JP2012114427A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 容量素子を有し、
   前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記絶縁層と前記酸化物半導体層とは、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され、
   前記第１の電極は前記絶縁層と接して配置され、
   前記第２の電極は前記酸化物半導体層と接して配置され、
   前記第１の電極と前記酸化物半導体層とが重なる領域の面積は、前記第１の電極と前記酸化物半導体層と前記第２の電極とが重なる領域の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の電極の仕事関数は、前記酸化物半導体層の電子親和力以下であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記容量素子の容量値は、前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高いときに第１の容量値となり、前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも低い時に第２の容量値となり、
   前記第２の容量値は前記第１の容量値よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   画素に前記容量素子を有し、
   静止画表示を行う場合に、前記容量素子の容量値を前記第１の容量値とし、
   動画表示を行う場合に、前記容量素子の容量値を前記第２の容量値とすることを特徴とする半導体装置。