JP2012064804A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 鉛直方向に所定の間隔で積層された複数の基板を処理する処理室と、
   前記処理室内で前記複数の基板を保持する基板保持部と、
   前記処理室内で前記基板保持部を当該基板保持部の下方側から支持するとともに、当該処理室内を前記基板保持部の側から下方側へ向けて流れるガスとの熱交換を行う第一熱交換部と、を備え、
   前記第一熱交換部は、前記ガスが流れる方向に沿って上下に延びる中空筒状の断熱筒部と、前記断熱筒部内に設けられた断熱板部と、を有し、
   前記断熱筒部内における前記断熱板部を挟んだ上下２つの領域は、空間的に接続されている
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に当該第一熱交換部と間隙を成して設けられ、当該間隙を前記基板保持部の側から下方側に向けて流れるガスとの熱交換を行う第二熱交換部を、さらに備える請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第一熱交換部の下方に、上下方向に積層された複数の板状部材と、前記複数の板状部材を支持する柱状部材とを有する下部断熱部が設けられている請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記下部断熱部の側方を囲うように断熱リングが設けられている請求項３に記載の基板処理装置。
5. 鉛直方向に所定の間隔で積層された複数の基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、
   前記処理室の周囲に設けられた誘導加熱部により当該処理室内を誘導加熱するとともに、当該処理室内に少なくともガスを供給して、当該処理室内における前記基板を処理する処理工程と、を備え、
   前記搬入工程では、前記複数の基板を基板保持部によって保持するとともに、上下に延びる中空筒状の断熱筒部と、前記断熱筒部内に設けられた断熱板部とを有し、前記断熱筒部内における前記断熱板部を挟んだ上下２つの領域が空間的に接続されてなる第一熱交換部により、前記基板保持部を当該基板保持部の下方側から支持した状態で、前記基板保持部及び前記第一熱交換部を前記処理室内へ搬入し、
   前記処理工程では、前記処理室内を前記基板保持部の側から前記第一熱交換部の前記断熱筒部に沿って下方側へ向けて流れるガスとの熱交換を当該第一熱交換部が行う
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。