JP2013538455A5

JP2013538455A5 -

Info

Publication number: JP2013538455A5
Application number: JP2013526482A
Authority: JP
Filing date: 2011-09-02
Publication date: 2014-06-26

Claims

真空プロセスチャンバ内の基板（９）を支持し、該基板（９）に対向配置され該基板（９）と熱伝導するように接触している表面（１１）を備える、サセプタであって、
上記サセプタは、少なくとも３つの隣り合うゾーン（５、６、８）である、外部ゾーン（８）、中央ゾーン（６）及び内部ゾーン（５）を備え、上記ゾーン（５、６、８）は、互いを同心状に取り囲むように配置され、上記表面（１１）に沿って延びており、
上記外部ゾーン（８）は上記中央ゾーン（６）を完全に取り囲み、上記中央ゾーン（６）は上記内部ゾーン（５）を完全に取り囲み、
上記内部ゾーン（５）は、該内部ゾーン（５）に影響を与える少なくとも一つの内部加熱素子（１３）を備え、
上記外部ゾーン（８）は、該外部ゾーン（８）に影響を与える少なくとも一つの外部加熱素子（１９）を備え、
上記中央ゾーン（６）は、上記内部ゾーン（５）の最小厚さ（１２）より小さく、かつ上記外部ゾーン（８）の最小厚さ（１６）より小さい、最大厚さ（１５）を有し、各厚さ（１２、１５、１６）は上記表面（１１）に対して垂直に延びている、サセプタ。
上記内部ゾーン（５）の上記最小厚さ（１２）は、上記外部ゾーン（８）の上記最小厚さ（１６）より大きい、請求項１に記載のサセプタ。
上記サセプタ（１）は、上記中央ゾーン（６）の上記最大厚さ（１５）を実現するための、矩形断面を有する少なくとも１つの凹部（２３）を備えている、請求項１又は２に記載のサセプタ。
上記表面（１１）に並行する上記凹部（２３）の幅は、８ｍｍ以上１５ｍｍ以下であり、好ましくは１１ｍｍである、請求項３に記載のサセプタ。
上記サセプタ（１）は、上記内部ゾーン（５）と同じ厚さ（１２）を有する中間ゾーン（１８）を備え、
上記中間ゾーン（１８）は該中間ゾーン（１８）に影響を与える複数の中間加熱素子（１７）を備え、上記内部ゾーン（５）は複数の上記内部加熱素子（１３）を備え、
上記中央ゾーン（６）は上記中間ゾーン（１８）を完全に取り囲み、上記中間ゾーン（１８）は上記内部ゾーン（５）を完全に取り囲み、
複数の上記内部加熱素子（１３）はそれぞれ、内部加熱配線として備えられ、複数の上記中間加熱素子（１７）はそれぞれ、中間加熱配線として備えられ、複数の該内部加熱配線のそれぞれは、複数の該中間加熱配線のそれぞれよりも、配線寸法が大きく、かつ、隣り合う配線同士の間隔が大きい、請求項１から４の何れか１項に記載のサセプタ。
上記加熱素子（１３、１７、１９）は、上記サセプタ（１）内に設けられている、請求項５に記載のサセプタ。
上記中央ゾーン（６）の上記最大厚さ（１５）は、１ｍｍ以上４ｍｍ以下であり、好ましくは２ｍｍであり、及び／又は、上記内部ゾーン（５）の上記最小厚さ（１２）は、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、好ましくは１４ｍｍである、請求項１から６の何れか１項に記載のサセプタ。
上記サセプタ（１）は、ポケット（２１）及びバー（２２）として該ポケット（２１）間に提供される、凹部（２３）を有する、上記中央ゾーン（６）の上記最大厚さ（１５）を実現するための、ハニカムのような構造（２０）を備えている、請求項１から７の何れか１項に記載のサセプタ。
上記表面（１１）に並行して延びる上記ポケット（２１）の幅は、８ｍｍ以上１５ｍｍ以下であり、好ましくは１１ｍｍである、請求項８に記載のサセプタ。
上記外部ゾーン（８）、上記中央ゾーン（６）及び／又は上記内部ゾーン（５）は、矩形状の上記基板（９）が上記表面（１１）上に位置されるように、矩形の表面形状を有する、請求項１から９の何れか１項に記載のサセプタ。
請求項１から１０の何れか１項に記載の上記サセプタ（１）及び上記基板（９）を備えるサセプタ装置であって、上記表面（１１）のサイズは、上記基板（９）のサイズよりも大きい又は同じである、サセプタ装置。
請求項１から１０の何れか１項に記載の上記サセプタ（１）を製造する方法であって、上記中央ゾーン（６）の上記最大厚さ（１５）は、上記サセプタ（１）における上記基板（９）が配置されている側とは反対側に配置された、長い凹み、スリット及び／又は穴を加えることにより実現される、方法。
基板（９）上に膜を形成する方法であって、
プロセスチャンバ内に、請求項１から１０の何れか１項に記載の上記サセプタ（１）を設けるステップと、
上記サセプタ（１）の上記表面（１１）上に上記基板（９）を支持するステップと、
上記基板（９）を加熱するために、上記内部加熱素子（１３）及び上記外部加熱素子（１９）に、エネルギーを供給するステップと、
上記基板（９）上に上記膜を形成するために、前駆体物質を上記プロセスチャンバに供給するステップと、を含む方法。