JP2016084259A - 炭化珪素粉末、粒度が調整された炭化珪素粉末の製造方法、及び、炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
炭化珪素粉末、粒度が調整された炭化珪素粉末の製造方法、及び、炭化珪素単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016084259A JP2016084259A JP2014219060A JP2014219060A JP2016084259A JP 2016084259 A JP2016084259 A JP 2016084259A JP 2014219060 A JP2014219060 A JP 2014219060A JP 2014219060 A JP2014219060 A JP 2014219060A JP 2016084259 A JP2016084259 A JP 2016084259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide powder
- size
- powder
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 140
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 16
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910021487 silica fume Inorganic materials 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
ここで、炭化珪素ウエハは、昇華再結晶法によって炭化珪素粉末を昇華させて炭化珪素単結晶を得た後、この炭化珪素単結晶を切断することによって、製造することができる。
昇華再結晶法の原料として用いることができる炭化珪素粉末として、例えば、特許文献1には、アチソン法により製造された炭化ケイ素を粉砕し、得られた粉砕品を分級して、熱伝導率の異なる炭化ケイ素粉末を製造する方法によって得られた、炭化ケイ素粉末が記載されている。
また、特許文献2には、平均粒径が100μm以上700μm以下であり、かつ比表面積が0.05m2/g以上0.30m2/g以下である炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体が記載されている。
そこで、本発明は、昇華再結晶法の原料として用いた場合に、昇華速度の大きい炭化珪素粉末を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、以下の[1]〜[4]を提供するものである。
[1] 炭化珪素粉末の全量中、目開き寸法Aと目開き寸法B(ただし、AはBよりも小さな値である。)の間の粒度を有する粉末の割合が、80体積%以上であり、かつ、上記目開き寸法Bが、上記目開き寸法Aの5倍以下であることを特徴とする炭化珪素粉末(以下、「本発明の炭化珪素粉末」ともいう。)。
[2] 上記目開き寸法Bが3mm以下である前記[1]に記載の炭化珪素粉末。
[3] 前記[1]又は[2]に記載の炭化珪素粉末から、目開き寸法Aのふるい、及び、目開き寸法Bのふるいを用いて、目開き寸法Aと目開き寸法Bの間の粒度を有する粉末のみを回収して、粒度が調整された炭化珪素粉末を得ることを特徴とする粒度が調整された炭化珪素粉末(以下、「本発明の粒度が調整された炭化珪素粉末」ともいう。)の製造方法。
[4] 前記[3]に記載の製造方法によって、粒度が調整された炭化珪素粉末を得た後、該炭化珪素粉末を、昇華再結晶法によって昇華させて、炭化珪素単結晶を得ることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
「目開き寸法Aと目開き寸法Bの間の粒度を有する粉末」とは、目開き寸法Aのふるいは通過せず、かつ、目開き寸法Bのふるいは通過する粉末を意味する。
目開き寸法Bは、目開き寸法Aの5倍以下、好ましくは4倍以下、より好ましくは3倍以下、特に好ましくは2倍以下である。上記値が5倍を超えると、昇華再結晶法において、容器内に炭化珪素粉末を充填した際に、炭化珪素粉末に含まれる粒度の大きな粉末同士の間に生じる空隙に、粒度の小さな粉末が充填されて、発生した昇華ガスが炭化珪素粉末の内部から外部へと抜けにくくなり、炭化珪素粉末の昇華速度が小さくなる。
目開き寸法Bの下限は、特に限定されるものではないが、好ましくは0.1mm以上、より好ましくは0.15mm以上である。目開き寸法Bが、0.1mm以上であれば、炭化珪素粉末の焼結が起こりにくくなる。
炭化珪素粉末中に粒度の大きい粉末と粒度の小さい粉末が混在している場合、粉末の粒度の大きさによらず、粒度の大きい粉末同士の間に生じる空隙に、粒度の小さい粉末が充填された状態となるため、炭化珪素粉末全体の空隙率が減少し、かつ、粉末同士の接触部分が多くなる。その結果、発生した昇華ガスが炭化珪素粉末の内部で析出しやすく、かつ、粉末同士の接触部分で、析出した炭化珪素が成長しやすくなるため、焼結が速やかに進み、炭化珪素粉末の昇華速度が大幅に小さくなる。
炭化珪素粉末中に粒度の大きい粉末と粒度の小さい粉末が混在している場合において、炭化珪素粉末全体の粒度をより大きくすることで、上述した粉末同士の接触部分での焼結による昇華速度の減少を抑えることは可能である。しかし、炭化珪素粉末全体の空隙率は小さいため、発生した昇華ガスが炭化珪素粉末の内部で析出しやすくなり、また、炭化珪素粉末の比表面積が小さくなることから、炭化珪素粉末の昇華速度が小さくなる。
このため、炭化珪素粉末の全量中、目開き寸法Aと目開き寸法Bの間の粒度を有する粉末の割合が80体積%以上であれば、昇華再結晶法において、容器内に炭化珪素粉末を充填した際に、昇華速度が大きくなる。
上記割合を算出する方法としては、測定の対象である炭化珪素粉末を目開き寸法A、Bのふるいを用いて分級したのち、アルキメデス法を用いて、目開き寸法Bのふるいを通過しない炭化珪素粉末の体積(Vb)、目開き寸法Aのふるいを通過する炭化珪素粉末の体積(Va)、両ふるいの間の粒度を有するものとして分級される炭化珪素粉末(目開き寸法Aのふるいを通過せず、かつ、目開き寸法Bのふるいを通過する炭化珪素粉末)の体積(Vab)を算出し、分級後の各体積を全体積V(VaとVbとVabを合計した体積)で除することによって算出する方法等が挙げられる。
中でも、結晶質の炭化珪素粉末は、非晶質の炭化珪素粉末と比べて昇華ガスの発生速度が安定しており、また、炭化珪素粉末同士が焼結しにくいため、好適である。
結晶質の炭化珪素粉末を構成する結晶構造は、特に限定されるものではないが、例えば、4H型、3C型、6H型、15R型等である。また、これらのうち複数の種類からなるものも含まれる。
固相反応を利用した炭化珪素粉末の製造方法の一例は、珪素を含む無機珪酸質原料と炭素を含む炭素質原料を混合して、炭化珪素製造用原料を得る工程と、上記炭化珪素製造用原料を、2,500℃以上で焼成し、炭化珪素からなる塊状物を得る工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕した後、得られた粉砕物を分級し、炭化珪素粉末を得る工程、を含む。
無機珪酸質原料の平均粒径は、焼成時の環境や原料の状態(結晶質、非晶質)、および後述する炭素質原料との反応性によって、適宜選ばれる。
なお、本明細書中、「平均粒径」とは、ふるいによる分級を行って得られた、50%重量累積粒径をいう。
焼成方法としては、特に限定されるものではないが、外部加熱による方法、通電加熱による方法等が挙げられる。外部加熱による方法としては、例えば、流動層やバッチ式の炉を用いる方法が挙げられる。通電加熱による方法としては、例えば、アチソン炉を用いる方法が挙げられる。
焼成雰囲気は、還元雰囲気であることが望ましい。還元性が弱い雰囲気下で焼成すると、炭化珪素の収率が低くなるからである。この際、無機珪酸質原料として非晶質シリカを用いると、反応性が良いことから炉の制御が容易になるため、無機珪酸質原料としては非晶質シリカを使うことが好適である。
なお、本明細書中、「アチソン炉」とは、上方に開口した箱型の間接抵抗加熱炉をいう。ここで、間接抵抗加熱とは、被加熱物に電流を直接流すのではなく、電流を流して発熱させた発熱体によって、炭化珪素を得るものである。
この様な炉を用いることで、下記式(1)で示される反応が生じ、炭化珪素からなる塊状物が得られる。
SiO2+3C → SiC+2CO (1)
発熱体を構成する物質の形態は、特に限定されず、例えば、粉状、塊状等が挙げられる。発熱体は、アチソン炉の通電方向の両端に設けられた電極芯を結ぶように全体として棒状の形状になるように設けられる。ここでの棒状の形状とは、例えば、円柱状、角柱状等が挙げられる。
得られた粉砕物(本発明の炭化珪素粉末)から、目開き寸法Aのふるい、及び、目開き寸法Bのふるいを用いて、目開き寸法Aと目開き寸法Bの間の粒度を有する粉末のみを回収することで、本発明の粒度が調整された炭化珪素粉末を得ることができる。
粉砕方法は、扱いが容易なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、粉砕機としてボールミル、ディスクグラインダー等を用いて粉砕する方法が挙げられる。
本発明の粒度が調整された炭化珪素粉末は、加熱時の昇華速度が大きいので、該粉末を昇華再結晶法の原料として用いることで、炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を容易にかつ短時間で成長させることができる。
[使用原料]
(1)無機珪酸質原料:高純度シリカ(非晶質シリカであるシリカゲル;シリカの含有率(絶乾状態):99.99質量%以上;酸素原子を除く不純物の含有率:10ppm以下;平均粒子径:600μm;太平洋セメント社製)
(2)炭素質原料:カーボンブラック(東海カーボン社製;商品名「シーストTA」)
(3)発熱体:カーボンブラックを3,000℃で熱処理して得られた結晶性の黒鉛粉
上記無機珪酸質原料と上記炭素質原料を、2軸ミキサーを用いて炭素と珪酸のモル比(C/SiO2)が3.0となるように混合して、炭化珪素製造用原料を得た。得られた炭化珪素製造用原料850kg、及び上記発熱体を、アチソン炉(アチソン炉の内寸:長さ2,500mm、幅1,000mm、高さ850mm)に収容した後、2,500℃で12時間焼成を行い、塊状の炭化珪素を得た。
得られた塊状の炭化珪素を、ジョークラッシャー、ボールミル、及びジェットミルを用いて粉砕し、炭化珪素粉末を得た。なお、得られた炭化珪素粉末は、結晶質の炭化珪素粉末であった。
得られた炭化珪素粉末を、目開き寸法Aが表1に示す大きさ(μm)であるふるいを用いて分級し、次いで、目開き寸法Aのふるいの上に残存した炭化珪素粉末を、目開き寸法Bが表1に示す大きさ(μm)であるふるいを用いて分級した。
上述した分級によって得られた、目開き寸法Aのふるいを通過する炭化珪素粉末(表1中、「目開き寸法A通過」と示す。)、目開き寸法Aのふるいを通過せず、かつ、目開き寸法Bのふるいを通過する炭化珪素粉末(表1中、「目開き寸法AとBの間」と示す。)、目開き寸法Bのふるいを通過しない炭化珪素粉末(表1中、「目開き寸法B未通過」と示す。)のそれぞれの体積をアルキメデス法によって測定した。得られた測定値から、炭化珪素粉末の全量中の、上述した分級によって得られた各炭化珪素粉末の割合を算出した。
加熱後に、坩堝内に残存していた炭化珪素粉末の質量を測定し、該質量から昇華した炭化珪素粉末の質量を算出した。昇華した炭化珪素粉末の質量を加熱時間である10時間で除することで、昇華速度(mg/時間)を算出した。
実施例1と同様の方法によって製造された炭化珪素粉末を、目開きがそれぞれ50、100、200、400、600、800、1200、1600、2000、2400μmであるふるいを用いて分級したのち、分級後の炭化珪素粉末を適宜混合して粒度分布を調整した炭化珪素粉末について、目開き寸法Aが表1に示す大きさであるふるい、及び、目開き寸法Bが表1に示す大きさであるふるいを用いて分級した。分級によって得られた各炭化珪素粉末の割合、及び、目開き寸法Aのふるいを通過せず、かつ、目開き寸法Bのふるいを通過する炭化珪素粉末の昇華速度を、実施例1と同様にして算出した。
結果を表1に示す。
特に、目開き寸法Bが目開き寸法Aの2倍であり、かつ、目開き寸法Bが800μmまたは200μmである炭化珪素粉末(実施例1〜2、5〜6)は、昇華速度が著しく大きい(40.0mg/時間を超える)ことがわかる。
Claims (4)
- 炭化珪素粉末の全量中、目開き寸法Aと目開き寸法B(ただし、AはBよりも小さな値である。)の間の粒度を有する粉末の割合が、80体積%以上であり、かつ、上記目開き寸法Bが、上記目開き寸法Aの5倍以下であることを特徴とする炭化珪素粉末。
- 上記目開き寸法Bが3mm以下である請求項1に記載の炭化珪素粉末。
- 請求項1又は2に記載の炭化珪素粉末から、目開き寸法Aのふるい、及び、目開き寸法Bのふるいを用いて、目開き寸法Aと目開き寸法Bの間の粒度を有する粉末のみを回収して、粒度が調整された炭化珪素粉末を得ることを特徴とする粒度が調整された炭化珪素粉末の製造方法。
- 請求項3に記載の製造方法によって、粒度が調整された炭化珪素粉末を得た後、該炭化珪素粉末を、昇華再結晶法によって昇華させて、炭化珪素単結晶を得ることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014219060A JP6378041B2 (ja) | 2014-10-28 | 2014-10-28 | 炭化珪素粉末、粒度が調整された炭化珪素粉末の製造方法、及び、炭化珪素単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014219060A JP6378041B2 (ja) | 2014-10-28 | 2014-10-28 | 炭化珪素粉末、粒度が調整された炭化珪素粉末の製造方法、及び、炭化珪素単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016084259A true JP2016084259A (ja) | 2016-05-19 |
JP6378041B2 JP6378041B2 (ja) | 2018-08-22 |
Family
ID=55972212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014219060A Active JP6378041B2 (ja) | 2014-10-28 | 2014-10-28 | 炭化珪素粉末、粒度が調整された炭化珪素粉末の製造方法、及び、炭化珪素単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6378041B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019064850A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素粉末 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003073194A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-03-12 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶及びその製造方法 |
JP2012101996A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-10-28 JP JP2014219060A patent/JP6378041B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003073194A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-03-12 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶及びその製造方法 |
JP2012101996A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019064850A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素粉末 |
JP7019362B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-02-15 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素粉末 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6378041B2 (ja) | 2018-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6230106B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2018523294A (ja) | 化合物半導体熱電材料及びその製造方法 | |
Mas’udah et al. | Synthesis and structural analysis of silicon carbide from silica rice husk and activated carbon using solid-state reaction | |
JP6778100B2 (ja) | 炭化珪素粉末及びこれを原料とする炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP6378041B2 (ja) | 炭化珪素粉末、粒度が調整された炭化珪素粉末の製造方法、及び、炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP6757688B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末、その製造方法、及び炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
JP2018118874A (ja) | 炭化珪素粉末、その製造方法、及び炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2004134673A (ja) | n型熱電変換材料およびその製造方法 | |
JP6640680B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
KR102443775B1 (ko) | 열전소재 | |
Zhang et al. | Direct low-temperature synthesis of RB6 (R= Ce, Pr, Nd) nanocubes and nanoparticles | |
JP6508583B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5660528B2 (ja) | GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法 | |
JP2019112239A (ja) | SiC粉末及びその製造方法 | |
JP6990136B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末 | |
JP6802719B2 (ja) | 炭化珪素粉末 | |
JP7019362B2 (ja) | 炭化珪素粉末 | |
JP6420735B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末 | |
JP6297812B2 (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
JP6616660B2 (ja) | 炭化ケイ素の製造方法 | |
JP2017171564A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP6581405B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末、その製造方法、及び、炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
Saminathan et al. | Realizing low thermal conductivity in Cr-doped nanostructured higher manganese silicide | |
TWI628816B (zh) | 藉由氣凝膠增強優值係數之複合熱電材料之裝置和方法 | |
JP2022136848A (ja) | 炭化ケイ素粉末およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180724 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6378041 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |