JP2011527067A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 不揮発性記憶装置を動作させる方法であって、
   １組の不揮発性記憶素子（１５００、１５１０）の中にあり、１組のワードライン（６００）の中の選択されたワードライン（ＷＬ３）に接続されている少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子からのデータの読み出しを要求する読み出しコマンド（７００）を受信するステップと、
   前記読み出しコマンドに応じて、前記１組のワードラインの中の別のワードライン（ＷＬ５）を選定するステップ（７１０）と、
   前記別のワードラインに接続されている不揮発性記憶素子に対して検出動作を実施するステップ（７１５）と、
   前記検出動作に基づいて、少なくとも１つの読み出し比較レベルを決定するステップ（７２５）と、
   前記少なくとも１つの読み出し比較レベルを用いて前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を読み出すステップ（７３０）、
   を備える方法。
2. 前記検出動作は、閾値電圧分布を取得し、
   前記少なくとも１つの読み出し比較レベルは、前記閾値電圧分布の中の凹み部分を特定することによって決定される、
   請求項１に記載の方法。
3. 前記別のワードラインを前記１組のワードラインから無作為に選定するステップをさらに備える請求項１または２に記載の方法。
4. 前記１組のワードラインの中の少なくとも１つの指定されたワードライン（ＷＬ４）を除外して、前記別のワードラインを前記１組のワードラインから無作為に選定するステップをさらに備える請求項１または２に記載の方法。
5. 前記別のワードラインが、前記選択されたワードラインに隣接しない請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記検出動作に基づいて、前記別のワードラインに接続されている前記不揮発性記憶素子に対して複数の読み出し比較レベルを決定するステップと、
   前記複数の読み出し比較レベルを用いて前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を読み出すステップ、
   をさらに備える請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記少なくとも１つの読み出し比較レベルは、データ状態の第１のペアの隣接する状態を互いに区別する第１の読み出し比較レベル（９３０）を備え、
   前記方法が、
   前記第１の読み出し比較レベルに基づいて、かつ、データ状態の第２のペアの隣接する状態を互いに区別する検出動作を実施せずに、データ状態の前記第２のペアの隣接する状態を互いに区別する第２の読み出し比較レベル（９３５）を決定するステップをさらに備える、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 不揮発性記憶システムであって、
   少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を含む１組の不揮発性記憶素子（１５００、１５１０）と、
   前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子が接続されている選択されたワードライン（ＷＬ３）を含んでおり、前記１組の不揮発性記憶素子に接続されている１組のワードライン（６００）と、
   前記１組のワードラインと通信する少なくとも１つの制御回路（１２１０、１２５０）、
   を有しており、
   前記少なくとも１つの制御回路が、
   （ａ）前記選択されたワードラインに接続されている前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子からのデータの読み出しを要求する読み出しコマンドを受信し（７００）、
   （ｂ）前記読み出しコマンドに応じて、前記１組のワードラインの中の別のワードライン（ＷＬ５）を選定し（７１０）、前記別のワードラインに接続されている不揮発性記憶素子に対して検出動作を実施し（７１５）、前記検出動作に基づいて少なくとも１つの読み出し比較レベルを決定し（７２５）、
   （ｃ）前記少なくとも１つの読み出し比較レベルを用いて前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を読み出す（７３０）、
   不揮発性記憶システム。
9. 前記検出動作は、閾値電圧分布を取得し、
   前記少なくとも１つの読み出し比較レベルは前記閾値電圧分布の中の凹み部分を特定することによって決定される、
   請求項８に記載の不揮発性記憶システム。
10. 前記少なくとも１つの制御回路が、前記１組のワードラインの中の少なくとも１つの指定されたワードライン（ＷＬ４）を除外して、前記別のワードラインを前記１組のワードラインから無作為に選択する、請求項８または９に記載の不揮発性記憶システム。
11. 前記少なくとも１つの制御回路が、前記別のワードラインを前記１組のワードラインから無作為に選択する、請求項８または９に記載の不揮発性記憶システム。
12. 前記別のワードラインが、前記選択されたワードラインに隣接しない、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
13. 前記少なくとも１つの制御回路が、
    前記検出動作に基づいて、前記別のワードラインに接続されている前記不揮発性記憶素子に対して複数の読み出し比較レベルを決定し、
    前記複数の読み出し比較レベルを用いて、前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を読み出す、
    請求項８〜１２のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
14. 前記少なくとも１つの読み出し比較レベルは、データ状態の第１のペアの隣接する状態を互いに区別する第１の読み出し比較レベル（９３０）を備え、
    前記少なくとも１つの制御回路が、
    前記第１の読み出し比較レベルに基づいて、かつ、データ状態の第２のペアの隣接する状態を互いに区別する検出動作を実施せずに、データ状態の前記第２のペアの隣接する状態を互いに区別する第２の読み出し比較レベル（９３５）を決定する、
    請求項８〜１３のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。