JP2011526552A - プラスチック基板およびこれを含む素子 - Google Patents
プラスチック基板およびこれを含む素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011526552A JP2011526552A JP2011516142A JP2011516142A JP2011526552A JP 2011526552 A JP2011526552 A JP 2011526552A JP 2011516142 A JP2011516142 A JP 2011516142A JP 2011516142 A JP2011516142 A JP 2011516142A JP 2011526552 A JP2011526552 A JP 2011526552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plastic substrate
- substrate according
- layer
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 218
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 158
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 180
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 180
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 83
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 83
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 73
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 72
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 286
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 198
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 81
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 50
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 40
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 33
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 29
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 21
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 19
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 16
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 14
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 5
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910016909 AlxOy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 57
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 47
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 42
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 24
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical group FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- DUTLDPJDAOIISX-UHFFFAOYSA-N 3-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 DUTLDPJDAOIISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMDGQEQWSSYZKX-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(OC=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O SMDGQEQWSSYZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNAOAABUWOXVLO-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(C=CC=2)C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 VNAOAABUWOXVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(=CC=2)S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTEBLARUAVEBRF-UHFFFAOYSA-N 4-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)aniline Chemical compound NC1=CC=C(C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 XTEBLARUAVEBRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFKSVVOWOROQIU-UHFFFAOYSA-N 4-(2,5-dioxooxolan-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C(O)=O)C(C(=O)O)CC1C1CC(=O)OC1=O FFKSVVOWOROQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJWQLRKRVISYPL-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-3-(trifluoromethyl)phenyl]-2-(trifluoromethyl)aniline Chemical group C1=C(C(F)(F)F)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(C(F)(F)F)=C1 PJWQLRKRVISYPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004262 Ethyl gallate Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- -1 diethyl acetate Chemical compound 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000006358 imidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 125000003717 m-cresyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(O*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-methyl-PhOH Natural products CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006798 ring closing metathesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/503—Arrangements improving the resistance to shock
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/269—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension including synthetic resin or polymer layer or component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
- Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
通常、プラスチック基板を含む液晶表示素子の一例を図1の(a)に簡略に示したが、具体的には、プラスチックで形成された上部および下部基板1と、前記上部および下部基板上に素子の駆動電圧を印加し、透明電極で形成された上部および下部電極11と、前記上部基板と前記下部基板との間隔を一定に維持し、二層構造を有する隔壁140と、前記隔壁粒子によって形成されたセルに注入された帯電粒子又は液晶層150とを含んでなることができる。この際、上部基板として用いられるプラスチック絶縁基板の外側面に形成される偏光板、並びに下部基板の外側面に形成される反射板および透過型基板を含んでもよく、上部プラスチック絶縁基板には単位画素を限定するようにブラックマトリックスが形成されてもよく、ブラックマトリックスで取り囲まれた空間にはカラーフィルターが備えられてもよい。一方、下部基板には単位画素別にスイッチング素子と画素電極が備えられてもよい。
プラスチック基板を導入することにより、素子の薄型化および軽量化は実現されたが、最終適用製品の画質特性低下を抑制しながらもより様々な機能を集積化して素子の薄型化および軽量化を実現しようとする努力が依然として求められている。
外部付着反射材方式では、反射材が基板の液晶層側と反対側の面に形成されるので、外部から入射された光は反射材で拡散反射され、反射された光は基板を透過してから液晶層を透過して表示画面から外部へ出射される。この際、反射光が基板の厚さに影響されるので視差が生じ、これにより液晶表示される画像が二重になり、或いは色表示が混色になるなどの画像ボケが発生する。
ところが、内部付着反射材方式の液晶表示装置は、構造が複雑であって製造が困難になるおそれがある。特に、基板としてフィルムを使用する場合、フィルムは熱または湿度の影響により伸縮を起こし易く、材料または製造工程の条件が制限される。このために、基板としてフィルムを使用した内部付着反射材方式の液晶表示装置を設計の要求に応えて低費用且つ高収率で製造することが可能な製造方法が要望されている。
樹脂の表面に凸凹を形成する別の方法としては、微細な粒子を分散させた樹脂によって凸凹を形成する方法(特開平4−267220号公報)、2つの異なる成分からなる樹脂の硬化時の相分離を用いて凸凹を形成する方法(特開平12−193807号公報)、および光熱硬化型樹脂材料の硬化時の内部応力を制御して凸凹を形成する方法(特開平12−171792号公報)などが知られている。
その後、反射材の上に透明電極を形成するとき、その金属膜からなる反射材を除去した部分に、透明電極の画素からなる部分が重なるように、透明電極からなるITOを成膜し、そのITO上にレジスト膜を形成して精度よく位置合わせを行った後、レジスト膜を露光、現像し、ITOを除去して透明電極のパターンを形成する必要がある。すなわち、この場合、高度の位置合わせ技術が要求される。
また、従来の反射(半透過)型液晶表示装置の反射材の製造方法では、次の問題がある。
フォトリソグラフィーによってレジスト膜などの樹脂の表面に凸凹を形成する方法は、反射材の凸凹のパターンを、平面方向に単純に反復するパターンにすれば、反射材が回折格子として作用するので、液晶表示画面を観察したとき、虹色に発色し、或いは配線やブラックマトリクスなどの他の反復パターンとの位置関係の微妙な差により、いわゆるモアレ(moire)縞が見えるなど表示上の不良が発生するおそれがある。このため、凸凹のパターンを形成するためのフォトマスクの設計において、通常の画素パターンなどの単純な反復パターンを使用することができず、煩雑で困難な設計を行う必要がある。このように、通常のフォトリソグラフィーによって、適正の拡散能を有する反射材を形成することは容易ではない。
本発明は、導電性を向上させ、自体的に補助電極の役割を行うことができるうえ、後面から入射する光の透過度を阻害しないプラスチック基板を提供することを目的とする
本発明は、金属膜を含みながらも、ベンディングの際に亀裂が発生しないプラスチック基板を提供することを目的とする
本発明は、電極を外部から保護しながらも、導電性がより向上した透明電極フィルムを提供することを目的とする。
本発明は、金属膜上に導電性物質の含まれた有機保護層をコーティングして硬化させる方法で保護層または電極層を導入することにより、既存の透明電極であるITOの蒸着工程で発生する高温によるフィルムの寸法変化を防止することが可能なプラスチック基板を提供することを目的とする。
本発明は、高光透過性を用いて高コントラスト比の鮮明な画質を有するプラスチック基板を用いた電子ペーパー表示装置および液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、前述したようなプラスチック基板を下部基板として含むことにより軽量化された電子ペーパー、液晶表示装置素子および有機発光素子を提供することを目的する。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板において、金属膜は、アルミニウム、チタニウム、銀、白金、マグネシウム、タングステン、パラジウムおよびその合金、インジウム−錫酸化物(ITO)、およびインジウム−亜鉛酸化物(IZO)の中から選ばれる単一層または多層の反射性金属膜であってもよい。好ましい一具現例に係るプラスチック基板において、反射性金属膜は、アルミニウム、マグネシウムおよびこれらの合金の中から選ばれるものであってもよい。他の一具現例に係るプラスチック基板において、反射性金属膜は、アルミニウム、マグネシウムおよびこれらの合金の中から選ばれる下部金属膜と、インジウム−錫酸化物またはインジウム−亜鉛酸化物からなる上部金属膜とを含んでなってもよい。
本発明の他の一具現例に係るプラスチック基板において、金属膜は、マグネシウム、バリウム、金、アルミニウム、チタニウム、銀、白金、タンタリウム、パラジウム、これらの合金および酸化物、インジウム−錫酸化物、およびインジウム−亜鉛酸化物よりなる群から選ばれる導電性金属膜であってもよい。
具体的な一具現例において、導電性金属膜はマグネシウム、バリウムおよび金の中から選ばれる単独またはこれらの酸化物からなってもよく、他の一例として、導電性金属膜はインジウム−錫酸化物からなってもよい。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板において、導電性金属膜は、厚さが1〜100nmであってもよい。好ましくは、導電性金属膜は、厚さが1〜50nmである。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板において、金属膜は、ガス遮断膜または水分遮断膜であってもよい。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板において、プラスチックフィルムは、フィルム厚さ50〜100μmを基準として熱機械分析法によって50〜250℃の範囲で測定した平均線膨張係数(CTE)が50.0ppm/℃以下、黄色度が15以下のポリイミドフィルムであってもよい。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板は、金属膜上に形成される保護層をさらに含んでもよい。この際、保護層は、厚さ50〜100μmを基準として熱機械分析法によって50〜250℃の範囲で測定した平均線膨張係数(CTE)が50.0ppm/℃以下、黄色度が15以下のポリイミド層であってもよい。また、保護層は、厚さ50〜100μmを基準としてUV分光光度計で透過度を測定したとき、380〜780nmにおける平均透過度が85%以上のポリイミド層であってもよい。別の一例として、保護層は、厚さ50〜100μmを基準としてUV分光光度計で透過度を測定したとき、550nmにおける透過度が88%以上、420nmにおける透過度が70%以上のポリイミド層であってもよい。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板において、導電性物質が分散した樹脂層は、導電性物質の分散したポリイミドワニスから形成されてもよい。
具体的な一具現例において、導電性物質が分散した樹脂層は、ポリイミド樹脂の固形分含量100重量部に対して0.001〜1重量部の炭素ナノチューブを含有するポリイミドワニスから形成されてもよい。
この際、インジウム−錫酸化物粉末は、酸化インジウム80〜95重量%と酸化錫5〜20重量%を含有してもよい。
本発明の他の一具現例に係るプラスチック基板は、プラスチックフィルムの少なくとも一面に化学的耐性層を含むものであってもよい。この際、化学的耐性層はアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリシラザンおよびポリイミド系樹脂の中から選ばれる少なくとも1種の樹脂層であってもよい。
この際、無機物層は、SiNx、AlxOyおよびSiOxの中から選択される少なくとも1種の無機物を含む単一層または多層のものであってもよい。
本発明の他の一具現例に係るプラスチック基板は、導電性物質の分散した樹脂層の上部または下部面に形成される金属酸化膜層を含んでもよい。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板は、波長500nmの光透過度が50%以上であってもよい。また、表面抵抗が2.5×106Ω/sq.以下であってもよい。
本発明の他の一具現例では、プラスチックフィルムと;プラスチックフィルム上に形成され、所定のパターンを有するインジウム−錫酸化物またはインジウム−亜鉛酸化物薄膜と;インジウム−錫酸化物またはインジウム−亜鉛酸化物の薄膜上に形成される、導電性物質が分散した樹脂層とを含んでなる、透明電極フィルムを提供する。この際、導電性物質は炭素ナノチューブまたはインジウム−錫酸化物粉末であってもよい。
本発明の一具現例において、透明電極フィルムは、表面抵抗が700Ω/sq.以下であってもよい。
本発明の例示的な一具現例では、前記具現例に係るプラスチック基板を下部基板として含む、透過型電子ペーパー素子を提供する。
本発明の他の例示的な一具現例では、前記具現例に係るプラスチック基板を下部基板として含む、有機発光素子を提供する。
また、本発明の一具現例に係るプラスチック基板は、反射性金属膜を備えることにより、これを内部付着反射材方式の形態で適用すると、例えば液晶表示装置の外部から入射した光がプラスチックフィルム上に形成された金属膜から拡散反射され、反射された光がプラスチックフィルムを透過しないため、視差が生じ難くなって画像ボケのない鮮明な画像を得ることができ、外部の空気または水分だけでなく、フィルム自体に含有される空気または水分を金属膜が遮断することができるため、特にプラスチックフィルムの液晶層側の面にガスバリア層を形成する必要がないので、さらに費用を減らし且つ収率を向上させることができる。
図2は本発明の一具現例に係るプラスチック基板の断面図である。
図3〜図10は本発明のプラスチック基板の様々な一具現例を示す断面図である。
図11は本発明の一具現例に係るプラスチック基板を適用したLCD素子の断面図である。
図12は本発明の一具現例に係るプラスチック基板を適用した有機EL素子の断面図である。
図13は本発明の一具現例に係るプラスチック基板を適用した透過型有機EL素子の断面図である。
図14は本発明の一具現例によって製造されたプラスチック基板の反射度を測定するための輝度測定方法の一例を示す図である。
本発明は、電子ペーパー表示素子およびディスプレイ装置などに用いられるプラスチック基板に関する。一具現例によれば、プラスチック基板は、透過型電子ペーパー表示素子およびディスプレイ装置などにおいて、透過機能および電極機能を行うことができる。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板の一例を図2に示す。図2を参照すると、プラスチック基板は、プラスチックフィルム100と、前記プラスチックフィルム上に配置され、導電性機能を有する金属膜110と、金属膜の表面上に形成される、導電性物質が分散した樹脂層120とを含んでなる。後述する他の一具現例に係るプラスチック基板の場合、導電性機能を有する金属膜110は、反射性を有する金属膜、または導電性および反射性を有する金属膜である。
このようなポリイミドフィルムは、芳香族ジアンヒドリドとジアミンとを重合してポリアミド酸を得た後、これをイミド化して得ることができる。この際、芳香族ジアンヒドリドの例としては、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンジアンヒドリド(6−FDA)、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1,2−ジカルボン酸ジアンヒドリド(TDA)、4,4’−(4,4’−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸ジアンヒドリド)(HBDA)、ピロメリット酸ジアンヒドリド(PMDA)、ジフェニルテトラカルボン酸ジアンヒドリド(BPDA)、およびオキシジフタル酸ジアンヒドリド(ODPA)の中から選ばれた少なくとも1種を挙げることができるが、これに限定されない。
一方、プラスチックフィルム上に金属膜を形成させるにおいて、均一な厚さの金属膜を形成させるためには、プラスチックフィルムの表面平滑度は2μm以下、好ましくは0.001〜0.04μmであってもよい。
このような導電性金属膜は、導電性の面からみても有利であり、ガス遮断性および/または水分遮断性を発現することにより、プラスチックフィルムがガスまたは水分によって変形することを抑制する機能も行うことができる。
本発明の一具現例によれば、プラスチックフィルムとして高耐熱性フィルムを使用するので、既存のプラスチック基材に比べて導電性金属膜の形成工程条件が殆ど限定されない。
一方、炭素ナノチューブは、その種類に限定があるのではなく、単一壁炭素ナノチューブ(SWCNT)、二重壁炭素ナノチューブ(DWCNT)、多重壁炭素ナノチューブ(MWCNT)、および炭素ナノチューブの表面が化学的または物理的処理を介して改質された改質−炭素ナノチューブなどであってもよい。
特に、金属薄膜を介して透過度に阻害されない光が、炭素ナノチューブ特有の構造により透過性に格別な阻害を受けることなく導電性を向上させることができるという点において、炭素ナノチューブが分散した樹脂層を金属膜上に形成することが好ましい。
ITO粉末を添加する場合の電気的特性は、インジウム−錫混合酸化物の含量によっても調節可能であり、インジウム−錫混合酸化物自体における酸化インジウムと酸化錫の含量を調節することによっても調節可能である。インジウム−錫混合酸化物(ITO)は、好ましくは酸化インジウム(In2O3)80〜95重量%と酸化錫(SnO2)5〜20重量%を含有してもよい。インジウム−錫混合酸化物は、粉末状であってもよく、そのサイズは使用される物質および反応条件によるが、平均最小直径が30〜70nmであり、平均最大直径が60〜120nmであることが好ましい。
このように基板がプラスチックで形成されながら透過板および透明電極基板の役割を果たすことができるので、液晶表示装置が軽量化できる。
本発明の別の一具現例に係るプラスチック基板は、基板および電極への溶剤浸透を防止するための層をさらに含んでもよい。本発明では、このような層を化学的耐性層と命名する。
化学的耐性層102の形成方法は、格別に限定があるのではないが、例えばスピンコーティング、キャスティング、ロールコーティング、含浸などの方法を用いることができる。
本発明の別の一具現例に係るプラスチック基板は、金属膜を形成した後、保護層(平坦化層)をさらに形成することができ、その一例を図8に示す。保護層103は、反射性金属膜を保護し反射性金属膜の表面を平滑にする機能を行い、かつ後続的に導電性物質が分散した樹脂層120の形成を容易にし、プラスチック基板の反り発生を防止することができるという側面では有利でありうる。このような側面からみて、保護層は反射性金属膜を介して反射された光の透過を阻害することなく絶縁性を有することが有利でありうる。
保護層103の厚さは、反射性金属膜110により不均一になった面を平坦化することができる程度であれば十分であり、その限定があるのではないが、金属膜層との接着力および有機発光層の蒸着容易性を考慮に入れ、10nm〜500nmであってもよい。
図9はプラスチックフィルム100の下部に無機物層101を形成した一例を示し、図10はプラスチックフィルム100の下部、および導電性物質が分散した樹脂層120の下面にそれぞれ無機物層101を形成した場合を示す。
勿論、上述したようにこのような無機物層なしでも導電性金属膜110や酸化膜111なども水分およびガスバリア層として有用でありうるが、より十分な水分およびガスバリア性を与えるための一具現例として無機物層101をさらに備えてもよい。
また、プラスチック基板の場合、導電性金属膜を形成して電極として用いるためには、プラスチックフィルム上に蒸着される導電性金属膜の厚さが厚くなり、これによりプラスチック基板のベンディングの際にプラスチック基板と金属層間の柔軟性の差による剥離、および金属層の亀裂を生じさせて電極の機能に損失を与えることができる。ところが、本発明の一具現例に係るプラスチック基板の場合、導電性金属膜と共に、導電性物質の分散した樹脂層を導入することにより、導電性金属膜の厚さをより薄くすることができ、プラスチックフィルム、フィルム上の導電性金属膜、および導電性金属膜上にのせる導電性物質の分散した樹脂層の樹脂により、ベンディングの際に発生する寸法安定性の差による導電性金属膜の剥離および亀裂を減少させることができるので、既存の導電性金属膜の単一電極層に比べてディスプレイおよび基板のベンディングに対する耐剥離性および耐均一性を向上させることができる。
本発明の一具現例に係るプラスチック基板を下部基板として適用した平板ディスプレイ装置素子のうち液晶ディスプレイ装置素子の一例を図11に示し、これを有機EL素子の基板として適用した一例を図12および図13に示すが、これに限定されるのではなく、特に図13は透過型有機EL素子を示す。
有機EL素子の製作の際には、Ag、Mg、BaまたはCaの含まれた導電性金属膜から電極層を形成して、Agの含まれた透明電極はアノードとして用い、CaまたはMgの含まれた透明電極はカソードとして用いることもできる。
透明電極フィルムに製造する場合、プラスチックフィルム上に導電性金属膜110を形成した後、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって導電性金属膜をパターニングしてストライプ形状の金属膜を形成する。このように形成されたストライプ形状の金属膜は、透明電極としての役割をする。形成された金属電極上に導電性物質の分散した樹脂層を上述の方法で形成する。その後、加熱、硬化すると、透明電極フィルムを得ることができる。
本発明の一具現例に係る透明電極フィルムは、電極として有用であるためには表面抵抗が700Ω/sq.以下であり、波長500nmの光透過度が50%以上であることが好ましい。
反射性を考慮するとき、金属膜は、厚膜に形成されることが有利であるが、好ましくは10〜1000nmの厚さを有する。
反射性の機能に比べて透過性を向上させようとする場合、例えば透過型電子ペーパーおよび液晶表示装置素子に用いられる場合であれば、金属膜は、薄膜に形成されることが有利であるので、金属膜による透過度などの光学特性が低下することなく、プラスチックフィルム基板の表面に蒸着された金属膜により線膨張係数を低めるためには50〜300nmの厚さを有することが好ましい。
この際、金属膜としては、アルミニウム、チタニウム、銀、白金、マグネシウム、タンタリウムおよびパラジウムの中から選ばれた単独またはこれらの合金、或いはITO(Indium-Tin-Oxide)またはIZO(Indium-Zinc-Oxide)を含む膜からなる膜であってもよい。
このような反射性金属膜は、導電性の側面でも有利であり、ガス遮断性および/または水分遮断性を発現することにより、プラスチックフィルムがガスまたは水分によって変形することを抑制する機能も行うことができる。
本発明の一具現例によれば、上述したようにプラスチックフィルムとして高耐熱性フィルムを使用するので、既存のプラスチック基材に比べて反射性金属膜の形成工程条件が殆ど限定されない。
反射性金属膜を含む本発明の一具現例に係るプラスチック基板の場合も、上述したように金属酸化膜層、化学的耐性層、無機物層などを含むことができる。
本発明の一具現例に係る反射性金属膜を含むプラスチック基板は、内部光源を有することなく、外部からの光を反射させて画像を実現する反射型電子ペーパーおよび液晶表示装置などの下部基板として有用である。
<プラスチックフィルムの製造>
製造例1
まず、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル(2,2’−TFDB)、ビフェニルテトラカルボン酸ジアンヒドリド(BPDA)および2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンジアンヒドリド(6−FDA)をジメチルアセトアミド中で公知の方法にて縮合することにより、ポリイミド前駆体溶液(固形分20%)を得た。この反応過程を下記反応式1に示した。
(反応式1)
(反応式2)
このポリイミド前駆体が部分的にイミド化した状態を反応式で表示すると、反応式3のとおりである。
(反応式3)
また、このポリイミド前駆体の一部をイミド化させる工程では、ポリイミド前駆体が脱水閉環してイミド化するときに水が発生し、この水がポリイミド前駆体のアミドの加水分解または分子鎖の切断などを起こして安定性を低下させるおそれがあるので、前記ポリイミド前駆体溶液の加熱の際にトルエンまたはキシレンなどを用いた共沸(azeotropic)反応を追加し或いは前述した脱水剤の揮発によって除去する。
しかる後に、前記樹脂溶液をガラスまたはSUSなどのフィルム製膜用被塗布板にスピンコーティングまたはドクターブレードを用いてキャスティングした後、前述した高温乾燥工程を介して厚さ50μmのフィルムを製膜した。この際、製膜されたフィルムはフィルム片面の垂直/水平軸を基準としていずれか一面のみが延伸する工程を経ないことにより、フィルム全体面において同一の屈折率で形成された。
反応器として攪拌器、窒素注入装置、滴下漏斗、温度調節器および冷却器を取り付けた100mLの3口丸底フラスコに窒素を通過させながらN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)34.1904gを充填した後、反応器の温度を0°に低め、しかる後に、6−HMDA4.1051g(0.01mol)を溶解してこの溶液を0℃に維持した。ここに6−FDA4.4425g(0.01mol)を添加し、1時間攪拌して6−FDAを完全に溶解させた。この際、固形分の濃度は20重量%であった。その後、溶液を常温に放置して8時間攪拌した。この際、23℃における溶液粘度2400cpsのポリアミド酸溶液を得た。
製造例2でN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)32.2438gに6−HMDA2.87357g(0.007mol)を溶解させた後、4−DDS0.7449g(0.003mol)を投入して完全に溶解させ、しかる後に、6−FDA4.4425g(0.01mol)を添加し、1時間攪拌して6−FDAを完全に溶解させた。この際、固形分の濃度は20重量%であった。その後、溶液を常温に放置して8時間攪拌した。この際、23℃における溶液粘度が2300cpsのポリアミド酸溶液を得た。
製造例4
製造例2でN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)32.4623gに6−HMDA4.1051g(0.01mol)を溶解させ、6−FDA3.1097g(0.007mol)を投入した後、TDA0.90078g(0.003mol)を投入して1時間攪拌することにより、6−FDAおよびTDAを完全に溶解させた。この際、固形分の濃度は20重量%であった。その後、溶液を常温に放置して8時間攪拌した。この際、23℃における溶液粘度が2200cpsのポリアミド酸溶液を得た。
製造例5
製造例2でN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)29.4632gにAPB−133 2.9233g(0.01mol)を溶解させ、6−FDA 4.4425g(0.01mol)を投入した後、1時間攪拌して6−FDAを完全に溶解させた。この際、固形分の濃度は20重量%であった。その後、溶液を常温に放置して8時間攪拌した。この際、23℃における溶液粘度が1200cpsのポリアミド酸溶液を得た。
製造例1〜5から得られたポリイミドフィルムに対して物性を次のように測定して、下記表1に示した。
(1)透過度および色座標
製造されたフィルムをUV分光計(Varian社、Cary100)を用いて可視光線透過度を測定した。
(2)黄色度
ASTM E313規格に準拠して黄色度を測定した。
TMA(TA Instrument社、Q400)を用いてTMA法に基づいて50〜250℃での平均線膨張係数を測定した。
製造例1〜5から得られたそれぞれのプラスチックフィルム(厚さ50μm)上に、導電性金属を蒸着して導電性金属膜を形成させ、ここに炭素ナノチューブ(SWNT、CNI社)を透明ポリイミド樹脂の固形分100重量部に対して0.001〜1重量部で分散させたポリイミドワニス(この際、ポリイミド組成は製造例1〜製造例5から得られるポリアミド酸組成を使用)をキャスティングまたはスプレーなどの方法で薄膜に塗布することにより、炭素ナノチューブの分散した樹脂層を形成した。別の発明の具現例では、前記で製造されたCNTが分散した樹脂層を形成するにおいて、ポリイミド樹脂の固形分含量100重量部に対して5〜25重量部のITO粉末を追加混合分散させて樹脂層を形成した(実施例9〜10)。
実施例1〜10および比較例1〜7から得られたプラスチック基板に対して次のように評価し、その結果を表3に示した。
(1)光学特性
製造されたプラスチック基板に対してUV分光計(Varian社、Cary100)を用いて可視光線透過度を測定した。
このため、本発明の具現例によって導電性金属膜上にCNT透明電極を形成する場合、既存のCNTからなる電極に比べてCNTの必要量が減少して低い表面抵抗を示しながらも、70%以上の高い光透過性を有するから、ディスプレイ用透明電極への使用が可能であることが分かる。
表面抵抗の測定は、高抵抗計(Hiresta−UP MCT−HT450(Mitsuibishi Chemical Corporation)、測定範囲:10×105〜10×1015)および低抵抗計(CMT−SR 2000N(Advanced Instrument Technology;AIT社)、4−Point Probe System、測定範囲:10×103〜10×1015)を用いて、10回測定して平均値を求めた。
(3)プラスチック基板の亀裂発生の有無
プラスチック基板の場合、導電性金属膜を形成して電極として用いるためにはプラスチックフィルム上に蒸着される導電性金属膜の厚さが厚くなり、これによりプラスチック基板のベンディングの際にプラスチック基板と金属層間の柔軟性の差による剥離および金属層の亀裂を起こして電極の機能に損失を与えるおそれがある。ところが、本発明の一具現例に係るプラスチック基板の場合、導電性金属膜と共に、導電性物質が分散した樹脂層を導入することにより、導電性金属膜の厚さをより薄くすることができ、プラスチックフィルム、フィルム上の導電性金属膜、および導電性金属膜上にのせる導電性物質の分散した樹脂層の樹脂により、ベンディングの際に発生する寸法安定性の差による導電性金属膜の剥離および亀裂に対する問題点を減少させることができるので、既存の導電性金属膜の単一電極層に比べてディスプレイおよび基板のベンディングに対する耐剥離性および耐均一性が向上できる。
(4)ガスおよび水分遮断特性
−酸素透過度(OTR)
Mocon Oxytran 1000を用いてASTM D−39859に準拠して23℃、0%RHで10回測定して平均値を求めた。
Mocon Aquatran Model1を用いてASTM F−1249に準拠して38℃、90%RHで10回測定して平均値を求めた。
フィルムは、それ自体が空気や水分などを含有し、通気性または透湿性が高いため、外気またはフィルムから液晶層または有機発光素子層へ空気や水分などが浸入して気泡が発生し、或いは水分および酸素によって液晶および有機発光素子などが酸化して表示装置の寿命減少および劣化が発生するおそれがある。その解決方案として、基板として使用するフィルムの内面または/および外面に単層無機物層または有機層/無機物層の多層を形成してガスおよび水分を遮断するバリア層を形成することができる。すなわち、外気の空気または水分だけでなく、フィルム自体に含有される空気または水分も遮断することができる。
製造例1〜5から得られたそれぞれのプラスチックフィルム上に、ITO蒸着膜またはIZO蒸着膜を形成させた後、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってITO蒸着層またはIZO蒸着層をパターニングしてストライプ形状の透明電極を形成した。
ITOまたはIZO透明電極上に炭素ナノチューブ(SWNT、CNI社)を透明ポリイミド樹脂固形分の0.001〜1重量%で分散させたポリイミドワニス(この際、ポリイミド組成は製造例1〜製造例5から得られるポリアミド酸組成を使用)をキャスティングまたはスプレーなどの方法で薄膜に塗布することにより、炭素ナノチューブの分散した樹脂層を形成した。別の発明の具現例では、前記で製造されたCNTが分散した樹脂層を形成するにおいて、ポリイミド樹脂の固形分含量100重量部に対して5〜25重量部のITO粉末を追加混合分散させて樹脂層を形成した(実施例20および21)。
実施例11〜23および比較例8〜14から得られた透明電極フィルムに対して次のように評価し、その結果を下記表5に示した。
(1)光学特性
製造された透明電極フィルムに対してUV分光計(Varian社、Cary100)を用いて可視光線透過度を測定した。
表面抵抗の測定は、高抵抗計(Hiresta−UP MCT−HT450(Mitsuibishi Chemical Corporation)、測定範囲:10×105〜10×1015)および低抵抗計(CMT−SR 2000N(Advanced Instrument Technology;AIT社)、4−point Probe System、測定範囲:10×10−3〜10×105)を用いて10回測定することにより、平均値を求めた。
(3)ITOベンディング
表5の結果によれば、ITOの蒸着厚さが厚くなるにつれて、表面抵抗が減少し且つ透過度が上昇することが分かる。ところが、ITO層の厚さ増加に伴い、電極フィルムを曲げると、ITO層に亀裂を誘発することにより性能が阻害されるため、厚いITOを有する電極の場合、ベンディング自体が難しいか、或いは基板の柔軟性が極めて小さくなって可撓性(Flexibility)は減少するおそれがある。ところが、本発明の一具現例によってITO蒸着層(またはIZO蒸着層)上に導電性物質の分散した樹脂層を含む場合、相対的に必要な表面抵抗および光透過度を達成するためのITO層の厚さが厚くなり、既存構造の電極フィルムに比べて透明電極の柔軟性が増加するうえ、導電性物質の分散した樹脂層の樹脂によりITO層(またはIZO層)は上/下から柔軟な高分子樹脂で保護されて既存のITO電極に比べて曲げによる亀裂の発生率が減少することが分かる。
また、Ag、Mg、Baなどは金属であるので、能動マトリクス(Active Matrix)パネル製作の際にTFTなどの素子との接合部分でオーム接触(ohmic contact)を容易にすることができ、有機EL素子の製作の際には、仕事関数の高いAgが含まれた透明電極はアノードとして用い、CaまたはMgの含まれた透明電極はカソードとして用いることができるという利点がある。
製造例1〜5から得られたそれぞれのプラスチックフィルム(厚さ50μm)上に、下記表6のような反射性金属を蒸着して反射性金属膜を形成させ、形成された金属膜に対する反射度を測定した。
次に、反射特性の評価に使用した反射材の構造について説明する。
本反射特性の評価は、プラスチック基板において金属膜が反射型液晶表示装置の構造で透明保護層または透明電極層の下方に形成されることにより、外部光が液晶表示装置の前面部を介して透明保護層または透明電極層のポリイミド膜を透過した後、金属膜で拡散反射されるようにした。
その一例を図14に示す。反射板の形成されたプラスチック基板上の一定位置に輝度計を配置し、反射板の側面側に光源を配置した。光源から放出される入射光と反射光で形成される角度を入射角度(θ)として定義し、この光源は入射角度(θ)を可変させることを可能とするために、所定の位置へ移動することができるようになっている。光源として白色光を使用し、偏光フィルムは使用しない測定計を用いた。次いで、入射角度(θ)を7.4°〜35.6°の範囲に変更しながら光源から白色光を放出し、金属膜で反射された光の輝度を輝度計によって測定することにより、輝度の入射角度(θ)の依存性を調べた。
その後、プラスチック基板から得られた輝度値を標準白色拡散板の輝度値で割り、これに100をかけた値を求めた。すなわち、標準白色拡散板の輝度を100としたときのプラスチック基板の相対輝度値を求めた。
このように、本発明の実施形態に係る反射材の製造方法で製造されたプラスチック基板は、大部分の光の入射角度で標準白色拡散板より高い輝度が得られると同時に、入射角度(θ)の大きい入射光、すなわち金属膜の側面側における入射光の反射輝度を比較試料より高くすることが分かる。
また、金属膜側から光を照らした形態においても、本評価結果と同等以上の反射特性を有することは言うまでもない。
すなわち、特に明記してはいないが、前述した測定計において光源側と輝度計側に互いに偏光軸が平行な偏光フィルムを配置した場合の輝度(La)と、光源側と輝度計側に互いに偏光軸が垂直な偏光フィルムを配置した場合の輝度(Lb)を測定し、La/Lb値(コントラスト比)を算出すると、樹脂内で屈折率が異なる従来の反射材より大きいLa/Lb値を得ることができる。これは本発明に係るプラスチック基板が偏光消滅効果発生の少ない反射材であることを意味する。
11:ITO電極
100:プラスチック基板
101:無機物層
102:UC(化学的耐性層)
103:保護層(平坦化層)
110:導電性および/または反射性金属膜
111:酸化膜
112:金属電極
113:反射型電極
120:導電性物質が分散した樹脂層
130:配向膜
140:隔壁
150:液晶
160:有機発光層
Claims (42)
- プラスチックフィルムと、
反射性および/または導電性の金属膜と、
導電性物質が分散した樹脂層とを含んでなることを特徴とする、プラスチック基板。 - 金属膜は、アルミニウム、チタニウム、銀、白金、マグネシウム、タングステン、パラジウムおよびその合金、インジウム−錫酸化物(ITO)、およびインジウム−亜鉛酸化物(IZO)の中から選ばれる単一層または多層の反射性金属膜であることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 反射性金属膜は、アルミニウム、マグネシウムおよびこれらの合金の中から選ばれることを特徴とする、請求項2に記載のプラスチック基板。
- 反射性金属膜は、アルミニウム、マグネシウムおよびこれらの合金の中から選ばれる下部金属膜と、インジウム−錫酸化物またはインジウム−亜鉛酸化物からなる上部金属膜とを含んでなることを特徴とする、請求項2に記載のプラスチック基板。
- 反射性金属膜は10〜1,000nmの厚さを有することを特徴とする、請求項2に記載のプラスチック基板。
- 反射性金属膜は50〜300nmの厚さを有することを特徴とする、請求項2に記載のプラスチック基板。
- 金属膜は、マグネシウム、バリウム、金、アルミニウム、チタニウム、銀、白金、タンタリウム、パラジウム、これらの合金および酸化物、インジウム−錫酸化物、およびインジウム−亜鉛酸化物よりなる群から選ばれる導電性金属膜であることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 導電性金属膜はインジウム−錫酸化物またはインジウム−亜鉛酸化物であることを特徴とする、請求項7に記載のプラスチック基板。
- 導電性金属膜は、マグネシウム、バリウムおよび金の中から選ばれる単独またはこれらの酸化物からなることを特徴とする、請求項7に記載のプラスチック基板。
- 導電性金属膜はインジウム−錫酸化物からなることを特徴とする、請求項7に記載のプラスチック基板。
- 導電性金属膜は1〜300nmの厚さを有することを特徴とする、請求項7に記載のプラスチック基板。
- 導電性金属膜は1〜100nmの厚さを有することを特徴とする、請求項7に記載のプラスチック基板。
- 導電性金属膜は1〜50nmの厚さを有することを特徴とする、請求項7に記載のプラスチック基板。
- 金属膜はガス遮断膜または水分遮断膜であることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- プラスチックフィルムはポリイミド系フィルムであることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- プラスチックフィルムは、フィルム厚さ50〜100μmを基準として熱機械分析法によって50〜250℃の範囲で測定した平均線膨張係数(CTE)が50.0ppm/℃以下、黄色度が15以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- プラスチックフィルムは、フィルム厚さ50〜100μmを基準としてUV分光光度計で色座標を測定したとき、L値が90以上、a値が5以下、b値が5以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 金属膜上に形成される保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 保護層は、厚さ50〜100μmを基準として熱機械分析法によって50〜250℃の範囲で測定した平均線膨張係数(CTE)が50.0ppm/℃以下、黄色度が15以下のポリイミド層であることを特徴とする、請求項18に記載のプラスチック基板。
- 保護層は、厚さ50〜100μmを基準としてUV分光光度計で透過度を測定したとき、380〜780nmにおける平均透過度が85%以上のポリイミド層であることを特徴とする、請求項18に記載のプラスチック基板。
- 保護層は、厚さ50〜100μmを基準としてUV分光光度計で透過度を測定したとき、550nmにおける透過度が88%以上、420nmにおける透過度が70%以上のポリイミド層であることを特徴とする、請求項18に記載のプラスチック基板。
- 導電性物質は炭素ナノチューブまたはインジウム−錫酸化物粉末であることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 導電性物質が分散した樹脂層は、導電性物質の分散したポリイミドワニスから形成されることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 導電性物質が分散した樹脂層は、ポリイミド樹脂の固形分含量100重量部に対して0.001〜1重量部の炭素ナノチューブを含有するポリイミドワニスから形成されることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 導電性物質が分散した樹脂層は、ポリイミド樹脂の固形分含量100重量部に対して2〜100重量部のインジウム−錫酸化物粉末を含有するポリイミドワニスから形成されることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- インジウム−錫酸化物粉末は、酸化インジウム80〜95重量%と酸化錫5〜20重量%を含有することを特徴とする、請求項22または25に記載のプラスチック基板。
- 導電性物質が分散した樹脂層は10nm〜25μmの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- プラスチックフィルムの少なくとも一面に化学的耐性層を含むことを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 化学的耐性層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリシラザン(Polysilazane)およびポリイミド系樹脂の中から選ばれる少なくとも1種の樹脂層を含むことを特徴とする、請求項28に記載のプラスチック基板。
- プラスチックフィルムの下部または金属膜の下部に形成される無機物層を含むことを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 無機物層は、SiNx、AlxOyおよびSiOxの中から選ばれる少なくとも1種の無機物を含む単一層または多層のものであることを特徴とする、請求項30に記載のプラスチック基板。
- 導電性物質が分散した樹脂層の上部または下部面に形成される金属酸化膜層を含むことを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 金属酸化膜層はAgOからなる層であることを特徴とする、請求項32に記載のプラスチック基板。
- 波長500nmの光透過度が50%以上であることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- 表面抵抗が2.5×106Ω/sq.以下であることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチック基板。
- プラスチックフィルムと、
プラスチックフィルム上に形成され、所定のパターンを有するインジウム−錫酸化物またはインジウム−亜鉛酸化物薄膜と、
インジウム−錫酸化物またはインジウム−亜鉛酸化物の薄膜上に形成される、導電性物質が分散した樹脂層とを含んでなることを特徴とする、透明電極フィルム。 - 導電性物質は炭素ナノチューブまたはインジウム−錫酸化物粉末であることを特徴とする、請求項36に記載の透明電極フィルム。
- 透明電極フィルムは波長500nmの光透過度が50%以上であることを特徴とする、請求項36に記載の透明電極フィルム。
- 表面抵抗が700Ω/sq.以下であることを特徴とする、請求項37に記載の透明電極フィルム。
- 請求項1のプラスチック基板を下部基板として含む、透過型電子ペーパー素子。
- 請求項1のプラスチック基板を下部基板として含む、ディスプレイ装置素子。
- 請求項1のプラスチック基板を下部基板として含む、有機発光素子。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2008-0062975 | 2008-06-30 | ||
KR20080062975 | 2008-06-30 | ||
KR10-2008-0093049 | 2008-09-23 | ||
KR1020080093049A KR101340820B1 (ko) | 2008-09-23 | 2008-09-23 | 플라스틱 기판 |
KR1020080093645A KR101401733B1 (ko) | 2008-06-30 | 2008-09-24 | 플라스틱 기판 및 이를 포함하는 소자 |
KR10-2008-0093645 | 2008-09-24 | ||
KR10-2009-0057591 | 2009-06-26 | ||
KR1020090057591A KR101321628B1 (ko) | 2009-06-26 | 2009-06-26 | 플라스틱 기판 및 이를 포함하는 소자 |
PCT/KR2009/003568 WO2010002182A2 (en) | 2008-06-30 | 2009-06-30 | Plastic substrate and device including the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011526552A true JP2011526552A (ja) | 2011-10-13 |
JP5650109B2 JP5650109B2 (ja) | 2015-01-07 |
Family
ID=43735141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011516142A Expired - Fee Related JP5650109B2 (ja) | 2008-06-30 | 2009-06-30 | プラスチック基板およびこれを含む素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9733503B2 (ja) |
EP (1) | EP2310443B1 (ja) |
JP (1) | JP5650109B2 (ja) |
CN (1) | CN102137884B (ja) |
TW (1) | TWI420194B (ja) |
WO (1) | WO2010002182A2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014050933A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2015508345A (ja) * | 2011-12-26 | 2015-03-19 | コーロン インダストリーズ インク | プラスチック基板 |
JP2016126954A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | コニカミノルタ株式会社 | 導電性フィルム及び導電性フィルムの製造方法 |
KR20160135103A (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 한국기계연구원 | 금속 박막 기판 및 이의 제조방법 |
JP2017139228A (ja) * | 2012-06-19 | 2017-08-10 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置支持基材用ポリイミドフィルムの製造方法 |
KR20170112247A (ko) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 주식회사 엘지화학 | 광학 필름 및 이의 제조방법 |
KR20180025361A (ko) * | 2016-08-29 | 2018-03-09 | 한국기계연구원 | 이중층 금속 박막 기판 및 이의 제조방법 |
JP2018086802A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 旭化成株式会社 | ポリイミドフィルム積層体 |
WO2019077836A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2019-04-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2024161851A1 (ja) * | 2023-02-03 | 2024-08-08 | グンゼ株式会社 | 導電性フィルム |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102159395B (zh) | 2008-08-19 | 2014-09-10 | 琳得科株式会社 | 成型制品、其制备方法、电子设备构件以及电子设备 |
JP5379530B2 (ja) | 2009-03-26 | 2013-12-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス |
KR101489551B1 (ko) | 2009-05-22 | 2015-02-03 | 린텍 가부시키가이샤 | 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 |
JP5697230B2 (ja) | 2010-03-31 | 2015-04-08 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
EP2607412A4 (en) * | 2010-08-20 | 2014-04-30 | Lintec Corp | MOLDING, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, PART FOR ELECTRONIC DEVICES, AND ELECTRONIC DEVICE |
KR101543478B1 (ko) * | 2010-12-31 | 2015-08-10 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 투명 폴리이미드 필름 및 그 제조방법 |
US8659727B2 (en) | 2011-07-27 | 2014-02-25 | Citizen Finetech Miyota Co., Ltd. | Barriers for reflective pixel electrodes of display devices and methods |
CN103137245B (zh) * | 2011-11-30 | 2015-09-09 | 群康科技(深圳)有限公司 | 透明导电膜及其制造方法、电子装置 |
KR20130078764A (ko) * | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 투명 전도성 필름 |
JP5673627B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2015-02-18 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101545779B1 (ko) * | 2013-04-02 | 2015-08-19 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 폴리이미드 커버기판 |
KR101579645B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2015-12-22 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 폴리이미드 커버기판 |
JP6525994B2 (ja) | 2013-09-30 | 2019-06-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機電子素子用基板 |
US10537020B2 (en) | 2015-08-17 | 2020-01-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Printed circuit board and electronic component |
CN107926116B (zh) * | 2015-08-17 | 2020-07-24 | 住友电气工业株式会社 | 印刷线路板和电子部件 |
CN107383250B (zh) * | 2016-05-17 | 2020-12-15 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 导电聚合物与电路板及两者相应的制作方法、复合材料 |
KR101754572B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2017-07-06 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 플라스틱 소재의 플렉서블 디스플레이 기판 |
KR101700094B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2017-01-26 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 플라스틱 소재의 플렉서블 디스플레이 기판 |
KR101754573B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2017-07-06 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 플라스틱 소재의 플렉서블 디스플레이 기판 |
JP6447757B1 (ja) * | 2018-01-12 | 2019-01-09 | 凸版印刷株式会社 | 調光シート、および、調光装置 |
CN115956301A (zh) * | 2020-10-23 | 2023-04-11 | 东丽株式会社 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
KR20230093237A (ko) * | 2020-10-23 | 2023-06-27 | 도레이 카부시키가이샤 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR102202518B1 (ko) * | 2020-10-27 | 2021-01-13 | 주식회사 서연이화 | 자동차용 스마트 가니쉬 |
CN115141519B (zh) * | 2021-09-08 | 2023-10-31 | 武汉苏泊尔炊具有限公司 | 用于不粘涂层的复合材料及其制备方法和锅具 |
TWI812323B (zh) * | 2022-07-04 | 2023-08-11 | 友達光電股份有限公司 | 感光元件基板及其製造方法 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6179644A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | 住友ベークライト株式会社 | 透明積層導電フイルム |
JPS63232205A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電フイルムおよびその製造法 |
JPH0483635A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Teijin Ltd | 透明導電性積層体 |
JPH04249006A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-04 | Teijin Ltd | 透明導電性積層体 |
JPH09115334A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Mitsubishi Materiais Corp | 透明導電膜および膜形成用組成物 |
JPH1077353A (ja) * | 1995-10-03 | 1998-03-24 | Ube Ind Ltd | 芳香族ポリイミドフィルム及び銅箔積層フィルム |
JP2001131485A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電性膜形成用塗料及び透明導電性膜 |
JP2003257254A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Toppan Printing Co Ltd | 導電性フィルム |
JP2004066619A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性フィルム |
JP2005019056A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Toray Ind Inc | 複合透明導電性基材とそれを用いたディスプレイ |
JP2006156249A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 透明導電体 |
JP2006156250A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 透明導電体 |
JP2006185865A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Tdk Corp | 透明導電体 |
JP2007273767A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 配線基板用積層体 |
JP2008138039A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | カーボンナノファイバー分散ポリイミドワニスおよびその塗膜 |
JP2010536981A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | コーロン インダストリーズ,インコーポレイテッド | ポリイミドフィルム |
JP2010538103A (ja) * | 2007-08-27 | 2010-12-09 | コーロン インダストリーズ,インコーポレイテッド | ポリイミドフィルム |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4187340A (en) * | 1973-05-14 | 1980-02-05 | Asahi Glass Company, Ltd. | Method of forming patterned transparent electro-conductive film on the substrate of liquid crystal display |
US5417816A (en) * | 1992-12-09 | 1995-05-23 | Nikko Kyodo, Ltd. | Process for preparation of indium oxide-tin oxide powder |
JPH06186550A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置用プラスチックフィルム基板および液晶表示装置の製造方法 |
NL1004635C2 (nl) * | 1995-12-06 | 1999-01-12 | Sumitomo Chemical Co | Indiumoxyde-tinoxydepoeders en werkwijze voor het voortbrengen daarvan. |
TW364275B (en) * | 1996-03-12 | 1999-07-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
JP2001337340A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-12-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法並びに異方性導電フィルムおよび外部回路実装方法 |
US6417321B1 (en) * | 2000-08-21 | 2002-07-09 | 3M Innovative Properties Company | Cured fluorenyl polyimides |
US6636287B1 (en) * | 2001-02-28 | 2003-10-21 | Three-Five Systems, Inc. | Display systems with pixel electrodes at different distances from a control electrode |
KR20020076849A (ko) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | 전영국 | 플라스틱 박막형 전계발광소자 및 그 제조방법 |
US20020192445A1 (en) * | 2001-05-03 | 2002-12-19 | Ezzell Stephen A. | Plastic substrate for display applications |
US6866949B2 (en) * | 2002-03-08 | 2005-03-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Substrate film, gas barrier film, and display using the same |
JP2003302742A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Seiko Epson Corp | マスク、光反射膜付き基板、光反射膜の製造方法、および液晶表示装置、並びに電子機器 |
US7229703B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-06-12 | Dai Nippon Printing Co. Ltd. | Gas barrier substrate |
US7695805B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-04-13 | Tdk Corporation | Transparent conductor |
JP2007066711A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Tdk Corp | 透明導電体及びこれを用いた透明導電フィルム |
JP4093258B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2008-06-04 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US8144115B2 (en) * | 2006-03-17 | 2012-03-27 | Konicek Jeffrey C | Flat panel display screen operable for touch position determination system and methods |
US8513878B2 (en) * | 2006-09-28 | 2013-08-20 | Fujifilm Corporation | Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode |
KR101167483B1 (ko) * | 2006-12-15 | 2012-07-27 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 무색투명한 폴리이미드 수지와 이를 이용한 액정 배향막 및필름 |
JP4667471B2 (ja) * | 2007-01-18 | 2011-04-13 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル |
-
2009
- 2009-06-30 WO PCT/KR2009/003568 patent/WO2010002182A2/en active Application Filing
- 2009-06-30 TW TW98122063A patent/TWI420194B/zh active
- 2009-06-30 US US13/001,958 patent/US9733503B2/en active Active
- 2009-06-30 JP JP2011516142A patent/JP5650109B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-30 CN CN200980133696.2A patent/CN102137884B/zh active Active
- 2009-06-30 EP EP09773718.3A patent/EP2310443B1/en active Active
-
2017
- 2017-07-07 US US15/644,619 patent/US10884274B2/en active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6179644A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | 住友ベークライト株式会社 | 透明積層導電フイルム |
JPS63232205A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電フイルムおよびその製造法 |
JPH0483635A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Teijin Ltd | 透明導電性積層体 |
JPH04249006A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-04 | Teijin Ltd | 透明導電性積層体 |
JPH1077353A (ja) * | 1995-10-03 | 1998-03-24 | Ube Ind Ltd | 芳香族ポリイミドフィルム及び銅箔積層フィルム |
JPH09115334A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Mitsubishi Materiais Corp | 透明導電膜および膜形成用組成物 |
JP2001131485A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電性膜形成用塗料及び透明導電性膜 |
JP2003257254A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Toppan Printing Co Ltd | 導電性フィルム |
JP2004066619A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性フィルム |
JP2005019056A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Toray Ind Inc | 複合透明導電性基材とそれを用いたディスプレイ |
JP2006156249A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 透明導電体 |
JP2006156250A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 透明導電体 |
JP2006185865A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Tdk Corp | 透明導電体 |
JP2007273767A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 配線基板用積層体 |
JP2008138039A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | カーボンナノファイバー分散ポリイミドワニスおよびその塗膜 |
JP2010536981A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | コーロン インダストリーズ,インコーポレイテッド | ポリイミドフィルム |
JP2010538103A (ja) * | 2007-08-27 | 2010-12-09 | コーロン インダストリーズ,インコーポレイテッド | ポリイミドフィルム |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015508345A (ja) * | 2011-12-26 | 2015-03-19 | コーロン インダストリーズ インク | プラスチック基板 |
JP2017139228A (ja) * | 2012-06-19 | 2017-08-10 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置支持基材用ポリイミドフィルムの製造方法 |
WO2014050933A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2016126954A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | コニカミノルタ株式会社 | 導電性フィルム及び導電性フィルムの製造方法 |
KR20160135103A (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 한국기계연구원 | 금속 박막 기판 및 이의 제조방법 |
KR101712597B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2017-03-08 | 한국기계연구원 | 금속 박막 기판 및 이의 제조방법 |
KR20170112247A (ko) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 주식회사 엘지화학 | 광학 필름 및 이의 제조방법 |
KR102017268B1 (ko) | 2016-03-31 | 2019-09-03 | 주식회사 엘지화학 | 광학 필름 및 이의 제조방법 |
KR20180025361A (ko) * | 2016-08-29 | 2018-03-09 | 한국기계연구원 | 이중층 금속 박막 기판 및 이의 제조방법 |
KR102558253B1 (ko) | 2016-08-29 | 2023-07-24 | 한국재료연구원 | 이중층 금속 박막 기판 및 이의 제조방법 |
JP2018086802A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 旭化成株式会社 | ポリイミドフィルム積層体 |
WO2019077836A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2019-04-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2024161851A1 (ja) * | 2023-02-03 | 2024-08-08 | グンゼ株式会社 | 導電性フィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2310443B1 (en) | 2018-05-30 |
EP2310443A4 (en) | 2012-09-05 |
WO2010002182A3 (en) | 2010-04-15 |
WO2010002182A9 (en) | 2010-05-27 |
US10884274B2 (en) | 2021-01-05 |
CN102137884B (zh) | 2014-06-25 |
JP5650109B2 (ja) | 2015-01-07 |
EP2310443A2 (en) | 2011-04-20 |
US20180004032A1 (en) | 2018-01-04 |
US20110143132A1 (en) | 2011-06-16 |
US9733503B2 (en) | 2017-08-15 |
WO2010002182A2 (en) | 2010-01-07 |
CN102137884A (zh) | 2011-07-27 |
TWI420194B (zh) | 2013-12-21 |
TW201005365A (en) | 2010-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5650109B2 (ja) | プラスチック基板およびこれを含む素子 | |
JP6503106B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
US9828469B2 (en) | Polyimide precursor, polyimide resin film produced from said polyimide precursor, display element, optical element, light-receiving element, touch panel and circuit board each equipped with said polyimide resin film, organic EL display, and methods respectively for producing organic EL element and color filter | |
WO2013191180A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法、並びに、表示装置支持基材用ポリイミドフィルム及びその製造方法 | |
KR101248671B1 (ko) | 투명전극 | |
KR101321628B1 (ko) | 플라스틱 기판 및 이를 포함하는 소자 | |
KR101401733B1 (ko) | 플라스틱 기판 및 이를 포함하는 소자 | |
US10809864B2 (en) | Film touch sensor | |
KR102524863B1 (ko) | 도전층 구비 필름, 터치 패널, 도전층 구비 필름의 제조 방법 및 터치 패널의 제조 방법 | |
TWI558556B (zh) | 含有聚醯亞胺粉體消光劑之多層聚醯亞胺膜及其製造方法 | |
KR102338021B1 (ko) | 터치 패널, 터치 패널의 제조 방법 | |
KR101340820B1 (ko) | 플라스틱 기판 | |
KR20130074168A (ko) | 플렉서블 플라스틱 기판 | |
JP4490217B2 (ja) | 光学フィルムおよび画像表示装置 | |
KR20090053567A (ko) | 폴리이미드 수지 및 필름 | |
US9267057B2 (en) | Polyimide film incorporating polyimide powder delustrant, and manufacture thereof | |
JP2006063133A (ja) | 光学フィルムおよび画像表示装置 | |
KR20100019821A (ko) | 코팅제 및 이 코팅제가 코팅된 광원 | |
KR20120078316A (ko) | 플렉서블 플라스틱 기판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121127 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121205 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130107 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130124 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140226 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5650109 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |