JP2012101996A - 炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平均粒径が100℃以上700μm以下であり、かつ比表面積が0.05m2/g以上0.30m2/g以下である炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。粒子径が5μm以上200μm以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることが好ましい。平均粒径が20μm以下の炭化ケイ素粉体を、温度1900℃以上2400℃以下、圧力70MPa以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度1.29g/cm3以上の焼結体を得る工程、得られた焼結体の粉砕による粒度調整工程、酸処理による不純物除去工程、を含む炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
【選択図】なし
Description
(1)平均粒径が100以上700μm以下であり、かつ比表面積が0.05m2/g以上0.30m2/g以下であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。
(2)粒子径が5μm以上200μm以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることを特徴とする前記(1)に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。
(3)平均粒径が20μm以下の炭化ケイ素粉体を、温度1900℃以上2400℃以下、圧力70MPa以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度1.29g/cm3(相対密度40%)以上の焼結体を得る工程、得られた焼結体の粉砕による粒度調整工程、酸処理による不純物除去工程、を含むことを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
(4)ケイ素源、炭素源及び平均粒径が20μm以上の炭化ケイ素粉体を5質量%以上50質量%以下用いた原料混合物を温度1800℃以上2300℃以下、非酸化性雰囲気下で加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得ることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
(5)平均粒径が100μm以上700μm以下の金属ケイ素と炭素源を温度1300℃以上1400℃以下、非酸化性雰囲気下で加熱焼成する炭化ケイ素粉体生成工程と、得られた炭化ケイ素粉体を非酸化雰囲気下で温度1800℃以上2300℃以下で加熱する後処理工程、を含むことを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
(6)炭素源が有機化合物であり、炭化ケイ素粉体生成工程の加熱焼成前に、500℃以上1000℃以下の非酸化性雰囲気下で有機化合物を加熱炭化処理することを特徴とする前記(5)に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
(焼結体粉砕法)
本発明の炭化ケイ素粉体の第一の製造方法として、炭化ケイ素粉体を焼結させて炭化ケイ素焼結体を製造して、得られた焼結体を粉砕することにより粒度調整を行い、粉砕工程で混入した不純物を酸処理により除去する製造方法が挙げられる。以下にその詳細を記載する。
本発明の炭化ケイ素粉体の第二の製造方法として、ケイ素源、炭素源と原料として用いる炭化ケイ素粉体の原料混合物を、加熱焼成する製造方法が挙げられる。以下にその詳細を記載する。
本発明の炭化ケイ素粉体の第三の製造方法として、ケイ素源である金属ケイ素に、炭素源となる加熱により炭素を残留する有機化合物を均一に被覆させ、これを非酸化性雰囲気下、金属ケイ素の融点(1410℃)以下の温度で加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得て、得られた炭化ケイ素粉体を非酸化性雰囲気下で、上記加熱温度より高い温度で加熱処理をする製造方法が挙げられる。以下にその詳細を記載する。
(焼結体粉砕法)
<実施例1>
原料である炭化ケイ素粉体は以下のように合成したものを用いた。金属シリコン(東芝LSI社製、シリコンスラッジ、平均粒径1.0μm、純度5N)とアセチレンブラック(電気化学工業社製、デンカブラック、平均粒径0.04μm)をケイ素と炭素の原素のモル比(C/Si)が1.0になるよう秤量し、エチルアルコール中で乳鉢を用いて混合した後に乾燥して原料粉末を調整した。原料粉末を黒鉛製坩堝に入れ、カーボンヒーター炉でアルゴン雰囲気下、温度1900℃で2時間保持して原料である炭化ケイ素粉体を得た。得られた炭化ケイ素粉体をX線回折装置(マックサイエンス社製、MXP−3型)を用いて結晶相分析したところ、β型(3C相)の炭化ケイ素であった。
炭化ケイ素粉末(大平洋ランダム社製、15H2 平均粒径0.5μm)を内径50mmの黒鉛型に充填し、予備成型後、高周波誘誘導加熱式ホットプレス装置を用いて、アルゴン雰囲気下、温度2000℃、圧力30MPaで2時間保持して炭化ケイ素焼結体を作製した。得られた焼結体について、寸法・質量測定法を用いて密度を測定したところ、1.95g/cm3(相対密度60.5%)であった。作製した炭化ケイ素焼結体を実施例1と同様の処理を行い、炭化ケイ素粉体を得た。得られた粉体特性は実施例1と同様に図1に示す。
炭化ケイ素粉末(住友大阪セメント社製、T−1 平均粒径0.03μm)を内径50mmの黒鉛型に充填し、予備成型後、高周波誘誘導加熱式ホットプレス装置を用いて、アルゴン雰囲気下、温度2200℃、圧力20MPaで2時間保持して炭化ケイ素焼結体を作製した。得られた焼結体について、寸法・質量測定法を用いて密度を測定したところ、1.37g/cm3(相対密度42.4%)であった。作製した炭化ケイ素焼結体を実施例1と同様の処理を行い、炭化ケイ素粉体を得た。得られた粉体特性は実施例1と同様に図1に示す。
実施例1と同様の方法で実施例4、比較例1〜3を実施した。その時の原料の種々の条件、焼結条件、焼結特性、および粉体特性を図1に実施例1と同様に示す。
焼結助剤として炭化ホウ素(H.C.シュタルク社製、HD20 平均粒径0.5μm)0.5質量%を添加したこと以外は、実施例2と同様に処理を行った。結果を実施例1と同様に図1に示す。このとき粉砕後の炭化ケイ素粉体の比表面積は、測定下限以下であった。(測定下限0.01m2/g)また、ICP発光分析装置を用いて不純物分析を行ったところ、ホウ素が3400ppm含まれていた。
<実施例5>
1.原料炭化ケイ素の合成
金属シリコンとアセチレンブラックをケイ素と炭素の原素のモル比(C/Si)が1.0になるよう秤量し、エチルアルコール中で乳鉢を用いて混合した後に乾燥して原料粉末(原料粉末Aとする)を調整した。原料粉末Aを黒鉛製坩堝に入れ、カーボンヒーター炉でアルゴン雰囲気下、温度2000℃で2時間保持して原料炭化ケイ素粉体aを得た。得られた原料炭化ケイ素粉体aの平均粒径は17.5μmであった。さらに、原料粉末Aに得られた原料炭化ケイ素粉体aを10質量%添加し、上記工程で加熱焼成を行い、原料炭化ケイ素bを得た。得られた原料炭化ケイ素bの平均粒径は44.8μmであった。
次に、C/Si比1.0の原料粉末Aに対して、原料炭化ケイ素bを10質量%添加し、エチルアルコール中で乳鉢を用いて混合した後に乾燥して原料粉末(原料粉末Bとする)を調製した。原料粉末Bを黒鉛製坩堝に入れ、カーボンヒーター炉でアルゴン雰囲気下、温度2000℃で8時間保持して炭化ケイ素粉体を得た。
1.原料炭化ケイ素の合成
実施例5と同様な方法で複数回工程を繰り返すことで、実施例6〜8、比較例5〜8の添加する原料炭化ケイ素粉体を作製した。その時の加熱温度、工程の繰り返し回数および原料炭化ケイ素粉体の特性を図2に示す。
添加する原料炭化ケイ素粉体の平均粒径、添加量を図2に示すようにしたこと以外は実施例5と同様な方法で作製した。その時の加熱温度、および、得られた炭化ケイ素粉体の特性を図2に示す。
<実施例9>
平均粒径308.2μmの金属シリコン(高純度化学社製、純度5N)45質量%とレゾール型フェノール樹脂(DIC社製、J−325)55質量%をエチルアルコール中で混合し溶媒除去後、130℃で加熱硬化させ原料混合物を得た。これをアルゴン雰囲気下で1000℃、1時間加熱して炭化した。得られた炭化原料混合物を、燃焼−IR法(LECO社製、IR−412型)と脱水重量ICP発光分析併用法(SPECTRO社製、CIROS−120型、JIS 1616に準拠)を用いて元素分析を行ったところ、C/Siは1.12であった。
実施例9と同様の方法で実施例10、比較例9〜13を実施した。その時の炭化ケイ素焼成工程の原料の種々の条件、焼成条件、および、後処理工程の焼成条件、得られた炭化ケイ素粉体の特性を図3に示す。
炭素源をカーボンブラックとしたこと以外は実施例9と同様にして作製した。得られた炭化ケイ素粉体の特性を図3に示す。
<実施例11>
前記実施例1で作製した炭化ケイ素粉体を内径1inchの黒鉛坩堝に5g充填した。次に、上蓋部分に種結晶として4H−SiC(0001)の単結晶板を設置した。この黒鉛坩堝を高周波誘導加熱炉に入れ十分アルゴン置換を行った後、雰囲気圧力を10Torr、坩堝容器の底面温度を2000℃として、単結晶の育成を行った。成長時間2時間後と20時間後の昇華速度と成長時間20時間後の単結晶成長の長さを図4に示す。ここで、昇華速度とは加熱後の原料炭化ケイ素粉体の減少量(昇華量)を成長時間で割った値である。
市販の高純度炭化ケイ素粉末(大平洋ランダム社製、GMF−CVD)を用いて、実施例11と同様な方法で単結晶成長させた。原料炭化ケイ素の平均粒径は682.9μm、比表面積は測定下限以下であった。(0.01m2/g以下)結果を実施例11と同様に図4に示す。
市販の研磨用炭化ケイ素粉末(大平洋ランダム社製、NC−F8)を用いて、実施例11と同様な方法で単結晶成長させた。原料炭化ケイ素の平均粒径は2350μm、比表面積は測定下限以下であった。(0.01m2/g以下)結果を実施例11と同様に図4に示す。
高純度炭化ケイ素微粉末(大平洋ランダム社製、15H2)を用いて、実施例11と同様な方法で単結晶成長させた。原料炭化ケイ素の平均粒径は0.5μm、比表面積は16.1m2/gであった。結果を実施例11と同様に図4に示す。
前記実施例2、5、6、9、10および、比較例5、6、9で作製した炭化ケイ素粉体を用いて、実施例11と同様な方法で単結晶成長させた。原料粉体特性と単結晶成長後の結果を実施例11と同様に図4に示す。
Claims (6)
- 平均粒径が100μm以上700μm以下であり、かつ比表面積が0.05m2/g以上0.30m2/g以下であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。
- 粒子径が5μm以上200μm以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。
- 平均粒径が20μm以下の炭化ケイ素粉体を、温度1900℃以上2400℃以下、圧力70MPa以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度1.29g/cm3以上の焼結体を得る工程、前記焼結体を粉砕する粒度調整工程、粉砕した前記焼結体を酸処理する不純物除去工程、を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
- ケイ素源、炭素源及び平均粒径が20μm以上の炭化ケイ素粉体を5質量%以上50質量%以下用いた原料混合物を温度1800℃以上2300℃以下、非酸化性雰囲気下で加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得ることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
- 平均粒径が100μm以上700μm以下の金属ケイ素と炭素源を温度1300℃以上1400℃以下、非酸化性雰囲気下で加熱焼成する炭化ケイ素粉体生成工程と、前記炭化ケイ素粉体を非酸化雰囲気下で、温度1800℃以上2300℃以下で加熱する後処理工程と、を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
- 前記炭素源が有機化合物であり、前記炭化ケイ素粉体生成工程の加熱焼成前に、500℃以上1000℃以下の非酸化性雰囲気下で前記有機化合物を加熱炭化処理することを特徴とする請求項5に記載の炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。
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