JP2012033853A - 絶縁性光反射基板 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁性および発光効率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁性光反射基板ならびにその製造方法およびそれを用いた発光素子の提供。
【解決手段】基板と、前記基板の表面に設けられる陽極酸化皮膜とを有し、
前記基板が、厚さ１０μｍ以上のアルミニウム合金層を表面に有し、
前記アルミニウム合金層が、アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、ＳｉおよびＦｅの合計の含有量が０．００５質量％以下であり、かつ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ＧａおよびＺｎ以外の不可避不純物の含有量が０．０１質量％以下であり、
前記陽極酸化皮膜が、前記陽極酸化皮膜の表面から厚さ方向にマイクロポアを有し、
前記マイクロポアの深さに対する前記マイクロポアの中心線の長さの比率（長さ／深さ）が、１．０〜１．２である絶縁性光反射基板。
【選択図】なし

Description

本発明は、発光素子に用いられる光反射基板、より具体的には、発光ダイオード(以下、ＬＥＤという）発光素子に用いられる絶縁性光反射基板に関するものである。

一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
特に白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０〜１５０Ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０〜１１０Ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
これにより、蛍光灯にかわり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。

ところで、高輝度化を達成するためにＬＥＤチップに電流を大量に流すと、発熱量が増大して波長変換用蛍光体担持樹脂材料の経時劣化を促進し、その結果、長寿命という特徴が犠牲になるという問題点が指摘されている。
実際、従来のＬＥＤにおいては、長時間駆動させたり、発光輝度を高めるために高電流駆動させたりすると、ＬＥＤチップが著しく発熱して高温状態となり、熱劣化するという問題が生じている。
このような問題を解消するため、アルミニウム基板の表面を陽極酸化皮膜で被覆した絶縁基板が提案されており（例えば、特許文献１および２を参照）、陽極酸化皮膜が絶縁性を有するとともに、アルミニウム基板が高い熱伝導性を有するため、良好な放熱性が得られることが期待されている。

実開昭５５−１５４５６４号公報 特開２００７−２５１１７６号公報

しかしながら、特許文献１および２の記載の絶縁基板では、アルミニウム基板の純度や陽極酸化皮膜中に存在するマイクロポアの形状によっては、ＬＥＤの発光効率が低下する場合があることが明らかとなり、優れた絶縁性を維持しつつ高い発光効率を達成することが困難であることが分かった。

そこで、本発明は、絶縁性および発光効率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁性光反射基板ならびにその製造方法およびそれを用いた発光素子を提供することを目的とする。

本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、特定組成のアルミニウム合金からなるアルミニウム合金層を表面に所定の厚みで有する基板と、直管状のマイクロポアを有する陽極酸化皮膜とを有する基板を用いることにより、発光素子の優れた絶縁性と発光効率を両立できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、以下の（１）〜（１６）を提供する。

（１）基板と、上記基板の表面に設けられる陽極酸化皮膜とを有し、
上記基板が、厚さ１０μｍ以上のアルミニウム合金層を表面に有し、
上記アルミニウム合金層が、アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、ＳｉおよびＦｅの合計の含有量が０．００５質量％以下であり、かつ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ＧａおよびＺｎ以外の不可避不純物の含有量が０．０１質量％以下であり、
上記陽極酸化皮膜が、上記陽極酸化皮膜の表面から厚さ方向にマイクロポアを有し、
上記マイクロポアの深さに対する上記マイクロポアの中心線の長さの比率（長さ／深さ）が、１．０〜１．２である絶縁性光反射基板。

（２）Ｇａの含有量が、５〜２５ｐｐｍである上記（１）に記載の絶縁性光反射基板。

（３）Ｚｎの含有量が、５〜２０ｐｐｍである上記（１）または（２）に記載の絶縁性光反射基板。

（４）上記絶縁性光反射基板の可視光領域の全反射率が、７０％以上である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。

（５）上記絶縁性光反射基板の３００〜３２０ｎｍの波長光の全反射率が、７０％以上である上記（１）〜（４）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。

（６）上記絶縁性光反射基板が、発光素子の発光源を設ける凹部を有する上記（１）〜（５）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。

（７）上記絶縁性光反射基板の表面が、平均波長０．０１〜１００μｍの凹凸を有する上記（１）〜（６）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。

（８）原子間力顕微鏡を用いて、上記絶縁性光反射基板の表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により求められる実面積Ｓ_xと、幾何学的測定面積Ｓ₀とから、下記式（Ｉ）により求められる表面積差ΔＳが、１〜５０％である上記（１）〜（７）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
ΔＳ＝［（Ｓ_x−Ｓ₀）／Ｓ₀]×１００（％） （Ｉ）

（９）上記陽極酸化皮膜が、少なくとも２つの異なる条件で陽極酸化処理を施して得られ、
上記陽極酸化皮膜が、上記陽極酸化皮膜の表面から上記アルミニウム合金層と上記陽極酸化皮膜との界面までの深さ方向に少なくとも２つの異なる陽極酸化処理層を有し、
少なくとも１つの上記陽極酸化処理層の垂直方向の深さＬが、下記式（ａ）〜（ｃ）で示される上記（１）〜（８）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
Ｌ＝１／２×ｍ×λ×ｎ_avp／ｎ_avp+1 式（ａ）
ｎ_avp＝ｎ_Al2O3×（１−Ｄ_p）＋ｎ_air×Ｄ_p 式（ｂ）
ｎ_avp+1＝ｎ_Al2O3×（１−Ｄ_p+1）＋ｎ_air×Ｄ_p+1 式（ｃ）
（式中、ｍは１以上の整数を表し、λは反射目的の光の波長を表し、ｎ_avpは陽極酸化皮膜の表面側に位置する陽極酸化処理層ｐの屈折率を表し、ｎ_avp+1は陽極酸化処理層ｐの下層に位置し、陽極酸化処理層ｐと接する陽極酸化処理層ｐ＋１の屈折率を表し、ｎ_Al2O3は酸化アルミニウムの屈折率を表し、ｎ_airは空気の屈折率＝１を表し、Ｄ_pは陽極酸化処理層ｐが有するマイクロポアの空隙率を表し、Ｄ_p+1は陽極酸化処理層ｐ＋１が有するマイクロポアの空隙率を表す。）

（１０）上記陽極酸化皮膜が、互いに空隙率の異なる２層または３層の陽極酸化処理層を有し、上記式（ａ）〜（ｃ）で示される深さＬの陽極酸化処理層を１層または２層有する上記（９）に記載の絶縁性光反射基板。

（１１）上記陽極酸化皮膜が、互いにマイクロポアの開口径の異なる２層または３層の陽極酸化処理層を有する上記（９）または（１０）に記載の絶縁性光反射基板。

（１２）上記絶縁性光反射基板が、発光素子の発光を発光観測面側に反射する光反射基板である上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。

（１３）上記陽極酸化皮膜の表面に、金属導体による配線層を有し発光素子実装用に用いられることを特徴とする上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。

（１４）上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の絶縁性光反射基板を得る絶縁性光反射基板の製造方法であって、
アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、ＳｉおよびＦｅの合計の含有量が０．００５質量％以下であり、かつ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ＧａおよびＺｎ以外の不可避不純物の含有量が０．０１質量％以下のアルミニウム合金層を表面に有する基板を作製する基板作製工程と、
上記基板の表面に粗面化処理を施す粗面化処理工程と、
上記粗面化処理を施した上記基板表面に陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程とを有する絶縁性光反射基板の製造方法。

（１５）上記（１３）に記載の絶縁性光反射基板を得る絶縁性光反射基板の製造方法であって、
上記陽極酸化処理工程の後に、更に上記陽極酸化皮膜上に金属インクをインクジェット印刷法により供給して金属銅体からなる配線層を形成する配線層形成工程を有する上記１４に記載の絶縁性光反射基板の製造方法。

（１６）上記（１３）に記載の絶縁性光反射基板と、上記絶縁性光反射基板の上記配線層の上層に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の周りおよび／または上部に設けられる蛍光発光体とを備える白色系ＬＥＤ発光素子。

以下に説明するように、本発明によれば、絶縁性および発光効率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁性光反射基板ならびにその製造方法およびそれを用いた発光素子を提供することができる。
また、本発明によれば、特定組成のアルミニウム合金からなるアルミニウム合金層を表層（少なくとも表面から１０μｍの深さ）にのみ存在させればよいため、基板のベース材料（以下、「芯材」ともいう。）として低純度アルミニウム合金、鋼板等を用いることでより安価に絶縁性光反射基板を提供できるため、非常に有用である。

本発明の絶縁性光反射基板の製造の一例における電気化学的粗面化処理に用いられる交番波形電流波形図の一例を示すグラフである。 本発明の絶縁性光反射基板の製造の一例における交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられるラジアル型セルの一例を示す概略図である。 本発明の絶縁性光反射基板の製造の一例における陽極酸化処理に用いられる陽極酸化処理装置の概略図である。 蛍光体混色型の白色系発光装置の一構成例を示す概略図である。 図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、本発明の絶縁性光反射基板を用いた白色系発光装置を説明する概略図である。 本発明の絶縁性光反射基板の一実施形態を示す模式的断面図である。 本発明の絶縁性光反射基板の作製における機械的粗面化処理に用いられるブラシグレイニングの工程の概念を示す概略図である。

以下に、本発明の絶縁性光反射基板について詳細に説明する。
本発明の絶縁性光反射基板は、後述する特定の組成のアルミニウム合金層を表面に有する基板と、上記基板の表面に設けられる陽極酸化皮膜とを有する。
ここで、上記基板は、厚さ１０μｍ以上の上記アルミニウム合金層を表面に有する基板であれば特に限定されず、上記アルミニウム合金層のみからなる基板であってもよく、他の基材の表面に上記アルミニウム合金層が形成された基板であってもよい。
また、上記陽極酸化皮膜は、上記アルミニウム合金層とは別に製造したものを上記アルミニウム合金層と接着させてもよいが、上記アルミニウム合金層の表面から深さ方向の一部に陽極酸化処理を施すことにより、アルミニウム合金層上に一体的に生成する陽極酸化皮膜であるのが好ましい。

１．＜アルミニウム合金層の組成＞
本発明の絶縁性光反射基板を構成するアルミニウム合金層におけるアルミニウム純度は、９９．９質量％以上であり、９９．９９質量％以上であるのが好ましく、９９．９９１質量％以上であるのがより好ましい。
また、上記アルミニウム合金層における不純物としてのケイ素（Ｓｉ）と鉄（Ｆｅ）との含有量の合計は、０．００５質量％以下である。ここで、ＳｉおよびＦｅは、アルミニウム中で金属間化合物や析出物を容易に形成する元素であり、金属間化合物や析出物の粒子状物質が陽極酸化皮膜中に存在すると、電圧負荷時に該粒子を起点として絶縁が破れる。したがって、これらの合計をより低レベルに維持すれば絶縁性（耐電圧）の高い絶縁性光反射基板が得られる。検討の結果、ＳｉとＦｅとの含有量の合計量が０．００５質量％以下であれば、得られる絶縁性光反射基板の絶縁性が高く、０．００５質量％を超えると耐電圧が９００Ｖ以上、好ましくは１ｋＶ以上を維持できないことが判明した。よって、ＳｉとＦｅとの含有量の合計は、０．００５質量％以下であり、０．００１質量％以下であるのが好ましく、０．０００５質量％以下であるのがより好ましい。
更に、上記アルミニウム合金層における不純物として、鋳造時に回避できない不可避不純物も光反射率や絶縁性に悪影響を及ぼす。不可避不純物の合計量が０．０１質量％以下であると、光反射率および絶縁性が高い。したがって、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ガリウム（Ｇａ）および亜鉛（Ｚｎ）以外の不可避不純物の合計量は、０．０１質量％以下である。
一方、上記アルミニウム合金層に含まれる可能性のあるＳｉおよびＦｅ以外の不可避不純物としては、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、ビスマス（Ｂｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）等がある。
また、微量成分について検討を加えた結果、ＧａおよびＺｎを適当量有することによって、光反射性が向上できることを見出した。具体的には、Ｇａについては５〜２５ｐｐｍを意図的に添加することが望ましい。Ｚｎについては５〜２０ｐｐｍの範囲で意図的に添加することが望ましい。これらも添加量を増やすと耐電圧に悪影響を及ぼすことから各成分の上限が限定される。
本明細書では、上記の高純度のアルミニウムを含んだアルミニウムまたはアルミニウム合金を総称して「特定の組成のアルミニウム合金」と記載する。

２．＜アルミニウム合金層を有する基板＞
本発明の絶縁性光反射基板を構成する基板は、厚さ１０μｍ以上の上記アルミニウム合金層を表面に有する基板であれば特に限定されず、上記アルミニウム合金層のみからなる単独基板であってもよく、必要な場合は鋼板等の金属板、ガラス板、セラミック板、樹脂製板等の他の基材の表面に上記アルミニウム合金層が形成された積層基板であってもよい。
単独基板である場合には、基板の厚さは０．１ｍｍ〜５ｍｍ程度であることが好ましい。
また、基板の形状は平坦な板状であってもよいし、図５（Ｂ）に示すように、発光素子１１０を実装するための凹部３を有するものであってもよい。
ここで、上記凹部は、上側に向かうに伴って外側に広がるように傾斜しているのがよい。これによって凹部の底部に実装された、発光素子から側方に放射された光を効率よく上方に反射させることが出来る。
また、単独基板である場合は、基板の表面に設けられる陽極酸化皮膜は、基板の一方の主面（表面）に設けられてもよいし、一方の主面とそれに平行な主面（裏面）に設けられてもよい。場合によっては他の４つの端面を含む６面全てに設けられてもよい。

一方、積層基板である場合には、図５（Ａ）に示すように、可撓性があり、耐熱性の高い鋼板や金属板１０との積層板であるのが好ましい。
積層板の板厚は、０．１ｍｍ〜５ｍｍ程度であることが好ましく、このうちアルミニウム合金層の厚みは、１０μｍ以上であり、１０μｍ〜２００μｍであるのが好ましく、２０μｍ〜１００μｍであるのが更に好ましい。アルミニウム合金層は積層した板の片面のみにあってもよく、両面にあってもよい。
ここで、鋼板と積層する場合には、アルミニウム合金層と鋼板との密着性に優れる溶融めっき法で積層した溶融アルミニウムめっき鋼板の様態が好ましい。鋼板としてはＳＵＳ(ステンレス鋼板)を用いるのが好ましい。
また、金属板と積層する場合には、金属板としては、具体的には、例えば、アルミニウム板、アルミニウム合金板、銅板、ニッケル板、チタン板等が好適に挙げられ、特にアルミニウム板、アルミニウム合金板、ニッケル板との積層が好ましい。アルミニウム板、アルミニウム合金板であれば、本発明の特定の組成のアルミニウム合金層との化学的、物理的特性が近いので積層板として好ましい。また、アルミニウム板、アルミニウム合金板への積層は、ろう材を用いて積層したアルミニウムクラッド材を用いるのが好ましい。

（１）溶融アルミニウムめっき鋼板の製造方法
溶融アルミニウムめっき鋼板の製造方法の一例について説明する。
まず、圧延したステンレス鋼板を用意し、表面の酸化皮膜を除去する。酸化皮膜の除去には無酸素状態に保持した還元焼鈍炉内での還元除去法や、酸洗処理により化学的に取り除く方法などを用いることができる。
次いで、酸化皮膜を除去した後、直ちにアルミニウムめっき浴槽に浸漬され、表面に上記特定の組成のアルミニウム合金層を形成させる。めっき層の厚みは溶融アルミニウムの粘度、鋼板表面の性状などにより変化するが、ガス噴射により膜厚の平準化をはかる方法を用いることもできる。
その後、冷却を行なってめっき鋼板となる。めっき膜厚（アルミニウム合金層）は、１０μｍから１００μｍ程度まで任意に制御することができる。

（２）アルミニウムクラッド材の製造方法
アルミニウムクラッド材の製造方法の一例について説明する。
まず、皮材用アルミニウム合金とろう材用アルミニウム合金とをそれぞれ公知の方法で、鋳造、面削、均質化熱処理(以下「均熱」と称す。）して、皮材用鋳塊とろう材用鋳塊とを作製する。ここで、皮材用アルミニウム合金は上記特定の組成のアルミニウム合金層と同じ組成とする。これらをそれぞれ更に熱間圧延によって所定の厚さまで圧延し、皮材用圧延板とろう材用圧延板を作製する。
一方、芯材用アルミニウム合金についても公知の方法で鋳造、面削を行い、均熱処理を行なって芯材用鋳塊を得る。
次いで、上記芯材用鋳塊と上記皮材用圧延板とを上記ろう材用圧延板を挟んで重ね合わせ、４５０℃以上５５０℃以下の温度で少なくとも１時間以上熱処理し、なじませた後重ね合わせたまま熱間圧延することで圧着し、アルミニウムクラッド板とする。
その後、所定の厚さまで冷間圧延、中間焼鈍を施し、最後に冷間圧延で所望の板厚に仕上げる。
中間焼鈍は３５０℃〜４００℃で２時間から４時間実施することが望ましい。最終圧延後のクラッド材の強度を１５０から２００ＭＰａの範囲に調整するために仕上げ焼鈍を行なってもよく、その際１５０℃から３００℃で１時間以上３時間以下の焼鈍処理を行なってもよい。

（ろう材）
アルミニウムクラッド材の調製に用いるろう材は通常使用されているものを用いることができ、一般的には７〜１３質量％のＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ系合金ろう材が用いられる。例えば、ＪＩＳ４３４３合金、ＪＩＳ４０４５合金およびＪＩＳ４０４７合金が好ましい。
ろう材は６００℃以下の温度で溶解が始まりその液相が「ろう」となって流動し、上層の皮材と下層の芯材とのアルミニウム材の接合に寄与する。後述のように加熱の際に溶解したろう材成分が上下のアルミ材(皮材、芯材)中へ拡散するが、拡散厚みは１０μｍ以内であり、特定の組成のアルミニウム合金層である皮材の厚さが所望の陽極酸化皮膜厚さよりも厚ければ、ろう材の合金成分及び不可避不純物成分は特定の組成のアルミニウム合金層に影響しないので考慮しなくともよい。

（芯材）
アルミニウムクラッド材の調製に用いる芯材としては耐熱性の高い金属板を用いることができる。
特に芯材と最表層を形成する皮材との一体形成性を考慮した場合には、アルミニウム板、アルミニウム合金板、ステンレス鋼板を用いることが好ましい。
また、アルミニウム板、アルミニウム合金板を用いる場合には、ろう材を介在させたクラッド材として用いることが特に好ましい。
芯材とするアルミニウム合金はＪＩＳ３０００系合金、６０００系合金を用いることができるが、特に６０００系合金を用いることが好ましい。
ステンレス鋼板を用いる場合には、上記の溶融アルミニウムめっき法にて鋼板にアルミ層を設けた溶融アルミニウムめっき鋼板として用いることが好ましい。
この際に用いるステンレス鋼板としては従来公知の鋼板を用いることができる。特に、ＳＵＳ４０３材料、ＳＵＳ３０４材料が好ましい。

積層板の形状は、単独基板と同様、平坦な板状であってもよいし、発光素子等の素子を実装するための凹部を有するものであってもよい。これら凹部は積層する別の基板表面を予め加工して形成させておいてもよいし、特定の組成のアルミニウム合金層を積層した後に基板を加工してもよい。凹部は上側に向かうに伴って外側に広がるように傾斜しているのがよい。これによって凹部の底部に実装された、発光素子から側方に放射された光を効率よく上方に反射することができる。
積層板の表面には特定の組成のアルミニウム合金層が設けられ、その表面には陽極酸化皮膜を有する。

３．＜表面物性および形状＞
本発明の絶縁性光反射基板は、表面における可視光領域の全反射率が７０％以上であり、８０％以上であるのが好ましく、９０％以上であるのがより好ましい。
また、本発明の絶縁性光反射基板は、表面における３００〜３２０ｎｍの波長光の全反射率が７０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましく、９０％以上であるのが更に好ましい。
ここで、全反射率は、分光光度計で測定された値をいい、可視光領域の全反射率が７０％以上であると本発明の発光素子の発光効率が良好なものとなり、３００〜３２０ｎｍの波長光の全反射率が７０％以上であると、演色性の高い紫外光ＬＥＤ等を用いた次世代システムに好適な基板となる。
更に、本発明の絶縁性光反射基板は、その表面が、平均波長０．０１〜１００μｍの凹凸を有すると全反射率が高く好ましい。また、異なる波長の凹凸が重畳された形状をとっていてもよい。
本発明の絶縁性光反射基板の表面がこのような凹凸を有すると、光拡散効果の向上、且つ、発光吸収効果／干渉効果（反射としてのロスとなりうる効果）を抑えることができると推定される。このため、本発明の光反射基板は、その反射性に優れる。

平均波長５〜１００μｍの凹凸（以下「大波構造」ともいう。）は、光散乱性の効果がよりよくなる点で、平均波長７〜７５μｍであるのが好ましく、平均波長１０〜５０μｍであるのがより好ましい。
本発明の絶縁性光反射基板の表面は、上記凹凸か、以下の凹凸かのいずれかを有する構造であるのが好ましい。
平均波長０．５〜５μｍの凹凸（以下「中波構造」ともいう。）は、光散乱性がより大きくなり、また、光吸収効果が抑えられる点で、平均波長０．７〜４μｍであるのが好ましく、平均波長１〜３μｍであるのがより好ましい。
平均波長０．０１〜０．５μｍの凹凸（以下「小波構造」ともいう。）は、可視光の干
渉効果が抑えられる点で、平均波長０．０１５〜０．４μｍであるのが好ましく、平均波長０．０２〜０．３μｍであるのがより好ましい。
本発明の絶縁性光反射基板の表面は、上述した大波構造、中波構造および小波構造からなる群から選ばれる少なくとも一つを有するのが好ましく、反射率をより高くすることができる点で、これらの二つ以上を重畳して有するのが好ましく、三つすべてを重畳して有するのがより好ましい。

本発明の絶縁性光反射基板は、原子間力顕微鏡を用いて、その表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により求められる実面積Ｓ_xと、幾何学的測定面積（見掛け面積）Ｓ₀とから、下記式（Ｉ）により求められる表面積差ΔＳが、１〜５０％であるのが好ましく、３〜２０％であるのがより好ましく、４〜８％であるのが、反射基板の白色性向上（散乱性向上）の観点から更に好ましい。
ΔＳ＝［（Ｓ_x−Ｓ₀）／Ｓ₀]×１００（％） （Ｉ）

ここで、表面積差ΔＳは、反射基板表面の凹凸の程度を示すファクターの一つである。ΔＳが大きいと、より光を散乱させることができ、光反射率が高くなる。

本発明においては、ΔＳを求めるために、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）により表面形状を測定し、３次元データを求める。測定は、例えば、以下の条件で行うことができる。
即ち、光反射基板を１ｃｍ角の大きさに切り取って、ピエゾスキャナー上の水平な試料台にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際、試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位でとらえる。ピエゾスキャナーは、ＸＹ方向について１５０μｍ、Ｚ方向について１０μｍ、走査可能なものを使用する。カンチレバーは共振周波数１２０〜１５０ｋＨｚ、バネ定数１２〜２０Ｎ／ｍのもの（ＳＩ−ＤＦ２０、ＮＡＮＯＰＲＯＢＥ社製）を用い、ＤＦＭモード（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｏｄｅ）で測定する。また、求めた３次元データを最小二乗近似することにより試料のわずかな傾きを補正し基準面を求める。計測の際は、表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定する。ＸＹ方向の分解能は１．９μｍ、Ｚ方向の分解能は１ｎｍ、スキャン速度は６０μｍ／ｓｅｃとする。

上記で求められた３次元データ（ｆ（ｘ，ｙ））を用い、隣り合う３点を抽出し、その３点で形成される微小三角形の面積の総和を求め、実面積Ｓxとする。表面積差ΔＳは、得られた実面積Ｓ_xと幾何学的測定面積Ｓ₀とから、上記式（Ｉ）により求められる。

４．＜表面処理＞
本発明の絶縁性光反射基板を製造する際の表面処理は、各種の粗面化処理およびその前処理や後処理を含む。絶縁性光反射基板の製造工程は、粗面化処理および陽極酸化処理以外の各種の工程を含んでいてもよい。
上述した表面形状を形成させるための代表的方法として、アルミニウム板にアルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および電解液を用いた電気化学的粗面化処理を順次施す方法、アルミニウム板に、アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および異なる電解液を用いた電気化学的粗面化処理を複数回施す方法が挙げられる。これらの粗面化処理の前に機械的粗面化処理をさらに行ってもよい。

電気化学的粗面化処理としては硝酸または／および塩酸を主体とする電解液を用いた方法が好適に挙げられる。これらの粗面化処理の前に機械的粗面化処理を行ってもよいし、行わなくてもよい。

以下、表面処理の各工程について、詳細に説明する。

＜脱脂処理＞
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。

脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０〜２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５〜２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ²の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ²の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０〜２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０〜５０℃でアルミニウム基板表面に１５〜６０秒間接触させ、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。

これらのうち、アルミニウム表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。

また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。

＜機械的粗面化処理＞
機械的粗面化処理を行う場合は、電気化学的粗面化処理と比較して、より安価に、平均波長５〜１００μｍの凹凸のある表面を形成することができるため、大波構造を形成させる粗面化処理の手段として有効である。
機械的粗面化処理方法としては、例えば、アルミニウム表面を金属ワイヤーでひっかくワイヤーブラシグレイン法、研磨球と研磨剤でアルミニウム表面を砂目立てするボールグレイン法、特開平６−１３５１７５号公報および特公昭５０−４００４７号公報に記載されているナイロンブラシと研磨剤で表面を砂目立てするブラシグレイン法を用いることができる。
また、凹凸面をアルミニウム板に圧接する転写方法を用いることもできる。即ち、特開昭５５−７４８９８号、特開昭６０−３６１９５号、特開昭６０−２０３４９６号の各公報に記載されている方法のほか、転写を数回行うことを特徴とする特開平６−５５８７１号公報、表面が弾性であることを特徴とする特開平６−２４１６８号公報に記載されている方法も適用可能である。
また、放電加工、ショットブラスト、レーザ、プラズマエッチング等を用いて、微細な凹凸を食刻した転写ロールを用いて繰り返し転写を行う方法や、微細粒子を塗布した凹凸のある面を、アルミニウム板に接面させ、その上より複数回繰り返し圧力を加え、アルミニウム板に微細粒子の平均直径に相当する凹凸パターンを複数回繰り返し転写させる方法を用いることもできる。転写ロールへ微細な凹凸を付与する方法としては、特開平３−８６３５号、特開平３−６６４０４号、特開昭６３−６５０１７号の各公報等に記載されている公知の方法を用いることができる。また、ロール表面にダイス、バイト、レーザ等を使って２方向から微細な溝を切り、表面に角形の凹凸をつけてもよい。このロール表面には、公知のエッチング処理等を行って、形成させた角形の凹凸が丸みを帯びるような処理を行ってもよい。
また、表面の硬度を上げるために、焼き入れ、ハードクロムめっき等を行ってもよい。
そのほかにも、機械的粗面化処理としては、特開昭６１−１６２３５１号公報、特開昭６３−１０４８８９号公報等に記載されている方法を用いることもできる。
本発明においては、生産性等を考慮して上述したそれぞれの方法を併用することもできる。これらの機械的粗面化処理は、電気化学的粗面化処理の前に行うのが好ましい。

以下、機械的粗面化処理として好適に用いられるブラシグレイン法について説明する。ブラシグレイン法は、一般に、円柱状の胴の表面に、ナイロン（商標）、プロピレン、塩化ビニル樹脂等の合成樹脂からなる合成樹脂毛等のブラシ毛を多数植設したローラ状ブラシを用い、回転するローラ状ブラシに研磨剤を含有するスラリー液を噴きかけながら、上記アルミニウム板の表面の一方または両方を擦ることにより行う方法である。上記ローラ状ブラシおよびスラリー液の代わりに、表面に研磨層を設けたローラである研磨ローラを用いることもできる。ローラ状ブラシを用いる場合、曲げ弾性率が好ましくは１０，０００〜４０，０００ｋｇｆ／ｃｍ²、より好ましくは１５，０００〜３５，０００ｋｇｆ／ｃｍ²であり、かつ、毛腰の強さが好ましくは５００ｇｆ以下、より好ましくは４００ｇｆ以下であるブラシ毛を用いる。ブラシ毛の直径は、一般的には、０．２〜０．９ｍｍである。ブラシ毛の長さは、ローラ状ブラシの外径および胴の直径に応じて適宜決定することができるが、一般的には、１０〜１００ｍｍである。

研磨剤は公知の物を用いることができる。例えば、パミストン、ケイ砂、水酸化アルミニウム、アルミナ粉、炭化ケイ素、窒化ケイ素、火山灰、カーボランダム、金剛砂等の研磨剤；これらの混合物を用いることができる。中でも、パミストン、ケイ砂が好ましい。特に、ケイ砂は、パミストンに比べて硬く、壊れにくいので粗面化効率に優れる点で好ましい。研磨剤の平均粒径は、粗面化効率に優れ、かつ、砂目立てピッチを狭くすることができる点で、３〜５０μｍであるのが好ましく、６〜４５μｍであるのがより好ましい。研磨剤は、例えば、水中に懸濁させて、スラリー液として用いる。スラリー液には、研磨剤のほかに、増粘剤、分散剤（例えば、界面活性剤）、防腐剤等を含有させることができる。スラリー液の比重は０．５〜２であるのが好ましい。

機械的粗面化処理に適した装置としては、例えば、特公昭５０−４００４７号公報に記載された装置を挙げることができる。

＜電気化学的粗面化処理＞
電気化学的粗面化処理（以下「電解粗面化処理」ともいう。）には、通常の交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられる電解液を用いることができる。中でも、塩酸または硝酸を主体とする電解液を用いるのが、上述した表面形状を得やすいので好ましい。

電解粗面化処理は、例えば、特公昭４８−２８１２３号公報および英国特許第８９６，５６３号明細書に記載されている電気化学的グレイン法（電解グレイン法）に従うことができる。この電解グレイン法は、正弦波形の交流電流を用いるものであるが、特開昭５２−５８６０２号公報に記載されているような特殊な波形を用いて行ってもよい。また、特開平３−７９７９９号公報に記載されている波形を用いることもできる。また、特開昭５５−１５８２９８号、特開昭５６−２８８９８号、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭６０−１９０３９２号、特開昭５８−１２０５３１号、特開昭６３−１７６１８７号、特開平１−５８８９号、特開平１−２８０５９０号、特開平１−１１８４８９号、特開平１−１４８５９２号、特開平１−１７８４９６号、特開平１−１８８３１５号、特開平１−１５４７９７号、特開平２−２３５７９４号、特開平３−２６０１００号、特開平３−２５３６００号、特開平４−７２０７９号、特開平４−７２０９８号、特開平３−２６７４００号、特開平１−１４１０９４の各公報に記載されている方法も適用できる。また、前述のほかに、電解コンデンサーの製造方法として提案されている特殊な周波数の交番電流を用いて電解することも可能である。例えば、米国特許第４，２７６，１２９号明細書および同第４，６７６，８７９号明細書に記載されている。

電解槽および電源については、種々提案されているが、米国特許第４２０３６３７号明細書、特開昭５６−１２３４００号、特開昭５７−５９７７０号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８２３号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特開昭６２−１２７５００号、特開平１−５２１００号、特開平１−５２０９８号、特開昭６０−６７７００号、特開平１−２３０８００号、特開平３−２５７１９９号の各公報等に記載されているものを用いることができる。また、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−１２７３９号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８３３号、特開昭５３−３２８２４号、特開昭５３−３２８２５号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特公昭４８−２８１２３号、特公昭５１−７０８１号、特開昭５２−１３３８３８号、特開昭５２−１３３８４０号号、特開昭５２−１３３８４４号、特開昭５２−１３３８４５号、特開昭５３−１４９１３５号、特開昭５４−１４６２３４号の各公報等に記載されているもの等も用いることができる。

電解液である酸性溶液としては、硝酸、塩酸のほかに、米国特許第４，６７１，８５９号、同第４，６６１，２１９号、同第４，６１８，４０５号、同第４，６００，４８２号、同第４，５６６，９６０号、同第４，５６６，９５８号、同第４，５６６，９５９号、同第４，４１６，９７２号、同第４，３７４，７１０号、同第４，３３６，１１３号、同第４，１８４，９３２号の各明細書等に記載されている電解液を用いることもできる。

酸性溶液の濃度は０．５〜２．５質量％であるのが好ましいが、上記のスマット除去処理での使用を考慮すると、０．７〜２．０質量％であるのが特に好ましい。また、液温は２０〜８０℃であるのが好ましく、３０〜６０℃であるのがより好ましい。

塩酸または硝酸を主体とする水溶液は、濃度１〜１００ｇ／Ｌの塩酸または硝酸の水溶液に、硝酸アルミニウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム等の硝酸イオンを有する硝酸化合物または塩化アルミニウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等の塩酸イオンを有する塩酸化合物の少なくとも一つを１ｇ／Ｌから飽和するまでの範囲で添加して使用することができる。また、塩酸または硝酸を主体とする水溶液には、鉄、銅、マンガン、ニッケル、チタン、マグネシウム、シリカ等のアルミニウム合金中に含まれる金属が溶解していてもよい。好ましくは、塩酸または硝酸の濃度０．５〜２質量％の水溶液にアルミニウムイオンが３〜５０ｇ／Ｌとなるように、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム等を添加した液を用いることが好ましい。

更に、Ｃｕと錯体を形成しうる化合物を添加して使用することによりＣｕを多く含有するアルミニウム板に対しても均一な砂目立てが可能になる。Ｃｕと錯体を形成しうる化合物としては、例えば、アンモニア；メチルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）等のアンモニアの水素原子を炭化水素基（脂肪族、芳香族等）等で置換して得られるアミン類；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸塩類が挙げられる。また、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩も挙げられる。温度は１０〜６０℃が好ましく、２０〜５０℃がより好ましい。

電気化学的粗面化処理に用いられる交流電源波は、特に限定されず、サイン波、矩形波、台形波、三角波等が用いられるが、矩形波または台形波が好ましく、台形波が特に好ましい。台形波とは、図１に示したものをいう。この台形波において電流がゼロからピークに達するまでの時間（ＴＰ）は１〜３ｍｓｅｃであるのが好ましい。１ｍｓｅｃ未満であると、アルミニウム板の進行方向と垂直に発生するチャタマークという処理ムラが発生しやすい。ＴＰが３ｍｓｅｃを超えると、特に硝酸電解液を用いる場合、電解処理で自然発生的に増加するアンモニウムイオン等に代表される電解液中の微量成分の影響を受けやすくなり、均一な砂目立てが行われにくくなる。

台形波交流のｄｕｔｙ比は１：２〜２：１のものが使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているように、アルミニウムにコンダクタロールを用いない間接給電方式においてはｄｕｔｙ比が１：１のものが好ましい。台形波交流の周波数は０．１〜１２０Ｈｚのものを用いることが可能であるが、５０〜７０Ｈｚが設備上好ましい。５０Ｈｚよりも低いと、主極のカーボン電極が溶解しやすくなり、また、７０Ｈｚよりも高いと、電源回路上のインダクタンス成分の影響を受けやすくなり、電源コストが高くなる。

電解槽には１個以上の交流電源を接続することができる。主極に対向するアルミニウム板に加わる交流の陽極と陰極との電流比をコントロールし、均一な砂目立てを行うことと、主極のカーボンを溶解することとを目的として、図２に示したように、補助陽極１８を設置し、交流電流の一部を分流させることが好ましい。図２において、１１はアルミニウム板であり、１２はラジアルドラムローラであり、１３ａおよび１３ｂは主極であり、１４は電解処理液であり、１５は電解液供給口であり、１６はスリットであり、１７は電解液通路であり、１８は補助陽極であり、１９ａおよび１９ｂはサイリスタであり、２０は交流電源であり、４０は主電解槽であり、５０は補助陽極槽である。整流素子またはスイッチング素子を介して電流値の一部を二つの主電極とは別の槽に設けた補助陽極に直流電流として分流させることにより、主極に対向するアルミニウム板上で作用するアノード反応にあずかる電流値と、カソード反応にあずかる電流値との比を制御することができる。主極に対向するアルミニウム板上で、陰極反応と陽極反応とにあずかる電気量の比（陰極時電気量／陽極時電気量）は、０．３〜０．９５であるのが好ましい。

電解槽は、縦型、フラット型、ラジアル型等の公知の表面処理に用いる電解槽が使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているようなラジアル型電解槽が特に好ましい。電解槽内を通過する電解液は、アルミニウムウェブの進行方向に対してパラレルであってもカウンターであってもよい。

（硝酸電解）
硝酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理により、平均波長０．５〜５μｍの凹凸を形成させることができる。ただし、電気量を比較的多くしたときは、電解反応が集中し、波長５μｍを超える凹凸も生成する。
このような表面形状を得るためには、電解反応が終了した時点でのアルミニウム板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１〜１０００Ｃ／ｄｍ²であるのが好ましく、５０〜３００Ｃ／ｄｍ²であるのがより好ましい。この際の電流密度は２０〜１００Ａ／ｄｍ²であるのが好ましい。
また、例えば、高濃度、例えば、硝酸濃度１５〜３５質量％の硝酸電解液を用いて３０〜６０℃で電解を行ったり、硝酸濃度０．７〜２質量％の硝酸電解液を用いて高温、例えば、８０℃以上で電解を行ったりすることで、平均波長０．２０μｍ以下の小波構造を形成させることもできる。その結果、上記式（Ｉ）から算出されるΔＳを大きくすることができる。

（塩酸電解）
塩酸はそれ自身のアルミニウム溶解力が強いため、わずかな電解を加えるだけで表面に微細な凹凸を形成させることが可能である。この微細な凹凸は、平均波長が０．０１〜０．２μｍであり、アルミニウム板の表面の全面に均一に生成する。
このような表面形状を得るためには電解反応が終了した時点でのアルミニウム板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１〜１００Ｃ／ｄｍ²であるのが好ましく、２０〜７０Ｃ／ｄｍ²であるのがより好ましい。この際の電流密度は２０〜５０Ａ／ｄｍ²であるのが好ましい。

このような塩酸を主体とする電解液での電気化学的粗面化処理では、アノード反応にあずかる電気量の総和を４００〜２０００Ｃ／ｄｍ²と大きくすることでクレーター状の大きなうねりを同時に形成することも可能である。この場合は平均波長１０〜３０μｍのクレーター状のうねりに重畳して平均波長０．０１〜０．４μｍの微細な凹凸が全面に生成する。この場合、平均波長０．５〜５μｍの中波構造は生成しない。

ΔＳを大きくするには、小さな凹凸を表面に多数設けることが有効である。このように小さな凹凸を表面に多数設ける方法としては、例えば、塩酸を主体とする電解液を用いた電解粗面化処理、高濃度かつ高温の硝酸を主体とする電解液を用いた電解粗面化処理が好適に挙げられる。機械的粗面化処理や、通常の硝酸を主体とする電解液を用いた電解粗面化処理によってもΔＳは大きくなるが、その程度は小さい。

上記の硝酸、塩酸等の電解液中で行われる電解粗面化処理の前および／または後に、アルミニウム板に陰極電解処理を行うことが好ましい。この陰極電解処理により、アルミニウム板表面にスマットが生成するとともに、水素ガスが発生してより均一な電解粗面化処理が可能となる。
陰極電解処理は、酸性溶液中で陰極電気量が好ましくは３〜８０Ｃ／ｄｍ²、より好ましくは５〜３０Ｃ／ｄｍ²で行われる。陰極電気量が３Ｃ／ｄｍ²未満であると、スマット付着量が不足する場合があり、また、８０Ｃ／ｄｍ²を超えると、スマット付着量が過剰となる場合がある。電解液は、電解粗面化処理で使用する溶液と同一であっても異なっていてもよい。

＜アルカリエッチング処理＞
アルカリエッチング処理は、上記アルミニウム板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させる処理である。
電解粗面化処理より前に行われるアルカリエッチング処理は、機械的粗面化処理を行っていない場合には、アルミニウム板（圧延アルミ）の表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等を除去することを目的として、また、既に機械的粗面化処理を行っている場合には、機械的粗面化処理によって生成した凹凸のエッジ部分を溶解させ、急峻な凹凸を滑らかなうねりを持つ表面に変えることを目的として行われる。

アルカリエッチング処理の前に機械的粗面化処理を行わない場合、エッチング量は、０．１〜１０ｇ／ｍ²であるのが好ましく、１〜５ｇ／ｍ²であるのがより好ましい。エッチング量が０．１ｇ／ｍ²未満であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等が残存する場合があるため、後段の電解粗面化処理において均一な凹凸生成ができずムラが発生してしまう場合がある。一方、エッチング量が１〜１０ｇ／ｍ²であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等の除去が十分に行われる。上記範囲を超えるエッチング量とするのは、経済的に不利となる。

アルカリエッチング処理の前に機械的粗面化処理を行う場合、エッチング量は、３〜２０ｇ／ｍ²であるのが好ましく、５〜１５ｇ／ｍ²であるのがより好ましい。エッチング量が３ｇ／ｍ²未満であると、機械的粗面化処理等によって形成された凹凸を平滑化できない場合があり、後段の電解粗面化処理において均一な凹凸形成ができない場合がある。一方、エッチング量が２０ｇ／ｍ²を超えると、凹凸構造が消滅してしまう場合がある。

電解粗面化処理の直後に行うアルカリエッチング処理は、酸性電解液中で生成したスマットを溶解させることと、電解粗面化処理により形成された凹凸のエッジ部分を溶解させることを目的として行われる。電解粗面化処理で形成される凹凸は電解液の種類によって異なるためにその最適なエッチング量も異なるが、電解粗面化処理後に行うアルカリエッチング処理のエッチング量は、０．１〜５ｇ／ｍ²であるのが好ましい。硝酸電解液を用いた場合、塩酸電解液を用いた場合よりもエッチング量は多めに設定する必要がある。電解粗面化処理が複数回行われる場合には、それぞれの処理後に、必要に応じてアルカリエッチング処理を行うことができる。

アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、メタケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩；炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩；アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩；グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩；第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。

アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、１〜５０質量％であるのが好ましく、１０〜３５質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、０．０１〜１０質量％であるのが好ましく、３〜８質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は２０〜９０℃であるのが好ましい。処理時間は１〜１２０秒であるのが好ましい。

アルミニウム板をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム板をアルカリ溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム板をアルカリ溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、アルカリ溶液をアルミニウム板の表面に噴きかける方法が挙げられる。

＜デスマット処理＞
電解粗面化処理またはアルカリエッチング処理を行った後、表面に残留する汚れ（スマット）を除去するために酸洗い（デスマット処理）が行われるのが好ましい。
用いられる酸としては、例えば、硝酸、硫酸、リン酸、クロム酸、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸が挙げられる。上記デスマット処理は、例えば、上記アルミニウム板を塩酸、硝酸、硫酸等の濃度０．５〜３０質量％の酸性溶液（アルミニウムイオン０．０１〜５質量％を含有する。）に接触させることにより行う。アルミニウム板を酸性溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム板を酸性溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム板を酸性溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、酸性溶液をアルミニウム板の表面に噴きかける方法が挙げられる。デスマット処理においては、酸性溶液として、上述した電解粗面化処理において排出される硝酸を主体とする水溶液もしくは塩酸を主体とする水溶液の廃液、または、後述する陽極酸化処理において排出される硫酸を主体とする水溶液の廃液を用いることができる。デスマット処理の液温は、２５〜９０℃であるのが好ましい。また、処理時間は、１〜１８０秒であるのが好ましい。デスマット処理に用いられる酸性溶液には、アルミニウムおよびアルミニウム合金成分が溶け込んでいてもよい。

５．＜スルーホール加工並びにルーティング加工＞
本発明の絶縁性光反射基板においては、発光素子を実装するにあたり、適宜配線部を設けるためのスルーホール加工、並びに、最終製品を想定してのチップ化を行うためのルーティング加工を行うこともできる。スルーホース加工は表面処理、陽極酸化工程の前に行ってもよいし後に行ってもよい。後述する陽極酸化による絶縁層形成前に上記加工を行うと、陽極酸化で形成される絶縁層への亀裂を防ぐ観点、及び、上記加工により生じる基板端面部への絶縁性を保持することができる。陽極酸化工程の後で行えば、陽極酸化処理工程の効率を上げられ、また最終製品のサイズに精度よく加工することができる。
スルーホール加工、ルーティング加工を施す好適な方法としては、ドリル加工、金型によるプレス加工、ダイサーによるダイシング加工、レーザー加工、等が挙げられるが、これらに限定されない。

６．＜陽極酸化処理＞
以上のように表面処理され、必要な場合は加工されたアルミニウム板に、更に、陽極酸化処理を施す。陽極酸化処理により、酸化アルミニウムからなる陽極酸化皮膜がアルミニウム板の表面に形成され、多孔質、あるいは、非孔質の表面絶縁層が得られる。必要な場合はアルミニウム合金板の主平面ばかりでなく、スルーホールの内部またはアルミニウム合金板の端面も陽極酸化処理して絶縁性、光反射性にすることができる。

陽極酸化処理は、従来行われている方法で行うことができる。陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属／アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
直管状のマイクロポアを有するように陽極酸化処理条件を制御するには、特開２００８−２７０１５８号公報の［００５５］〜［０１０８］段落に記載された自己規則化法や定電圧処理等を用いてもよい。

この際、少なくともアルミニウム板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０〜１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。

陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ²、電圧１〜６００Ｖ、電解時間１５秒〜２０時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。

また、特開昭５４−８１１３３号、特開昭５７−４７８９４号、特開昭５７−５１２８９号、特開昭５７−５１２９０号、特開昭５７−５４３００号、特開昭５７−１３６５９６号、特開昭５８−１０７４９８号、特開昭６０−２００２５６号、特開昭６２−１３６５９６号、特開昭６３−１７６４９４号、特開平４−１７６８９７号、特開平４−２８０９９７号、特開平６−２０７２９９号、特開平５−２４３７７号、特開平５−３２０８３号、特開平５−１２５５９７号、特開平５−１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。

中でも、特開昭５４−１２８５３号公報および特開昭４８−４５３０３号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、１０〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１０〜１００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、アルミニウムイオン濃度は、１〜２５ｇ／Ｌであるのが好ましく、２〜１０ｇ／Ｌであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が５０〜２００ｇ／Ｌである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。

硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム板と対極との間に直流または交流のいずれかを印加してもよく、交流を印加してもよい。アルミニウム板に直流を印加する場合においては、アルミニウムと対極との間に一定の電圧を印加するのが望ましく１０Ｖ〜５０Ｖの範囲の電圧を印加するのが望ましい。

上記陽極酸化皮膜は、上記陽極酸化皮膜の表面から厚さ方向にマイクロポアを有しており、上記マイクロポアの深さに対する上記マイクロポアの中心線の長さ（長さ／深さ）が１．０〜１．２であり、１．０〜１．１が好ましく、さらには１．０〜１．０５であるのがより好ましい。マイクロポアの形状がこの範囲であると得られる絶縁性光反射基板の絶縁性、光反射率が高い。
陽極酸化皮膜が多孔質である場合、マイクロポアの平均ポア径が５〜１０００ｎｍ程度であり、平均ポア密度が１×１０⁶〜１×１０¹⁰／ｍｍ²程度である。

また、上記陽極酸化皮膜の厚さは１〜２００μｍであるのが好ましい。１μｍ未満であると絶縁性に乏しく耐電圧が低下し、一方、２００μｍを超えると製造に多大な電力が必要となり、経済的に不利となる。陽極酸化皮膜の厚さは、２〜１００μｍであるのがより好ましく、２０〜７０μｍであるのがさらに好ましい。

更に、上記陽極酸化皮膜が、少なくとも２つの異なる条件で陽極酸化処理を施して得られ、上記陽極酸化皮膜の表面から上記アルミニウム合金層と上記陽極酸化皮膜との界面までの深さ方向に少なくとも２つの異なる陽極酸化処理層を有し、少なくとも１つの上記陽極酸化処理層の垂直方向の深さＬが、下記式（ａ）〜（ｃ）で示されるのが好ましい。
Ｌ＝１／２×ｍ×λ×ｎ_avp／ｎ_avp+1 式（ａ）
ｎ_avp＝ｎ_Al2O3×（１−Ｄ_p）＋ｎ_air×Ｄ_p 式（ｂ）
ｎ_avp+1＝ｎ_Al2O3×（１−Ｄ_p+1）＋ｎ_air×Ｄ_p+1 式（ｃ）
（式中、ｍは１以上の整数を表し、λは反射目的の光の波長を表し、ｎ_avpは陽極酸化皮膜の表面側に位置する陽極酸化処理層ｐの屈折率を表し、ｎ_avp+1は陽極酸化処理層ｐの下層に位置し、陽極酸化処理層ｐと接する陽極酸化処理層ｐ＋１の屈折率を表し、ｎ_Al2O3は酸化アルミニウムの屈折率を表し、ｎ_airは空気の屈折率＝１を表し、Ｄ_pは陽極酸化処理層ｐが有するマイクロポアの空隙率を表し、Ｄ_p+1は陽極酸化処理層ｐ＋１が有するマイクロポアの空隙率を表す。）

例えば、第１陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層１のマイクロポアに相当する部分の穴部が空隙率０．３３（３３％）であり、第２陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層２の穴部が垂直方向の深さＬで空隙率０（０％）である場合を検討する。
陽極酸化処理層１は、陽極酸化皮膜の表面側の層で、陽極酸化処理層２がその下層であるとすれば、アルミナの屈折率を１．６として、以下のように算出される。
ｎ_av1＝１．６×（１−０．３３）＋１×０．３３＝１．４
ｎ_av2＝１．６×（１−０）＋１×０＝１．６
ｎ_av1／ｎ_av2＝１．４／１．６
ここで、波長４５０ｎｍの光が陽極酸化処理層１および陽極酸化処理層２に侵入する場合、陽極酸化処理層２に侵入した光が陽極酸化処理層２の底部で反射し、２Ｌの光路を移動する光Ｂと、陽極酸化処理層１の底部で反射した光Ａの波形が重なるときに式（ａ）の関係が満たされ、増反射がおこる。
したがって、
Ｌ＝１／２×ｍ×４５０×１．４／１．６であり、ｍ＝１の場合はＬ＝１９７ｎｍで、ｍ＝２の場合はＬ＝３９４ｎｍの場合に増反射がおこる。

また、例えば、第１陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層１の穴部が空隙率０．３３（３３％）であり、第２陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層２の穴部が垂直方向の深さＬで空隙率０．４２（４２％）であり、第３陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層３の穴部が空隙率０．３３（３３％）である場合、陽極酸化処理層１が、陽極酸化皮膜の表面側にあり、陽極酸化処理層２および３はその下層にこの順に存在するとすれば、アルミナの屈折率を１．６として、以下のように算出される。
ｎ_av1＝１．６×（１−０．３３）＋１×０．３３＝１．４
ｎ_av2＝１．６×（１−０．４２）＋１×０．４２＝１．３５
ｎ_av3＝１．６×（１−０．３３）＋１×０．３３＝１．４
ｎ_av2／ｎ_av3＝１．３５／１．４
ここで、波長４５０ｎｍの光が陽極酸化処理層１の穴部を経て、陽極酸化処理層２の穴部および陽極酸化処理層３の穴部に侵入する場合、陽極酸化処理層３の穴部に侵入した光が陽極酸化処理層３の底部で反射し、２Ｌの光路を移動する光Ｂと、陽極酸化処理層２の底部で反射した光Ａの波形が重なるときに式（ａ）の関係が満たされ、増反射がおこる。
したがって、
Ｌ＝１／２×ｍ×４５０×１．３５／１．４であり、ｍ＝１の場合はＬ＝２１６ｎｍで、ｍ＝２の場合はＬ＝４３３ｎｍの場合に増反射がおこる。

更に、例えば、異なる陽極酸化処理層が全体で２層の場合、第１陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層１と連通している第２陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層２が上記（ａ）式で示される垂直方向深さＬを有すれば、反射目的の光波長λは、第１の陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層１の底部で反射する光と、第２の陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層２の底部で反射する光とが干渉し、共振して、増反射されると考えられるがこのようなメカニズムには限定されない。

また、陽極酸化処理条件によっては平均開口径が特定できるマイクロポアを形成する場合、または別の陽極酸化処理条件によってはアルミナ、水酸化アルミニウム、またはこれらの水和酸化物が空隙を有してランダムに形成され、特定の平均開口径を有しない場合がある。本発明ではこのようなマイクロポアに相当する部分を穴部と記載する。
本発明者の知見によれば、そのような場合でも、少なくとも２つの異なる陽極酸化処理層のうちの少なくとも１つの陽極酸化処理層の穴部が上記式（ａ）で示される垂直方向深さＬを有すれば、反射目的の光の波長λは、第１陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層１の穴部の底部で反射する光と、第２陽極酸化処理で得られる陽極酸化処理層２の穴部の底部で反射する光とが干渉し増反射されることがわかった。

上記陽極酸化処理層の形状は製造方法によって限定されるわけではないが、特徴的には、図６で示す例がある。図６の例は、第１陽極酸化処理で空隙率が高い陽極酸化処理層１を形成し、第２陽極酸化処理で、形成された陽極酸化処理層１のマイクロポアに相当する開口径を狭める、又は多孔質な状態で埋めるような製造方法で製造される。
図６は、本発明の陽極酸化皮膜を有するアルミニウム合金層を備える放熱反射板の一実施形態の模式的断面図である。
同図に示す絶縁性反射基板３０は、アルミニウム合金層１とアルミニウムの陽極酸化皮膜２とをこの順で積層した積層構造を有する。陽極酸化皮膜２は、その表面の位置を線ａで示し、アルミニウム合金層１と陽極酸化皮膜との界面の位置を線ｄで示している。
第１陽極酸化処理で形成される３１の番号で示される陽極酸化処理層ｐは、その表面ａから、アルミニウム合金層１側に向かって伸びるマイクロポアに相当する穴部３２と底部３３を有する。底部３３の位置は点線ｃで示される。また第２陽極酸化処理で形成される３４の番号で示される陽極酸化処理層ｐ＋１は、マイクロポアに相当する穴部３５と底部３６を有する。第１と第２とで異なる陽極酸化処理を行って陽極酸化処理層ｐ、ｐ＋１が形成され、穴部３２および３５のそれぞれ空隙率がＤｐ、Ｄｐ＋１で異なる。陽極酸化処理層ｐの底部と陽極酸化処理層ｐ＋１とは連通しており、陽極酸化処理層ｐ＋１の底部３６は、アルミニウム合金層１と陽極酸化皮膜２との界面の位置の線ｄ上にある。陽極酸化処理層ｐ＋１の垂直方向の深さＬは、ｃ〜ｄ間の距離である。ここで、連通とは流体（気体および液体）が流通可能な状態をいう。

なお、上記陽極酸化処理層ｐまたはｐ＋１の垂直方向の深さ（厚さともいう）は、図６に示す陽極酸化皮膜２の断面の写真（１５万倍）をとり、２５個以上の陽極酸化処理層の穴部の深さを測定し、平均した値である。

＜封孔処理＞
本発明においては、必要に応じて陽極酸化皮膜が多孔質の場合、存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６−１２５１８号公報、特開平４−４１９４号公報、特開平５−２０２４９６号公報、特開平５−１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。

＜水洗処理＞
上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。水洗後、さらに酸またはアルカリの溶液に１〜６０秒間浸漬後、水洗してもよい。

＜保護層＞
また、本発明の絶縁性光反射基板は、後述するＬＥＤへの電気信号伝送のための金属配線層形成加工、パターン加工、ＬＥＤ実装部への金属層形成加工等、後処理にて使用する各種溶剤に対応させるべく、保護処理を施すことができる。
具体的には、保護処理は、特開２００８−９３６５２号公報、特開２００９−６８０７６号公報等に記載のように、陽極酸化皮膜表面の親／疎水性（親／疎油性）の性質を適宜変えることができるほか、酸／アルカリ等に耐性を付与する方法も、適宜用いることができる。

７．＜配線層＞
以下に、本発明の絶縁性光反射基板における配線層（金属配線層）について詳細に説明する。
上記配線層は、金属導体で構成され、上述した陽極酸化皮膜上に設けられ、発光素子を実装するために用いられる。
また、上記配線層は発光素子が実装される陽極酸化皮膜上に設けられてもよいし、発光素子が実装される陽極酸化皮膜とは反対側の裏面側に設けられて発光素子実装面とはスルーホールを介して電気的に接続されてもよい。

上記金属配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。

また、上記金属配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜５００μｍがより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。

上記金属配線層の形成方法としては、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が挙げられる。
これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜／均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。

上記めっき処理は、陽極酸化皮膜に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
また、上記シード層の形成には、無電解めっきを用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分（例えば、金属塩、還元剤等）と補助成分（例えば、ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等）から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、ＳＥ−６５０・６６６・６８０、ＳＥＫ−６７０・７９７、ＳＦＫ−６３（いずれも日本カニゼン社製）、メルプレートＮＩ−４１２８、エンプレートＮＩ−４３３、エンプレートＮＩ−４１１（いずれもメルテックス社製）等の市販品を適宜用いることができる。
また、上記金属配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。

このようにして形成される金属配線層は、ＬＥＤ実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にＬＥＤが実装される箇所には、再度金属層（半田も含む）を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすい用に適宜加工することができる。
好適な金属層としては、半田、または、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属素材が好ましく、加熱によるＬＥＤの実装の観点では、半田、または、Ｎｉを介してのＡｕ、Ａｇを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。

配線層の形成方法として以下で説明する金属インクを用いてインクジェット印刷法またはスクリーン印刷法により陽極酸化皮膜上にパターンを形成すれば、凹凸のある表面に多くの工程を必要とせずに簡易にパターンを有する配線層を形成することができ、陽極酸化皮膜のマイクロポアによるアンカー効果が高いので配線層と光反射層との密着性にも優れる。

（インクジェット印刷法）
陽極酸化皮膜上の所望部位に導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により配線層を形成する。金属インクで配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。

金属インクに含まれる導体金属としては、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の微粒子；酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の微粒子；Ｃｒ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｎ、Ｍｎ−Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅなどの複合合金の微粒子；銀めっき、銅などのめっき複合体の微粒子；等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。

微粒子である導体金属の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、粒状、鱗片状等が挙げられるが、微粒子同士の接触面積を大きくして導電性を向上させるという観点から、鱗片状が好ましい。
金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点、本発明の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜への供給という観点から、１〜２０ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍがより好ましい。

（スクリーン印刷法）
陽極酸化皮膜上の所望部位に導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により印刷する。金属インクで配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。

８．＜絶縁性光反射基板の利用＞
本発明の絶縁性光反射基板は、用いるＬＥＤの種類、及び発光素子の形状等に、特に限定はなく、種々の用途に用いることができる。また、従来公知のＬＥＤを用いる発光装置の絶縁性光反射基板として用いることができる。
例えば、図４に示す基板１４０の代わりに本発明の絶縁性光反射基板３０を用いることで発光装置１００の輝度を向上させることができる。図４において１００は白色系ＬＥＤ発光装置であり、外部接続用の電極１２０，１３０を有する基板１４０に、青色ＬＥＤ等の発光素子１１０がフェースダウンボンディングされており、該青色ＬＥＤ１１０をＹＡＧ系の蛍光粒子１５０を混入した透明樹脂１６０でモールドしている。ＹＡＧ系の蛍光粒子１５０によって励起された光と、青色ＬＥＤ１１０の残光により、白色系ＬＥＤ発光装置１００から白色系光が発光面側の矢印方向に発光される。
また、本発明の絶縁性光反射基板上に青色ＬＥＤを設置し、公知の樹脂で封止し、その上部に蛍光発光体を有するバルブ金属の陽極酸化層である微細構造体（蛍光発光ユニット）を備える構成の蛍光発光装置としてもよい。これらの蛍光発光装置については、特願２００９−１３４００７号明細書、特願２００９−１３９２６１号明細書に記載されている。
図５（Ａ）は、芯材である例えばＳＵＳ金属板１０の表面にアルミニウム合金層１とその表面に陽極酸化皮膜２とを有する本発明の絶縁性光反射基板３０を示す。さらに絶縁性光反射基板３０上に載置された発光素子１１０を蛍光粒子１５０を有する透明樹脂１６０で封止した蛍光発光装置１００を示す断面図である。金属板１０は芯材として本発明の絶縁性光反射基板の機械的強度、可とう性をになっている。また、ヒートシンクとなって放熱性に寄与してもよい。発光素子１１０はワイヤ９でボンデイングされ、陽極酸化皮膜２上に形成された図示しない配線層の必要箇所と電気的に接続される。
図５（Ｂ）は、アルミニウム合金板１１とその表面に陽極酸化皮膜２とを有する本発明の絶縁性光反射基板３０上に載置された発光素子１１０を蛍光粒子１５０を有する透明樹脂１６０で封止した蛍光発光装置１００を示す断面図である。
アルミニウム合金板１１の発光素子１１０が実装される箇所は凹部３が設けられ凹部３は上側に向かうに伴って外側に広がるように傾斜している。発光素子１１０は絶縁性光反射基板３０上にダイボンデイング等で載置され、絶縁性光反射基板３０の下部にはヒートシンク７が設けられてもよい。発光素子１１０はワイヤ９でボンデイングされ、陽極酸化皮膜２上に形成された図示しない配線層の必要箇所と電気的に接続される。本発明の絶縁性光反射基板３０は、絶縁性が高く可視光領域における全反射率が高いので、これを基板として用いる発光装置１００の発光効率が高い。

発光素子は、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
透明樹脂１６０の材質は熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。透明樹脂１６０は、発光素子３０を保護するため硬質のものが好ましい。また、透明樹脂１６０は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。透明樹脂１６０は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。
蛍光粒子１５０は、発光素子３０からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体・βサイアロン系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、又は、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。

上記のように、本発明の絶縁性光反射基板は、紫外〜青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤ発光素子の光反射基板として用いることもできる。
これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色ＬＥＤ光源１チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外ＬＥＤ光源１チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットの発光素子の基板に本発明の絶縁性光反射基板を用いることができる。

本発明の配線層に発光素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０〜３５０℃が好ましく、２４０〜３２０℃がより好ましく、２６０〜３００℃が特に好ましい。またこれらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
また同加熱処理における本発明基板の、アルミ層とアルミ陽極酸化層の熱膨張率差に起因するアルミ陽極酸化層へのクラック発生を抑止する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で５秒〜１０分、より好ましくは１０秒〜５分、特に好ましくは２０秒〜３分の熱処理を施す方法をとることもできる。この場合所望の一定温度としては、８０〜２００℃であることが好ましく、１００〜１８０℃がより好ましく、１２０〜１６０℃が特に好ましい。これらの温度・時間未満であると素子の実装が不十分となる恐れがあり、これらの温度・時間超であると基板が劣化する恐れがある。

またワイヤボンディングでの実装時の温度としては、上述同様に確実な実装を施す観点から、８０〜３００℃が好ましく、９０〜２５０℃がより好ましく、１００〜２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。

以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例１〜８および比較例１〜３）
＜基板の作製＞
超高純度アルミニウム（５Ｎ：９９．９９９質量％、九州三井アルミニウム社製）インゴットを１ｋｇごと分取し、更に各成分の金属を添加してカーボン坩堝内で溶解させた後、カーボン製の鋳型（内容積：１０ｃｍ×１０ｃｍ×５ｃｍ）に流し入れて徐冷させることにより、鋳塊を調製した。
次いで、この鋳塊の表面をそれぞれの面について１ｃｍの厚みで面削し、表面不均一部分を除去した。面削後の表面を溶剤で洗浄し、次の成分分析に供した。
鋳塊の成分分析は、グロー放電質量分析計（サーモサイエンティフィック製：ＥＬＥＭＥＮＴ−ＧＤ）を用いて行い、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ＧａおよびＺｎを定量し、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ＧａおよびＺｎ以外の不可避不純物成分の量も同時に算出した。不可避不純物は、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、ビスマス、ニッケルおよびチタンの合計であった。
成分分析の後、冷間圧延装置にて、５０％／パスの圧下率にて６回圧延した後、最終板厚が０．４ｍｍになるよう最終圧延を施し、下記表１に示す組成のアルミニウム合金層のみからなる基板を作製した。
圧延した板から幅１０ｃｍ×長さ１５ｃｍの基板（以下、「アルミニウム合金基板」という。）を採取し、以下に示す粗面化処理および陽極酸化処理を施した。

＜粗面化処理（凹凸の形成）＞
粗面化処理は、以下の（ａ）〜（ｆ）の各種処理を行った。なお、各処理および水洗の後にはニップローラで液切りを行った。

（ａ）脱脂処理
脱脂処理として界面活性剤を含有する液をアルミニウム合金基板の表面に接触させ、その後、水洗し、濃度１５ｇ／Ｌの硫酸水溶液をアルミニウム基板表面に接触させ、アルミニウム板表面を溶解し、その後、水洗した。

（ｂ）アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度２．６質量％、アルミニウムイオン濃度６．５質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム板を１ｇ／ｍ²溶解した。その後、スプレーによる水洗を行った。

（ｃ）デスマット処理
温度３０℃の硝酸濃度１質量％水溶液（アルミニウムイオンを０．５質量％含む。）で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的粗面化処理を行う工程の廃液を用いた。

（ｄ）電気化学的粗面化処理
６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸９．０ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを５ｇ／Ｌ、アンモニウムイオンを０．００７質量％含む。）、液温５０℃であった。交流電源波形は図１に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間ＴＰが０．８ｍｓｅｃ、ｄｕｔｙ比１：１、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。使用した電解槽は図２に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で３０Ａ／ｄｍ²、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で２２０Ｃ／ｄｍ²であった。補助陽極には電源から流れる電流の５％を分流させた。その後、スプレーによる水洗を行った。

（ｅ）アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度６．５質量％の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を３２℃で行い、アルミニウム板を１０ｇ／ｍ²溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。

（ｆ）デスマット処理
温度３０℃の硫酸濃度１５質量％水溶液（アルミニウムイオンを４．５質量％含む。）で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的粗面化処理を行う工程の廃液を用いた。

＜陽極酸化処理（陽極酸化皮膜の形成）＞
図３に示す構造の陽極酸化装置を用いて陽極酸化処理を施し、アルミニウム合金基板の表面に陽極酸化皮膜を有する絶縁性光反射基板を作製した。
電解液としては硫酸を用い、硫酸濃度０．３Ｍ、温度１７℃、電圧２５Ｖの条件下で、８時間行った。その後、スプレーによる水洗を行った。最終的な陽極酸化皮膜の厚さは４５μｍであった。

（比較例４および５）
比較例４および５については、それぞれ実施例４および比較例２の鋳塊を用い、上記（ａ）〜（ｆ）と同じ粗面化処理を行った後、以下の条件の陽極酸化処理を施し、絶縁性光反射基板を作製した。
＜陽極酸化処理＞
図３に示す構造の陽極酸化装置を用いて陽極酸化処理を行った。電解液としては硫酸を用い、硫酸濃度１．８Ｍ、温度４５℃、電流密度２０Ａ／ｄｍ²の条件下で、４０分間行った。その後、スプレーによる水洗を行った。最終的な酸化皮膜の厚さは４５μｍであった。

（実施例９〜１１）
実施例４に従い作製したアルミニウム合金基板を０．８ｍｍに圧延したものを皮材とし、下記表２に示す合金Ａ〜合金Ｃから調製した鋳塊を芯材とし、これらをろう材を介して重ね合わせ、５００℃３時間炉中で熱処理したものを熱間圧延で圧着して実施例９〜１１の基板を作製した。
作製した各基板に対して、実施例１と同様の粗面化処理および陽極酸化処理を施すことにより、基板の表面に陽極酸化皮膜（厚み：４５μｍ）を有する絶縁性光反射基板を作製した。

（実施例１２〜１４および比較例６）
実施例４で作製したアルミニウム合金基板を炉中で溶解させた後、ステンレス鋼板(ＳＵＳ４０３、２Ｂ規格材、板厚０．３ｍｍ)を浸漬させることにより、上記ステンレス鋼板（芯材）の表面に約１００μｍのアルミニウム合金層を有する基板を作製した。この基板を実施例１２とした。
同様に、上記ステンレス鋼板(ＳＵＳ４０３)をアルミニウム含有亜鉛溶融めっき浴に浸漬させて予め亜鉛めっき層（約１０μｍ）を設けた後、実施例４で作製したアルミニウム合金基板を溶解させた溶融めっき浴に浸漬させることにより、亜鉛めっき層上に約１００μｍのアルミニウム合金層を有する基板を作製した。この基板を実施例１３とした。
同様に、実施例４のアルミニウム合金を炉中で溶解させ、ステンレス鋼板（ＳＵＳ３０４）を浸漬させることにより、上記ステンレス鋼板（芯材）の表面に約１００μｍのアルミニウム合金層を有する基板を作製した。この基板を実施例１４とした。
同様に、比較例５のアルミニウム合金を炉中で溶解させ、ステンレス鋼板（ＳＵＳ３０４）を浸漬させることにより、上記ステンレス鋼板（芯材）の表面に約１００μｍのアルミニウム合金層を有する基板を作製した。この基板を比較例６とした。
なお、これらの基板作製に用いたステンレス鋼は、１０％塩化第２鉄水溶液（４０℃）で３分間処理して表面を粗面化したものを用いた。
作製した各基板の組成分析を行なったところ、アルミニウム合金層とステンレス鋼板との遷移領域（ステンレスの主成分であるＦｅの拡散層）の厚みはいずれも約５０μｍであり、皮材としたアルミニウム合金層の成分が維持されているのは表層から５０μｍの間であると判断できた。
作製した各基板に対して、実施例１と同様の（ａ）脱脂処理および陽極酸化処理を施すことにより、基板の表面に陽極酸化皮膜（厚み：４５μｍ）を有する絶縁性光反射基板を作製した。

（実施例１５〜１７）
実施例１５〜１７については、いずれも実施例４の鋳塊を用い、上記（ａ）〜（ｆ）と同じ粗面化処理を行った後、以下の条件の硫酸陽極酸化処理およびホウ酸陽極酸化処理をこの順で連続して施し、絶縁性光反射基板を作製した。
＜硫酸陽極酸化処理＞
電解液としては硫酸を用い、硫酸濃度３０ｇ／Ｌ、温度１７℃、電圧２５Ｖの条件下で、実施例１５については８時間、実施例１６および１７については５時間を行った。その後、スプレーによる水洗を行った。
硫酸陽極酸化により形成された陽極酸化皮膜の厚さは、実施例１５においては４５μｍ、実施例１６および１７においては２５μｍであった。
＜ホウ酸陽極酸化処理＞
ホウ酸濃度３０ｇ／Ｌ、ホウ酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、液温２０℃の水溶液中で、実施例１５および１６においては電圧６００Ｖの直流電解を６０分行い、実施例１７においては電圧を３００Ｖで６０分直流電解を行い、硫酸陽極酸化処理で生成したマイクロポアの内部に陽極酸化処理を施した。
ホウ酸陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜の厚みは、実施例１５および１６においては０．４μｍ（４００ｎｍ）、実施例１７においては０．２μｍ（２００ｎｍ）であり、いずれも上記式（ａ）で表されるＬを満たしていることが分かった。
なお、実施例１５および１６におけるＬの計算値は、４５０ｎｍを目的波長とすると、ｍ＝１の場合はＬ＝１９７ｎｍと算出され、ｍ＝２の場合はＬ＝３９４ｎｍと算出される。同様に、実施例１７におけるＬの計算値は、３３０ｎｍを目的波長とすると、ｍ＝２の場合はＬ＝２０２ｎｍと算出され、ｍ＝３の場合はＬ＝３０３ｎｍと算出される。

（実施例１８）
実施例１８については、実施例４の鋳塊を用い、上記（ａ）〜（ｆ）と同じ粗面化処理を行った後、以下の条件の硫酸陽極酸化処理を施し、絶縁性光反射基板を作製した。
＜硫酸陽極酸化処理＞
硫酸濃度７０ｇ／Ｌ、液温２０℃の水溶液中で、電圧１６Ｖの直流電解を３時間施した。その後、スプレーによる水洗を行った。硫酸陽極酸化により形成された陽極酸化皮膜の厚さは２５μｍであった。

（比較例７）
比較例７については、実施例４の鋳塊を用い、上記（ａ）〜（ｆ）と同じ粗面化処理を行った後、以下の条件のホウ酸陽極酸化処理を施し、絶縁性光反射基板を作製した。
＜ホウ酸陽極酸化処理＞
ホウ酸濃度３０ｇ／Ｌ、ホウ酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、液温２０℃の水溶液中で、電圧３００Ｖの直流電解を６０分施した。その後、スプレーによる水洗を行った。ホウ酸陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜の厚みは０．４μｍであった。

（実施例１９）
実施例１９については、実施例４の鋳塊を用い、上記（ａ）処理の後に下記（ｇ）機械的粗面化処理を施し、上記（ｆ）処理を施さなかった以外は、実施例４と同様の条件で粗面化処理および陽極酸化処理を施すことにより、基板の表面に陽極酸化皮膜（厚み：４５μｍ）を有する絶縁性光反射基板を作製した。

（ｇ）機械的粗面化処理
図７に示す装置を使って、研磨剤（パミス）と水との懸濁液（比重１．１２）を研磨スラリー液としてアルミニウム基板の表面に供給しながら、回転するローラ状ナイロンブラシにより機械的粗面化処理を行った。
図７において、２１はアルミニウム基板、２２および２４はローラ状ブラシ、２３は研磨スラリー液、２５、２６、２７および２８は支持ローラである。研磨剤の平均粒径は４０μｍ、最大粒径は１００μｍであった。ナイロンブラシの材質は６・１０ナイロン、毛長は５０ｍｍ、毛の直径は０．３ｍｍであった。ナイロンブラシはφ３００ｍｍのステンレス製の筒に穴をあけて密になるように植毛した。回転ブラシは３本使用した。ブラシ下部の２本の支持ローラ（φ２００ｍｍ）の距離は３００ｍｍであった。ブラシローラはブラシを回転させる駆動モータの負荷が、ブラシローラをアルミニウム基板に押さえつける前の負荷に対して７ｋＷプラスになるまで押さえつけた。ブラシの回転方向はアルミニウム基板の移動方向と同じであった。ブラシの回転数は２００ｒｐｍであった。

（実施例２０）
実施例２０については、実施例４の鋳塊を用い、上記（ａ）処理、上記（ｇ）処理、上記（ｂ）処理および上記（ｃ）処理をこの順で施した後、実施例１８と同様の硫酸陽極酸化処理を施し、基板の表面に陽極酸化皮膜（厚み：２５μｍ）を有する絶縁性光反射基板を作製した。

（実施例２１）
実施例２１については、実施例４の鋳塊を用い、上記（ａ）処理、上記（ｇ）処理、上記（ｂ）〜（ｅ）処理ならびに下記（ｈ）電気化学的粗面化処理および（ｉ）アルカリエッチング処理をこの順で施した後、実施例１８と同様の硫酸陽極酸化処理を施し、基板の表面に陽極酸化皮膜（厚み：２５μｍ）を有する絶縁性光反射基板を作製した。

（ｈ）電気化学的粗面化処理
大波を６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行うことで形成した。このときの電解液は、塩酸１５．０ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを１０ｇ／Ｌを含む）、液温５０℃であった。交流電源波形は図１に示した正弦波を用いて、カーボン電極を対極として行った。使用した電解槽は図２に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で２２Ａ／ｄｍ²、電気量はアルミニウム基板が陽極時の電気量の総和で５０Ｃ／ｄｍ²であった。その後、スプレーによる水洗を行った。

（ｉ）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板に対して、カセイソーダ濃度５質量％、アルミニウムイオン濃度０．５質量％の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を３２℃で行った。アルミニウム基板を標準条件で５ｇ／ｍ²溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。その後、温度３０℃の硫酸濃度１５質量％水溶液（アルミニウムイオンを４．５質量％含む。）をスプレーにより基板表面に吹き付けデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。

（実施例２２）
実施例２２については、実施例４の鋳塊を用い、上記（ａ）〜（ｅ）処理、上記（ｈ）処理および上記（ｉ）処理をこの順で施した後、実施例１８と同様の硫酸陽極酸化処理を施し、基板の表面に陽極酸化皮膜（厚み：２５μｍ）を有する絶縁性光反射基板を作製した。

（実施例２３）
上記（ｉ）処理のアルカリ溶解量を２ｇ／ｍ²とした以外は、実施例２２と同様の方法により絶縁性光反射基板を作製した。

（実施例２４）
Ａｕナノ粒子（ナノテック、シーアイ化成社製）５０ｇをキシレン５０ｇに加えた後に８時間常温で撹拌を行うことにより、安定したＡｕインク分散液を調製した。なお、調製したインク分散液を固形粉分析したところ、金の含有量は２６．８質量％であった。
次いで、上記インク分散液の２質量％に相当するシランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越ポリマー社製）を上記インク分散液に添加し、混合することにより、金属インクを調製した。調製された金属インクの粘度は、１０ｃｐｓであった。
次に、調製された金属インクを、ダイマティックス・マテリアルプリンター（ＤＭＰ−２８３１、富士フイルムダイマティックス社製）を用いて、実施例２で作製した絶縁性光反射基板の陽極酸化皮膜上にインクジェット印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、Ａｕ金属配線を得た。

＜マイクロポアの深さに対するマイクロポアの中心線の長さ（長さ／深さ）の測定＞
作製した各絶縁性光反射基板の陽極酸化皮膜について、その断面をＦＥ−ＳＥＭ（日立製作所社製、Ｓ−４０００）で観察し、マイクロポアの深さに対するマイクロポアの中心線の長さ（長さ／深さ）を測定し平均した。その結果を下記表１に示す。

＜表面形状の測定＞
作製した各絶縁性光反射基板の表面の凹凸について、下記（１）〜（３）の測定を行い、大波構造、中波構造および小波構造の各平均波長を算出した。
結果を下記表１に示す。なお、表１中、「−」は、該当する平均波長の凹凸がなかったことを示す。

（１）大波構造の平均波長
触針式粗さ計（ｓｕｆｃｏｍ５７５、東京精密社製）で２次元粗さ測定を行い、ＩＳＯ４２８７に規定されている平均山間隔Ｓ_mを５回測定し、その平均値を平均波長とした。
２次元粗さ測定は、以下の条件で行った。
（測定条件）
カットオフ値０．８ｍｍ、傾斜補正ＦＬＡＴ−ＭＬ、測定長３ｍｍ、縦倍率１００００倍、走査速度０．３ｍｍ／ｓｅｃ、触針先端径２μｍ

（２）中波構造の平均波長
ＳＥＭを用いて多孔質アルミナ担体の表面を真上から倍率２０００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において凹凸の周囲が環状に連なっている中波構造の凹凸を５０個抽出し、その直径を読み取って波長とし、平均波長を算出した。

（３）小波構造の平均波長
高分解能ＳＥＭを用いて多孔質アルミナ担体の表面を真上から倍率５００００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において小波構造の凹凸を５０個抽出し、その直径を読み取って波長とし、平均波長を算出した。

また、作製した各絶縁性光反射基板の表面について、ΔＳを求めるために、原子間力顕微鏡（ＳＰ１３７００、セイコー電子工業社製）により表面形状を測定し、３次元データを求めた。以下、具体的な手順を説明する。
絶縁性光反射基板を１ｃｍ角の大きさで、ピエゾスキャナー上の水平な試料台にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際、試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位でとらえた。ピエゾスキャナーは、ＸＹ方向について１５０μｍ、Ｚ方向について１０μｍ、走査可能なものを使用した。カンチレバーは共振周波数１２０〜１５０ｋＨｚ、バネ定数１２〜２０Ｎ／ｍのもの（ＳＩ−ＤＦ２０、ＮＡＮＯＰＲＯＢＥ社製）を用い、ＤＦＭモード（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｏｄｅ）で測定した。また、求めた３次元データを最小二乗近似することにより試料のわずかな傾きを補正し基準面を求めた。
計測の際は、表面の５０μｍ□を５１２×５１２点測定した。ＸＹ方向の分解能は１．９μｍ、Ｚ方向の分解能は１ｎｍ、スキャン速度は６０μｍ／ｓｅｃとした。
上記で求められた３次元データ（ｆ（ｘ，ｙ））を用い、隣り合う３点を抽出し、その３点で形成される微小三角形の面積の総和を求め、実面積Ｓ_xとした。表面積差ΔＳは、得られた実面積Ｓ_xと幾何学的測定面積Ｓ₀（５０μｍ×５０μｍ）とから、上記式（Ｉ）により求めた。
結果を下記表１に示す。

＜光反射率の測定＞
作製した各絶縁性光反射基板について、分光反射率測定器（ＳＰ６４、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製）を用いて可視光領域（４００〜８００ｎｍ）および紫外領域（３００〜３２０ｎｍ）における全反射率の平均値を測定した。その結果を表１に示す。

＜耐電圧の測定＞
作製した各絶縁性光反射基板について、ＪＩＳＣ２１１０規格の方法に従い、１０ｋＶ絶縁破壊試験装置（ヤマヨ試験器有限会社製）を用いて油中で絶縁破壊電圧（耐電圧）を測定した。３箇所測定を行い、その平均値を耐電圧とした。結果を表１に示す。

＜発光の確認＞
実施例４および実施例１３で用いたアルミニウム合金板およびクラッド板に対して、プレス加工により外形が５ｍｍ角、深さ０．２ｍｍの凹部を４０ｍｍピッチで形成した。
このプレス加工済み基板を用い、実施例４の基板については、実施例１、１５および１８の表面処理を引き続き行ない、３種類の絶縁性光反射基板を形成した。
一方、実施例１３の基板については、そのまま実施例１の表面処理を引き続き行ない、１種類の絶縁性光反射基板を得た。
得られた各絶縁性光反射基板および未加工の基板（実施例４および実施例１３）に対して、ダイシング加工により５ｍｍ角の凹部を中心として４０ｍｍ角の基板に個片化加工した。
個片化したそれぞれの基板に、予め用意した接着層付き銅配線パターンを熱により圧着し基板上に配線を形成した。
次いで、対抗した銅配線の先端部分が３ｍｍ間隔になるよう配置した。これにより凹部のある基板では凹部内部に銅配線先端部分が入るようにした。
ここで、プレス未加工の基板については銅配線を内部に含むよう中心を合わせて５ｍｍ角の方形にスクリーン印刷でレジストを高さ１２０μｍになるよう印刷し、封止剤の土手を設けた。
その後、全基板においてＬＥＤチップを凹部中心にダイボンドし、チップと銅配線部分をワイヤボンドにより接続した。更にシリコーン樹脂製封止剤を滴下してＬＥＤチップ、ワイヤボンド部分を封止してＬＥＤパッケージを完成させた。
プレス加工基板および未加工基板とも発光を確認した。プレス加工基板では土手部分も反射面になっているため発光量が高めの数値を示した。

実施例で示されるようにアルミニウム合金成分の量と光反射率および耐電圧との関係には以下の特性がある。
１）Ｓｉ＋Ｆｅが０．００５質量％以下であり、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ＧａおよびＺｎ以外の不可避不純物の含有量が０．０１質量％以下であれば、耐電圧が高く、光反射率も高い。
２）同様に、陽極酸化皮膜が有するマイクロポアの深さに対する中心線の長さの比率（長さ／深さ）が１．０〜１．２であれば、耐電圧が高く、光反射率も高い。
３）Ｓｉ＋Ｆｅが０．００５質量％以下の範囲である場合に、ＧａまたはＺｎを所定量添加すると、光反射率が向上する。
４）Ｓｉ＋Ｆｅが０．００５質量％以下の範囲である場合に、ＧａとＺｎとを併用すればさらに効果は高い。

また、実施例で作製した絶縁性光反射基板は、紫外領域においても高い反射率を得ることが分かり、例えば、太陽光により近づける試みとして演色性の高い紫外光ＬＥＤ等を用いた次世代システムに好適な基板であることが分かった。

１ アルミニウム合金層
２ 陽極酸化皮膜
３ 凹部
７ ヒートシンク
９ ワイヤ
１０ 金属板
１１ アルミニウム合金板
１２ ラジアルドラムローラ
１３ａ、１３ｂ 主極
１４ 電解処理液
１５ 電解液供給口
１６ スリット
１７ 電解液通路
１８ 補助陽極
１９ａ、１９ｂ サイリスタ
２０ 交流電源
２１ アルミニウム板
２２、２４ ローラ状ブラシ
２３ 研磨スラリー液
２５、２６、２７、２８ 支持ローラ
３０ 絶縁性光反射基板
３１ 陽極酸化処理層ｐ
３２ 穴部
３３ 底部
３４ 陽極酸化処理層ｐ＋１
３５ 穴部
３６ 底部
１００ 発光装置
１１０ 発光素子
１２０，１３０ 電極
１４０ 光反射基板
１５０ 蛍光粒子
１６０ 透明樹脂
４１０ 陽極酸化処理装置
４１２ 給電槽
４１４ 電解処理槽
４１６ アルミニウム合金板
４１８、４２６ 電解液
４２０ 給電電極
４２２、４２８ ローラ
４２４ ニップローラ
４３０ 電解電極
４３２ 槽壁
４３４ 直流電源

Claims (16)

1. 基板と、前記基板の表面に設けられる陽極酸化皮膜とを有し、
   前記基板が、厚さ１０μｍ以上のアルミニウム合金層を表面に有し、
   前記アルミニウム合金層が、アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、ＳｉおよびＦｅの合計の含有量が０．００５質量％以下であり、かつ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ＧａおよびＺｎ以外の不可避不純物の含有量が０．０１質量％以下であり、
   前記陽極酸化皮膜が、前記陽極酸化皮膜の表面から厚さ方向にマイクロポアを有し、
   前記マイクロポアの深さに対する前記マイクロポアの中心線の長さの比率（長さ／深さ）が、１．０〜１．２である絶縁性光反射基板。
2. Ｇａの含有量が、５〜２５ｐｐｍである請求項１に記載の絶縁性光反射基板。
3. Ｚｎの含有量が、５〜２０ｐｐｍである請求項１または２に記載の絶縁性光反射基板。
4. 前記絶縁性光反射基板の可視光領域の全反射率が、７０％以上である請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
5. 前記絶縁性光反射基板の３００〜３２０ｎｍの波長光の全反射率が、７０％以上である請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
6. 前記絶縁性光反射基板が、発光素子の発光源を設ける凹部を有する請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
7. 前記絶縁性光反射基板の表面が、平均波長０．０１〜１００μｍの凹凸を有する請求項１〜６のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
8. 原子間力顕微鏡を用いて、前記絶縁性光反射基板の表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により求められる実面積Ｓ_xと、幾何学的測定面積Ｓ₀とから、下記式（Ｉ）により求められる表面積差ΔＳが、１〜５０％である請求項１〜７のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
   ΔＳ＝［（Ｓ_x−Ｓ₀）／Ｓ₀]×１００（％） （Ｉ）
9. 前記陽極酸化皮膜が、少なくとも２つの異なる条件で陽極酸化処理を施して得られ、
   前記陽極酸化皮膜が、前記陽極酸化皮膜の表面から前記アルミニウム合金層と前記陽極酸化皮膜との界面までの深さ方向に少なくとも２つの異なる陽極酸化処理層を有し、
   少なくとも１つの前記陽極酸化処理層の垂直方向の深さＬが、下記式（ａ）〜（ｃ）で示される請求項１〜８のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
   Ｌ＝１／２×ｍ×λ×ｎ_avp／ｎ_avp+1 式（ａ）
   ｎ_avp＝ｎ_Al2O3×（１−Ｄ_p）＋ｎ_air×Ｄ_p 式（ｂ）
   ｎ_avp+1＝ｎ_Al2O3×（１−Ｄ_p+1）＋ｎ_air×Ｄ_p+1 式（ｃ）
   （式中、ｍは１以上の整数を表し、λは反射目的の光の波長を表し、ｎ_avpは陽極酸化皮膜の表面側に位置する陽極酸化処理層ｐの屈折率を表し、ｎ_avp+1は陽極酸化処理層ｐの下層に位置し、陽極酸化処理層ｐと接する陽極酸化処理層ｐ＋１の屈折率を表し、ｎ_Al2O3は酸化アルミニウムの屈折率を表し、ｎ_airは空気の屈折率＝１を表し、Ｄ_pは陽極酸化処理層ｐが有するマイクロポアの空隙率を表し、Ｄ_p+1は陽極酸化処理層ｐ＋１が有するマイクロポアの空隙率を表す。）
10. 前記陽極酸化皮膜が、互いに空隙率の異なる２層または３層の陽極酸化処理層を有し、前記式（ａ）〜（ｃ）で示される深さＬの陽極酸化処理層を１層または２層有する請求項９に記載の絶縁性光反射基板。
11. 前記陽極酸化皮膜が、互いにマイクロポアの開口径の異なる２層または３層の陽極酸化処理層を有する請求項９または１０に記載の絶縁性光反射基板。
12. 前記絶縁性光反射基板が、発光素子の発光を発光観測面側に反射する光反射基板である請求項１〜１１のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
13. 前記陽極酸化皮膜の表面に、金属導体による配線層を有し発光素子実装用に用いられることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の絶縁性光反射基板。
14. 請求項１〜１２のいずれかに記載の絶縁性光反射基板を得る絶縁性光反射基板の製造方法であって、
    アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、ＳｉおよびＦｅの合計の含有量が０．００５質量％以下であり、かつ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、ＧａおよびＺｎ以外の不可避不純物の含有量が０．０１質量％以下のアルミニウム合金層を表面に有する基板を作製する基板作製工程と、
    前記基板の表面に粗面化処理を施す粗面化処理工程と、
    前記粗面化処理を施した前記基板表面に陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程とを有する絶縁性光反射基板の製造方法。
15. 請求項１３に記載の絶縁性光反射基板を得る絶縁性光反射基板の製造方法であって、
    前記陽極酸化処理工程の後に、更に前記陽極酸化皮膜上に金属インクをインクジェット印刷法により供給して金属銅体からなる配線層を形成する配線層形成工程を有する請求項１４に記載の絶縁性光反射基板の製造方法。
16. 請求項１３に記載の絶縁性光反射基板と、前記絶縁性光反射基板の前記配線層の上層に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、前記青色ＬＥＤ発光素子の周りおよび／または上部に設けられる蛍光発光体とを備える白色系ＬＥＤ発光素子。