JP5770754B2 - 炭化ケイ素焼結体のアニール方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る炭化ケイ素焼結体の原料として用いられる炭化ケイ素粉末は、α型、β型、非晶質、又はこれらの混合物等が挙げられるが、特に、β型炭化ケイ素粉末が好ましい。β型炭化ケイ素粉末のグレードには特に制限はなく、一般に市販されているβ型炭化ケイ素粉末を用いてもよい。炭化ケイ素粉末の粒径は、高密度化の観点からは小さいことが好ましく、0.01〜10μm程度、さらには、0.05〜1μm程度であることが好ましい。粒径が0.01μm未満であると、計量、混合などの処理工程における取扱が困難となり、10μmを超えると比表面積が小さく、即ち、隣接する粉体との接触面積が小さくなり、高密度化が困難となるため、好ましくない。
従って、化学量論的には、C/Si=3.0であると、炭化ケイ素中間体の遊離炭素は0%となる。ただし、実際にはSiOガス等が揮散するため、C/Si<3.0であっても、遊離炭素が発生する。
次に、炭化ケイ素焼結体の内部残留応力を除去するための、アニール処理について説明する。具体的には、ホットプレス法によって得られた炭化ケイ素焼結体のインゴットを、加熱処理装置に配置し、非酸化性雰囲気下において、所定の温度で一定時間保持する。加熱処理装置は、公知の熱処理装置、例えばカーボン製マッフル炉などの熱処理炉を用いることができる。非酸化性雰囲気は、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを充填することにより形成されるが、好ましくは、高温においても非反応性のアルゴンガスを用いる。
アニール処理を施した炭化ケイ素焼結体は、使用目的に応じて、加工、研磨、洗浄等の処理が行なわれる。ウェハは、焼結体を径方向にスライス加工することによって製造することができ、その加工方法として、放電加工が好適に用いられる。そして、半導体製造部品、電子情報機器用部品等の使用に供される。
まず、実施例及び比較例に用いた炭化ケイ素焼結体について、簡単に説明する。各炭化ケイ素焼結体は、ホットプレス法によって、口径500mmに成形したインゴットを使用した。口径を500mmとした理由は、汎用性が高く、他の製品にも使用可能だからである。また、ウェハが大口径化してもデバイスの寸法は変わらないため、厚みは現行の口径300mmウェハと同じ0.7mmtとした。アニール処理における温度条件を、表1に示す。
各炭化ケイ素焼結体のインゴットを径方向にスライス加工し、最上面、中間部、底面から3枚のウェハをサンプリングした。次に、各ウェハについて反りを測定し、平均値を算出した。反りの平均値が小さいほど、平坦度が良好であることを意味する。なお、JEIDA規格によると、ウェハ平坦度とは、吸着固定しない状態で静置されたウェハについて、基準平面からウェハ表面までの距離の最大値と最小値の差として定義され、基準平面はその値が最小となるように選ばれる(JEIDA規格「JEIDA−43−1999、シリコンウェハ平坦度に関する用語」、社団法人日本電子工業振興協会)。試験結果を表1に示す。
比較例1の平坦度(反り)を100として、実施例1〜3の平坦度を指数評価した。平坦度は、数値が小さいほど、ウェハの反りが小さく、平坦性が良化していることを示す。表1に示すように、実施例に係るアニール方法を施した炭化ケイ素焼結体ウェハは、反りが低減していることが確認された。
Claims (2)
- 口径400mm以上の炭化ケイ素焼結体のアニール方法であって、
前記炭化ケイ素焼結体を2000℃〜2250℃の雰囲気下で保持する熱処理工程と、
熱処理された前記炭化ケイ素焼結体を管理された冷却温度で300℃〜500℃にまで徐冷する工程と、
徐冷された前記炭化ケイ素焼結体を自然冷却する工程と、を含む、アニール方法。 - 前記熱処理工程において、前記炭化ケイ素焼結体が、前記雰囲気下で0.5時間〜10時間保持される、請求項1に記載のアニール方法。
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