JP2011009754A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１の半導体基板の第１の面と第１の不純物拡散源基板の第１の面とを対向させて配置して、前記第１の半導体基板の第１の面に第１の不純物拡散層を形成し、
   前記第１の半導体基板の第１の面と反対側の第２の面に第２の不純物拡散を行い、第２の不純物拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
2. 前記第２の不純物拡散層は、前記第１の不純物拡散により前記第１の面に形成される第１の不純物拡散層とは異なる導電型であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
3. 前記第１の不純物拡散源基板の第１の面に拡散源層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の太陽電池の製造方法。
4. 請求項１記載の太陽電池の製造方法において、さらに、前記第１の不純物拡散源基板の第１の面と反対側の第２の面に、第２の半導体基板の第１の面を対向させて配置し、前記第２の半導体基板の第１の面と反対側の第２の面に、前記第２の不純物拡散を行い、第２の不純物拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
5. 半導体基板の第１の面に、第１の不純物拡散を行い第１の不純物拡散層を形成し、
   前記第１の不純物拡散により形成される不純物ガラス層を前記第１の面に残したまま、前記半導体基板の前記第１の面と反対側の第２の面に第２の不純物拡散を行い、前記第１の不純物拡散層とは異なる導電型の第２の不純物拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
6. 前記第１の不純物拡散により前記第２の面に回り込んだ不純物ガラス層を除去してから、前記第２の面に前記第２の不純物拡散を行うことを特徴とする請求項５記載の太陽電池の製造方法。
7. 前記第２の不純物拡散の後、前記第１，２の面又は／及び前記第１の面と前記第２の面の間にある端面に回り込んだ拡散層を除去することを特徴とする請求項５記載の太陽電池の製造方法。
8. 第１の半導体基板の第１の面と第２の半導体基板の第１の面を対向させて配置し、
   上記第１の半導体基板の上記第１の面と反対側の第２の面、および、上記第２の半導体基板の上記第１の面と反対側の第２の面に、第１の温度で第１の不純物拡散を行い第１の不純物拡散層を形成した後、
   上記第１の半導体基板の第２の面と上記第２の半導体基板の第２の面を対向させて配置し、
   上記第１の半導体基板の上記第１の面、および、上記第２の半導体基板の上記第１の面に、前記第１の温度よりも低い第２の温度で第２の不純物拡散を行い上記第１の不純物拡散層とは異なる導電型の第２の不純物拡散層を形成したことを特徴とする太陽電池の製造方法。