化ホウ素(電気化学工業製、デンカボロンナイトライド[SP−2]、平均粒子径4μm)2gを乳鉢で混合して、拡散剤3を調製した。デンカボロンナイトライド[SP−2]の酸素含有率は1.3質量%であった。
拡散剤1の代わりに拡散剤3を用いた以外は実施例1と同様にして、p+拡散層及びp++拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。
得られたn型シリコン基板について、実施例1と同様にして評価した。このn型シリコン基板には反りが発生していなかった。また、n型シリコン基板表面において、エッチングによって除去されない残渣は殆ど観察されなかった。一度塗りした部分と二度塗り下部分とでは、特に違いは観察されず、異物も観察されなかった。
一度塗りした部位(p+拡散層)の抵抗は270Ω/□であり、二度塗りした部位(p++拡散層)の抵抗は52Ω/□であった。
スライスしたn型シリコン基板表面上に、拡散剤2をスクリーン印刷によって電極形成予定部位(幅5mm)のみに塗布し、150℃のホットプレート上で5分間乾燥させた(一回目塗布)。次いで、拡散剤3を基板全面に塗布、乾燥した(二回目塗布)。
冷却後、n型シリコン基板を流水洗浄し、n型シリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を、2.5質量%HF水溶液に5分間浸漬し、次いで流水洗浄、スクラブ洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、p+拡散層、p++拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。
一回のみ塗布された部位(p+拡散層)の抵抗は290Ω/□であり、二回重ね塗りした部位(p++拡散層)の抵抗は55Ω/□であった。
窒化ホウ素の代わりに酸化ホウ素(高純度化学研究所製)を用いた以外は、実施例1と同様にして比較の拡散剤A,Bを調製した。この比較の拡散剤A,Bを用いた以外は実施例1と同様にして、拡散層を有するn型シリコン基板を得た。
このn型シリコン基板では、一度塗りした部位の抵抗は70Ω/□であり、二度塗りした部位の抵抗は68Ω/□であり、明確な差は確認されず、選択エミッタ構造となっていなかった。
10 第一拡散剤層
11 第二拡散剤層
12 第三拡散剤層
20 p+拡散層
21 p++拡散層
22 p+++拡散層
30 熱処理物層
40 n+拡散層
50 表面保護膜
60 反射防止膜
70、80 電極
100、110 太陽電池素子
Claims (9)
- 単位面積あたりのホウ素原子拡散量が選択領域で多くなるよう、窒化ホウ素及び分散媒を含有する拡散剤を下記(1)〜(3)の少なくとも一つの方法によりシリコン基板上に塗布する塗布工程と、
前記塗布工程の後、前記シリコン基板を加熱する熱拡散処理工程と、
を有する、p型拡散層を有するシリコン基板の製造方法。
(1)前記拡散剤として、窒化ホウ素の濃度が異なる少なくとも二種の拡散剤を用い、窒化ホウ素の濃度の高い前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。
(2)前記選択領域では、前記拡散剤を重ね塗りする。
(3)拡散能の高い窒化ホウ素を含有する前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。 - 前記選択領域への前記拡散剤の塗布が、インクジェット法、オフセット印刷法、又はスクリーン印刷法である請求項1に記載のシリコン基板の製造方法。
- 前記塗布工程が、前記拡散剤を選択領域に部分的に塗布し乾燥する第一の塗布工程と、前記第一の塗布工程での塗布と同一面の全面に前記拡散剤を塗布し乾燥する第二の塗布工程と、を有する請求項1又は請求項2に記載のシリコン基板の製造方法。
- 前記塗布工程が、前記選択領域を含む全面に前記拡散剤を塗布し乾燥する第一の塗布工程と、第一の塗布工程の後で前記拡散剤を選択領域に部分的に塗布し乾燥する第二の塗布工程と、を有する請求項1又は請求項2に記載のシリコン基板の製造方法。
- 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の製造方法により製造されるp型拡散層を有するシリコン基板。
- 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の製造方法により製造される太陽電池用シリコン基板。
- 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の製造方法により製造された太陽電池用シリコン基板の選択領域上に電極を形成する工程を有する太陽電池素子の製造方法。
- 請求項6に記載の太陽電池用シリコン基板と、
選択領域上に設けられた電極と、
を有する太陽電池素子。 - 請求項8に記載の太陽電池素子と、前記太陽電池素子の電極上に配置されたタブ線と、を有する太陽電池。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011157230A JP2012160697A (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | シリコン基板の製造方法、シリコン基板、太陽電池用シリコン基板、太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池 |
KR1020137021095A KR20140057189A (ko) | 2011-01-13 | 2012-01-11 | p 형 확산층 형성 조성물, p 형 확산층을 갖는 실리콘 기판의 제조 방법, 태양 전지 소자의 제조 방법, 및 태양 전지 |
PCT/JP2012/050391 WO2012096311A1 (ja) | 2011-01-13 | 2012-01-11 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層を有するシリコン基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 |
EP12734324.2A EP2665089B1 (en) | 2011-01-13 | 2012-01-11 | COMPOSITION FOR FORMING p-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING SILICON SUBSTRATE HAVING p-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC CELL , AND PHOTOVOLTAIC CELL |
CN2012800051869A CN103299400A (zh) | 2011-01-13 | 2012-01-11 | p型扩散层形成用组合物、具有p型扩散层的硅基板的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池 |
TW104108973A TWI604513B (zh) | 2011-01-13 | 2012-01-12 | 形成p型擴散層的組成物、具有p型擴散層矽基板的製造方法、太陽電池元件的製造方法及太陽電池 |
TW101101169A TWI536432B (zh) | 2011-01-13 | 2012-01-12 | 形成p型擴散層的組成物、具有p型擴散層的矽基板的製造方法、太陽電池元件的製造方法及太陽電池 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011005333 | 2011-01-13 | ||
JP2011005333 | 2011-01-13 | ||
JP2011157230A JP2012160697A (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | シリコン基板の製造方法、シリコン基板、太陽電池用シリコン基板、太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012160697A true JP2012160697A (ja) | 2012-08-23 |
Family
ID=46506937
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012552621A Pending JPWO2012096018A1 (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-14 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2011157228A Expired - Fee Related JP5982746B2 (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池 |
JP2011157227A Expired - Fee Related JP5927793B2 (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2011157230A Pending JP2012160697A (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | シリコン基板の製造方法、シリコン基板、太陽電池用シリコン基板、太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池 |
JP2011157229A Expired - Fee Related JP5866840B2 (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層形成組成物の製造方法、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池の製造方法 |
JP2014224366A Pending JP2015062238A (ja) | 2011-01-13 | 2014-11-04 | p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2015172190A Pending JP2016015509A (ja) | 2011-01-13 | 2015-09-01 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2015186494A Pending JP2016026394A (ja) | 2011-01-13 | 2015-09-24 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012552621A Pending JPWO2012096018A1 (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-14 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2011157228A Expired - Fee Related JP5982746B2 (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池 |
JP2011157227A Expired - Fee Related JP5927793B2 (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011157229A Expired - Fee Related JP5866840B2 (ja) | 2011-01-13 | 2011-07-15 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層形成組成物の製造方法、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池の製造方法 |
JP2014224366A Pending JP2015062238A (ja) | 2011-01-13 | 2014-11-04 | p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2015172190A Pending JP2016015509A (ja) | 2011-01-13 | 2015-09-01 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2015186494A Pending JP2016026394A (ja) | 2011-01-13 | 2015-09-24 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2665089B1 (ja) |
JP (8) | JPWO2012096018A1 (ja) |
KR (1) | KR20140057189A (ja) |
CN (3) | CN103299399A (ja) |
TW (4) | TW201230377A (ja) |
WO (1) | WO2012096018A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013236083A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Lg Electronics Inc | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2016184709A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-20 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
WO2020116340A1 (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 東レ株式会社 | 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法 |
WO2021033434A1 (ja) | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | リン酸塩ガラスおよびそれを用いた発光装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014014112A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | 太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
JP2014082332A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Hitachi Chemical Co Ltd | 液状組成物 |
JP6108781B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2017-04-05 | 東京応化工業株式会社 | 不純物拡散成分の拡散方法、及び太陽電池の製造方法 |
NL2010116C2 (en) * | 2013-01-11 | 2014-07-15 | Stichting Energie | Method of providing a boron doped region in a substrate and a solar cell using such a substrate. |
WO2014118923A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
US9837575B2 (en) * | 2013-02-06 | 2017-12-05 | Panasonic Production Engineering Co., Ltd. | Method of manufacturing solar battery cell |
DE102013106272B4 (de) * | 2013-06-17 | 2018-09-20 | Hanwha Q Cells Gmbh | Wafersolarzelle und Solarzellenherstellungsverfahren |
JP6340069B2 (ja) * | 2014-04-04 | 2018-06-06 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP6672034B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2020-03-25 | 東京応化工業株式会社 | 不純物拡散剤組成物、及び半導体基板の製造方法 |
JP6946210B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-10-06 | 東京応化工業株式会社 | 拡散剤組成物、及び半導体基板の製造方法 |
CN110366771B (zh) * | 2018-02-02 | 2023-01-03 | 新电元工业株式会社 | 半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法 |
JP6973517B2 (ja) * | 2019-02-26 | 2021-12-01 | Jfeスチール株式会社 | 車両用構造部材 |
CN111261729B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-03-29 | 上海匡宇科技股份有限公司 | 一种掺杂用硅浆料、制备方法及硅片的掺杂方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5618416A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Toshiba Corp | Method for diffusing impurity into semiconductor substrate |
JPS605100A (ja) * | 1983-06-08 | 1985-01-11 | アライド・コ−ポレ−シヨン | 硼素、燐、アンチモンおよび砒素のド−パントの安定懸濁液 |
JP2003069056A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
WO2010077800A1 (en) * | 2008-12-29 | 2010-07-08 | Honeywell International Inc. | Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and mehtods for fabricating suich boron-comprising inks |
JP2010157654A (ja) * | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE548647A (ja) * | 1955-06-28 | |||
JP2575495B2 (ja) * | 1989-06-01 | 1997-01-22 | 信越化学工業株式会社 | ほう素拡散剤およびその製造方法 |
JP3519847B2 (ja) * | 1995-12-26 | 2004-04-19 | 東京応化工業株式会社 | ホウ素拡散用塗布液 |
JP3731096B2 (ja) * | 1996-10-25 | 2006-01-05 | 株式会社高純度化学研究所 | 半導体用ドーパント材ホウ素及びその製造方法 |
DE19910816A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-10-05 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern |
JP4394814B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-01-06 | 電気化学工業株式会社 | 半導体用硼素ドープ材の製造方法 |
JP2003124235A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ii−vi族化合物半導体、その熱処理方法およびその熱処理装置 |
JP2006265658A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Nippon Paint Co Ltd | カチオン電着塗料組成物及びカチオン電着塗装方法 |
JP4347254B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2009-10-21 | 電気化学工業株式会社 | ホウ素拡散材およびその製造方法 |
JP4481869B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2010-06-16 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法 |
JP4392397B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2009-12-24 | 電気化学工業株式会社 | ホウ素拡散材の製造方法 |
CN101028228A (zh) * | 2006-03-01 | 2007-09-05 | 通用电气公司 | 含有亚微粒氮化硼颗粒的化妆品组合物 |
JPWO2009063841A1 (ja) * | 2007-11-15 | 2011-03-31 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池セル |
KR101631711B1 (ko) * | 2008-03-21 | 2016-06-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 확산용 인 페이스트 및 그것을 이용한 태양 전지의 제조 방법 |
JP5239531B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-07-17 | 株式会社リコー | 像担持体保護剤、保護層形成装置、画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
JP5748388B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2015-07-15 | 日本酢ビ・ポバール株式会社 | ホウ素拡散用塗布液 |
JP2010267787A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
US8778231B2 (en) * | 2010-12-16 | 2014-07-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Aluminum pastes comprising boron nitride and their use in manufacturing solar cells |
JP5935255B2 (ja) * | 2011-07-22 | 2016-06-15 | 日立化成株式会社 | インクジェット用不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
US8895348B2 (en) * | 2011-12-20 | 2014-11-25 | Innovalight Inc | Methods of forming a high efficiency solar cell with a localized back surface field |
-
2011
- 2011-07-14 JP JP2012552621A patent/JPWO2012096018A1/ja active Pending
- 2011-07-14 WO PCT/JP2011/066107 patent/WO2012096018A1/ja active Application Filing
- 2011-07-14 CN CN2011800649115A patent/CN103299399A/zh active Pending
- 2011-07-14 CN CN201510655317.3A patent/CN105161404A/zh active Pending
- 2011-07-15 JP JP2011157228A patent/JP5982746B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-15 JP JP2011157227A patent/JP5927793B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-15 JP JP2011157230A patent/JP2012160697A/ja active Pending
- 2011-07-15 JP JP2011157229A patent/JP5866840B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-16 TW TW100129228A patent/TW201230377A/zh unknown
- 2011-08-16 TW TW104134141A patent/TW201607074A/zh unknown
-
2012
- 2012-01-11 KR KR1020137021095A patent/KR20140057189A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-01-11 EP EP12734324.2A patent/EP2665089B1/en not_active Not-in-force
- 2012-01-11 CN CN2012800051869A patent/CN103299400A/zh active Pending
- 2012-01-12 TW TW104108973A patent/TWI604513B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-01-12 TW TW101101169A patent/TWI536432B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-11-04 JP JP2014224366A patent/JP2015062238A/ja active Pending
-
2015
- 2015-09-01 JP JP2015172190A patent/JP2016015509A/ja active Pending
- 2015-09-24 JP JP2015186494A patent/JP2016026394A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5618416A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Toshiba Corp | Method for diffusing impurity into semiconductor substrate |
JPS605100A (ja) * | 1983-06-08 | 1985-01-11 | アライド・コ−ポレ−シヨン | 硼素、燐、アンチモンおよび砒素のド−パントの安定懸濁液 |
JP2003069056A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
WO2010077800A1 (en) * | 2008-12-29 | 2010-07-08 | Honeywell International Inc. | Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and mehtods for fabricating suich boron-comprising inks |
JP2010157654A (ja) * | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013236083A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Lg Electronics Inc | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2016184709A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-20 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
WO2020116340A1 (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 東レ株式会社 | 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法 |
JP7459511B2 (ja) | 2018-12-07 | 2024-04-02 | 東レ株式会社 | 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法 |
WO2021033434A1 (ja) | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | リン酸塩ガラスおよびそれを用いた発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103299399A (zh) | 2013-09-11 |
EP2665089A1 (en) | 2013-11-20 |
JP5927793B2 (ja) | 2016-06-01 |
TW201530621A (zh) | 2015-08-01 |
JP2012160695A (ja) | 2012-08-23 |
JP2016015509A (ja) | 2016-01-28 |
JP2012160696A (ja) | 2012-08-23 |
EP2665089B1 (en) | 2016-06-29 |
JP5982746B2 (ja) | 2016-08-31 |
TWI536432B (zh) | 2016-06-01 |
WO2012096018A1 (ja) | 2012-07-19 |
TW201607074A (zh) | 2016-02-16 |
JP2016026394A (ja) | 2016-02-12 |
CN105161404A (zh) | 2015-12-16 |
CN103299400A (zh) | 2013-09-11 |
JP5866840B2 (ja) | 2016-02-24 |
JP2015062238A (ja) | 2015-04-02 |
KR20140057189A (ko) | 2014-05-12 |
TW201230377A (en) | 2012-07-16 |
JPWO2012096018A1 (ja) | 2014-06-09 |
TWI604513B (zh) | 2017-11-01 |
TW201230156A (en) | 2012-07-16 |
EP2665089A4 (en) | 2015-06-03 |
JP2012160694A (ja) | 2012-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5866840B2 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層形成組成物の製造方法、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池の製造方法 | |
JP5626339B2 (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP5541138B2 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池セルの製造方法 | |
US9520529B2 (en) | Composition for forming P-type diffusion layer, method of forming P-type diffusion layer, and method of producing photovoltaic cell | |
JP2013026343A (ja) | p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、および太陽電池素子 | |
JP2013026473A (ja) | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法および太陽電池 | |
JP5803080B2 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層形成組成物の製造方法、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 | |
WO2012096311A1 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層を有するシリコン基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 | |
JPWO2011132781A1 (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP2018016511A (ja) | 保護層形成用組成物、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池 | |
JP5541139B2 (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 | |
JP5541359B2 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP5842432B2 (ja) | p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP2016027665A (ja) | p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP2014090020A (ja) | バリア層形成用組成物、バリア層付き半導体基板、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法 | |
JP5626340B2 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP2017054918A (ja) | n型拡散層形成用組成物、n型拡散層を有する半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 | |
WO2016068315A1 (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP2017022350A (ja) | p型拡散層形成組成物及びそれを用いた太陽電池セル、太陽電池セルの製造方法 | |
JP2017022348A (ja) | p型拡散層形成組成物を用いた太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法 | |
JP2017022349A (ja) | p型拡散層形成組成物を用いた太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20130426 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140627 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160412 |